JP2018151227A - 温度センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】 薄膜サーミスタ部の外周縁と電極の外縁とが上下で重なる重複点でのリーク電流の発生を抑制することができる温度センサを提供すること。【解決手段】 絶縁性基板2と、絶縁性基板の一方の面にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部3と、薄膜サーミスタ部の上又は下に互いに対向して形成された一対の対向電極4とを備え、対向電極が、複数の櫛部4aと、複数の櫛部の基端が接続され複数の櫛部の並ぶ方向に延在する基端接続部4bと、基端接続部の端部に接続され櫛部に沿って延在する側部延在部4cとを有し、一対の対向電極のうち一方の基端接続部と他方の側部延在部とが互いに対向する部分であって薄膜サーミスタ部の外周縁の直上又は直下に配された部分が、側部延在部とこれに隣接する櫛部との間隔よりも広い幅に設定された幅広部h1,h2とされている。【選択図】図1
Description
本発明は、薄膜サーミスタを用いた温度センサに関する。
近年、ポリイミド樹脂等で形成された絶縁性フィルム上に薄膜状のサーミスタ部を形成したフィルム型の温度センサが開発されている。例えば、特許文献1には、絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、薄膜サーミスタ部の上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛型電極と、一対の櫛型電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、櫛型電極と薄膜サーミスタ部とを覆って絶縁性フィルム上に形成された保護膜とを備えている温度センサが開発されている。
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
上記従来の温度センサでは、図3及び図4に示すように、絶縁性基板2上の薄膜サーミスタ部3の外周縁と対向電極104の外縁とが上下で重なる重複点Pに、隙間Sが形成されやすく、この隙間Sにマイクロウォーターや残渣が溜まりやすい。例えば、図4の(a)に示すように、薄膜サーミスタ部3上に一対の対向電極104を成膜して形成した際に、薄膜サーミスタ部3外周縁の段差によって薄膜サーミスタ部3と対向電極104との間に隙間Sが生じる場合がある。また、図4の(b)に示すように、対向電極104が薄膜サーミスタ部3の外周縁上で不連続となって隙間Sが生じてしまう場合もある。このため、一対の対向電極104間に電界が加わると、重複点P又はその近傍の隙間Sに溜まったマイクロウォーターや残渣に起因して一対の対向電極104間にリーク電流が生じてしまうおそれがあった。
上記従来の温度センサでは、図3及び図4に示すように、絶縁性基板2上の薄膜サーミスタ部3の外周縁と対向電極104の外縁とが上下で重なる重複点Pに、隙間Sが形成されやすく、この隙間Sにマイクロウォーターや残渣が溜まりやすい。例えば、図4の(a)に示すように、薄膜サーミスタ部3上に一対の対向電極104を成膜して形成した際に、薄膜サーミスタ部3外周縁の段差によって薄膜サーミスタ部3と対向電極104との間に隙間Sが生じる場合がある。また、図4の(b)に示すように、対向電極104が薄膜サーミスタ部3の外周縁上で不連続となって隙間Sが生じてしまう場合もある。このため、一対の対向電極104間に電界が加わると、重複点P又はその近傍の隙間Sに溜まったマイクロウォーターや残渣に起因して一対の対向電極104間にリーク電流が生じてしまうおそれがあった。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、薄膜サーミスタ部の外周縁と電極の外縁とが上下で重なる重複点でのリーク電流の発生を抑制することができる温度センサを提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明に係る温度センサは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一方の面にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部の上又は下に互いに対向して形成された一対の対向電極とを備え、前記対向電極が、互いに平行に延在する複数の櫛部と、複数の前記櫛部の基端が接続され複数の前記櫛部の並ぶ方向に延在する基端接続部と、前記基端接続部の端部に接続され前記櫛部に沿って延在する側部延在部とを有し、一対の前記対向電極のうち一方の前記基端接続部と他方の前記側部延在部とが互いに対向する部分であって前記薄膜サーミスタ部の外周縁の直上又は直下に配された部分が、前記側部延在部とこれに隣接する前記櫛部との間隔よりも広い幅に設定された幅広部とされていることを特徴とする。
この温度センサでは、一対の対向電極のうち一方の基端接続部と他方の側部延在部とが互いに対向する部分であって薄膜サーミスタ部の外周縁の直上又は直下に配された部分が、側部延在部とこれに隣接する櫛部との間隔よりも広い幅に設定された幅広部とされているので、重複点における基端接続部と側部延在部との間隔、すなわち+電圧側とグランド側との間隔が広くなり、電界が緩和されることで、リーク電流の発生を抑制することができる。
第2の発明に係る温度センサは、第1の発明において、前記幅広部が、一対の前記対向電極のうち一方の前記基端接続部と他方の前記側部延在部とが互いに対向する部分の両方を切り欠いた部分であることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、幅広部が、一対の対向電極のうち一方の基端接続部と他方の側部延在部とが互いに対向する部分の両方を切り欠いた部分であるので、前記対向する部分の一方だけを切り欠いた場合に比べて、より広い幅広部が得られ、さらにリーク電流の発生を抑制することができる。
すなわち、この温度センサでは、幅広部が、一対の対向電極のうち一方の基端接続部と他方の側部延在部とが互いに対向する部分の両方を切り欠いた部分であるので、前記対向する部分の一方だけを切り欠いた場合に比べて、より広い幅広部が得られ、さらにリーク電流の発生を抑制することができる。
第3の発明に係る温度センサは、第1又は第2の発明において、一対の前記対向電極が、前記薄膜サーミスタ部の上に形成されていると共に、前記基端接続部と前記側部延在部とが、前記薄膜サーミスタ部の外周縁の直上を覆って形成され、一対の前記対向電極のうち一方の前記基端接続部と他方の前記側部延在部とが対向する部分であって前記幅広部の外側が、前記幅広部内の幅より狭くなっていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、一対の対向電極のうち一方の基端接続部と他方の側部延在部とが対向する部分であって幅広部の外側が、幅広部内の幅より狭くなっているので、薄膜サーミスタ部を上から押さえる役割のある対向電極の絶縁性基板との接着面積の減少を極力抑えることができる。
すなわち、この温度センサでは、一対の対向電極のうち一方の基端接続部と他方の側部延在部とが対向する部分であって幅広部の外側が、幅広部内の幅より狭くなっているので、薄膜サーミスタ部を上から押さえる役割のある対向電極の絶縁性基板との接着面積の減少を極力抑えることができる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、一対の対向電極のうち一方の基端接続部と他方の側部延在部とが互いに対向する部分であって薄膜サーミスタ部の外周縁の直上又は直下に配された部分が、側部延在部とこれに隣接する櫛部との間隔よりも広い幅に設定された幅広部とされているので、重複点における基端接続部と側部延在部との間隔が広くなり、電界が緩和されることで、リーク電流の発生を抑制することができる。
したがって、本実施形態の温度センサでは、良好なサーミスタ特性を安定して維持することができ、高い信頼性を得ることができる。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、一対の対向電極のうち一方の基端接続部と他方の側部延在部とが互いに対向する部分であって薄膜サーミスタ部の外周縁の直上又は直下に配された部分が、側部延在部とこれに隣接する櫛部との間隔よりも広い幅に設定された幅広部とされているので、重複点における基端接続部と側部延在部との間隔が広くなり、電界が緩和されることで、リーク電流の発生を抑制することができる。
したがって、本実施形態の温度センサでは、良好なサーミスタ特性を安定して維持することができ、高い信頼性を得ることができる。
以下、本発明に係る温度センサにおける第1実施形態を、図1を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
本実施形態の温度センサ1は、図1に示すように、絶縁性基板2と、絶縁性基板2の一方の面にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部3と、薄膜サーミスタ部3の上又は下に互いに対向して形成された一対の対向電極4とを備えている。
上記対向電極4は、互いに平行に延在する複数の櫛部4aと、複数の櫛部4aの基端が接続され薄膜サーミスタ部3の外周縁を覆って複数の櫛部4aの並ぶ方向に延在する基端接続部4bと、基端接続部4bの端部に接続され薄膜サーミスタ部3の外周縁を覆って櫛部4aに沿って延在する側部延在部4cとを有している。
上記対向電極4は、互いに平行に延在する複数の櫛部4aと、複数の櫛部4aの基端が接続され薄膜サーミスタ部3の外周縁を覆って複数の櫛部4aの並ぶ方向に延在する基端接続部4bと、基端接続部4bの端部に接続され薄膜サーミスタ部3の外周縁を覆って櫛部4aに沿って延在する側部延在部4cとを有している。
一対の対向電極4のうち一方の基端接続部4bと他方の側部延在部4cとが互いに対向する部分であって薄膜サーミスタ部3の外周縁の直上又は直下に配された部分は、側部延在部4cとこれに隣接する櫛部4aとの間隔L1よりも広い幅L2に設定された幅広部h1,h2とされている。
なお、本実施形態では、一対の対向電極4が、薄膜サーミスタ部3の上に形成されていると共に、基端接続部4bと側部延在部4cとが、薄膜サーミスタ部3の外周縁の直上を覆って形成されている。すなわち、幅広部h1,h2は、薄膜サーミスタ部3の外周縁の直上に配されている。
上記幅広部h1,h2は、一対の対向電極4のうち一方の基端接続部4bと他方の側部延在部4cとが互いに対向する部分の両方を矩形状に切り欠いた部分である。
幅広部h1,h2は、基端接続部4bと側部延在部4cとが対向配置されている2カ所に設けられている。
また、2つの幅広部h1,h2のうち一方、すなわち一対の対向電極4のうち一方の基端接続部4bと他方の側部延在部4cとが対向する部分であって幅広部h2の外側4dは、幅広部h2内の幅より狭くなっている。
なお、図中、一対の対向電極4には、ハッチングを施している。
幅広部h1,h2は、基端接続部4bと側部延在部4cとが対向配置されている2カ所に設けられている。
また、2つの幅広部h1,h2のうち一方、すなわち一対の対向電極4のうち一方の基端接続部4bと他方の側部延在部4cとが対向する部分であって幅広部h2の外側4dは、幅広部h2内の幅より狭くなっている。
なお、図中、一対の対向電極4には、ハッチングを施している。
また、本実施形態の温度センサ1は、絶縁性基板2の一方の面に一対の対向電極4と薄膜サーミスタ部3とを覆って形成された絶縁性保護膜5を備えている。
上記絶縁性基板2は、長方形とされた絶縁性フィルムであり、例えば厚さ7.5〜125μmのポリイミド樹脂シートで形成されている。なお、絶縁性基板2の絶縁性フィルムは、他にPET:ポリエチレンテレフタレート,PEN:ポリエチレンナフタレート,LCP:液晶ポリマー等でも作製できる。
上記絶縁性基板2は、長方形とされた絶縁性フィルムであり、例えば厚さ7.5〜125μmのポリイミド樹脂シートで形成されている。なお、絶縁性基板2の絶縁性フィルムは、他にPET:ポリエチレンテレフタレート,PEN:ポリエチレンナフタレート,LCP:液晶ポリマー等でも作製できる。
上記薄膜サーミスタ部3は、フレキシブル性を有したサーミスタ膜であって、例えばスパッタリングで成膜されたM−Al−N膜(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示す)である。
すなわち、薄膜サーミスタ部3は、一般式:MxAlyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。なお、これらの膜については、フレキシブル性と良好なサーミスタ特性とが確認されている。
すなわち、薄膜サーミスタ部3は、一般式:MxAlyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。なお、これらの膜については、フレキシブル性と良好なサーミスタ特性とが確認されている。
なお、本実施形態では、特にTi−Al−Nのサーミスタ材料で矩形状に形成された薄膜サーミスタ部3を採用している。すなわち、薄膜サーミスタ部3は、一般式:TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
上記一対の対向電極4は、互いに対向して櫛型状にパターン形成された櫛型電極であり、交互に配された上記複数の櫛部4aを有している。
これら一対の対向電極4は、例えば膜厚5〜100nmのCr又はNiCrの接合層と、該接合層上にAu等の貴金属で膜厚50〜1000nm形成された電極層とを有している。
上記絶縁性保護膜5は、スクリーン印刷等によりポリイミド樹脂でパターン形成されている。
これら一対の対向電極4は、例えば膜厚5〜100nmのCr又はNiCrの接合層と、該接合層上にAu等の貴金属で膜厚50〜1000nm形成された電極層とを有している。
上記絶縁性保護膜5は、スクリーン印刷等によりポリイミド樹脂でパターン形成されている。
このように本実施形態の温度センサ1では、一対の対向電極4のうち一方の基端接続部4bと他方の側部延在部4cとが互いに対向する部分であって薄膜サーミスタ部3の外周縁の直上又は直下に配された部分が、側部延在部4cとこれに隣接する櫛部4aとの間隔L1よりも広い幅L2に設定された幅広部h1,h2とされているので、重複点Pにおける基端接続部4bと側部延在部4cとの間隔L2、すなわち+電圧側とグランド側との間隔が広くなり、電界が緩和されることで、リーク電流の発生を抑制することができる。
また、幅広部h1,h2が、一対の対向電極4のうち一方の基端接続部4bと他方の側部延在部4cとが互いに対向する部分の両方を切り欠いた部分であるので、前記対向する部分の一方だけを切り欠いた場合に比べて、より広い幅広部h1,h2が得られ、さらにリーク電流の発生を抑制することができる。
さらに、一対の対向電極4のうち一方の基端接続部4bと他方の側部延在部4cとが対向する部分であって幅広部h2の外側4dが、幅広部h2内の幅より狭くなっているので、薄膜サーミスタ部3を上から押さえる役割のある対向電極4の絶縁性基板2との接着面積の減少を極力抑えることができる。
次に、本発明に係る温度センサの第2実施形態について、図2を参照して以下に説明する。なお、以下の実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、幅広部h1,h2が矩形状に切り欠かれた部分であるのに対し、第2実施形態の温度センサ21では、図2に示すように、一対の対向電極24の互いに対向した基端接続部24bと側部延在部24cに形成された幅広部h3が、それぞれ略半円状に切り欠かれている点である。
すなわち、第2実施形態においても、互いに対向する基端接続部24bと側部延在部24cとの対向部分において、幅広部h3より外側4dの幅は、幅広部h3内の幅よりも狭く設定されている。
すなわち、第2実施形態においても、互いに対向する基端接続部24bと側部延在部24cとの対向部分において、幅広部h3より外側4dの幅は、幅広部h3内の幅よりも狭く設定されている。
したがって、第2実施形態の温度センサ21では、第1実施形態と同様に、幅広部h3を設けたことにより、対向電極24による薄膜サーミスタ部3の外周縁を押さえる効果を維持しつつ、重複点P又はその近傍においてリーク電流の発生を抑制することができる。
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態では、薄膜サーミスタ部の上に一対の対向電極が形成されており、幅広部は、薄膜サーミスタ部の外周縁の直上に配されているが、薄膜サーミスタ部の下に一対の対向電極を形成し、幅広部を、薄膜サーミスタ部の外周縁の直下に配しても構わない。
例えば、上記各実施形態では、薄膜サーミスタ部の上に一対の対向電極が形成されており、幅広部は、薄膜サーミスタ部の外周縁の直上に配されているが、薄膜サーミスタ部の下に一対の対向電極を形成し、幅広部を、薄膜サーミスタ部の外周縁の直下に配しても構わない。
1,21…温度センサ、2…絶縁性基板、3…薄膜サーミスタ部、4,24…対向電極、4a…櫛部、4b…基端接続部、4c…側部延在部、h1,h2,h3…幅広部、P…重複点
Claims (3)
- 絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の一方の面にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部の上又は下に互いに対向して形成された一対の対向電極とを備え、
前記対向電極が、互いに平行に延在する複数の櫛部と、
複数の前記櫛部の基端が接続され複数の前記櫛部の並ぶ方向に延在する基端接続部と、
前記基端接続部の端部に接続され前記櫛部に沿って延在する側部延在部とを有し、
一対の前記対向電極のうち一方の前記基端接続部と他方の前記側部延在部とが互いに対向する部分であって前記薄膜サーミスタ部の外周縁の直上又は直下に配された部分が、前記側部延在部とこれに隣接する前記櫛部との間隔よりも広い幅に設定された幅広部とされていることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1に記載の温度センサにおいて、
前記幅広部が、一対の前記対向電極のうち一方の前記基端接続部と他方の前記側部延在部とが互いに対向する部分の両方を切り欠いた部分であることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1又は2に記載の温度センサにおいて、
一対の前記対向電極が、前記薄膜サーミスタ部の上に形成されていると共に、前記基端接続部と前記側部延在部とが、前記薄膜サーミスタ部の外周縁の直上を覆って形成され、
一対の前記対向電極のうち一方の前記基端接続部と他方の前記側部延在部とが対向する部分であって前記幅広部の外側が、前記幅広部内の幅より狭くなっていることを特徴とする温度センサ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2021261006A1 (ja) * | 2020-06-26 | 2021-12-30 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ |
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JP2016050786A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ |
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2017
- 2017-03-13 JP JP2017046972A patent/JP2018151227A/ja active Pending
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