JP5539838B2 - 多層セラミックス基板の分割方法 - Google Patents
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Description
該マークを検出して多層セラミックス基板の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の表面に分割起点となる第1のレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、
第1のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の表裏を反転して表面に形成された第1のレーザー加工溝を撮像手段によって検出し、第1のレーザー加工溝と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の裏面に分割起点となる第2のレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程と、
多層セラミックス基板に外力を付与し、第1のレーザー加工溝および第2のレーザー加工溝に沿って破断する破断工程と、を含む、
ことを特徴とする多層セラミックス基板の分割方法が提供される。
図1に示す多層セラミックス基板10は、複数のモジュール回路チップ101が分割予定ライン102によって区画されるとともに表面10aに分割予定ライン102の位置を示すマーク103a1,103a2,103a3・・・103an、103b1,103b2,103b3・・・103bn、103c1,103c2,103c3・・・103cn、103d1,103d2,103d3・・・103dnが形成されている。このように構成された多層セラミックス基板10は、焼結され厚みが0.3〜0.8mm形成されている。このように焼結された多層セラミックス基板10は、焼結によって歪が生ずるため、上記103a1,103a2,103a3・・・103an、103b1,103b2,103b3・・・103bn、103c1,103c2,103c3・・・103cn、103d1,103d2,103d3・・・103dnの位置が僅かに変化している。
図2に示すレーザー加工装置2は、静止基台20と、該静止基台20に矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に移動可能に配設され被加工物を保持する被加工物保持機構3と、静止基台20に加工送り方向(X軸方向)と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構5と、該レーザー光線照射ユニット支持機構5に矢印Zで示す集光点位置調整方向(Z軸方向)に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット6とを具備している。
上述した多層セラミックス基板10の分割予定ライン102に沿ってレーザー加工溝を形成するには、先ず図6に示すように環状のフレームF1に装着されたダイシングテープT1の表面に多層セラミックス基板10の裏面10bを貼着する。このようにした環状のフレームF1に装着されたダイシングテープT1の表面に貼着された多層セラミックス基板10を、図2に示すレーザー加工装置2の被加工物保持手段4を構成する被加工物保持部材43の上面(保持面)に載置する。そして、環状のフレームF1をクランプ47によって固定する。次に、図示しない吸引手段を作動することにより、上述したように被加工物保持部材43に形成された環状の吸引溝431に負圧を作用せしめ、被加工物保持部材43の保持面(上面)上に載置されダイシングテープT1を介して多層セラミックス基板10を吸引保持する(多層セラミックス基板保持工程)。
光源 :YAGレーザーまたはYVO4レーザー
波長 :355nm(紫外光)
出力 :5W
繰り返し周波数:30kHz
集光スポット径:φ20μm
加工送り速度 :150mm/秒
20:静止基台
3:被加工物保持機構
31:移動基台
32:支持基台
33:加工送り手段
4:被加工物保持手段
41:支持部材
42:回転筒
43:被加工物保持部材
5:レーザー光線照射ユニット支持機構
52:可動支持基台
53:割り出し送り手段
6:レーザー光線照射ユニット
62:レーザー光線照射手段
622:集光器
7:第1の撮像手段
8:第2の撮像手段
10:多層セラミックス基板
15:破断装置
150:フレーム保持手段
160:支持台
170:押圧部材
Claims (1)
- 複数のモジュール回路チップが分割予定ラインによって区画されるとともに表面に分割予定ラインの位置を示すマークが形成され焼結された多層セラミックス基板を、個々のモジュール回路チップに分割する多層セラミックス基板の分割方法であって、
該マークを検出して多層セラミックス基板の表面に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の表面に分割起点となる第1のレーザー加工溝を形成する第1のレーザー加工溝形成工程と、
第1のレーザー加工溝形成工程が実施された多層セラミックス基板の表裏を反転して表面に形成された第1のレーザー加工溝を撮像手段によって検出し、第1のレーザー加工溝と対応する裏面にレーザー光線を照射し、多層セラミックス基板の裏面に分割起点となる第2のレーザー加工溝を形成する第2のレーザー加工溝形成工程と、
多層セラミックス基板に外力を付与し、第1のレーザー加工溝および第2のレーザー加工溝に沿って破断する破断工程と、を含む、
ことを特徴とする多層セラミックス基板の分割方法。
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