JP7328443B2 - センサ素子及びセンサ素子の製造方法 - Google Patents
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Description
1a センサ素子の上面
1b センサ素子の下面
1c センサ素子の側面
2 支持層/ウエハー
2a 支持層の上面
2b 支持層の下面
3 フィードスルー
4 接触要素
5 機能層/センサ層
5a 機能層の上面
6,6a,6b カバー電極
7 保護層
8 凹部
10 支持材料
11 フォトレジスト
12 ビア
13 金属材料
14 センサ材料
15 電極材料
Claims (17)
- 温度の測定のためのセンサ素子(1)であって、
- 上面(2a)及び下面(2b)を有する少なくとも1つの支持層(2)、
- 前記支持層(2)の前記上面(2a)に配置され、温度に依存する電気抵抗を有する少なくとも1つの機能層(5)、
- 少なくとも1つの保護層(7)、
を有し、
前記センサ素子(1)は、個別の部品として直接的に電気システムに統合されるように形成されており、
前記保護層(7)は、前記センサ素子(1)の上面(1a)に、及び、前記センサ素子(1)の少なくとも1つの側面(1c)に、配置されており、
前記保護層(7)は、完全に、前記センサ素子(1)の前記上面(1a)を覆っている、センサ素子(1)。 - 前記支持層(2)は、シリコン、シリコンカーバイド又はガラスを含む、請求項1に記載のセンサ素子(1)。
- 前記機能層(5)は薄膜NTC層を有する、請求項1又は2に記載のセンサ素子(1)。
- 前記機能層(5)は、六方晶系ウルツ鉱型構造又は閃亜鉛鉱型構造中の立方相の、シリコンカーバイドをベースとする半導体材料を含むか、又は、前記機能層(5)は、ウルツ鉱型構造の窒化金属を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載のセンサ素子(1)。
- 前記保護層(7)はSiO2を含む、請求項4に記載のセンサ素子(1)。
- 少なくとも1つのフィードスルー(3)を更に有し、前記フィードスルー(3)は前記支持層(2)を完全に貫通しており、前記支持層(2)の前記下面(2b)に前記センサ素子(1)の電気的な接触のための少なくとも1つの接触要素(4)が形成されている、請求項1~5のいずれか1項に記載のセンサ素子(1)。
- 少なくとも2つのフィードスルー(3)を有し、前記支持層(2)の前記下面(2b)には2つの接触要素(4)が形成されている、請求項6に記載のセンサ素子(1)。
- 少なくとも1つのカバー電極(6,6a,6b)を更に有し、前記カバー電極(6,6a,6b)は、前記機能層(5)の電気的な接触のために、前記機能層(5)の上面(5a)から形成されている、請求項1~7のいずれか1項に記載のセンサ素子(1)。
- 前記カバー電極(6,6a,6b)は、直に前記機能層(5)の上に配置されている、請求項8に記載のセンサ素子(1)。
- 前記カバー電極(6,6a,6b)は、少なくとも1つのスパッタリングされた層を有する、請求項8又は9に記載のセンサ素子(1)。
- 少なくとも2つのカバー電極(6a,6b)を有し、前記カバー電極(6a,6b)は互いに隣接して配置されており、前記カバー電極(6a,6b)は、少なくとも1つの凹部(8)によって、空間的に及び電気的に互いに分離されている、請求項8~10のいずれか1項に記載のセンサ素子(1)。
- 前記センサ素子(1)は、MEMS構造及び/又はSESUB(登録商標)構造への直接的な統合のために形成されている、請求項1~11のいずれか1項に記載のセンサ素子(1)。
- 以下のステップを含む、請求項1に記載のセンサ素子(1)の製造方法。
A)支持層(2)を形成するための支持材料(10)を準備するステップ;
B)前記支持材料(10)を完全に貫通する少なくとも1つのフィードスルー(3)を形成するステップ;
C)前記少なくとも1つのフィードスルー(3)を金属材料(13)で充填するステップ;
D)機能層(5)を形成するために、前記支持材料(10)をセンサ材料(14)で被覆するステップ;
E)前記センサ素子(1)を細断するステップ - ステップE)の前に、前記センサ材料(14)の上面の上への少なくとも1つのカバー電極(6,6a,6b)の堆積が行われる、請求項13に記載の方法。
- 前記センサ材料(14)はNTC層を含む、請求項13又は14に記載の方法。
- ステップD)の後に、焼戻し工程が行われる、請求項13~15のいずれか1項に記載の方法。
- ステップD)はステップB)の前に実行される、請求項13~16のいずれか1項に記載の方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156274A (ja) | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法 |
JP2013197367A (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Tdk Corp | 薄膜サーミスタ素子 |
JP2013211433A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Materials Corp | フィルム型サーミスタセンサ |
JP2013538462A5 (ja) | 2011-09-13 | 2014-05-29 | ||
JP2019158815A (ja) | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006033856B3 (de) * | 2006-07-21 | 2008-02-21 | Georg Bernitz | Temperaturmesssensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE102009026439A1 (de) * | 2009-05-25 | 2010-12-09 | Innovative Sensor Technology Ist Ag | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
US8436426B2 (en) * | 2010-08-24 | 2013-05-07 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Multi-layer via-less thin film resistor |
ES2663098T3 (es) | 2010-09-13 | 2018-04-11 | Pst Sensors (Pty) Limited | Método de producción de un sensor de temperatura impreso |
US9022644B1 (en) * | 2011-09-09 | 2015-05-05 | Sitime Corporation | Micromachined thermistor and temperature measurement circuitry, and method of manufacturing and operating same |
US9559162B2 (en) * | 2013-06-19 | 2017-01-31 | Globalfoundries Inc. | Thermoresistance sensor structure for integrated circuits and method of making |
JP6094422B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2017-03-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ |
JP6311878B2 (ja) * | 2013-08-12 | 2018-04-18 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
DE102016101246A1 (de) * | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Epcos Ag | Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung |
JP6769373B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2020-10-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ及びその製造方法 |
US10247615B2 (en) * | 2017-05-08 | 2019-04-02 | DunAn Sensing, LLC | Sensor assemblies and methods of making same |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012156274A (ja) | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Mitsubishi Materials Corp | 薄膜サーミスタセンサおよびその製造方法 |
JP2013538462A5 (ja) | 2011-09-13 | 2014-05-29 | ||
JP2013197367A (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Tdk Corp | 薄膜サーミスタ素子 |
JP2013211433A (ja) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Mitsubishi Materials Corp | フィルム型サーミスタセンサ |
JP2019158815A (ja) | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ |
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