JP2011196711A - 薄膜サーミスタセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 絶縁基板2と、絶縁基板2の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜3と、絶縁基板2の上面からサーミスタ薄膜3の上面に亘ってパターン形成された一対の電極4と、一対の電極4に接続された一対のリードフレーム5と、を備え、リードフレーム5が、電極4に接合された先端接合部5aと、外部と接続されるリード端部5bと、先端接合部5aとリード端部5bとの間に形成されミアンダ形状とされた屈曲部5cと、からなる。
【選択図】図1
Description
すなわち、上記従来の技術では、サーミスタチップに接続されたリード部が強く引っ張られると、リード部の接合部に直接力が加わって、リード部と電極との接合部、電極と基板との接合部等から剥離してしまうおそれがあった。また、リード部をサーミスタチップに接続する際に、正確に位置決めすることが非常に難しく、位置ずれしてしまう問題があった。特に、リードフレームは平面状であるため、位置決めが難しいという不都合があった。
すなわち、この薄膜サーミスタセンサでは、先端接合部が、前記リード端部よりも幅狭に形成されているので、熱がリードフレームから放散され難くなり、さらに熱応答性を高めることができる。
すなわち、この薄膜サーミスタセンサでは、サーミスタ薄膜と先端接合部とを封止する絶縁被覆層を備えているので、絶縁被覆層によりサーミスタ薄膜が保護されると共に先端接合部が補強されて接合強度が高くなり、高い信頼性を得ることができる。
すなわち、この薄膜サーミスタセンサでは、屈曲部が、基板または絶縁基板の厚さ方向に折り曲げられて基板または絶縁基板の端面に当接しているので、屈曲部が当接することで位置決めが容易になると共にリードフレームと基板または絶縁基板との密着性が向上し、レーザ溶接等によるリードフレームの接続がしやすくなる。
すなわち、この薄膜サーミスタセンサでは、基板または絶縁基板の端面まで回り込んで屈曲部の一部も覆っている絶縁被覆層を備えているので、リードフレームの接合が端面でも補強され、さらに引っ張り強度が改善される。
すなわち、本発明に係る薄膜サーミスタセンサによれば、リードフレームが、ミアンダ形状とされた屈曲部を有しているので、引っ張り強度および温度サイクルに対する信頼性が向上すると共に、熱応答性が向上する。したがって、本発明は、接合強度、高速応答性および高耐熱性等が必要とされる複写機等に用いられる薄膜サーミスタセンサとして好適である。
このサーミスタ薄膜3は、半導体の性状を呈し、温度が上昇すると抵抗が低くなる負特性、いわゆるNTCサーミスタ(Negative Temperature Coefficient Thermistor)の性質を有している。
一対のPt接合層は、サーミスタ薄膜3の上面から絶縁基板2の上面に亘って形成されている。この一対のPt接合層は、一対のNiめっき層の下地層となるものであり、成膜される面の材料(本実施形態では絶縁基板2及びサーミスタ薄膜3)との接合強度がNiめっき層よりも高い。なお、Pt接合層の厚さは、100〜1000nmに設定されている。また、このNiめっき層の厚さは、30μm程度である。
上記先端接合部5aは、リード端部5bよりも幅狭に形成されている。
また、この薄膜サーミスタセンサ1は、絶縁基板2の上面に絶縁性材料で形成されサーミスタ薄膜3と先端接合部5aとを封止する絶縁被覆層6を備えている。
このように各屈曲部5cの先端側は、互いに先端接合部5aから下方にL字状に折り曲げられており、互いに対向する一対の先端接合部5aを一対の電極4上に配してリードフレーム5を絶縁基板2に嵌め込むと、同時に屈曲部5cの先端側が絶縁基板2の端面に当接するように設定されている。
また、サーミスタ薄膜3と先端接合部5aとを封止する絶縁被覆層6を備えているので、絶縁被覆層6によりサーミスタ薄膜3が保護されると共に先端接合部5aが補強されて接合強度が高くなり、高い信頼性を得ることができる。
すなわち、この第2実施形態の薄膜サーミスタセンサ21では、絶縁被覆層6が絶縁基板2の端面まで回り込んで屈曲部5cの一部も覆っているので、リードフレーム5の接合が端面でも補強され、さらに引っ張り強度が改善される。
すなわち、第2実施形態の屈曲部35cでは、絶縁基板2の上面から幅方向一方に90度屈曲したあと、幅方向他方にコ字状に折り返して屈曲し、再び二度折り返して屈曲して3箇所の折り返し部によってジグザグ状に構成されている。
なお、第3実施形態のリードフレーム35は、第1実施形態のリードフレーム5のような曲げ加工が不要で、打ち抜き等で容易にミアンダ形状の屈曲部35cを形成することができる。
Claims (5)
- 表面に絶縁層が形成された基板または絶縁基板と、
前記絶縁層または前記絶縁基板の上面にパターン形成されたサーミスタ薄膜と、
前記絶縁層または前記絶縁基板の上面から前記サーミスタ薄膜の上面に亘ってパターン形成された一対の電極と、
一対の前記電極に接続された一対のリードフレームと、を備え、
前記リードフレームが、前記電極に接合された先端接合部と、外部と接続されるリード端部と、前記先端接合部と前記リード端部との間に形成されミアンダ形状とされた屈曲部と、からなることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。 - 請求項1に記載の薄膜サーミスタセンサにおいて、
前記先端接合部が、前記リード端部よりも幅狭に形成されていることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。 - 請求項1または2に記載の薄膜サーミスタセンサにおいて、
前記絶縁層または前記絶縁基板の上面に絶縁性材料で形成され前記サーミスタ薄膜と前記先端接合部とを封止する絶縁被覆層を備えていることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の薄膜サーミスタセンサにおいて、
前記屈曲部が、前記基板または前記絶縁基板の厚さ方向に折り曲げられて前記基板または前記絶縁基板の端面に当接していることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。 - 請求項4に記載の薄膜サーミスタセンサにおいて、
前記絶縁層または前記絶縁基板の上面に絶縁性材料で形成され前記サーミスタ薄膜と前記先端接合部とを封止すると共に、前記基板または前記絶縁基板の端面まで回り込んで前記屈曲部の一部も覆っている絶縁被覆層を備えていることを特徴とする薄膜サーミスタセンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010061053A JP5316959B2 (ja) | 2010-03-17 | 2010-03-17 | 薄膜サーミスタセンサ |
CN201110036332.1A CN102192792B (zh) | 2010-03-17 | 2011-02-09 | 薄膜热敏电阻传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010061053A JP5316959B2 (ja) | 2010-03-17 | 2010-03-17 | 薄膜サーミスタセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011196711A true JP2011196711A (ja) | 2011-10-06 |
JP5316959B2 JP5316959B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=44601324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010061053A Expired - Fee Related JP5316959B2 (ja) | 2010-03-17 | 2010-03-17 | 薄膜サーミスタセンサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5316959B2 (ja) |
CN (1) | CN102192792B (ja) |
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CN106644144A (zh) * | 2016-11-23 | 2017-05-10 | 合肥舒实工贸有限公司 | 热敏电阻温度传感器 |
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2010
- 2010-03-17 JP JP2010061053A patent/JP5316959B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-09 CN CN201110036332.1A patent/CN102192792B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102192792B (zh) | 2014-09-03 |
CN102192792A (zh) | 2011-09-21 |
JP5316959B2 (ja) | 2013-10-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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