JP4450561B2

JP4450561B2 - リードスイッチ

Info

Publication number: JP4450561B2
Application number: JP2003081727A
Authority: JP
Inventors: 和也横山
Original assignee: Oki Sensor Device Corp
Current assignee: Oki Sensor Device Corp
Priority date: 2003-03-25
Filing date: 2003-03-25
Publication date: 2010-04-14
Anticipated expiration: 2023-03-25
Also published as: JP2004288557A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はリード片を接点とするリードスイッチ、特にその接点の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、リードスイッチは、図３に示すように、一対の細長いリード片１、２のそれぞれの一端を接点部として、この接点部１０、２０を真空状態、または不活性ガスを封じ込めた状態のガラス管よりなる容器３に、封入した構造になっている。上記リード片１、２は、例えば、鉄ニッケル合金のような金属磁性体で形成されており、それぞれの接点部１０、２０は互いに所定の重なりと間隔を保って配置されている。また、それぞれの接点部が対向する面である接点面には、金（Ａｕ）を下地被膜層１１、２１に配した後、イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする接点被膜層１２、２２が形成されていた。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−１８６９５３号公報（段落００７、図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のごとき従来のリードスイッチの接点構成では、接点部をガラスにより封止する際の熱によりリード片に熱膨張が発生し、リード片を構成する金属磁性体とイリジウム（Ｉｒ）を主成分とする接点被膜層間の熱膨張量の差による応力で、該イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする接点被膜層に亀裂が生じ、これにより接点寿命が劣化するという問題点があった。従って、熱膨張差による接点被膜層の亀裂を防止し、接点寿命の永い、安定したリードスイッチの開発が望まれていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のリードスイッチは、リード片を接点とするリードスイッチであって、該リード片の接点表面にリード片を構成する金属磁性体の下記下地被膜層と同一金属による拡散層を配設し、該拡散層の上層に、メッキにより厚さが０．２〜１．０μｍの金、銀より選ばれた遷移金属又はそれらの各合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を配設し、該下地被膜層の上層に、イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする第１接点被膜層を順次に配設したものである。
【０００６】
また、本発明によるリードスイッチは、前記第１接点被膜層の厚さが０．５〜２．０μｍ、前記拡散層の厚さが０．５〜２．０μｍ、前記下地被膜層の厚さが０．２〜１．０μｍであるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１における、構成を示す説明図である。
図において、１、２はリード片、１０、２０は接点部、１１、２１は下地被膜層、１３、２３は第２接点被膜層、１４、２４は第１接点被膜層である。
接点部１０と接点部２０とが対向する接点面には、リード片１、２を構成する金属磁性体の表面に、遷移金属、特に金、銀、銅、ニッケル等を用いた下地被膜層１１、１２を形成する。尚、下地被膜層１１、１２の厚さは、０．２〜１．０μｍ程度にする。
【０００８】
前記下地被膜層１１、１２の厚さは、第２接点被膜層１３、２３の金属磁性体への被膜の下地特性を有する範囲で成る可く薄い方が好ましい。ただ、０．２μｍ以下では下地特性が部分的にむら（主にメッキ法におけるピンホールなどによる）を生じることもあり、また、１．０μｍ以上であっても下地特性（密着性）に余り変化が無く、また負荷回路の開閉を行い接点損傷が進行した際に、損傷部の下地金属拡散濃度が上昇し、接点寿命を劣化させる粘着現象等の原因ともなる。従って、０．２〜１．０μｍ程度にするのが望ましい。
【０００９】
上記下地処理の後、リード片１、２の接点部１０、２０に、第２接点被膜層１３、２３をロジウム（Ｒｈ）を用いて形成する。第２接点被膜層１３、２３の厚さは、０．５〜５．０μｍ程度の膜厚にする。
次に、第２接点被膜層１３、２３上に、第１接点被膜層１４、２４をイリジウム（Ｉｒ）を用いて形成する。第１接点被膜層１４、２４の厚さは０．５〜２．０μｍ程度とする。
【００１０】
上記により接点構成されたリード片を用いてガラス封止を行う。この場合、封止熱によりリード片接点部１０、２０に熱膨張が発生する。
この際、熱膨張量の差により、金属磁性体−下地被膜層１１、１２間、下地被膜層１１、１２−第２接点被膜層１３、２３間、第２接点被膜層１３、２３−第１接点被膜層１４、２４間のそれぞれに膨張量に応じた応力が発生するが、第２接点被膜層１３、２３のロジウム（Ｒｈ）は、材料的に前記封止熱に充分耐えうる耐応力性を有しており、また、イリジウム（Ｉｒ）の膨張係数は約８×１０^-6／℃であり、また、ロジウム（Ｒｈ）の膨張係数は約６．７×１０^-6／℃であることから、第１接点被膜層１４、２４にかかる応力を抑制することができ、延性の乏しいイリジウム（Ｉｒ）を接点被膜に使用しても、熱による亀裂の発生を防ぐことができる。
【００１１】
上記から、第１接点被膜層１４、２４の厚さは、使用頻度、要求寿命により１義的に決めることができ、通常の使用状態では０．５〜２．０μｍの範囲で適宜選択することができる。
【００１２】
また、第２接点被膜層層１３、２３の厚さは、熱応力を弛緩するための厚さを必要とし、第１接点被膜層１４、２４の境界面における剪断応力が許容応力内になるように選ばれなければならない。封止温度、各被膜層間の膨張係数の差、および第１接点被膜層１４、２４の許容剪断応力等により決められる。通常条件では第１接点被膜層１４、２４の厚さより厚く、０．５〜５．０μｍ程度の厚さとして選択される。
【００１３】
以上のように、イリジウム（Ｉｒ）のような延性の乏しい第１接点被膜層１４、２４の下層として、ロジウム等の熱応力を緩和するための予備接点被膜である第２接点被膜層１３、２３を形成することにより、封止熱などによる接点被膜の亀裂の発生が抑制される。このため、イリジウム（Ｉｒ）の高融点・高硬度という物性を十分活かし、高負荷での用途や長寿命の用途に適したリードスイッチが得られる。
【００１４】
［実施の形態２］
図２は本発明の実施の形態２における、構成を示す説明図である。
図において、１５、２５は拡散層である。なお、図１と同一の構成部分については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００１５】
本実施の形態は、上述の実施の形態１においては応力緩和のためにロジウム（Ｒｈ）を使用するため、高コストになってしまう恐れがあるのに対し、ロジウム（Ｒｈ）を使用せずに、安価に同目的を達成せんとするものである。
【００１６】
図２において、鉄ニッケル合金等の金属磁性体で形成されたリード片１、２の接点部１０、２０の表面に、遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種を使用して、１．０〜５．０μｍの被膜を形成し、その後、８００〜１０００℃程度の高温水素雰囲気中で前記金属磁性体の表面に熱拡散し、拡散層１５、２５を形成する。
【００１７】
次いで、後に施行される第１接点被膜層１２、２２の密着性を高めるために、前記被膜と同じ材質の遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種からなる、厚さ０．２〜０．５μｍ程度の下地被膜層１１、２１を形成する。該下地被膜層１１、２１の目的は、第１接点被膜層１２、２２の密着性を高めるところにあり、その厚さは厚い必要はなく、コスト的に均一に被覆される限界として０．２〜０．５μｍ程度が好ましい。
その後さらに、この下地被膜層１１、２１上に０．５〜２．０μｍ程度のイリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）の内の１種を主成分とする第１接点被膜層１２、２２が形成される。
【００１８】
前記のごとく、リード片１、２を用いてガラス封止を行うと、封止熱によりリード片接点部１０、２０に熱膨張が発生する。ここで、接点部１０、２０の表面には、あらかじめ、遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種を使用した拡散層を形成し、それにより熱膨張量が変化することにより、金属磁性体−第１接点被膜間に発生する熱応力を緩和・吸収する。
【００１９】
以上のように、本実施の形態２によれば、イリジウム（Ｉｒ）のような延性の乏しい第１接点被膜層１２、２２の下層に、遷移金属又はそれらの各合金、特には金、銀、銅、ニッケル等またはそれらの各合金、の少なくとも１種からなる下地被膜層１１、２１と、金属磁性体の拡散層を形成することにより、更に低コストで接点被膜の亀裂の発生を抑制することができる。
【００２０】
［実施の形態３］
上記実施の形態１、２において、その接点構成は、第１接点被膜層１２、２２にイリジウム（Ｉｒ）を主成分として適用した場合について詳述されているが、同一目的をもってこれらに代わり、同じ白金系金属に属する接点材料を用いた場合にも適用することが可能である。
【００２１】
【発明の効果】
本発明は、リード片の接点表面にリード片を構成する金属磁性体の下記下地被膜層と同一金属による拡散層を配設し、該拡散層の上層に、メッキにより厚さが０．２〜１．０μｍの金、銀より選ばれた遷移金属又はそれらの各合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を配設し、該下地被膜層の上層に、イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする第１接点被膜層を順次に配設したことにより、接点被膜層の亀裂発生を防止し、接点寿命の永い、安定した、安価なリードスイッチを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１における、構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態２における、構成を示す説明図である。
【図３】従来のリードスイッチの構成を示す説明図である。
【符号の説明】
１、２リード片、１０、２０接点部、１１、２１下地被膜層、１３、２３第２接点被膜層、１４、２４第１接点被膜層、１５、２５拡散層。

Claims

リード片を接点とするリードスイッチであって、該リード片の接点表面にリード片を構成する金属磁性体の下記下地被膜層と同一金属による拡散層を配設し、該拡散層の上層に、メッキにより厚さが０．２〜１．０μｍの金、銀より選ばれた遷移金属又はそれらの各合金の少なくとも１種よりなる下地被膜層を配設し、該下地被膜層の上層に、イリジウム（Ｉｒ）を主成分とする第１接点被膜層を順次に配設したことを特徴とするリードスイッチ。
前記第１接点被膜層の厚さが０．５〜２．０μｍ、前記拡散層の厚さが０．５〜２．０μｍ、前記下地被膜層の厚さが０．２〜１．０μｍであることを特徴とする請求項１記載のリードスイッチ。