JP5547413B2 - 熱型センサ用中空構造素子 - Google Patents
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Description
本発明においてSi含有絶縁層2は、密着層4と接触する表面(以下、単に「表面」と略称する)がSi含有層で構成されている。Si含有絶縁層2の表面がSi含有層であることによって、密着層(酸化アルミニウムを主成分とする酸化物)4との良好な密着性が維持される。
本発明に用いられる密着層4は、酸化アルミニウム(Al2O3)を主成分とする酸化物、即ち酸化アルミニウムを50体積%以上(好ましくは80体積%以上)含有する酸化物である。密着層は、実質的に、酸化アルミニウムであることが好ましい。
本発明に用いられるPt金属配線3は、Pt又はPt基合金である。本発明においてPt基合金とは、Ptを主成分とする合金、即ちPtを50質量%以上(好ましくは80質量%以上)含有する合金を意味する。添加される合金元素は、中空構造素子に通常使用されるものであれば特に限定されず、例えば、Pdなどが挙げられる。
本発明に用いられる基板1は、中空構造素子の分野で通常使用されているあらゆる基板、例えばシリコン基板などを使用できる。上述したように、本発明の特徴部分は、Si含有絶縁層からのPt金属配線の剥離を防止するために密着層として酸化アルミニウムを使用したところにあり、密着層と直接接触しない基板は特に限定されないからである。
以下、図2の工程図に沿って、本発明に係る中空構造素子の好ましい実施形態の製造方法を説明する。ここでは、基板側から順に、熱酸化SiO2層とCVD法によるSiN層とCVD法によるSiO2層からなる3層構造のSi含有絶縁層を備えた中空構造素子の製造方法を説明している。図2は本発明の好ましい態様を示すに過ぎず、本発明の製造方法は、これに限定されない。
2 Si含有絶縁層
3 Pt又はPt基合金の金属配線(Pt金属配線)
4 酸化アルミニウムを主成分とする酸化物の密着層(Al2O3密着層)
5 空隙部
11,14 熱酸化SiO2層
12 SiN層
13 SiO2層
51,52 開口部
Claims (3)
- 基板側から順に、基板と、Si含有絶縁層と、Pt又はPt基合金の金属配線と、を有し、前記基板は前記Si含有絶縁層を中空状態で支持するように構成される熱型センサ用中空構造素子であって、
前記Si含有絶縁層と前記金属配線との間に、酸化アルミニウムを主成分とする酸化物の密着層を有し、前記密着層の膜厚は3nm〜30nmであり、前記Si含有絶縁層は、前記密着層と接触する表面がSi含有層であることを特徴とする熱型センサ用中空構造素子。 - 前記Si含有絶縁層は多層構造からなる請求項1に記載の熱型センサ用中空構造素子。
- 前記密着層と接触する前記Si含有絶縁層の表面は、酸化ケイ素を主成分とする酸化物である請求項1または2に記載の熱型センサ用中空構造素子。
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