JP2019138798A - 温度センサ - Google Patents
温度センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019138798A JP2019138798A JP2018023248A JP2018023248A JP2019138798A JP 2019138798 A JP2019138798 A JP 2019138798A JP 2018023248 A JP2018023248 A JP 2018023248A JP 2018023248 A JP2018023248 A JP 2018023248A JP 2019138798 A JP2019138798 A JP 2019138798A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- temperature sensor
- insulating protective
- protective film
- oxygen barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
【課題】 接合層中のCrの拡散を抑制して高抵抗化を抑制することができる温度センサを提供すること。【解決手段】 絶縁性基材と、絶縁性基材上にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部3と、薄膜サーミスタ部上に互いに対向して形成された一対の対向電極4と、薄膜サーミスタ部上に一対の対向電極も覆って形成された絶縁性保護膜5とを備え、対向電極が、薄膜サーミスタ部上に形成され少なくともCrを含有した接合層4aと、接合層上に形成された貴金属層4bとを備え、絶縁性保護膜の上及び下の少なくとも一方に、絶縁性保護膜よりも酸素透過度の小さい酸素バリア膜7が形成されている。【選択図】図1
Description
本発明は、薄膜サーミスタを用いた温度センサに関する。
近年、ポリイミド樹脂等で形成された絶縁性フィルム上に薄膜状のサーミスタ部を形成したフィルム型の温度センサが開発されている。例えば、特許文献1には、絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、薄膜サーミスタ部の上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛形電極と、一対の櫛形電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、櫛形電極と薄膜サーミスタ部とを覆って絶縁性フィルム上に形成された保護膜とを備えている温度センサが開発されている。
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、上記従来の温度センサでは、例えば、図3に示すように、薄膜サーミスタ部3上に形成されるCrの接合層4aと、接合層4a上に形成されるAu等の貴金属層4bとの積層で構成されているが、製造工程中のアニール等の熱処理によって接合層4a中のCrが貴金属層4bの粒界を通って拡散し、貴金属層4b表面に部分的に露出して酸化Cr部6を形成してしまう問題があった。特に、ポリイミド等の絶縁性保護膜を透過して表面から酸素が貴金属層4b表面に供給されると、接合層4aから貴金属層4b表面に拡散したCrが酸化されることで、ドライビングフォースが生じてCrがさらに貴金属層4b表面に拡散し、接合層4aが部分的に薄くなって接合層として機能しなくなる領域が生じるおそれがあった。特に、この状態で耐湿負荷試験を行うと、接合層4a中のCrが腐食して薄くなり過ぎ、対向電極4の接合性が部分的に低下することで高抵抗化が生じてしまう不都合があった。なお、絶縁性保護膜を厚くすればするほど、酸素の透過を抑制することができるが、絶縁性保護膜が厚くなるほど温度センサの感温部の熱容量も増加して温度センサの熱応答性が低下してしまう問題があった。
すなわち、上記従来の温度センサでは、例えば、図3に示すように、薄膜サーミスタ部3上に形成されるCrの接合層4aと、接合層4a上に形成されるAu等の貴金属層4bとの積層で構成されているが、製造工程中のアニール等の熱処理によって接合層4a中のCrが貴金属層4bの粒界を通って拡散し、貴金属層4b表面に部分的に露出して酸化Cr部6を形成してしまう問題があった。特に、ポリイミド等の絶縁性保護膜を透過して表面から酸素が貴金属層4b表面に供給されると、接合層4aから貴金属層4b表面に拡散したCrが酸化されることで、ドライビングフォースが生じてCrがさらに貴金属層4b表面に拡散し、接合層4aが部分的に薄くなって接合層として機能しなくなる領域が生じるおそれがあった。特に、この状態で耐湿負荷試験を行うと、接合層4a中のCrが腐食して薄くなり過ぎ、対向電極4の接合性が部分的に低下することで高抵抗化が生じてしまう不都合があった。なお、絶縁性保護膜を厚くすればするほど、酸素の透過を抑制することができるが、絶縁性保護膜が厚くなるほど温度センサの感温部の熱容量も増加して温度センサの熱応答性が低下してしまう問題があった。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、接合層中のCrの拡散を抑制して高抵抗化を抑制することができる温度センサを提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明に係る温度センサは、絶縁性基材と、前記絶縁性基材上にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部上に互いに対向して形成された一対の対向電極と、前記薄膜サーミスタ部上に前記一対の対向電極も覆って形成された絶縁性保護膜とを備え、前記対向電極が、前記薄膜サーミスタ部上に形成され少なくともCrを含有した接合層と、前記接合層上に形成された貴金属層とを備え、前記絶縁性保護膜の上及び下の少なくとも一方に、前記絶縁性保護膜よりも酸素透過度の小さい酸素バリア膜が形成されていることを特徴とする。
この温度センサでは、絶縁性保護膜の上及び下の少なくとも一方に、絶縁性保護膜よりも酸素透過度の小さい酸素バリア膜が形成されているので、酸素バリア膜によって絶縁性保護膜を透過して貴金属層表面に達する酸素を抑制することできる。したがって、絶縁性保護膜を透過する酸素による貴金属層上の酸化Cr部の生成を抑制し、Cr拡散によって接合層が薄くなることを防いで、高抵抗化を抑制することが可能になる。
第2の発明に係る温度センサは、第1の発明において、前記絶縁性保護膜が、ポリイミドで形成され、前記酸素バリア膜が、エチレン−ビニルアルコールで形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、酸素バリア膜が、エチレン−ビニルアルコールで形成されているので、ポリイミドの酸素透過度が390cc/m2・24h/atm(厚さ25μm、25℃)であるのに対して、エチレン−ビニルアルコールの酸素透過度が0.2cc/m2・24h/atm(厚さ15μm、25℃)であり、約1/1000の酸素透過度であることで、薄い酸素バリア膜であっても酸素の透過を効果的に抑制することができると共に絶縁性保護膜の厚さを低減することも可能になる。
すなわち、この温度センサでは、酸素バリア膜が、エチレン−ビニルアルコールで形成されているので、ポリイミドの酸素透過度が390cc/m2・24h/atm(厚さ25μm、25℃)であるのに対して、エチレン−ビニルアルコールの酸素透過度が0.2cc/m2・24h/atm(厚さ15μm、25℃)であり、約1/1000の酸素透過度であることで、薄い酸素バリア膜であっても酸素の透過を効果的に抑制することができると共に絶縁性保護膜の厚さを低減することも可能になる。
第3の発明に係る温度センサは、第1又は第2の発明において、前記酸素バリア膜の厚さが、前記絶縁性保護膜よりも薄く設定されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、酸素バリア膜の厚さが、絶縁性保護膜よりも薄く設定されているので、酸素バリア膜による温度センサの感温部の熱容量の増加を抑え、熱応答性の低下を抑制することができる。
すなわち、この温度センサでは、酸素バリア膜の厚さが、絶縁性保護膜よりも薄く設定されているので、酸素バリア膜による温度センサの感温部の熱容量の増加を抑え、熱応答性の低下を抑制することができる。
第4の発明に係る温度センサは、第1から第3の発明のいずれかにおいて、少なくとも前記対向電極の直下であって、前記絶縁性基材の上及び下の少なくとも一方にも、前記酸素バリア膜が形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、少なくとも対向電極の直下であって、絶縁性基材の上及び下の少なくとも一方にも、酸素バリア膜が形成されているので、絶縁性基材側からの酸素の透過も防止することができ、さらに貴金属層表面に達する酸素を抑制することできる。
すなわち、この温度センサでは、少なくとも対向電極の直下であって、絶縁性基材の上及び下の少なくとも一方にも、酸素バリア膜が形成されているので、絶縁性基材側からの酸素の透過も防止することができ、さらに貴金属層表面に達する酸素を抑制することできる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、絶縁性保護膜の上及び下の少なくとも一方に、絶縁性保護膜よりも酸素透過度の小さい酸素バリア膜が形成されているので、酸素バリア膜によって絶縁性保護膜を透過して貴金属層表面に達する酸素を抑制することができる。
したがって、本実施形態の温度センサでは、絶縁性保護膜を透過する酸素による貴金属層上の酸化Cr部の生成を抑制し、Cr拡散によって接合層が薄くなることを防いで、良好なサーミスタ特性を安定して維持することができ、高い信頼性を得ることができる。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、絶縁性保護膜の上及び下の少なくとも一方に、絶縁性保護膜よりも酸素透過度の小さい酸素バリア膜が形成されているので、酸素バリア膜によって絶縁性保護膜を透過して貴金属層表面に達する酸素を抑制することができる。
したがって、本実施形態の温度センサでは、絶縁性保護膜を透過する酸素による貴金属層上の酸化Cr部の生成を抑制し、Cr拡散によって接合層が薄くなることを防いで、良好なサーミスタ特性を安定して維持することができ、高い信頼性を得ることができる。
以下、本発明に係る温度センサにおける第1実施形態を、図1及び図2を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
本実施形態の温度センサ1は、図1及び図2に示すように、絶縁性基材2と、絶縁性基材2上にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部3と、薄膜サーミスタ部3上に互いに対向して形成された一対の対向電極4と、薄膜サーミスタ部3上に一対の対向電極4も覆って形成された絶縁性保護膜5とを備えている。
上記対向電極4は、薄膜サーミスタ部3上に形成され少なくともCrを含有した接合層4aと、接合層4a上に形成された貴金属層4bとを備えている。
上記対向電極4は、薄膜サーミスタ部3上に形成され少なくともCrを含有した接合層4aと、接合層4a上に形成された貴金属層4bとを備えている。
上記絶縁性保護膜5の上及び下の少なくとも一方には、絶縁性保護膜5よりも酸素透過度の小さい酸素バリア膜7が形成されている。なお、本実施形態では、絶縁性保護膜5の上に酸素バリア膜7が積層されている。
上記絶縁性保護膜5は、例えばポリイミドで形成されている。
上記酸素バリア膜7は、例えばエチレン−ビニルアルコールで形成されている。
上記絶縁性保護膜5は、例えばポリイミドで形成されている。
上記酸素バリア膜7は、例えばエチレン−ビニルアルコールで形成されている。
この酸素バリア膜7の厚さは、絶縁性保護膜5よりも薄く設定されている。
例えば、絶縁性保護膜5の厚さが10μmであるとき、酸素バリア膜7の厚さは、10μm未満に設定されるが、絶縁性保護膜5がポリイミドであると共に酸素バリア膜7がエチレン−ビニルアルコールである場合、酸素透過度がポリイミドの約1/1000であるので、0.1μm以上であれば十分な酸素のバリア効果を得ることができる。
なお、ポリイミドの酸素透過度は、390cc/m2・24h/atm(厚さ25μm、25℃)であり、エチレン−ビニルアルコールの酸素透過度は、0.2cc/m2・24h/atm(厚さ15μm、25℃)である。
例えば、絶縁性保護膜5の厚さが10μmであるとき、酸素バリア膜7の厚さは、10μm未満に設定されるが、絶縁性保護膜5がポリイミドであると共に酸素バリア膜7がエチレン−ビニルアルコールである場合、酸素透過度がポリイミドの約1/1000であるので、0.1μm以上であれば十分な酸素のバリア効果を得ることができる。
なお、ポリイミドの酸素透過度は、390cc/m2・24h/atm(厚さ25μm、25℃)であり、エチレン−ビニルアルコールの酸素透過度は、0.2cc/m2・24h/atm(厚さ15μm、25℃)である。
上記対向電極4は、薄膜サーミスタ部3上に形成され少なくともCrを含有した接合層4aと、接合層4a上に形成された貴金属層4bとを備えている。本実施形態では、例えば接合層4aは膜厚5〜100nmのCr又はNiCrの接合層であり、貴金属層4bは膜厚50〜1000nmのAu等の貴金属で形成された電極層である。
上記一対の対向電極4は、複数の櫛部4cを有した櫛形電極である。
上記一対の対向電極4は、複数の櫛部4cを有した櫛形電極である。
上記絶縁性基材2は、例えば長方形とされた絶縁性フィルムであり、絶縁性フィルムとしては、例えば厚さ7.5〜125μmのポリイミド樹脂シートで形成されている。なお、絶縁性基材2の絶縁性フィルムは、他にPET:ポリエチレンテレフタレート,PEN:ポリエチレンナフタレート,LCP:液晶ポリマー等でも作製できる。
上記薄膜サーミスタ部3は、フレキシブル性を有したサーミスタ膜であって、例えばスパッタリングで成膜されたM−Al−N膜(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示す)である。
すなわち、薄膜サーミスタ部3は、一般式:MxAlyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。なお、これらの膜については、フレキシブル性と良好なサーミスタ特性とが確認されている。
すなわち、薄膜サーミスタ部3は、一般式:MxAlyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。なお、これらの膜については、フレキシブル性と良好なサーミスタ特性とが確認されている。
なお、本実施形態では、特にTi−Al−Nのサーミスタ材料で矩形状に形成された薄膜サーミスタ部3を採用している。すなわち、薄膜サーミスタ部3は、一般式:TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
上記薄膜サーミスタ部3は、M−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する。
例えば、Ti−Al−Nのサーミスタ材料を採用する場合、その時のスパッタ条件は、例えば、組成比Al/(Al+Ti)比=0.85のTi−Al合金スパッタリングターゲットを用い、到達真空度:4×10−5Pa、スパッタガス圧:0.2Pa、ターゲット投入電力(出力):200Wで、Arガス+窒素ガスの混合ガス雰囲気下において窒素ガス分圧:30%とする。
例えば、Ti−Al−Nのサーミスタ材料を採用する場合、その時のスパッタ条件は、例えば、組成比Al/(Al+Ti)比=0.85のTi−Al合金スパッタリングターゲットを用い、到達真空度:4×10−5Pa、スパッタガス圧:0.2Pa、ターゲット投入電力(出力):200Wで、Arガス+窒素ガスの混合ガス雰囲気下において窒素ガス分圧:30%とする。
上記対向電極4の作製は、まず薄膜サーミスタ部3上にスパッタ法にて、例えばCrの接合層4aを20nm形成し、さらにAuの貴金属層4bを200nm形成する。さらに、その上にレジスト液をバーコーターで塗布した後、110℃で1分30秒のプリベークを行い、露光装置で感光後、現像液で不要部分を除去し、150℃で5分のポストベークにてパターニングを行う。その後、不要な電極部分を市販のAuエッチャント及びCrエッチャントによりウェットエッチングを行い、レジスト剥離にて所望の櫛部4cを有した対向電極4を形成する。
この対向電極4の形成後、熱処理工程として、例えば230℃,24時間の薄膜サーミスタ部用のアニールが行われる。
次に、ポリイミド樹脂を、薄膜サーミスタ部3及び対向電極4を覆うように、例えばスクリーン印刷で矩形状にパターン形成して絶縁性保護膜5を成膜する。
さらに、エチレン−ビニルアルコールを、絶縁性保護膜5を覆うように、例えば、スクリーン印刷又はディップコート等により矩形状にパターン形成して酸素バリア膜7を成膜することで、温度センサ1が作製される。
次に、ポリイミド樹脂を、薄膜サーミスタ部3及び対向電極4を覆うように、例えばスクリーン印刷で矩形状にパターン形成して絶縁性保護膜5を成膜する。
さらに、エチレン−ビニルアルコールを、絶縁性保護膜5を覆うように、例えば、スクリーン印刷又はディップコート等により矩形状にパターン形成して酸素バリア膜7を成膜することで、温度センサ1が作製される。
このように本実施形態の温度センサ1では、絶縁性保護膜5の上及び下の少なくとも一方に、絶縁性保護膜5よりも酸素透過度の小さい酸素バリア膜7が形成されているので、酸素バリア膜7によって絶縁性保護膜5を透過して貴金属層4b表面に達する酸素を抑制することできる。したがって、絶縁性保護膜5を透過する酸素による貴金属層4b上の酸化Cr部6の生成を抑制し、Cr拡散によって接合層4aが薄くなることを防いで、高抵抗化を抑制することが可能になる。
特に、酸素バリア膜7が、エチレン−ビニルアルコールで形成されているので、ポリイミドの酸素透過度が390cc/m2・24h/atm(厚さ25μm、25℃)であるのに対して、エチレン−ビニルアルコールの酸素透過度が0.2cc/m2・24h/atm(厚さ15μm、25℃)であり、約1/1000の酸素透過度であることで、薄い酸素バリア膜7であっても酸素の透過を効果的に抑制することができると共に絶縁性保護膜5の厚さを低減することも可能になる。
また、酸素バリア膜7の厚さが、絶縁性保護膜5よりも薄く設定されているので、酸素バリア膜7による温度センサの感温部の熱容量の増加を抑え、熱応答性の低下を抑制することができる。
また、酸素バリア膜7の厚さが、絶縁性保護膜5よりも薄く設定されているので、酸素バリア膜7による温度センサの感温部の熱容量の増加を抑え、熱応答性の低下を抑制することができる。
次に、本発明に係る温度センサの第2実施形態について、図3を参照して以下に説明する。なお、以下の実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、絶縁性保護膜5の上だけに酸素バリア膜7が形成されているのに対し、第2実施形態の温度センサ21では、図3に示すように、絶縁性保護膜5上の酸素バリア膜7aだけでなく、絶縁性基材2上、すなわち絶縁性基材2と薄膜サーミスタ部3との間にも酸素バリア膜7bが形成されている点である。
すなわち、薄膜サーミスタ部3は、酸素バリア膜7bを介して絶縁性基材2上に形成され、対向電極4は、絶縁性保護膜5及び薄膜サーミスタ部3を介して上下の酸素バリア膜7aと酸素バリア膜7bとにより挟まれている。
上記酸素バリア膜7bは、少なくとも対向電極4の直下に形成され、本実施形態では絶縁性保護膜5上の酸素バリア膜7aと同じ形状で形成されている。
なお、酸素バリア膜7bを、絶縁性保護膜5の下に形成してもよく、絶縁性保護膜5の上及び下の両面に形成しても構わない。
上記酸素バリア膜7bは、少なくとも対向電極4の直下に形成され、本実施形態では絶縁性保護膜5上の酸素バリア膜7aと同じ形状で形成されている。
なお、酸素バリア膜7bを、絶縁性保護膜5の下に形成してもよく、絶縁性保護膜5の上及び下の両面に形成しても構わない。
このように第2実施形態の温度センサ21では、少なくとも対向電極4の直下であって、絶縁性基材2の上及び下の少なくとも一方にも、酸素バリア膜4bが形成されているので、絶縁性基材2側からの酸素の透過も防止することができ、さらに貴金属層4b表面に達する酸素を抑制することできる。
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、絶縁性保護膜の上に酸素バリア膜が積層されているが、絶縁性保護膜の下又は上下に酸素バリア膜を形成しても構わない。
また、上述したように絶縁性保護膜がポリイミドの場合、酸素バリア膜としてエチレン−ビニルアルコールが好ましいが、ポリイミドよりも酸素透過度が小さければ他の材料で形成された酸素バリア膜でも構わない。なお、酸素バリア膜としては、絶縁性の材料であることが好ましい。
また、上述したように絶縁性保護膜がポリイミドの場合、酸素バリア膜としてエチレン−ビニルアルコールが好ましいが、ポリイミドよりも酸素透過度が小さければ他の材料で形成された酸素バリア膜でも構わない。なお、酸素バリア膜としては、絶縁性の材料であることが好ましい。
1,21…温度センサ、2…絶縁性基材、3…薄膜サーミスタ部、4…対向電極、4a…接合層、4b…貴金属層、5…絶縁性保護膜、6…酸化Cr部、7,7a,7b…酸素バリア膜
Claims (4)
- 絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部上に互いに対向して形成された一対の対向電極と、
前記薄膜サーミスタ部上に前記一対の対向電極も覆って形成された絶縁性保護膜とを備え、
前記対向電極が、前記薄膜サーミスタ部上に形成され少なくともCrを含有した接合層と、
前記接合層上に形成された貴金属層とを備え、
前記絶縁性保護膜の上及び下の少なくとも一方に、前記絶縁性保護膜よりも酸素透過度の小さい酸素バリア膜が形成されていることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1に記載の温度センサにおいて、
前記絶縁性保護膜が、ポリイミドで形成され、
前記酸素バリア膜が、エチレン−ビニルアルコールで形成されていることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1又は2に記載の温度センサにおいて、
前記酸素バリア膜の厚さが、前記絶縁性保護膜よりも薄く設定されていることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、
少なくとも前記対向電極の直下であって、前記絶縁性基材の上及び下の少なくとも一方にも、前記酸素バリア膜が形成されていることを特徴とする温度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018023248A JP2019138798A (ja) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018023248A JP2019138798A (ja) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | 温度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019138798A true JP2019138798A (ja) | 2019-08-22 |
Family
ID=67693781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018023248A Pending JP2019138798A (ja) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | 温度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019138798A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111623899A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-09-04 | 中山大学 | 一种基于薄膜的电容式温度传感器及其制作方法 |
WO2021166950A1 (ja) * | 2020-02-21 | 2021-08-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱流スイッチング素子 |
WO2021261006A1 (ja) | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ |
WO2022145083A1 (ja) * | 2020-02-19 | 2022-07-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-02-13 JP JP2018023248A patent/JP2019138798A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022145083A1 (ja) * | 2020-02-19 | 2022-07-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ及びその製造方法 |
WO2021166950A1 (ja) * | 2020-02-21 | 2021-08-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱流スイッチング素子 |
EP4109062A4 (en) * | 2020-02-21 | 2024-03-06 | Mitsubishi Materials Corporation | HEAT CURRENT SWITCHING ELEMENT |
CN111623899A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-09-04 | 中山大学 | 一种基于薄膜的电容式温度传感器及其制作方法 |
CN111623899B (zh) * | 2020-05-21 | 2021-12-03 | 中山大学 | 一种基于薄膜的电容式温度传感器及其制作方法 |
WO2021261006A1 (ja) | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019138798A (ja) | 温度センサ | |
JP5138134B2 (ja) | 薄膜式センサの製造方法ならびにフローセンサの製造方法 | |
JP2681782B2 (ja) | 白金抵抗温度計およびその製造方法 | |
JP3678180B2 (ja) | フローセンサ | |
CN103688320A (zh) | 薄膜热敏电阻元件及其制造方法 | |
JPH01502361A (ja) | 高い応答速度を有する抵抗式ガスセンサ用半導体 | |
JP2008244344A (ja) | 薄膜サーミスタ素子及び薄膜サーミスタ素子の製造方法 | |
JP2006295142A (ja) | 圧電素子 | |
JP2007085880A (ja) | 薄型熱電対及びその製造方法 | |
JP2007066924A (ja) | 薄膜サーミスタ | |
JPS60128651A (ja) | 半導体装置 | |
JP6410048B2 (ja) | 温度センサ | |
JP5029885B2 (ja) | 薄膜サーミスタ素子及びその製造方法 | |
JPH03167463A (ja) | 感湿素子 | |
JPS6334414B2 (ja) | ||
JP2006080322A (ja) | チップ型複合電子部品 | |
JP2004317449A (ja) | 水素ガスセンサ | |
JP2013015401A (ja) | 半導体式薄膜ガスセンサ及びその製造方法 | |
JPH04124880A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
JPH11233305A (ja) | Ptcサーミスタ薄膜素子 | |
JP2018151227A (ja) | 温度センサ | |
JP2023123163A (ja) | 薄膜電極及びその製造方法 | |
JP2018139239A (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
JP6772843B2 (ja) | 温度センサ | |
JP2011171596A (ja) | 薄膜サーミスタ素子 |