JP2019158815A - 温度センサ - Google Patents
温度センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019158815A JP2019158815A JP2018049370A JP2018049370A JP2019158815A JP 2019158815 A JP2019158815 A JP 2019158815A JP 2018049370 A JP2018049370 A JP 2018049370A JP 2018049370 A JP2018049370 A JP 2018049370A JP 2019158815 A JP2019158815 A JP 2019158815A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film thermistor
- temperature sensor
- groove
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
【課題】 熱容量を小さくして応答性を向上させることができる温度センサを提供すること。【解決手段】 絶縁性基材2と、絶縁性基材上にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部3と、薄膜サーミスタ部に接続され互いに対向して薄膜サーミスタ部上又は絶縁性基材上に形成された一対の対向電極とを備え、絶縁性基材が、表面に複数の凹凸が形成された凹凸面5を有し、薄膜サーミスタ部が、少なくとも凹凸面を構成する壁面に形成されている。これにより、絶縁性基材の平面上に薄膜サーミスタ部を形成する場合に比べて、薄膜サーミスタ部の単位面積当たりの絶縁性基材の熱容量が小さくなり、応答性を向上させることができる。また、凹凸面により雰囲気との接触面積を増やすことも可能になり、感度を向上させることもできる。【選択図】図1
Description
本発明は、薄膜サーミスタを用いた温度センサに関する。
近年、絶縁性フィルム等の絶縁性基材上に薄膜状のサーミスタ部を形成した温度センサが開発されている。例えば、特許文献1には、絶縁性フィルムと、絶縁性フィルムの表面にサーミスタ材料でパターン形成された薄膜サーミスタ部と、薄膜サーミスタ部の上に複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成された一対の櫛形電極と、一対の櫛形電極に接続され絶縁性フィルムの表面にパターン形成された一対のパターン電極と、櫛形電極と薄膜サーミスタ部とを覆って絶縁性フィルム上に形成された保護膜とを備えている温度センサが開発されている。
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、上記従来の温度センサでは、さらに熱容量を小さくして、応答性を向上させたいという要望があった。
すなわち、上記従来の温度センサでは、さらに熱容量を小さくして、応答性を向上させたいという要望があった。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、熱容量を小さくして応答性を向上させることができる温度センサを提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第1の発明に係る温度センサは、絶縁性基材と、前記絶縁性基材上にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、前記薄膜サーミスタ部に接続され互いに対向して前記薄膜サーミスタ部上又は前記絶縁性基材上に形成された一対の対向電極とを備え、前記絶縁性基材が、表面に複数の凹凸が形成された凹凸面を有し、前記薄膜サーミスタ部が、少なくとも前記凹凸面を構成する壁面に形成されていることを特徴とする。
この温度センサでは、薄膜サーミスタ部が、少なくとも凹凸面を構成する壁面に形成されているので、絶縁性基材の平面上に薄膜サーミスタ部を形成する場合に比べて、薄膜サーミスタ部の単位面積当たりの絶縁性基材の熱容量が小さくなり、応答性を向上させることができる。また、凹凸面により雰囲気との接触面積を増やすことも可能になり、感度を向上させることもできる。
第2の発明に係る温度センサは、第1の発明において、前記凹凸面に突条部が形成され、前記突条部が、前記一対の対向電極の間に形成され、前記薄膜サーミスタ部が、前記突条部を覆って前記凹凸面に形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、薄膜サーミスタ部が、突条部を覆って凹凸面に形成されているので、突条部のアスペクト比(突条部の高さと幅との比)に応じて薄膜サーミスタ部の単位面積当たりの絶縁性基材の熱容量も小さくなり、応答性を向上させることが可能になる。
すなわち、この温度センサでは、薄膜サーミスタ部が、突条部を覆って凹凸面に形成されているので、突条部のアスペクト比(突条部の高さと幅との比)に応じて薄膜サーミスタ部の単位面積当たりの絶縁性基材の熱容量も小さくなり、応答性を向上させることが可能になる。
第3の発明に係る温度センサは、第2の発明において、前記一対の対向電極が、複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成され、前記突条部が、前記櫛部の間に形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、一対の対向電極が、複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成され、突条部が、櫛部の間に形成されているので、櫛型電極の櫛部間に突条部が配されることで、高精度に薄膜サーミスタ部の抵抗を測定することが可能になる。
すなわち、この温度センサでは、一対の対向電極が、複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成され、突条部が、櫛部の間に形成されているので、櫛型電極の櫛部間に突条部が配されることで、高精度に薄膜サーミスタ部の抵抗を測定することが可能になる。
第4の発明に係る温度センサは、第1の発明において、前記凹凸面に断面V字状の溝部が複数並んで形成され、前記薄膜サーミスタ部が、前記溝部の少なくとも一方の斜面を覆って形成されていることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、薄膜サーミスタ部が、断面V字状の溝部の少なくとも一方の斜面を覆って形成されているので、溝部の溝幅に対する溝深さに応じて薄膜サーミスタ部の単位面積当たりの絶縁性基材の熱容量が小さくなり、応答性を向上させることが可能になる。
すなわち、この温度センサでは、薄膜サーミスタ部が、断面V字状の溝部の少なくとも一方の斜面を覆って形成されているので、溝部の溝幅に対する溝深さに応じて薄膜サーミスタ部の単位面積当たりの絶縁性基材の熱容量が小さくなり、応答性を向上させることが可能になる。
第5の発明に係る温度センサは、第4の発明において、前記溝部の一方の斜面に前記薄膜サーミスタ部が形成され、前記溝部の他方の斜面に前記対向電極が形成され、一対の前記対向電極が、前記溝部毎に交互に並んでいることを特徴とする。
すなわち、この温度センサでは、溝部の一方の斜面に薄膜サーミスタ部が形成され、溝部の他方の斜面に対向電極が形成され、一対の対向電極が、溝部毎に交互に並んでいるので、一対の対向電極が互いに交互に配された複数の櫛部を有した櫛型電極となることで、高精度に薄膜サーミスタ部の抵抗を測定することが可能になる。
すなわち、この温度センサでは、溝部の一方の斜面に薄膜サーミスタ部が形成され、溝部の他方の斜面に対向電極が形成され、一対の対向電極が、溝部毎に交互に並んでいるので、一対の対向電極が互いに交互に配された複数の櫛部を有した櫛型電極となることで、高精度に薄膜サーミスタ部の抵抗を測定することが可能になる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、薄膜サーミスタ部が、少なくとも凹凸面を構成する壁面に形成されているので、薄膜サーミスタ部の単位面積当たりの絶縁性基材の熱容量が小さくなり、応答性を向上させることができる。また、凹凸面により雰囲気との接触面積を増やすことも可能になり、感度を向上させることもできる。
すなわち、本発明に係る温度センサによれば、薄膜サーミスタ部が、少なくとも凹凸面を構成する壁面に形成されているので、薄膜サーミスタ部の単位面積当たりの絶縁性基材の熱容量が小さくなり、応答性を向上させることができる。また、凹凸面により雰囲気との接触面積を増やすことも可能になり、感度を向上させることもできる。
以下、本発明に係る温度センサにおける第1実施形態を、図1から図3を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
本実施形態の温度センサ1は、図1から図3に示すように、絶縁性基材2と、絶縁性基材2上にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部3と、薄膜サーミスタ部3に接続され互いに対向して薄膜サーミスタ部3上又は絶縁性基材2上に形成された一対の対向電極4とを備えている。
なお、本実施形態では、一対の対向電極4が、薄膜サーミスタ部3の上に形成されている。
なお、本実施形態では、一対の対向電極4が、薄膜サーミスタ部3の上に形成されている。
上記絶縁性基材2は、表面に複数の凹凸が形成された凹凸面5を有している。
本実施形態の凹凸面5には、互いに平行に延在する複数の突条部5aが形成されている。
上記突条部5は、一対の対向電極4の間に形成されている。
突条部5aは、断面矩形状であり、例えばそのアスペクト比(突条部5aの高さと幅との比)が10:1とされている。
本実施形態の凹凸面5には、互いに平行に延在する複数の突条部5aが形成されている。
上記突条部5は、一対の対向電極4の間に形成されている。
突条部5aは、断面矩形状であり、例えばそのアスペクト比(突条部5aの高さと幅との比)が10:1とされている。
上記薄膜サーミスタ部3は、少なくとも凹凸面5を構成する壁面に形成されている。
本実施形態の薄膜サーミスタ部3では、突条部5a全体を覆って凹凸面5に形成されている。なお、突条部5aの両側面は、凹凸面5を構成する壁面である。
すなわち、薄膜サーミスタ部3は、突条部5aの上端面及び両側面(2つの壁面)に形成されていると共に、突条部5a間の溝底部上にも形成されている。なお、図1において、薄膜サーミスタ部3にハッチングを施している。
本実施形態の薄膜サーミスタ部3では、突条部5a全体を覆って凹凸面5に形成されている。なお、突条部5aの両側面は、凹凸面5を構成する壁面である。
すなわち、薄膜サーミスタ部3は、突条部5aの上端面及び両側面(2つの壁面)に形成されていると共に、突条部5a間の溝底部上にも形成されている。なお、図1において、薄膜サーミスタ部3にハッチングを施している。
上記絶縁性基材2は、例えば長方形状のシリコン基板が採用される。
絶縁性基材2が、シリコン基板である場合、ダイシングやエッチング等により複数の突条部5aを有した凹凸面5を形成することができる。
なお、絶縁性基材2として、長方形とされたポリイミド樹脂等の絶縁性フィルムを採用しても構わない。
絶縁性基材2が、シリコン基板である場合、ダイシングやエッチング等により複数の突条部5aを有した凹凸面5を形成することができる。
なお、絶縁性基材2として、長方形とされたポリイミド樹脂等の絶縁性フィルムを採用しても構わない。
一対の対向電極4は、複数の櫛部4cを有して互いに対向してパターン形成されている。すなわち、一対の対向電極4は櫛型電極である。
上記突条部5aは、櫛部4cの間に形成されている。
櫛部4cと突条部5aとは、互いに平行に延在している。
上記対向電極4は、薄膜サーミスタ部3上に形成されCr等の接合層4aと、接合層4a上に形成されたAu等の貴金属層4bとを備えている。
上記突条部5aは、櫛部4cの間に形成されている。
櫛部4cと突条部5aとは、互いに平行に延在している。
上記対向電極4は、薄膜サーミスタ部3上に形成されCr等の接合層4aと、接合層4a上に形成されたAu等の貴金属層4bとを備えている。
上記薄膜サーミスタ部3は、フレキシブル性を有したサーミスタ膜であって、例えばスパッタリングで成膜されたM−Al−N膜(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示す)である。
すなわち、薄膜サーミスタ部3は、一般式:MxAlyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。なお、これらの膜については、フレキシブル性と良好なサーミスタ特性とが確認されている。
すなわち、薄膜サーミスタ部3は、一般式:MxAlyNz(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示す。0.70≦y/(x+y)≦0.98、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。なお、これらの膜については、フレキシブル性と良好なサーミスタ特性とが確認されている。
なお、本実施形態では、特にTi−Al−Nのサーミスタ材料で矩形状に形成された薄膜サーミスタ部3を採用している。すなわち、薄膜サーミスタ部3は、一般式:TixAlyNz(0.70≦y/(x+y)≦0.95、0.4≦z≦0.5、x+y+z=1)で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
上記薄膜サーミスタ部3は、M−A合金スパッタリングターゲット(但し、MはTi,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni及びCuの少なくとも1種を示すと共に、AはAl又は(Al及びSi)を示す。)を用いて窒素含有雰囲気中で反応性スパッタを行って成膜する。
例えば、Ti−Al−Nのサーミスタ材料を採用する場合、その時のスパッタ条件は、例えば、組成比Al/(Al+Ti)比=0.85のTi−Al合金スパッタリングターゲットを用い、到達真空度:4×10−5Pa、スパッタガス圧:0.2Pa、ターゲット投入電力(出力):200Wで、Arガス+窒素ガスの混合ガス雰囲気下において窒素ガス分圧:30%とする。
なお、本実施形態では、突条部5aの両側面に薄膜サーミスタ部3を成膜するため、絶縁性基材2を傾けた状態で複数回スパッタリングにより成膜している。
例えば、Ti−Al−Nのサーミスタ材料を採用する場合、その時のスパッタ条件は、例えば、組成比Al/(Al+Ti)比=0.85のTi−Al合金スパッタリングターゲットを用い、到達真空度:4×10−5Pa、スパッタガス圧:0.2Pa、ターゲット投入電力(出力):200Wで、Arガス+窒素ガスの混合ガス雰囲気下において窒素ガス分圧:30%とする。
なお、本実施形態では、突条部5aの両側面に薄膜サーミスタ部3を成膜するため、絶縁性基材2を傾けた状態で複数回スパッタリングにより成膜している。
このように本実施形態の温度センサ1では、薄膜サーミスタ部3が、少なくとも凹凸面5を構成する壁面に形成されているので、絶縁性基材2の平面上に薄膜サーミスタ部3を形成する場合に比べて、薄膜サーミスタ部3の単位面積当たりの絶縁性基材2の熱容量が小さくなり、応答性を向上させることができる。また、凹凸面5により雰囲気との接触面積を増やすことも可能になり、感度を向上させることもできる。
また、薄膜サーミスタ部3が、突条部5aを覆って凹凸面5に形成されているので、突条部5aのアスペクト比(突条部5aの高さと幅との比)に応じて薄膜サーミスタ部3の単位面積当たりの絶縁性基材2の熱容量も小さくなり、応答性を向上させることが可能になる。
さらに、一対の対向電極4が、複数の櫛部4cを有して互いに対向してパターン形成され、突条部5aが、櫛部4cの間に形成されているので、櫛型電極の櫛部4c間に突条部5aが配されることで、高精度に薄膜サーミスタ部3の抵抗を測定することが可能になる。
さらに、一対の対向電極4が、複数の櫛部4cを有して互いに対向してパターン形成され、突条部5aが、櫛部4cの間に形成されているので、櫛型電極の櫛部4c間に突条部5aが配されることで、高精度に薄膜サーミスタ部3の抵抗を測定することが可能になる。
次に、本発明に係る温度センサの第2実施形態について、図4から図6を参照して以下に説明する。なお、以下の実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、複数の突条部5aで構成された凹凸面5に薄膜サーミスタ部3が形成されているのに対し、第2実施形態の温度センサ21では、図4及び図5に示すように、凹凸面25に断面V字状の溝部25aが複数並んで形成され、薄膜サーミスタ部23が、溝部25aの少なくとも一方の斜面(壁面)を覆って形成されている点である。
第2実施形態では、複数の溝部25aが互いに平行に延在して並んで形成されている。
溝部25aの一方の斜面には薄膜サーミスタ部23が形成され、溝部25aの他方の斜面には対向電極24が形成されている。
一対の対向電極24は、溝部25a毎に交互に並んでいる。
すなわち、対向電極24は、互いに間隔を空けて溝部25aに沿って延在している複数の櫛部24cを有した櫛型電極となっており、一対の対向電極24は、互いの櫛部24cが薄膜サーミスタ部23を間に挟んで交互に並んで形成されている。
溝部25aの一方の斜面には薄膜サーミスタ部23が形成され、溝部25aの他方の斜面には対向電極24が形成されている。
一対の対向電極24は、溝部25a毎に交互に並んでいる。
すなわち、対向電極24は、互いに間隔を空けて溝部25aに沿って延在している複数の櫛部24cを有した櫛型電極となっており、一対の対向電極24は、互いの櫛部24cが薄膜サーミスタ部23を間に挟んで交互に並んで形成されている。
したがって、互いに平行に延在している複数の溝部25aの一方側に向いた斜面に薄膜サーミスタ部23が帯状に延在して形成され、他方側に向いた斜面に櫛部24cが帯状に延在して形成されている。
なお、一対の対向電極24は、レーザ加工による切断線Lの部分で互いに分断されている。
なお、一対の対向電極24は、レーザ加工による切断線Lの部分で互いに分断されている。
また、絶縁性基材22の一端側表面には、一対の対向電極24の電極パッド24dがそれぞれ形成されている。
さらに、本実施形態の温度センサ21では、電極パッド24dを除いて表面にSiOxやDLC(Diamond like Carbon)等の絶縁性の保護膜26が形成されている。なお、この保護膜26は、熱容量の増加を考慮してできるだけ薄いことが好ましい。
さらに、本実施形態の温度センサ21では、電極パッド24dを除いて表面にSiOxやDLC(Diamond like Carbon)等の絶縁性の保護膜26が形成されている。なお、この保護膜26は、熱容量の増加を考慮してできるだけ薄いことが好ましい。
第2実施形態の温度センサ21の製造方法について、以下に説明する。
まず、Si(100)基板の表面にSiO2のエッチングマスクMを形成した後、図5に示すように、KOHにより異方性エッチングを行って断面V字状の溝部25aを有した絶縁性基材22を作製する。
なお、KOHによるSi(100)基板のエッチングは著しい異方性を示し、(111)面にはエッチングが殆ど進まない。そのため、図6に示すように、(100)オリエンテーションのシリコン基板の絶縁性基材22であれば、約54°の傾斜角θを持つ楔型(V字状)の溝部25aが形成される。
まず、Si(100)基板の表面にSiO2のエッチングマスクMを形成した後、図5に示すように、KOHにより異方性エッチングを行って断面V字状の溝部25aを有した絶縁性基材22を作製する。
なお、KOHによるSi(100)基板のエッチングは著しい異方性を示し、(111)面にはエッチングが殆ど進まない。そのため、図6に示すように、(100)オリエンテーションのシリコン基板の絶縁性基材22であれば、約54°の傾斜角θを持つ楔型(V字状)の溝部25aが形成される。
次に、絶縁性基材22を水平から右に36°傾けた状態でサーミスタ膜を溝部25aの一方の斜面に成膜して薄膜サーミスタ部23を形成する。
なお、本成膜では、スパッタリングターゲットが絶縁性基材22の直上に配置されている。そのため、絶縁性基材22の右端を水平から下に36°傾ければ、溝部25aの他方の斜面は略垂直になってサーミスタ膜が成膜されない。
さらに、絶縁性基材22を水平から左に36°傾けた状態で接合層24a及び貴金属層24bを溝部25aの他方の面に成膜して櫛部24cを形成する。
なお、本成膜では、スパッタリングターゲットが絶縁性基材22の直上に配置されている。そのため、絶縁性基材22の右端を水平から下に36°傾ければ、溝部25aの他方の斜面は略垂直になってサーミスタ膜が成膜されない。
さらに、絶縁性基材22を水平から左に36°傾けた状態で接合層24a及び貴金属層24bを溝部25aの他方の面に成膜して櫛部24cを形成する。
次に、電極パッド24dとなる部分をマスキングした後、SiOxやDLC(Diamond like Carbon)等により保護膜26を物理成膜する。なお、各種有機物皮膜をディップコートにより成膜して保護膜26としても構わない。
最後に、櫛部24cの先端部分及び電極パッド24dを分離する部分にレーザ光を照射して接合層24a及び貴金属層24bを切断し、互いに電気的に分離した一対の対向極24を形成する。
最後に、櫛部24cの先端部分及び電極パッド24dを分離する部分にレーザ光を照射して接合層24a及び貴金属層24bを切断し、互いに電気的に分離した一対の対向極24を形成する。
このように第2実施形態の温度センサ21では、薄膜サーミスタ部23が、断面V字状の溝部25aの少なくとも一方の斜面を覆って形成されているので、溝部25aの溝幅に対する溝深さに応じて薄膜サーミスタ部23の単位面積当たりの絶縁性基材22の熱容量が小さくなり、応答性を向上させることが可能になる。
また、溝部25aの一方の斜面に薄膜サーミスタ部23が形成され、溝部25aの他方の斜面に対向電極24が形成され、一対の対向電極24が、溝部25a毎に交互に並んでいるので、一対の対向電極24が互いに交互に配された複数の櫛部24cを有した櫛型電極となることで、高精度に薄膜サーミスタ部23の抵抗を測定することが可能になる。
また、溝部25aの一方の斜面に薄膜サーミスタ部23が形成され、溝部25aの他方の斜面に対向電極24が形成され、一対の対向電極24が、溝部25a毎に交互に並んでいるので、一対の対向電極24が互いに交互に配された複数の櫛部24cを有した櫛型電極となることで、高精度に薄膜サーミスタ部23の抵抗を測定することが可能になる。
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記第1実施形態では、絶縁性の保護膜を上面に形成していないが、第2実施形態と同様に、凹凸面を含む薄膜サーミスタ部上に保護膜を形成しても構わない。なお、この場合、凹凸面に形成された突条部の2つの壁面にも保護膜を成膜するには、物理成膜よりもCVD等の化学成膜によってSiO2等の保護膜を形成することが好ましい。
例えば、上記第1実施形態では、絶縁性の保護膜を上面に形成していないが、第2実施形態と同様に、凹凸面を含む薄膜サーミスタ部上に保護膜を形成しても構わない。なお、この場合、凹凸面に形成された突条部の2つの壁面にも保護膜を成膜するには、物理成膜よりもCVD等の化学成膜によってSiO2等の保護膜を形成することが好ましい。
1,21…温度センサ、2,22…絶縁性基材、3,23…薄膜サーミスタ部、4,24…対向電極、4a,24a…接合層、4b,24b…貴金属層、4c…櫛部、5,25…凹凸面、5a…突条部、25a…溝部
Claims (5)
- 絶縁性基材と、
前記絶縁性基材上にサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部と、
前記薄膜サーミスタ部に接続され互いに対向して前記薄膜サーミスタ部上又は前記絶縁性基材上に形成された一対の対向電極とを備え、
前記絶縁性基材が、表面に複数の凹凸が形成された凹凸面を有し、
前記薄膜サーミスタ部が、少なくとも前記凹凸面を構成する壁面に形成されていることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1に記載の温度センサにおいて、
前記凹凸面に突条部が形成され、
前記突条部が、前記一対の対向電極の間に形成され、
前記薄膜サーミスタ部が、前記突条部を覆って前記凹凸面に形成されていることを特徴とする温度センサ。 - 請求項2に記載の温度センサにおいて、
前記一対の対向電極が、複数の櫛部を有して互いに対向してパターン形成され、
前記突条部が、前記櫛部の間に形成されていることを特徴とする温度センサ。 - 請求項1に記載の温度センサにおいて、
前記凹凸面に断面V字状の溝部が複数並んで形成され、
前記薄膜サーミスタ部が、前記溝部の少なくとも一方の斜面を覆って形成されていることを特徴とする温度センサ。 - 請求項4に記載の温度センサにおいて、
前記溝部の一方の斜面に前記薄膜サーミスタ部が形成され、
前記溝部の他方の斜面に前記対向電極が形成され、
一対の前記対向電極が、前記溝部毎に交互に並んでいることを特徴とする温度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018049370A JP2019158815A (ja) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018049370A JP2019158815A (ja) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 温度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019158815A true JP2019158815A (ja) | 2019-09-19 |
Family
ID=67996101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018049370A Pending JP2019158815A (ja) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 温度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019158815A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022546674A (ja) * | 2019-10-16 | 2022-11-07 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | センサ素子及びセンサ素子の製造方法 |
-
2018
- 2018-03-16 JP JP2018049370A patent/JP2019158815A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022546674A (ja) * | 2019-10-16 | 2022-11-07 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | センサ素子及びセンサ素子の製造方法 |
JP7328443B2 (ja) | 2019-10-16 | 2023-08-16 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | センサ素子及びセンサ素子の製造方法 |
US12014852B2 (en) | 2019-10-16 | 2024-06-18 | Tdk Electronics Ag | Sensor element and method for producing a sensor element |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6553829B1 (en) | Air flow sensor having grooved sensor element | |
KR100959005B1 (ko) | 금속 압력다이어프램이 구비된 압력측정센서 및 상기압력측정센서의 제조방법 | |
JP3678180B2 (ja) | フローセンサ | |
JP2011196711A (ja) | 薄膜サーミスタセンサ | |
JPS60181602A (ja) | 薄膜歪計装置およびその製造方法 | |
JP2019158815A (ja) | 温度センサ | |
US11228297B2 (en) | Elastic wave device | |
JP5040403B2 (ja) | 圧電薄膜振動装置及びその製造方法 | |
JP6622711B2 (ja) | セラミック担体、セラミック担体を有するセンサ素子、加熱素子およびセンサモジュール、ならびにセラミック担体の製造方法 | |
JP6617909B2 (ja) | 温度センサ | |
JP6410048B2 (ja) | 温度センサ | |
JP4056382B2 (ja) | 熱電変換デバイス及びその製造方法 | |
JP2016090262A (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
JP6410024B2 (ja) | 温度センサ | |
JP2018151227A (ja) | 温度センサ | |
JPH03146838A (ja) | セラミック起歪体を用いたロードセル | |
JPWO2010055841A1 (ja) | サーミスタ及びその製造方法 | |
JPH0227727B2 (ja) | ||
JPH06297340A (ja) | ダイヤモンドブレード用基板 | |
JPS5911239B2 (ja) | 超音波探触子の製造方法 | |
JP2017150830A (ja) | 温度センサ | |
JP2019086347A (ja) | 温度センサ | |
JP2018115947A (ja) | 温度センサ | |
CN117804647A (zh) | 一种高温高灵敏度压力传感器芯片及加工方法 | |
JPH09243657A (ja) | 容量型加速度センサ |