JP5548276B2 - 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 249
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 188
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 47
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 34
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 32
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 31
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 16
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 41
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- -1 nickel oxide Chemical class 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
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- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
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Description
本発明は、半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
メサ型の半導体装置を製造する過程でpn接合露出部を覆うようにパッシベーション用のガラス層を形成する半導体装置の製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
図8及び図9は、そのような従来の半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図8(a)〜図8(d)及び図9(a)〜図9(d)は各工程図である。
従来の半導体装置の製造方法は、図8及び図9に示すように、「半導体基体形成工程」、「溝形成工程」、「ガラス層形成工程」、「フォトレジスト形成工程」、「酸化膜除去工程」、「粗面化領域形成工程」、「電極形成工程」及び「半導体基体切断工程」をこの順序で含む。以下、従来の半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
従来の半導体装置の製造方法は、図8及び図9に示すように、「半導体基体形成工程」、「溝形成工程」、「ガラス層形成工程」、「フォトレジスト形成工程」、「酸化膜除去工程」、「粗面化領域形成工程」、「電極形成工程」及び「半導体基体切断工程」をこの順序で含む。以下、従来の半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
(a)半導体基体形成工程
まず、n−型半導体基板(n−型シリコン基板)910の一方の表面からのp型不純物の拡散によりp+型拡散層912、他方の表面からのn型不純物の拡散によりn+型拡散層914を形成して、主面に平行なpn接合が形成された半導体基体を形成する。その後、熱酸化によりp+型拡散層912及びn+型拡散層914の表面に酸化膜916,918を形成する(図8(a)参照。)。
まず、n−型半導体基板(n−型シリコン基板)910の一方の表面からのp型不純物の拡散によりp+型拡散層912、他方の表面からのn型不純物の拡散によりn+型拡散層914を形成して、主面に平行なpn接合が形成された半導体基体を形成する。その後、熱酸化によりp+型拡散層912及びn+型拡散層914の表面に酸化膜916,918を形成する(図8(a)参照。)。
(b)溝形成工程
次に、フォトエッチング法によって、酸化膜916の所定部位に所定の開口部を形成する。酸化膜のエッチング後、引き続いて半導体基体のエッチングを行い、半導体基体の一方の表面からpn接合を超える深さの溝920を形成する(図8(b)参照。)。
次に、フォトエッチング法によって、酸化膜916の所定部位に所定の開口部を形成する。酸化膜のエッチング後、引き続いて半導体基体のエッチングを行い、半導体基体の一方の表面からpn接合を超える深さの溝920を形成する(図8(b)参照。)。
(c)ガラス層形成工程
次に、溝920の表面に、電気泳動法により溝920の内面及びその近傍の半導体基体表面に半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層924を形成する(図8(c)参照。)。
次に、溝920の表面に、電気泳動法により溝920の内面及びその近傍の半導体基体表面に半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層924を形成する(図8(c)参照。)。
(d)フォトレジスト形成工程
次に、ガラス層912の表面を覆うようにフォトレジスト926を形成する(図8(d)参照。)。
次に、ガラス層912の表面を覆うようにフォトレジスト926を形成する(図8(d)参照。)。
(e)酸化膜除去工程
次に、フォトレジスト926をマスクとして酸化膜916のエッチングを行い、Niめっき電極膜を形成する部位930における酸化膜916を除去する(図9(a)参照。)。
次に、フォトレジスト926をマスクとして酸化膜916のエッチングを行い、Niめっき電極膜を形成する部位930における酸化膜916を除去する(図9(a)参照。)。
(f)粗面化領域形成工程
次に、Niめっき電極膜を形成する部位930における半導体基体表面の粗面化処理を行い、Niめっき電極と半導体基体との密着性を高くするための粗面化領域932を形成する(図9(b)参照。)。
次に、Niめっき電極膜を形成する部位930における半導体基体表面の粗面化処理を行い、Niめっき電極と半導体基体との密着性を高くするための粗面化領域932を形成する(図9(b)参照。)。
(g)電極形成工程
次に、半導体基体にNiめっきを行い、粗面化領域932上にアノード電極934を形成するとともに、半導体基体の他方の表面にカソード電極936を形成する(図9(c)参照。)。
次に、半導体基体にNiめっきを行い、粗面化領域932上にアノード電極934を形成するとともに、半導体基体の他方の表面にカソード電極936を形成する(図9(c)参照。)。
(h)半導体基体切断工程
次に、ダイシング等により、ガラス層924の中央部において半導体基体を切断して半導体基体をチップ化して、メサ型半導体装置(pnダイオード)を作成する(図9(d)参照。)。
次に、ダイシング等により、ガラス層924の中央部において半導体基体を切断して半導体基体をチップ化して、メサ型半導体装置(pnダイオード)を作成する(図9(d)参照。)。
以上説明したように、従来の半導体装置の製造方法は、主面に平行なpn接合が形成された半導体基体の一方の表面からpn接合を超える溝920を形成する工程(図8(a)及び図8(b)参照。)と、当該溝920の内部にpn接合露出部を覆うようにパッシベーション用のガラス層924を形成する工程(図8(c)参照。)とを含む。このため、従来の半導体装置の製造方法によれば、溝920の内部にパッシベーション用のガラス層924を形成した後半導体基体を切断することにより、高耐圧のメサ型半導体装置を製造することができる。
ところで、パッシベーション用のガラス層に用いるガラス材料としては、(a)適正な温度(例えば1100℃以下)で焼成できること、(b)工程で使用する薬品に耐えること、(c)シリコンに近い熱膨張係数を有すること(特に50℃〜500℃における平均熱膨張率がシリコンに近いこと)及び(d)優れた絶縁性を有することという条件を満たす必要があることから、従来より「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」が広く用いられている。
しかしながら、「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」には環境負荷の大きい鉛が含まれており、近未来にはそのような「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」の使用が禁止されていくことになると考えられる。
一方、本発明の発明者らの実験によれば、パッシベーション用のガラス層に用いるガラス材料として、鉛を含まないガラス材料を用いた場合には、たとえ半導体接合保護用ガラス組成物を製造する過程で泡が発生しない場合であっても、電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から泡が発生する場合があることが分かった。このような場合には、半導体装置の逆方向耐圧特性が劣化する。
そこで、本発明は、上記した事情に鑑みてなされたもので、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」を用いた場合と同様に、高耐圧の半導体装置を製造することを可能とし、さらには、電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から発生することがある泡の発生を抑制して、半導体装置の逆方向耐圧特性が劣化するという事態の発生を抑制することを可能とする、半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
[1]本発明の半導体接合保護用ガラス組成物は、少なくともSiO2と、Al2O3と、MOと、「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないことを特徴とする。但し、上記MO中、Mはアルカリ土類金属を示す。
[2]本発明の半導体接合保護用ガラス組成物においては、前記「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」として、ニッケル酸化物を含有することが好ましい。
[3]本発明の半導体接合保護用ガラス組成物においては、SiO2の含有量が53mol%〜73mol%の範囲内にあり、Al2O3の含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、CaOの含有量が3mol%〜9mol%の範囲内にあり、MgOの含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることが好ましい。
[4]本発明の半導体接合保護用ガラス組成物においては、SiO2の含有量が32mol%〜48mol%の範囲内にあり、Al2O3の含有量が9mol%〜13mol%の範囲内にあり、CaOの含有量が15mol%〜23mol%の範囲内にあり、ZnOの含有量が18mol%〜28mol%の範囲内にあり、B2O3の含有量が3mol%〜10mol%の範囲内にあり、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることが好ましい。
[5]本発明の半導体装置の製造方法は、pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子を準備する第1工程と、前記pn接合露出部を覆うようにガラス層を形成する第2工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法であって、前記第2工程においては、少なくともSiO2と、Al2O3と、MOと、「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物を用いて前記ガラス層を形成することを特徴とする。但し、上記MO中、Mはアルカリ土類金属を示す。
[6]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第1工程は、主面に平行なpn接合を備える半導体基体を準備する工程と、前記半導体基体の一方の表面から前記pn接合を超える深さの溝を形成することにより、前記溝の内部に前記pn接合露出部を形成する工程とを含み、前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことが好ましい。
[7]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部を直接覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことが好ましい。
[8]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程とを含むことが好ましい。
[9]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第1工程は、半導体基体の表面に前記pn接合露出部を形成する工程を含み、前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことが好ましい。
[10]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部を直接覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことが好ましい。
[11]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程とを含むことが好ましい。
[12]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記半導体接合保護用ガラス組成物は、前記「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」として、ニッケル酸化物を含有することが好ましい。
[13]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2の含有量が53mol%〜73mol%の範囲内にあり、Al2O3の含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、CaOの含有量が3mol%〜9mol%の範囲内にあり、MgOの含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることが好ましい。
[14]本発明の半導体装置の製造方法においては、前記半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2の含有量が32mol%〜48mol%の範囲内にあり、Al2O3の含有量が9mol%〜13mol%の範囲内にあり、CaOの含有量が15mol%〜23mol%の範囲内にあり、ZnOの含有量が18mol%〜28mol%の範囲内にあり、B2O3の含有量が3mol%〜10mol%の範囲内にあり、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることが好ましい。
[15]本発明の半導体装置は、pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子と、前記pn接合露出部を覆うように形成されたガラス層とを備える半導体装置であって、前記ガラス層は、少なくともSiO2と、Al2O3と、MOと、「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物を用いて形成されたものであることを特徴とする。
[16]本発明の半導体装置においては、前記半導体接合保護用ガラス組成物は、前記「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」として、ニッケル酸化物を含有することが好ましい。
[17]本発明の半導体装置においては、前記半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2の含有量が53mol%〜73mol%の範囲内にあり、Al2O3の含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、CaOの含有量が3mol%〜9mol%の範囲内にあり、MgOの含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることが好ましい。
[18]本発明の半導体装置においては、前記半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2の含有量が32mol%〜48mol%の範囲内にあり、Al2O3の含有量が9mol%〜13mol%の範囲内にあり、CaOの含有量が15mol%〜23mol%の範囲内にあり、ZnOの含有量が18mol%〜28mol%の範囲内にあり、B2O3の含有量が3mol%〜10mol%の範囲内にあり、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることが好ましい。
本発明の半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、後述する実施例からも明らかなように、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。
また、本発明の半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、半導体接合保護用ガラス組成物が、ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物を含有するため、後述する実施例からも明らかなように、電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から発生することがある泡の発生を抑制して、半導体装置の逆方向耐圧特性が劣化するという事態の発生を抑制することが可能となる。なお、半導体接合保護用ガラス組成物が、ニッケル酸化物等の金属酸化物を含有する場合に、「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から発生することがある泡の発生を抑制する理由について詳細は不明であるが、本発明の発明者らは、「半導体基体(シリコン)に対する半導体接合保護用ガラス組成物の濡れ性が高くなるため、泡が発生し難くなる」のではないかと推測している。
本発明の半導体接合保護用ガラス組成物において、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないとは、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを成分として含有しないという意味であり、ガラスを構成する各成分の原料中に不純物として上記が混入したガラス組成物を排除するものではない。本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置においても同様である。
ここで、Pbを実質的に含有しないこととしたのは、本発明の目的が「鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することを可能とする」ことにあるからである。
また、Pと、Asと、Sbとを実質的に含有しないこととしたのは、これらの成分を含有する場合には焼成温度の点では有利なのではあるが、焼成中にこれらの成分が半導体基体に拡散することに起因して絶縁性が低下する場合があるからである。
また、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないこととしたのは、これらの成分を含有する場合には平均熱膨張率や焼成温度の点では有利なのではあるが、絶縁性が低下する場合があるからである。
本発明の発明者らの研究により、これらの成分(すなわち、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、K。)を実質的に含有しない場合であっても、少なくともSiO2と、Al2O3と、MOと、「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」とを含有するガラス組成物は、半導体接合保護用ガラス組成物として使用可能であることが分かった。すなわち、本発明の半導体接合保護用ガラス組成物によれば、後述する実施例からも明らかなように、鉛を含まないガラス材料を用いて従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。
以下、本発明の半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。
[実施形態1]
実施形態1は、半導体接合保護用ガラス組成物に係る実施形態である。
実施形態1は、半導体接合保護用ガラス組成物に係る実施形態である。
実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2と、Al2O3と、CaOと、MgOと、ニッケル酸化物とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないものである。
具体的には、SiO2の含有量が53mol%〜73mol%の範囲内(例えば62.6mol%)にあり、Al2O3の含有量が11mol%〜21mol%の範囲内(例えば15.3mol%)にあり、CaOの含有量が3mol%〜9mol%の範囲内(5.5mol%)にあり、MgOの含有量が11mol%〜21mol%の範囲内(例えば15.6mol%)にあり、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内(例えば1mol%)にある。
実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物によれば、後述する実施例からも明らかなように、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。
また、実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物によれば、半導体接合保護用ガラス組成物がニッケル酸化物を含有するため、後述する実施例からも明らかなように、電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から発生することがある泡の発生を抑制して、半導体装置の逆方向耐圧特性が劣化するという事態の発生を抑制することが可能となる。
ここで、SiO2の含有量を53mol%〜73mol%の範囲内としたのは、SiO2の含有量が53mol%未満である場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからであり、SiO2の含有量が73mol%を超える場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからである。
また、Al2O3の含有量を11mol%〜21mol%の範囲内としたのは、Al2O3の含有量が11mol%未満である場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからであり、Al2O3の含有量が21mol%を超える場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからである。
また、CaOの含有量を3mol%〜9mol%の範囲内としたのは、CaOの含有量が3mol%未満である場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからであり、CaOの含有量が9mol%を超える場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからである。
また、MgOの含有量を11mol%〜21mol%の範囲内としたのは、MgOの含有量が11mol%未満である場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからであり、MgOの含有量が21mol%を超える場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからである。
また、ニッケル酸化物の含有量を0.01mol%〜3mol%の範囲内としたのは、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%未満である場合には、電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から発生することがある泡の発生を抑制することが困難となる場合があるからであり、ニッケル酸化物の含有量が3mol%を超える場合には、均質なガラスを製造することが困難となる場合があるからである。
実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物は、以下のようにして製造することができる。すなわち、上記した組成比(モル比)になるように原料(SiO2、Al(OH)3、CaCO3、Mg(OH)2及びNiOを調合し、混合機でよく攪拌した後、その混合した原料を電気炉中で所定温度に上昇させた白金ルツボに入れ、所定時間溶融させる。その後、融液を水冷ロールに流し出して薄片状のガラスフレークを得る。その後、このガラスフレークをボールミルなどで所定の平均粒径となるまで粉砕して、粉末状のガラス組成物を得る。
[実施形態2]
実施形態2に係る半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2と、Al2O3と、CaOと、ZnOと、B2O3と、ニッケル酸化物とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないものである。
実施形態2に係る半導体接合保護用ガラス組成物は、SiO2と、Al2O3と、CaOと、ZnOと、B2O3と、ニッケル酸化物とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないものである。
具体的には、SiO2の含有量が32mol%〜48mol%の範囲内(例えば39.6mol%)にあり、Al2O3の含有量が9mol%〜13mol%の範囲内(例えば10.9mol%)にあり、CaOの含有量が15mol%〜23mol%の範囲内(例えば18.8mol%)にあり、ZnOの含有量が18mol%〜28mol%の範囲内(例えば22.8mol%)にあり、B2O3の含有量が3mol%〜10mol%の範囲内(例えば6.9mol%)にあり、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内(例えば1mol%)にある。
実施形態2に係る半導体接合保護用ガラス組成物によれば、後述する実施例からも明らかなように、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。
また、実施形態2に係る半導体接合保護用ガラス組成物によれば、半導体接合保護用ガラス組成物がニッケル酸化物を含有するため、後述する実施例からも明らかなように、電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から発生することがある泡の発生を抑制して、半導体装置の逆方向耐圧特性が劣化するという事態の発生を抑制することが可能となる。
ここで、SiO2の含有量を32mol%〜48mol%の範囲内としたのは、SiO2の含有量が32mol%未満である場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからであり、SiO2の含有量が48mol%を超える場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからである。
また、Al2O3の含有量を9mol%〜13mol%の範囲内としたのは、Al2O3の含有量が9mol%未満である場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからであり、Al2O3の含有量が13mol%を超える場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからである。
また、CaOの含有量を15mol%〜23ol%の範囲内としたのは、CaOの含有量が15mol%未満である場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからであり、CaOの含有量が23mol%を超える場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したりする場合があるからである。
また、ZnOの含有量を18mol%〜28mol%の範囲内としたのは、ZnOの含有量が18mol%未満である場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからであり、ZnOの含有量が28mol%を超える場合には、耐薬品性が低下したり、絶縁性が低下したり、ガラス層の内部で泡が発生する場合があるからである。
また、B2O3の含有量を3mol%〜10mol%の範囲内としたのは、B2O3の含有量が3mol%未満である場合には、焼成温度が高くなる傾向にあるからであり、B2O3の含有量が10mol%を超える場合には、絶縁性が低下する場合があるからである。
また、ニッケル酸化物の含有量を0.01mol%〜3mol%の範囲内としたのは、ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%未満である場合には、電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から発生することがある泡の発生を抑制することが困難となる場合があるからであり、ニッケル酸化物の含有量が3mol%を超える場合には、均質なガラスを製造することが困難となる場合があるからである。
実施形態2に係る半導体接合保護用ガラス組成物は、以下のようにして製造することができる。すなわち、上記した組成比(モル比)になるように原料(SiO2、Al(OH)3、CaCO3、ZnO、H3BO3及びNiOを調合し、混合機でよく攪拌した後、その混合した原料を電気炉中で所定温度に上昇させた白金ルツボに入れ、所定時間溶融させる。その後、融液を水冷ロールに流し出して薄片状のガラスフレークを得る。その後、このガラスフレークをボールミルなどで所定の平均粒径となるまで粉砕して、粉末状のガラス組成物を得る。
[実施形態3]
実施形態3は、半導体装置の製造方法に係る実施形態である。
実施形態3は、半導体装置の製造方法に係る実施形態である。
実施形態3に係る半導体装置の製造方法は、pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子を準備する第1工程と、pn接合露出部を覆うようにガラス層を形成する第2工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法である。そして、当該第2工程においては、SiO2と、Al2O3と、CaOと、MgOと、ニッケル酸化物とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物(実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物)を用いてガラス層を形成する。第1工程は、主面に平行なpn接合を備える半導体基体を準備する工程と、半導体基体の一方の表面からpn接合を超える深さの溝を形成することにより、溝の内部にpn接合露出部を形成する工程とを含み、第2工程は、溝の内部におけるpn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成する工程を含む。
図1及び図2は、実施形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図1(a)〜図1(d)及び図2(a)〜図2(d)は各工程図である。
実施形態3に係る半導体装置の製造方法は、図1及び図2に示すように、「半導体基体形成工程」、「溝形成工程」、「ガラス層形成工程」、「フォトレジスト形成工程」、「酸化膜除去工程」、「粗面化領域形成工程」、「電極形成工程」及び「半導体基体切断工程」をこの順序で実施する。以下、実施形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
実施形態3に係る半導体装置の製造方法は、図1及び図2に示すように、「半導体基体形成工程」、「溝形成工程」、「ガラス層形成工程」、「フォトレジスト形成工程」、「酸化膜除去工程」、「粗面化領域形成工程」、「電極形成工程」及び「半導体基体切断工程」をこの順序で実施する。以下、実施形態3に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
(a)半導体基体形成工程
まず、n−型半導体基板(n−型シリコン基板)110の一方の表面からのp型不純物の拡散によりp+型拡散層112、他方の表面からのn型不純物の拡散によりn+型拡散層114を形成して、主面に平行なpn接合が形成された半導体基体を形成する。その後、熱酸化によりp+型拡散層112及びn+型拡散層114の表面に酸化膜116,118を形成する(図1(a)参照。)。
まず、n−型半導体基板(n−型シリコン基板)110の一方の表面からのp型不純物の拡散によりp+型拡散層112、他方の表面からのn型不純物の拡散によりn+型拡散層114を形成して、主面に平行なpn接合が形成された半導体基体を形成する。その後、熱酸化によりp+型拡散層112及びn+型拡散層114の表面に酸化膜116,118を形成する(図1(a)参照。)。
(b)溝形成工程
次に、フォトエッチング法によって、酸化膜116の所定部位に所定の開口部を形成する。酸化膜のエッチング後、引き続いて半導体基体のエッチングを行い、半導体基体の一方の表面からpn接合を超える深さの溝120を形成する(図1(b)参照。)。
次に、フォトエッチング法によって、酸化膜116の所定部位に所定の開口部を形成する。酸化膜のエッチング後、引き続いて半導体基体のエッチングを行い、半導体基体の一方の表面からpn接合を超える深さの溝120を形成する(図1(b)参照。)。
(c)ガラス層形成工程
次に、溝120の表面に、電気泳動法により溝120の内面及びその近傍の半導体基体表面に実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層124を形成する(図1(c)参照。)。従って、溝120の内部におけるpn接合露出部はガラス層124に直接覆われた状態となる。
次に、溝120の表面に、電気泳動法により溝120の内面及びその近傍の半導体基体表面に実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層124を形成する(図1(c)参照。)。従って、溝120の内部におけるpn接合露出部はガラス層124に直接覆われた状態となる。
(d)フォトレジスト形成工程
次に、ガラス層112の表面を覆うようにフォトレジスト126を形成する(図1(d)参照。)。
次に、ガラス層112の表面を覆うようにフォトレジスト126を形成する(図1(d)参照。)。
(e)酸化膜除去工程
次に、フォトレジスト126をマスクとして酸化膜116のエッチングを行い、Niめっき電極膜を形成する部位130における酸化膜116を除去する(図2(a)参照。)。
次に、フォトレジスト126をマスクとして酸化膜116のエッチングを行い、Niめっき電極膜を形成する部位130における酸化膜116を除去する(図2(a)参照。)。
(f)粗面化領域形成工程
次に、Niめっき電極膜を形成する部位130における半導体基体表面の粗面化処理を行い、Niめっき電極と半導体基体との密着性を高くするための粗面化領域132を形成する(図2(b)参照。)。
次に、Niめっき電極膜を形成する部位130における半導体基体表面の粗面化処理を行い、Niめっき電極と半導体基体との密着性を高くするための粗面化領域132を形成する(図2(b)参照。)。
(g)電極形成工程
次に、半導体基体にNiめっきを行い、粗面化領域132上にアノード電極134を形成するとともに、半導体基体の他方の表面にカソード電極136を形成する(図2(c)参照。)。
次に、半導体基体にNiめっきを行い、粗面化領域132上にアノード電極134を形成するとともに、半導体基体の他方の表面にカソード電極136を形成する(図2(c)参照。)。
(h)半導体基体切断工程
次に、ダイシング等により、ガラス層124の中央部において半導体基体を切断して半導体基体をチップ化して、メサ型半導体装置(pnダイオード)を作成する(図2(d)参照。)。
次に、ダイシング等により、ガラス層124の中央部において半導体基体を切断して半導体基体をチップ化して、メサ型半導体装置(pnダイオード)を作成する(図2(d)参照。)。
以上のようにして、高耐圧のメサ型半導体装置(実施形態3に係る半導体装置)を製造することができる。
[実施形態4]
実施形態4は、半導体装置の製造方法に係る実施形態である。
実施形態4は、半導体装置の製造方法に係る実施形態である。
実施形態4に係る半導体装置の製造方法は、実施形態3に係る半導体装置の製造方法と同様に、pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子を準備する第1工程と、pn接合露出部を覆うようにガラス層を形成する第2工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法である。そして、当該第2工程においては、SiO2と、Al2O3と、CaOと、MgOと、ニッケル酸化物とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物(実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物)を用いてガラス層を形成する。但し、実施形態3に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なり、第1工程は、半導体基体の表面にpn接合露出部を形成する工程を含み、第2工程は、半導体基体の表面におけるpn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成する工程とを含む。
図3及び図4は、実施形態4に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図3(a)〜図3(c)及び図4(a)〜図4(c)は各工程図である。
実施形態4に係る半導体装置の製造方法は、図3及び図4に示すように、「半導体基体準備工程」、「p+型拡散層形成工程」、「n+型拡散層形成工程」、「ガラス層形成工程」、「ガラス層エッチング工程」及び「電極形成工程」をこの順序で実施する。以下、実施形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
実施形態4に係る半導体装置の製造方法は、図3及び図4に示すように、「半導体基体準備工程」、「p+型拡散層形成工程」、「n+型拡散層形成工程」、「ガラス層形成工程」、「ガラス層エッチング工程」及び「電極形成工程」をこの順序で実施する。以下、実施形態4に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
(a)半導体基体準備工程
まず、n+型シリコン基板210上にn−型エピタキシャル層212が積層された半導体基体を準備する(図3(a)参照。)。
まず、n+型シリコン基板210上にn−型エピタキシャル層212が積層された半導体基体を準備する(図3(a)参照。)。
(b)p+型拡散層形成工程
次に、マスクM1を形成した後、当該マスクM1を介してn−型エピタキシャル層212の表面における所定領域にイオン注入法によりp型不純物(例えばボロンイオン)を導入する。その後、熱拡散することにより、p+型拡散層214を形成する(図3(b参照。)。
次に、マスクM1を形成した後、当該マスクM1を介してn−型エピタキシャル層212の表面における所定領域にイオン注入法によりp型不純物(例えばボロンイオン)を導入する。その後、熱拡散することにより、p+型拡散層214を形成する(図3(b参照。)。
(c)n+型拡散層形成工程
次に、マスクM1を除去するとともにマスクM2を形成した後、当該マスクM2を介してn−型エピタキシャル層212の表面における所定領域にイオン注入法によりn型不純物(例えばヒ素イオン)を導入する。その後、熱拡散することにより、n+型拡散層216を形成する(図3(c)参照。)。
次に、マスクM1を除去するとともにマスクM2を形成した後、当該マスクM2を介してn−型エピタキシャル層212の表面における所定領域にイオン注入法によりn型不純物(例えばヒ素イオン)を導入する。その後、熱拡散することにより、n+型拡散層216を形成する(図3(c)参照。)。
(d)ガラス層形成工程
次に、マスクM2を除去した後、n−型エピタキシャル層212の表面に、スピンコート法により、実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成し、その後、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層215を形成する(図4(a)参照。)。
次に、マスクM2を除去した後、n−型エピタキシャル層212の表面に、スピンコート法により、実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成し、その後、当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することにより、パッシベーション用のガラス層215を形成する(図4(a)参照。)。
(e)ガラス層エッチング工程
次に、ガラス層215の表面にマスクM3を形成した後、ガラス層のエッチングを行う(図4(b)参照。)。これにより、n−型エピタキシャル層212の表面における所定領域にガラス層217が形成されることとなる。
次に、ガラス層215の表面にマスクM3を形成した後、ガラス層のエッチングを行う(図4(b)参照。)。これにより、n−型エピタキシャル層212の表面における所定領域にガラス層217が形成されることとなる。
(f)電極形成工程
次に、マスクM3を除去した後、半導体基体の表面におけるガラス層217で囲まれた領域にアノード電極218を形成するとともに、半導体基体の裏面にカソード電極220を形成する(図4(c)参照。)。
次に、マスクM3を除去した後、半導体基体の表面におけるガラス層217で囲まれた領域にアノード電極218を形成するとともに、半導体基体の裏面にカソード電極220を形成する(図4(c)参照。)。
以上のようにして、高耐圧のプレーナ型半導体装置(実施形態4に係る半導体装置)を製造することができる。
[実施例]
1.試料の調整
図5は、実施例の結果を示す図表である。実施例1〜2及び比較例1〜4に示す組成比(図5参照。)になるように原料を調合し、混合機でよく攪拌した後、その混合した原料を電気炉中で1550℃まで上昇させた白金ルツボに入れ、2時間溶融させた。その後、融液を水冷ロールに流し出して薄片状のガラスフレークを得た。このガラスフレークをボールミルで平均粒径が5μmとなるまで粉砕して、粉末状のガラス組成物を得た。
1.試料の調整
図5は、実施例の結果を示す図表である。実施例1〜2及び比較例1〜4に示す組成比(図5参照。)になるように原料を調合し、混合機でよく攪拌した後、その混合した原料を電気炉中で1550℃まで上昇させた白金ルツボに入れ、2時間溶融させた。その後、融液を水冷ロールに流し出して薄片状のガラスフレークを得た。このガラスフレークをボールミルで平均粒径が5μmとなるまで粉砕して、粉末状のガラス組成物を得た。
なお、実施例において使用した原料は、SiO2、Al(OH)3、CaCO3、Mg(OH)2、ZnO、H3BO3、NiO及びPbOである。
2.上記方法により得た各ガラス組成物を以下の評価項目により評価した。
(1)評価項目1(環境負荷)
本発明の目的が「鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の『珪酸鉛を主成分としたガラス材料』を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することを可能とする」ことにあるため、鉛成分を含まない場合に「○」の評価を与え、鉛成分を含む場合に「×」の評価を与えた。
本発明の目的が「鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の『珪酸鉛を主成分としたガラス材料』を用いた場合と同様に高耐圧の半導体装置を製造することを可能とする」ことにあるため、鉛成分を含まない場合に「○」の評価を与え、鉛成分を含む場合に「×」の評価を与えた。
(2)評価項目2(焼成温度)
焼成温度が高すぎると製造中の半導体装置に与える影響が大きくなるため、焼成温度が1100℃以下である場合に「○」の評価を与え、焼成温度が1100℃〜1200℃の範囲内にある場合に「△」の評価を与え、焼成温度が1200℃を超える場合に「×」の評価を与えた。
焼成温度が高すぎると製造中の半導体装置に与える影響が大きくなるため、焼成温度が1100℃以下である場合に「○」の評価を与え、焼成温度が1100℃〜1200℃の範囲内にある場合に「△」の評価を与え、焼成温度が1200℃を超える場合に「×」の評価を与えた。
(3)評価項目3(耐薬品性)
ガラス組成物が王水、めっき液及びフッ酸のすべてに対して難溶性を示す場合に「○」の評価を与え、王水、めっき液及びフッ酸のいずれかに対して溶解性を示す場合に「×」の評価を与えた。
ガラス組成物が王水、めっき液及びフッ酸のすべてに対して難溶性を示す場合に「○」の評価を与え、王水、めっき液及びフッ酸のいずれかに対して溶解性を示す場合に「×」の評価を与えた。
(4)評価項目4(平均熱膨張率)
50℃〜550℃におけるガラス組成物の平均熱膨張率とシリコンの平均熱膨張率(3.73×10−6)との差が「0.5×10−6」以下の場合に「○」の評価を与え、当該差が「0.5×10−6〜1.0×10−6」の範囲内にある場合に「△」の評価を与え、当該差が「1.0×10−6」を超える場合に「×」の評価を与えた。
50℃〜550℃におけるガラス組成物の平均熱膨張率とシリコンの平均熱膨張率(3.73×10−6)との差が「0.5×10−6」以下の場合に「○」の評価を与え、当該差が「0.5×10−6〜1.0×10−6」の範囲内にある場合に「△」の評価を与え、当該差が「1.0×10−6」を超える場合に「×」の評価を与えた。
(5)評価項目5(絶縁性)
実施形態3に係る半導体装置の製造方法と同様の方法によって半導体装置(pnダイオード)を作製し、作製した半導体装置の逆方向特性を測定した。その結果、半導体装置の逆方向特性が正常範囲にある場合に「○」の評価を与え、半導体装置の逆方向特性が正常範囲にない場合に「×」の評価を与えた。
実施形態3に係る半導体装置の製造方法と同様の方法によって半導体装置(pnダイオード)を作製し、作製した半導体装置の逆方向特性を測定した。その結果、半導体装置の逆方向特性が正常範囲にある場合に「○」の評価を与え、半導体装置の逆方向特性が正常範囲にない場合に「×」の評価を与えた。
(6)評価項目6(泡発生の有無)
実施形態3に係る半導体装置の製造方法と同様の方法によって半導体装置(pnダイオード)を作製し、ガラス層の内部(特に、シリコン基板との境界面近傍)に泡が発生しているかどうかを観察した(予備評価)。また、10mm角のシリコン基板上に実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物を塗布して半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することによりガラス層を形成し、ガラス層の内部(特に、シリコン基板との境界面近傍)に泡が発生しているかどうかを観察した(本評価)。
実施形態3に係る半導体装置の製造方法と同様の方法によって半導体装置(pnダイオード)を作製し、ガラス層の内部(特に、シリコン基板との境界面近傍)に泡が発生しているかどうかを観察した(予備評価)。また、10mm角のシリコン基板上に実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物を塗布して半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を形成するとともに当該半導体接合保護用ガラス組成物からなる層を焼成することによりガラス層を形成し、ガラス層の内部(特に、シリコン基板との境界面近傍)に泡が発生しているかどうかを観察した(本評価)。
図6は、予備評価においてガラス層124の内部に発生する泡bを説明するために示す図である。図6(a)は泡bが発生しない場合の半導体装置の断面図であり、図6(b)は泡bが発生した場合の半導体装置の断面図である。図7は、本評価においてガラス層124の内部に発生する泡bを説明するために示す写真である。図7(a)は泡bが発生しない場合におけるn−型シリコン基板110とガラス層124との境界面を拡大して示す図であり、図7(a)は泡bが発生した場合におけるn−型シリコン基板110とガラス層124との境界面を拡大して示す図である。実験の結果、予備評価の結果と本発明の評価結果には良好な対応関係があることがわかった。また、本評価において、ガラス層124の内部に直径50μm以上の泡が1個も発生しなかった場合に「○」の評価を与え、ガラス層124の内部に直径50μm以上の泡が1個〜20個発生した場合に「△」の評価を与え、ガラス層124の内部に直径50μm以上の泡が20個以上発生した場合に「×」の評価を与えた。
(8)総合評価
上記した評価項目1〜6についての各評価がすべて「○」の場合に「○」の評価を与え、各評価のうち1つでも「△」がある場合に「△」の評価を与え、各評価のうち1つでも「×」がある場合に「×」の評価を与えた。
上記した評価項目1〜6についての各評価がすべて「○」の場合に「○」の評価を与え、各評価のうち1つでも「△」がある場合に「△」の評価を与え、各評価のうち1つでも「×」がある場合に「×」の評価を与えた。
3.評価結果
図5からも分かるように、比較例1に係るガラス組成物及び比較例2に係るガラス組成物は、評価項目6で「△」の評価が得られた。また、比較例3に係るガラス組成物は、評価項目1で「×」の評価が得られた。また、比較例4に係るガラス組成物は、評価項目3で「×」の評価が得られた。これに対して、実施例1に係るガラス組成物及び実施例2に係るガラス組成物はいずれも、すべての評価項目(評価項目1〜6)について「○」の評価が得られた。その結果、実施形1に係るガラス組成物及び実施例2に係るガラス組成物はいずれも、鉛を含まないガラス材料でありながら、(a)適正な温度(例えば1100℃以下)で焼成できること、(b)工程で使用する薬品に耐えること、(c)シリコンに近い熱膨張係数を有すること(特に50℃〜500℃における平均熱膨張率がシリコンに近いこと)及び(d)優れた絶縁性を有することという条件をすべて満たし、さらには、電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から発生することがある泡の発生を抑制して、半導体装置の逆方向耐圧特性が劣化するという事態の発生を抑制することを可能とする、ガラス組成物であることが分かった。
図5からも分かるように、比較例1に係るガラス組成物及び比較例2に係るガラス組成物は、評価項目6で「△」の評価が得られた。また、比較例3に係るガラス組成物は、評価項目1で「×」の評価が得られた。また、比較例4に係るガラス組成物は、評価項目3で「×」の評価が得られた。これに対して、実施例1に係るガラス組成物及び実施例2に係るガラス組成物はいずれも、すべての評価項目(評価項目1〜6)について「○」の評価が得られた。その結果、実施形1に係るガラス組成物及び実施例2に係るガラス組成物はいずれも、鉛を含まないガラス材料でありながら、(a)適正な温度(例えば1100℃以下)で焼成できること、(b)工程で使用する薬品に耐えること、(c)シリコンに近い熱膨張係数を有すること(特に50℃〜500℃における平均熱膨張率がシリコンに近いこと)及び(d)優れた絶縁性を有することという条件をすべて満たし、さらには、電気泳動法により形成した「半導体接合保護用ガラス組成物からなる層」を焼成する過程で半導体基体(シリコン)との境界面から発生することがある泡の発生を抑制して、半導体装置の逆方向耐圧特性が劣化するという事態の発生を抑制することを可能とする、ガラス組成物であることが分かった。
以上、本発明の半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
(1)上記の実施形態3においては、第2工程において、溝の内部におけるpn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、溝の内部におけるpn接合露出部上に絶縁膜を形成し、その後、当該絶縁膜を介してpn接合露出部を覆うようにガラス層を形成してもよい。
(2)上記の実施形態4においては、第2工程において、半導体基体の表面におけるpn接合露出部を直接覆うようにガラス層を形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体基体の表面におけるpn接合露出部上に絶縁膜を形成し、その後、当該絶縁膜を介してpn接合露出部を覆うようにガラス層を形成してもよい。
(3)上記の実施形態3及び4においては、実施形態1に係る半導体接合保護用ガラス組成物を用いてガラス層を形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、実施形態2に係る半導体接合保護用ガラス組成物を用いてガラス層を形成してもよい。さらにまた、請求項1の範囲に入る別の半導体接合保護用ガラス組成物を用いてガラス層を形成してもよい。
(4)上記の実施形態1及び2においては、「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」として、ニッケル酸化物を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、銅酸化物又はマンガン酸化物を用いてもよい。
100,200,900…半導体装置、110,910…n−型半導体基板、112,912…p+型拡散層、114,914…n−型拡散層、116,118,916,918…酸化膜、120,920…溝、124,924…ガラス層、126,926…フォトレジスト、130,930…Niめっき電極膜を形成する部位、132,932…粗面化領域、134,934…アノード電極、136,936…カソード電極、210…n+型半導体基板、212…n−型エピタキシャル層、214…p+型拡散層、216…n+型拡散層、215,217…ガラス層、218…アノード電極層、220…カソード電極層、b…泡
Claims (18)
- 少なくともSiO2と、Al2O3と、MOと、「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しないことを特徴とする半導体接合保護用ガラス組成物。
(但し、上記MO中、Mはアルカリ土類金属を示す。) - 前記「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」として、ニッケル酸化物を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体接合保護用ガラス組成物。
- SiO2の含有量が53mol%〜73mol%の範囲内にあり、
Al2O3の含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、
CaOの含有量が3mol%〜9mol%の範囲内にあり、
MgOの含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、
ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることを特徴とする請求項2に記載の半導体接合保護用ガラス組成物。 - SiO2の含有量が32mol%〜48mol%の範囲内にあり、
Al2O3の含有量が9mol%〜13mol%の範囲内にあり、
CaOの含有量が15mol%〜23mol%の範囲内にあり、
ZnOの含有量が18mol%〜28mol%の範囲内にあり、
B2O3の含有量が3mol%〜10mol%の範囲内にあり、
ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることを特徴とする請求項2に記載の半導体接合保護用ガラス組成物。 - pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子を準備する第1工程と、
前記pn接合露出部を覆うようにガラス層を形成する第2工程とをこの順序で含む半導体装置の製造方法であって、
前記第2工程においては、少なくともSiO2と、Al2O3と、MOと、「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物を用いて前記ガラス層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(但し、上記MO中、Mはアルカリ土類金属を示す。) - 前記第1工程は、主面に平行なpn接合を備える半導体基体を準備する工程と、前記半導体基体の一方の表面から前記pn接合を超える深さの溝を形成することにより、前記溝の内部に前記pn接合露出部を形成する工程とを含み、
前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部を直接覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程は、前記溝の内部における前記pn接合露出部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1工程は、半導体基体の表面に前記pn接合露出部を形成する工程を含み、
前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部を直接覆うように前記ガラス層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程は、前記半導体基体の表面における前記pn接合露出部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を介して前記pn接合露出部を覆うように前記ガラス層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体接合保護用ガラス組成物は、前記「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」として、ニッケル酸化物を含有することを特徴とする請求項5〜11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体接合保護用ガラス組成物は、
SiO2の含有量が53mol%〜73mol%の範囲内にあり、
Al2O3の含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、
CaOの含有量が3mol%〜9mol%の範囲内にあり、
MgOの含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、
ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体接合保護用ガラス組成物は、
SiO2の含有量が32mol%〜48mol%の範囲内にあり、
Al2O3の含有量が9mol%〜13mol%の範囲内にあり、
CaOの含有量が15mol%〜23mol%の範囲内にあり、
ZnOの含有量が18mol%〜28mol%の範囲内にあり、
B2O3の含有量が3mol%〜10mol%の範囲内にあり、
ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - pn接合が露出するpn接合露出部を有する半導体素子と、
前記pn接合露出部を覆うように形成されたガラス層とを備える半導体装置であって、
前記ガラス層は、少なくともSiO2と、Al2O3と、MOと、「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」とを含有し、かつ、Pbと、Pと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kとを実質的に含有しない半導体接合保護用ガラス組成物を用いて形成されたものであることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体接合保護用ガラス組成物は、前記「ニッケル酸化物、銅酸化物及びマンガン酸化物よりなる群から選択された少なくとも1つの金属酸化物」として、ニッケル酸化物を含有することを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 前記半導体接合保護用ガラス組成物は、
SiO2の含有量が53mol%〜73mol%の範囲内にあり、
Al2O3の含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、
CaOの含有量が3mol%〜9mol%の範囲内にあり、
MgOの含有量が11mol%〜21mol%の範囲内にあり、
ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。 - 前記半導体接合保護用ガラス組成物は、
SiO2の含有量が32mol%〜48mol%の範囲内にあり、
Al2O3の含有量が9mol%〜13mol%の範囲内にあり、
CaOの含有量が15mol%〜23mol%の範囲内にあり、
ZnOの含有量が18mol%〜28mol%の範囲内にあり、
B2O3の含有量が3mol%〜10mol%の範囲内にあり、
ニッケル酸化物の含有量が0.01mol%〜3mol%の範囲内にあることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/069448 WO2013030922A1 (ja) | 2011-08-29 | 2011-08-29 | 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5548276B2 true JP5548276B2 (ja) | 2014-07-16 |
JPWO2013030922A1 JPWO2013030922A1 (ja) | 2015-03-23 |
Family
ID=47693200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012548291A Active JP5548276B2 (ja) | 2011-08-29 | 2011-08-29 | 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9006113B2 (ja) |
JP (1) | JP5548276B2 (ja) |
CN (1) | CN103748667B (ja) |
FR (1) | FR2979479B1 (ja) |
TW (1) | TWI466288B (ja) |
WO (1) | WO2013030922A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104025267B (zh) | 2012-05-08 | 2017-02-15 | 新电元工业株式会社 | 树脂封装型半导体装置以及树脂封装型半导体装置的制造方法 |
JP5508547B1 (ja) * | 2012-05-08 | 2014-06-04 | 新電元工業株式会社 | 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
WO2014155739A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 新電元工業株式会社 | 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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JP6029771B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-11-24 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置 |
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JP5683778B2 (ja) | 2008-09-29 | 2015-03-11 | 日本山村硝子株式会社 | 無鉛無ビスマスガラス組成物 |
-
2011
- 2011-08-29 JP JP2012548291A patent/JP5548276B2/ja active Active
- 2011-08-29 WO PCT/JP2011/069448 patent/WO2013030922A1/ja active Application Filing
- 2011-08-29 US US13/811,447 patent/US9006113B2/en active Active
- 2011-08-29 CN CN201180031634.8A patent/CN103748667B/zh active Active
-
2012
- 2012-08-28 TW TW101131255A patent/TWI466288B/zh active
- 2012-08-29 FR FR1258062A patent/FR2979479B1/fr active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57202742A (en) * | 1981-06-09 | 1982-12-11 | Toshiba Corp | Glass for semiconductor coating |
JPS59174544A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラス |
JP2007019503A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Schott Ag | 無鉛ガラスによる不動態化電子素子の製造方法 |
JP2010280554A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 色素増感型太陽電池用ガラスおよび色素増感型太陽電池用材料 |
WO2011093177A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体被覆用ガラスおよびそれを用いてなる半導体被覆用材料 |
JP2012012231A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Central Glass Co Ltd | 無鉛低融点ガラス組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2013030922A1 (ja) | 2015-03-23 |
WO2013030922A1 (ja) | 2013-03-07 |
US20130154064A1 (en) | 2013-06-20 |
CN103748667B (zh) | 2016-09-14 |
FR2979479B1 (fr) | 2018-09-28 |
FR2979479A1 (fr) | 2013-03-01 |
CN103748667A (zh) | 2014-04-23 |
TW201320332A (zh) | 2013-05-16 |
TWI466288B (zh) | 2014-12-21 |
US9006113B2 (en) | 2015-04-14 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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