JP2009099760A - メンブレン構造素子及びその製造方法 - Google Patents
メンブレン構造素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009099760A JP2009099760A JP2007269786A JP2007269786A JP2009099760A JP 2009099760 A JP2009099760 A JP 2009099760A JP 2007269786 A JP2007269786 A JP 2007269786A JP 2007269786 A JP2007269786 A JP 2007269786A JP 2009099760 A JP2009099760 A JP 2009099760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon oxide
- oxide film
- base member
- membrane
- structure element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 154
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 153
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 85
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 65
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 192
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
- G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
- G01F1/692—Thin-film arrangements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
- B81B3/0081—Thermal properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6845—Micromachined devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/024—Special manufacturing steps or sacrificial layers or layer structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0278—Temperature sensors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明のメンブレン構造素子は、熱収縮により収縮した酸化ケイ素膜を主体とするメンブレンベース部材1と、前記メンブレンベース部材1の周辺の一部を支持することによって前記メンブレンベース部材を中空状態で支持する基板2とを備える。金属配線6が前記メンブレンベース部材の表面側に設けられた絶縁密着層14に形成され、前記絶縁密着層14は酸化アルミを主成分とする酸化化合物で形成される。また、前記金属配線6を覆うように酸化ケイ素膜の被覆層を設けることができる。
【選択図】 図1
Description
また、本発明のメンブレン構造素子の製造方法によれば、メンブレンベース部材の主体となる酸化ケイ素膜を予め未収縮酸化ケイ素膜で形成しておき、これを加熱して熱収縮させるので、前記未収縮酸化ケイ素膜に内在する圧縮応力を軽減することができ、金属配線を所定の絶縁密着層の上に形成することと相まって、平坦性、耐久性に優れたメンブレン構造素子を容易に製造することができる。
σ=1/6×{1/Rpost−1/Rpre}×E/(1−ν)×ts2/tf
但し、E:基板(シリコン)のヤング率、ν:基板(シリコン)のポワソン比、Rpost:成膜後の基板の反りの曲率半径、Rpre:成膜前の基板の反りの曲率半径、ts:基板の厚さ、tf:膜の厚さ、(E/(1−ν)の値:単結晶シリコン(100)基板の場合、1.8×1011Paである。
2 基板
6 金属配線
13 収縮酸化ケイ素膜
13A 未収縮酸化ケイ素膜
14 絶縁密着層
15 被覆層
Claims (14)
- メンブレンベース部材と、前記メンブレンベース部材の周辺の一部を支持することによって前記メンブレンベース部材を中空状態で支持する基板とを備え、前記メンブレンベース部材に金属配線が形成されたメンブレン構造素子であって、
前記メンブレンベース部材は酸化ケイ素膜を主体とし、表面側に酸化アルミを主成分とする酸化化合物で形成された絶縁密着層を備え、前記金属配線が前記絶縁密着層に形成された、メンブレン構造素子。 - 前記絶縁密着層は、前記メンブレンベース部材の表面側に全面に、あるいは前記メンブレンベース部材と前記金属配線との間にのみ局所的に形成された、請求項1に記載したメンブレン構造素子。
- 前記金属配線は、Pt、Auおよびこれらを主成分とする合金で形成された、請求項1又は2に記載したメンブレン構造素子。
- 前記メンブレンベース部材の上に配置された前記金属配線を覆うように酸化ケイ素膜で形成された被覆層が設けられた、請求項1〜3のいずれか1項に記載したメンブレン構造素子。
- 前記メンブレンベース部材を形成する酸化ケイ素膜は、加熱により熱収縮する未収縮酸化ケイ素膜を成膜後に熱収縮させた収縮酸化ケイ素膜であり、その熱収縮により前記メンブレンベース部材が平坦状に支持されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載したメンブレン構造素子。
- 前記メンブレンベース部材および前記被覆層を形成する酸化ケイ素膜は、加熱により熱収縮する未収縮酸化ケイ素膜を成膜後に熱収縮させた収縮酸化ケイ素膜であり、その熱収縮により前記メンブレンベース部材が平坦状に支持されている、請求項4に記載したメンブレン構造素子。
- 前記メンブレンベース部材は、常温における基板表面に対する膜厚方向の最大変位が前記メンブレンベース部材の最大幅の2%以下である、請求項5又は6に記載したメンブレン構造素子。
- メンブレンベース部材と、前記メンブレンベース部材の周辺の一部を支持することによってメンブレンベース部材を中空状態で支持する基板とを備え、前記メンブレンベース部材に金属配線が形成されたメンブレン構造素子の製造方法であって、
酸化ケイ素よりも熱膨張係数が大きい材料で形成された基板の表面側に、熱収縮可能な酸化ケイ素膜である未収縮酸化ケイ素膜を形成する第1未収縮酸化ケイ素膜形成工程と、
前記未収縮酸化ケイ素膜を加熱して、熱収縮させた収縮酸化ケイ素膜を形成する第1加熱収縮工程と、
前記収縮酸化ケイ素膜の上に酸化アルミを主成分とする酸化化合物で形成された絶縁密着層を形成する絶縁密着層形成工程と、
前記絶縁密着層の上に金属配線を形成する金属配線形成工程と、
前記絶縁密着層および金属配線を備えた収縮酸化ケイ素膜の、前記メンブレンベース部材に対応する対応部分を前記基板に対して中空状態で支持されるように前記基板の一部を凹状に除去して前記メンブレンベース部材を形成する除去工程を備えた、メンブレン構造素子の製造方法。 - 前記金属配線形成工程によって前記絶縁密着層の上に形成された金属配線を覆うように未収縮酸化ケイ素膜を形成する第2未収縮酸化ケイ素膜形成工程と、
前記第2未収縮酸化ケイ素膜形成工程によって形成された未収縮酸化ケイ素膜を加熱して熱収縮させた収縮酸化ケイ素膜からなる被覆層を形成する第2加熱収縮工程をさらに備えた、請求項8に記載したメンブレン構造素子の製造方法。 - 前記金属配線は、Pt、Auおよびこれらを主成分とする合金で形成された、請求項8又は9に記載したメンブレン構造素子。
- 前記未収縮酸化ケイ素膜はプラズマCVD法で形成された、請求項8から10のいずれか1項に記載したメンブレン構造素子の製造方法。
- 前記プラズマCVD法における成膜条件は、成膜原料ガスとしてシランガスを用い、成膜時における基板温度を200℃以下とし、投入電力を0.21W/cm2 以下とする、請求項11に記載したメンブレン構造素子の製造方法。
- 前記未収縮酸化ケイ素膜を400℃以上の温度で加熱して熱収縮させた、請求項8から12のいずれか1項に記載したメンブレン構造素子の製造方法。
- 前記基板は単結晶シリコンからなり、前記除去工程において、シリコン異方性エッチングにより前記基板の一部を除去する、請求項8から13のいずれか1項に記載したメンブレン構造素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007269786A JP4888908B2 (ja) | 2007-10-17 | 2007-10-17 | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
PCT/JP2008/068780 WO2009051194A1 (ja) | 2007-10-17 | 2008-10-16 | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007269786A JP4888908B2 (ja) | 2007-10-17 | 2007-10-17 | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009099760A true JP2009099760A (ja) | 2009-05-07 |
JP4888908B2 JP4888908B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=40567456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007269786A Expired - Fee Related JP4888908B2 (ja) | 2007-10-17 | 2007-10-17 | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4888908B2 (ja) |
WO (1) | WO2009051194A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013213811A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Nxp Bv | ガスセンサを有する集積回路 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6515757B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2019-05-22 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法 |
JP6931572B2 (ja) * | 2017-08-29 | 2021-09-08 | 株式会社アルバック | ゲート絶縁膜の形成方法、および、ゲート絶縁膜 |
CN109141559B (zh) * | 2018-08-29 | 2021-05-04 | 杭州电子科技大学 | 一种大量程双模热感桥式微流量计 |
JP7134920B2 (ja) * | 2019-06-17 | 2022-09-12 | 日立Astemo株式会社 | 熱式センサ装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000298061A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ |
JP2000298060A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ及びその製造方法 |
JP2000340848A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-12-08 | Ishizuka Electronics Corp | サーモパイル型赤外線センサ及びその製造方法 |
JP2003344155A (ja) * | 2002-05-31 | 2003-12-03 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ |
JP2007071737A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Hitachi Ltd | 流量センサ |
WO2007114191A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-10-17 JP JP2007269786A patent/JP4888908B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-16 WO PCT/JP2008/068780 patent/WO2009051194A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000340848A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-12-08 | Ishizuka Electronics Corp | サーモパイル型赤外線センサ及びその製造方法 |
JP2000298061A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ |
JP2000298060A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ及びその製造方法 |
JP2003344155A (ja) * | 2002-05-31 | 2003-12-03 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線センサ |
JP2007071737A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Hitachi Ltd | 流量センサ |
WO2007114191A1 (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | メンブレン構造素子及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013213811A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Nxp Bv | ガスセンサを有する集積回路 |
US9263500B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-02-16 | Ams International Ag | Integrated circuit comprising a gas sensor |
US9865647B2 (en) | 2012-03-30 | 2018-01-09 | Ams International Ag | Integrated circuit comprising a gas sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4888908B2 (ja) | 2012-02-29 |
WO2009051194A1 (ja) | 2009-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4888908B2 (ja) | メンブレン構造素子及びその製造方法 | |
JP4452244B2 (ja) | ガスセンサ素子およびガスセンサ素子の製造方法 | |
JP5138134B2 (ja) | 薄膜式センサの製造方法ならびにフローセンサの製造方法 | |
JP4590764B2 (ja) | ガスセンサ及びその製造方法 | |
US5703287A (en) | Measuring element for a flow sensor | |
US8057882B2 (en) | Membrane structure element and method for manufacturing same | |
JP2019138798A (ja) | 温度センサ | |
JP2008244344A (ja) | 薄膜サーミスタ素子及び薄膜サーミスタ素子の製造方法 | |
JP4780671B2 (ja) | メンブレン構造素子及びその製造方法 | |
JP2007066924A (ja) | 薄膜サーミスタ | |
JP5547413B2 (ja) | 熱型センサ用中空構造素子 | |
JP2003532103A (ja) | 温度測定検出装置および温度測定検出装置に接触する方法 | |
JP2009088381A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2003031579A (ja) | センサ及びその製造方法 | |
JP4398576B2 (ja) | 抵抗体基板 | |
JP2008294288A (ja) | 薄膜サーミスタ素子及びその製造方法 | |
JP6990165B2 (ja) | 熱式センサおよびその製造方法並びに半導体装置 | |
JP4450561B2 (ja) | リードスイッチ | |
JP2023123163A (ja) | 薄膜電極及びその製造方法 | |
US20210027669A1 (en) | Flexible device array substrate and manufacturing method of flexible device array substrate | |
JP4800529B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2011197013A (ja) | センサの製造方法 | |
JP4686922B2 (ja) | フローセンサの製造方法 | |
JPH0599758A (ja) | ジルコニア基板を用いた白金温度センサの製造方法 | |
JPH10111264A (ja) | ガスセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111207 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |