JP5553884B2

JP5553884B2 - ３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを製造するための電気化学的方法

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Publication number: JP5553884B2
Application number: JP2012501264A
Authority: JP
Inventors: シュテッカーフローリアン; フィッシャーアンドレーアス; ボツェムイェルク; グリースバッハウルリッヒ; ペルツァーラルフ
Original assignee: BASF SE
Current assignee: BASF SE
Priority date: 2009-03-27
Filing date: 2010-03-22
Publication date: 2014-07-16
Anticipated expiration: 2030-03-22
Also published as: WO2010108874A1; CN102365393B; CN102365393A; EP2411564A1; ES2637018T3; JP2012522125A; EP2411564B1; MX2011010107A; US20120016162A1; US8629304B2

Description

本発明は、３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールならびに３−第三ブチルベンジル−メチルエーテルならびに３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを製造するための電気化学的方法に関する。

置換ベンズアルデヒドジメチルアセタールを、相応するトルエンの電気化学的メトキシル化によって製造することは、公知である。Ｐ．Ｌｏｙｓｏｎ，Ｓ．Ｇｏｕｗｓ，Ｂ．Ｂａｒｔｏｎ，Ｍ．Ａｃｋｅｒｍａｎｎ，Ｓ．Ａｆｒ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．２００４，５７，５３−５６には、この種の方法が記載されている。トルエンの電気化学的側鎖メトキシル化の欠点は、電子押込み基、例えば第三ブチル、メチルまたはアルコキシで置換されたトルエンだけを経済的に関心を引く収量でメトキシル化することができることにある。基、例えばエチル、イソプロピルまたはイソブチルは、実際に同様に電子押込み効果を有するが、しかし、前記基のベンジル位プロトンは、同様に電気化学的反応中に副反応でメトキシ基によって置換されうる。即ち、ｐ−シメンは、Ｆ．Ｖａｕｄａｎｏ，Ｐ．Ｔｉｓｓｏｔ，ＥｌｅｃｔｒｏｃｈｉｍｉｃａＡｃｔａ２００１，４６，８７５−８８０の記載と同様に、クミンアルデヒド−ジメチル−アセタールを生じるためにスムーズにメトキシル化することができず、それというのも、イソプロピル基は、常に比例的にメトキシル化されるからである。

置換ベンズアルデヒドジメチルアセタールおよびこれを基礎とするアルデヒドは、例えば２−メチル−３−フェニルプロパナール芳香剤、例えばシクラメンアルデヒド、Ｌｙｓｍｅｒａｌ（登録商標）（ＢＡＳＦＳＥ）またはシルビアル（ｓｉｌｖｉａｌ）の合成における重要な中間生成物である。

欧州特許出願公開第０１２９７９５号明細書Ａ２には、置換ベンズアルデヒドジアルキルアセタールを、相応する置換アルキルトルエンの電子酸化によって製造する方法が記載されており、この場合には、相応するアルカノール５０〜９０質量％、アルキルトルエン８．５〜４０質量％およびＨＯ₃Ｓ基含有酸０．０１〜１．５質量％を含有する電解液が使用される。

欧州特許出願公開第０５５４５６４号明細書Ａ１には、置換ベンズアルデヒドアセタールを、この場合この芳香族化合物の置換基は、少なくとも１個のベンジル位水素原子を有するものとし、相応するベンジルエーテルの電気化学的酸化によって相応するアルカノールの存在下ならびに補助電解液の存在下で、酸性、中性または弱塩基性の範囲内で電気分解することにより、製造するための方法が開示されている。

欧州特許出願公開第０６３８６６５号明細書Ａ１には、置換トルエン化合物に相応して電気化学的酸化によって、置換トルエン化合物をアルカノールおよび補助電解液の存在下で電解セル中で酸化し、こうして得られた反応溶液を電解セルの外側で、電解セル中の圧力よりも１０ミリバールないし１０バール低い圧力に減圧することにより、置換ベンズアルデヒドジアルキルアセタールを製造するための方法が開示されている。

本発明の課題は、極めて良好な生成物収量、極めて良好な生成物選択性および高い電流収量を示し、同時に安価な出発物質および試薬または助剤を使用して良好に工業的規模で実施することができる、３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを製造するための電気化学的方法を提供することであった。

この課題は、
式（ＩＩ）

で示される３−第三ブチルトルエンおよび／または式（ＩＩＩ）

〔式中、基
Ｒは、メチルまたはＣ（Ｏ）Ｒ’を意味し、この場合Ｒ’は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状アルキル基を表わす〕で示される３−第三ブチルメチルベンジル化合物および／または式（ＩＶ）

で示されるジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテルをメタノール、少なくとも１つの導電性塩ならびに場合により１つの補助溶剤または複数の種々の補助溶剤を含む電解液中で電気化学的陽極メトキシル化することにより、式（Ｉ）

で示される３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを製造するための方法を提供することによって解決された。

本発明による方法を実施するための出発物質として、選択的に式（ＩＩ）

で示される化合物３−第三ブチルトルエン
および／または式（ＩＩＩ）の３−第三ブチル−メチルベンジル化合物、即ち３−第三ブチル−メチルベンジルエーテルおよび／または式（ＩＩＩ）

〔式中、基
Ｒは、メチルまたはＣ（Ｏ）Ｒ’を意味し、この場合Ｒ’は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状アルキル基を表わす〕で示されるエステル
および／または式（ＩＶ）

で示されるジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテルが使用される。

記載された化合物は、本発明による方法の範囲内で原理的にそれぞれ単独で使用されてもよいし、記載された化合物の２つまたは全部で３つのそれぞれの混合物の形で使用されてもよい。

式（ＩＩＩ）の本発明により使用可能な化合物は、殊に式（ＩＩＩａ）

〔式中、Ｍｅは、メチルを意味する〕で示される３−第三ブチル−メチルベンジルエーテルであるのが好ましい。式（ＩＩＩ）の同様に本発明により使用可能なエステルの場合には、基Ｒ’は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基、有利にメチル、エチル、プロピルまたはイソプロピル、殊に有利にメチルを表わす。それに応じて、本発明による同様に好ましい出発化合物は、式（ＩＩＩｂ）

で示されるアセテートである。

本発明による方法の１つの好ましい実施態様の範囲内で、式（ＩＩ）の３−第三ブチルトルエンだけが出発物質として使用される。本発明による電気化学的陽極メトキシル化の経過中に、そのことから最初に式（ＩＩＩ）の記載された化合物、殊に式（ＩＩＩａ）

〔式中、Ｍｅは、メチルを意味する〕で示される３−第三ブチル−メチルベンジルエーテルが形成されることができ、これは、次にその側で反応条件下で反応して望ましい生成物式（Ｉ）の３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールに変わりうるかまたはさらに反応されうる。

出発物質として本発明による方法の範囲内で好ましい式（ＩＩ）の３−第三ブチルトルエンは、公知方法により、例えば特許第２７３８０９３号の記載と同様に、例えばパラ置換された異性体を異性化することによって製造されうる。

式（ＩＩＩａ）の３−第三ブチルベンジルメチルエーテルは、例えばゼオライト触媒上で第三ブチルベンゼンをホルムアルデヒド−ジメチルアセタールでメトキシメチル化することによって製造されうる。

一般に、ゼオライト触媒上でのホルムアルデヒド−ジメチルアセタールとの反応によるアルキルベンゼン（トルエン、エチルベンゼン、イソブチルベンゼン、クメン、第三ブチルベンゼン等）からの置換ベンジルメチルエーテルの製造は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９９０４９００号明細書Ａ１に記載されている。低い変換率（３０％未満）の場合には、良好な生成物選択性が得られ、高い変換率の場合には、ジアリールメタンへの反応が優位を占める。更に、式（ＩＩ）のベンジルメチルエーエルを製造するための当業者に公知の方法は、３−第三ブチルベンジルアルコールのメチル化またはウィリアムソン−エーテル合成における第三ブチルベンジルハロゲン化物とメタノールまたはメタノラートとの反応である。

更に、本発明による方法の実施態様において、式（ＩＶ）

で示されるジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテルは、単独で、または前記の記載と同様に式（ＩＩ）および／または（ＩＩＩ）の他の可能な出発物質との混合物の形で使用される。この場合には、１当量のジメチルエーテルから２当量の式（Ｉ）の３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールが形成される。

式（ＩＶ）のジベンジルエーテルは、例えば式（Ｖ）

で示される相応する置換ベンジルアルコールを、一般式（ＶＩ）

で示される相応する置換ベンジルハロゲン化物と反応させることによって製造されうる。この場合には、大抵アルコールの脱プロトン化のために、塩基の存在下で作業される（Ｆｉｌｅｔｉ，Ｇａｚｚ．Ｃｈｉｍ．Ｉｔａｌ．１８８４，１４，４９８−５０１）。エーテル合成は、ベンジルアルコール２分子の酸触媒による縮合によって実施されてもよい（Ｆｉｌｅｔｉ，Ｇａｚｚ．Ｃｈｉｍ．Ｉｔａｌ．１８８２，１２，５０１；Ｆ．Ｓｈｉｒｉｎｉ，Ｍ．Ａ．Ｚｏｌｆｉｇｏｌ，Ｋ．Ｍｏｈａｍｍａｄｉ，Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ，ＳｕｌｆｕｒＳｉｌｉｃｏｎＲｅｌａｔ，Ｅｌｅｍ．２００３，１７８（１１），２３５７−２３６２）。この反応については、数多くの他の例が刊行物中に存在する。

式（ＩＶ）のジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテルは、当業者に公知である関連方法、例えば求電子芳香族置換またはフリーデル−クラフツ−アルキル化によって非置換のジベンジルエーテルを官能化することによって製造されてもよい。ジベンジルエーテルは、大工業的製品であり、これは、特に可塑剤として使用される。

アルキルトルオールの電気化学的メトキシル化の中間段階として、即ちｐ−第三ブチルトルエンまたはｐ−キシレンのメトキシル化の中間段階としてのアルキルベンジルメチルエーテルの発生は、Ｐ．Ｌｏｙｓｏｎ，Ｓ．Ｇｏｕｗｓ，Ｂ．Ｚｅｅｌｉｅ，Ｓ．Ａｆｒ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，２００２，５５，１２５−１３１またはＰ．Ｌｏｙｓｏｎ，Ｓ．Ｇｏｕｗｓ，Ｂ．Ｂａｒｔｏｎ，Ｍ．Ａｃｋｅｒｍａｎｎ，Ｓ．Ａｆｒ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，２００４，５７，５３−５６に記載されている。この場合、第１のメトキシ基の発生は、速度を定める工程であり、その結果、この工程は、適度な収量でのみ進行する。

式（ＩＶ）のジベンジルエーテルを電気化学的メトキシル化する場合には、直接に式（Ｉ）のベンズアルデヒド−ジメチルアセタールが得られ、この場合には、ジベンジルエーテル−ビスメトキシル化中間段階（ＶＩＩ）が処理される。しかし、この中間段階（ＶＩＩ）は、反応条件下で安定ではなく、水の遊離下にメタノールと反応し、式（Ｉ）の化合物に変わる。

電解液は、本発明による方法の範囲内で式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および／または（ＩＶ）の選択された出発物質と共に少なくとも１つのメタノールならびに少なくとも１つの導電性塩を含有する。

電解液中に含有されていてよい導電性塩は、一般にアルカリ金属アンモニウム塩、テトラ（Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル）アンモニウム塩、有利にトリ（Ｃ₁〜Ｃ₆アルキル）メチルアンモニウム塩である。対イオンとしては、硫酸イオン、硫酸水素イオン、アルキル硫酸イオン、アリール硫酸イオン、アルキルスルホン酸イオン、アリールスルホン酸イオン、ハロゲン化物イオン、リン酸イオン、炭酸イオン、アルキルリン酸イオン、アルキル炭酸イオン、硝酸イオン、アルコラートイオン、テトラフルオロホウ酸イオンまたは過塩素酸イオンがこれに該当する。

更に、前記陰イオンに由来する酸、例えば硫酸、スルホン酸ならびにカルボン酸は、導電性塩として見なされる。

この他に、導電性塩としてイオン液体も適する。適したイオン液体は、"ＩｏｎｉｃＬｉｑｕｉｄｓｉｎＳｙｎｔｈｅｓｉｓ", 編者ＰｅｔｅｒＷａｓｓｅｒｓｃｈｅｉｄ，ＴｏｍＷｅｌｔｏｎ，ＶｅｒｌａｇＷｉｌｅｙＶＣＨ，２００３, 第１〜３章ならびにドイツ連邦共和国特許出願公開第１０２００４０１１４２７号明細書中に記載されている。

好ましい導電性塩は、本発明による方法の範囲内で、メチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェート、メチルトリエチルアンモニウムメチルスルフェート、ナトリウムメチルスルフェート、ナトリウムメタンスルホネートおよび硫酸、殊に有利にナトリウムメタンスルホネート、メチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートおよびメチルトリエチルアンモニウムメチルスルフェート、さらに好ましくはメチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートおよびメチルトリエチルアンモニウムメチルスルフェート、殊に有利にメチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートである。記載された導電性塩、殊にメチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートおよびメチルトリエチルアンモニウムメチルスルフェートは、単独で使用されてもよいし、互いの混合物の形で使用されてもよい。

本発明による方法の好ましい実施態様の範囲内で、メチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートおよび／またはメチルトリエチルアンモニウムメチルスルフェートは、導電性塩として使用される。メチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートは、導電性塩として殊に有利に使用される。他方で、好ましくは、記載された導電性塩は、単独で使用されてもよいし、２つの異なる導電性塩の混合物の形で使用されてもよいが、しかし、有利には、単独で使用される。

本発明による方法の１つの好ましい実施態様の範囲内で、電解液中での導電性塩の濃度は、０．１〜２０質量百分率（質量％）の範囲内、有利に０．２〜１５質量％の範囲内、なおさらに好ましくは０．２５〜１０質量％、なおさらに有利には０．５〜７．５質量％、殊に有利に１〜５質量％の範囲内で選択される。

更に、本発明による方法の好ましい実施態様は、電気化学的陽極メトキシル化が３５〜７０℃の範囲内、有利に４５〜６０℃の範囲内の電解液の温度で実施されることによって特徴付けられる。

更に、本発明による方法は、有利に電気化学的陽極メトキシル化が５００〜１０００００ミリバールの範囲内の絶対圧、有利に１０００〜４０００ミリバールの範囲内の絶対圧で実施されるように実施される。

場合によっては、電解液に通常の補助溶剤を添加する。これは、有機化学において一般的に常用の、高い酸化ポテンシャルを有する不活性溶剤である。例示的には、ジメチルカーボネートまたはプロピレンカーボネートが挙げられる。従って、本発明による方法は、１つの好ましい実施態様の範囲内で補助溶剤としてのジメチルカーボネートおよび／またはプロピレンカーボネートの存在下で実施される。

補助溶剤として原理的には、水も適しており、電解液中の水の割合は、有利に２０質量％未満である。

本発明による方法は、全ての通常の分割されたかまたは分割されていないタイプの電界セル中で実施されることができる。本発明による方法は、非連続的ならびに連続的に実施されることができる。本発明による方法は、１つの好ましい実施態様の範囲内で連続的に実施される。有利には、連続的に、分割されていないフローセル（Ｄｕｒｃｈｆｌｕｓｓｚｅｌｌｅ）を用いて実施される。

特にとりわけ適しているのは、双極性に接続されたキャピラリーギャップセル（Ｋａｐｉｌｌａｒｓｐａｌｔｚｅｌｌｅ）またはプレートスタックセル（Ｐｌａｔｔｅｎｓｔａｐｅｌｚｅｌｌｅ）であり、この際電極はプレートとして構成されており、かつ面平行に配置されている（Ｕｌｌｍａｎｎ’ｓＥｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａｏｆＩｎｄｕｓｔｒｉａｌＣｈｅｍｉｓｔｒｙ,１９９９ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｒｅｌｅａｓｅ, 第６版, ＶＣＨ−ＶｅｒｌａｇＷｅｉｎｈｅｉｍ，ＶｏｌｕｍｅＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｃｈａｐｔｅｒ３.５.ｓｐｅｃｉａｌｃｅｌｌｄｅｓｉｇｎｓならびにＣｈａｐｔｅｒ５，ＯｒｇａｎｉｃＥｌｃｔｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｓｕｂｃｈａｐｔｅｒ５.４.３.２ＣｅｌｌＤｅｓｉｇｎ参照）。電極材料としては、貴金属、例えば白金、混合酸化物電極、例えばＲｕＯ_xＴｉＯ_x（いわゆるＤＳＡ電極）または炭素含有材料、例えば黒鉛、ガラス状カーボンまたはダイヤモンド電極が好ましい。殊に有利には、黒鉛電極が使用される。本発明による方法は、１つの好ましい実施態様の範囲内でプレートスタックセルを使用して実施される。

本方法を実施する際の電流密度は、一般的に１〜１０００ｍＡ／ｃｍ²、有利に１０〜１００ｍＡ／ｃｍ²である。特に有利には、本方法は、１０〜５０ｍＡ／ｃｍ²の電流密度で実施される。一般的には、常圧で作業される。出発化合物の沸騰または溶剤の沸騰を回避させるために、より高い圧力は、より高い温度で実施されることが望ましい場合に有利に適用される。

陽極材料として、例えば貴金属、例えば白金または金属酸化物、例えばルテニウム酸化物またはクロム酸化物、またはＲｕＯ_x、ＴｉＯ_xのタイプの混合酸化物が適している。有利には、黒鉛または炭素電極である。

陰極材料としては、例えば鉄、鋼、特殊鋼、ニッケルまたは貴金属、例えば白金ならびに黒鉛または炭素材料ならびにダイヤモンド電極がこれに該当する。好ましいのは、陽極および陰極として黒鉛、ならびに陽極として黒鉛、および陰極としてニッケル、特殊鋼または鋼の系である。

反応の終了後に、電解液は、一般的な分離方法により後処理される。このために、電解液は、一般的に最初に蒸留され、個々の化合物は、異なる画分の形で別々に取得される。更なる精製は、例えば、結晶化、抽出、蒸留またはクロマトグラフィーにより行なわれてよい。

本発明のもう１つの視点は、前記方法および引続く加水分解による式（Ｉ）の３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールの製造を含む、式（ＶＩＩＩ）

で示される３−第三ブチルベンズアルデヒドを製造する方法に関する。記載された加水分解は、当業者に自体公知の方法により、例えば式（Ｉ）の化合物を水または酸、例えば希釈された塩酸、硫酸または酢酸と簡単に接触させることによって実現されうる。

本発明は、もう１つの視点において、式（Ｉ）

で示される３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールに関する。

本発明は、もう１つの視点において、式（ＩＩＩａ）

〔式中、Ｍｅは、メチルを意味する〕で示される３−第三ブチル−メチルベンジルエーテルに関する。

本発明は、もう１つの視点において、式（ＩＶ）

で示されるジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテルに関する。

本発明は、もう１つの視点において最後に中間体として処理される、式（ＶＩＩ）

〔式中、Ｍｅは、メチルを意味する〕で示される化合物に関する。

本発明を以下の実施例につき詳説する。

実施例１〜５：式（Ｉ）の３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールの製造
実施例１：
式（ＩＩ）の３−第三ブチルトルエンを電気化学的メトキシル化するために、式（ＩＩ）の化合物１０５ｇ、導電性塩としての（９６〜９８％）硫酸１．９ｇおよびメタノール５９３．１ｇからなる電解液を、４５℃および３４ｍＡ／ｃｍ²の電流密度で、１０個の円形の黒鉛電極（Ａ＝３２ｃｍ²）を備えた、分割されていないキャピラリーギャップセル中で、式（ＩＩ）の化合物の１５Ｆ／ｍｏｌの電荷量が達成されるまで電気分解した。蒸留による後処理は、３０％のアセタールおよびエーテルの全収量に相当する、式（Ｉ）の化合物３３．３ｇならびに３−第三ブチルベンジルメチルエーテル７．５ｇを生じた。

実施例２：
式（ＩＩ）の化合物を電気化学的メトキシル化するために、式（ＩＩ）の化合物１４０ｇ、導電性塩としての（９６〜９８％）硫酸１．９ｇおよびナトリウムメチラート３．４７ｇ（メタノール中３０％）、およびメタノール５５４．６ｇからなる電解液を、４５℃および２２ｍＡ／ｃｍ²の電流密度で、１０個の円形の黒鉛電極（Ａ＝３２ｃｍ²）を備えた、分割されていないキャピラリーギャップセル中で、式（ＩＩ）の化合物の１５Ｆ／ｍｏｌの電荷量が達成されるまで電気分解した。蒸留による後処理は、３８％のアセタールおよびエーテルの全収量に相当する、式（Ｉ）の化合物５４．５ｇならびに３−第三ブチルベンジルメチルエーテル１７．０ｇを生じた。

実施例３：
式（ＩＩ）の化合物を電気化学的メトキシル化するために、式（ＩＩ）の化合物１０５ｇ、導電性塩としてのメチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェート１４ｇ（ＭＴＢＳ、メタノール中６０％）およびメタノール５８１ｇからなる電解液を、５３℃および２２ｍＡ／ｃｍ²の電流密度で、１０個の円形の黒鉛電極（Ａ＝３２ｃｍ²）を備えた、分割されていないキャピラリーギャップセル中で、式（ＩＩ）の化合物の１８Ｆ／ｍｏｌの電荷量が達成されるまで電気分解した。蒸留による後処理は、４１％のアセタールおよびエーテルの全収量に相当する、式（Ｉ）の化合物４８．３ｇならびに３−第三ブチルベンジルメチルエーテル１０．５ｇを生じた。

実施例４：
式（ＩＩ）の化合物を電気化学的メトキシル化するために、式（ＩＩ）の化合物１４ｇ、導電性塩としてのメチルトリエチルアンモニウムメチルスルフェート１．４ｇ（ＭＴＥＳ）およびメタノール５４．６ｇからなる電解液を、５３℃および２２ｍＡ／ｃｍ²の電流密度で、分割されていないビーカーセル（Ｂｅｃｈｅｒｇｌａｓｔｏｐｆｚｅｌｌｅ）（Ａ＝１０ｃｍ²）中で、式（ＩＩ）の化合物の１４Ｆ／ｍｏｌの電荷量が達成されるまで電気分解した。蒸留による後処理は、５４％のアセタールおよびエーテルの全収量に相当する、式（Ｉ）の化合物９．９９ｇならびに３−第三ブチルベンジルメチルエーテル０．５４ｇを生じた。

実施例５：
式（ＩＩ）の化合物を電気化学的メトキシル化するために、式（ＩＩ）の化合物１４ｇ、導電性塩としてのナトリウムメタンスルホネート０．４２ｇおよびメタノール５５．６ｇからなる電解液を、５３℃および２２ｍＡ／ｃｍ²の電流密度で、分割されていないビーカーセル（Ａ＝１０ｃｍ²）中で、式（ＩＩ）の化合物の１９Ｆ／ｍｏｌの電荷量が達成されるまで電気分解した。蒸留による後処理は、４７％のアセタールおよびエーテルの全収量に相当する、式（Ｉ）の化合物８．７５ｇならびに３−第三ブチルベンジルメチルエーテル０．４２ｇを生じた。

Claims

式（ＩＩ）

で示される３−第三ブチルトルエン
および／または式（ＩＩＩ）

〔式中、基
Ｒは、メチルまたはＣ（Ｏ）Ｒ’を意味し、この場合Ｒ’は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状アルキル基を表わす〕で示される３−第三ブチルベンジル化合物
および／または式（ＩＶ）

で示されるジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテルをメタノール、少なくとも１つの導電性塩ならびに場合により１つの補助溶剤または複数の種々の補助溶剤を含む電解液中で電気化学的陽極メトキシル化することにより、式（Ｉ）

で示される３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを製造する方法。
式（ＩＩ）の３−第三ブチルトルエンだけを出発物質として使用する、請求項１記載の方法。
導電性塩としてメチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートおよび／またはメチルトリエチルアンモニウムメチルスルフェートを使用する、請求項１または２記載の方法。
導電性塩としてメチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートを使用する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
補助溶剤としてジメチルカーボネートおよび／またはプロピレンカーボネートを使用する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
電解液中の導電性塩の濃度を０．１〜２０質量百分率（質量％）の範囲内で選択する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
電気化学的陽極メトキシル化を３５〜７０℃の範囲内の電解液の温度で実施する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
電気化学的陽極メトキシル化を５００〜１０００００ミリバールの範囲内の絶対圧で実施する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
電気化学的陽極メトキシル化を１０〜１００ｍＡ／ｃｍ²の範囲内の電流密度で実施する、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
電気化学的陽極メトキシル化をプレートスタックセルを使用して実施する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
電気化学的陽極メトキシル化を連続的に実施する、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の式（Ｉ）の３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールの製造および引続く加水分解を含む式（ＶＩＩＩ）

で示される３−第三ブチルベンズアルデヒドの製造法。
３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタール。
式（ＩＶ）

で示されるジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテル。
式（ＶＩＩ）

〔式中、Ｍｅは、メチルを意味する〕で示される化合物。