JP5539265B2 - 接点材料、その製造方法及び真空バルブ - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 42
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 40
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
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- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Description
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、内部組織におけるTeの分散性が均一であり且つ低サージ性能に優れた接点材料を得ることを目的としている。
本発明に係る接点材料の製造方法は、1μm以上10μm以下の平均粒径を有するCu粉末と、75μm以上150μm以下の平均粒径を有するWC粉末と、1μm以上50μm以下の平均粒径を有するTe粉末とを混合する工程と、得られた混合物を圧縮し、600℃以上700℃以下の温度で焼結する工程と、得られた焼結体を再度圧縮し、600℃以上700℃以下の温度で再焼結する工程とを有することを特徴とするものである。
図1は、本発明の実施の形態1による接点材料を適用した真空バルブの一例を示すも式断面図である。真空バルブ1は遮断室2を備えている。この遮断室2は、円筒状に形成された絶縁容器3とその両端に封止金具4a,4bにより固定された金属蓋5a、5bとで構成され、真空気密となっている。遮断室2内には、固定電極棒6と可動電極棒7とが対向するように取り付けられている。固定電極棒6及び可動電極棒7の端部には、固定電極8及び可動電極9がそれぞれロウ付により取り付けられ、それぞれの接触部には、固定接点10及び可動接点11がロウ付により取り付けられている。可動電極棒7には、ベローズ12が取り付けられ、遮断室2の内部を真空気密に保持しながら可動電極9の軸方向の移動を可能にしている。ベローズ12の上部には、金属製のベローズ用アークシールド13が設けられ、ベローズ12にアーク蒸気が付着することを防止している。また、固定電極8及び可動電極9を覆うように、遮断室2内に金属製の絶縁容器用アークシールド14が設けられ、絶縁容器3がアーク蒸気で覆われることを防止している。
更に、本実施の形態による接点材料の相対密度は、理論密度の90%以上とされており、好ましくは理論密度の93%以上とされる。相対密度が理論密度の90%以上であれば、内部の残留ガスが十分に少ないので、接点材料を真空バルブに適用した場合であっても遮断性能にばらつきを生じることがない。
なお、相対密度は下式により求められる。
相対密度(%)=(接点材料の測定密度/組成分析値から求めた接点材料の理論密度)×100
更に、原料粉末混合物におけるCu粉末の含有量は、40質量%以上50質量%以下であることが好ましく、WC粉末の含有量は、50質量%以上60質量%以下であることが好ましく、Te粉末の含有量は、0.1質量%以上2質量%以下であることが好ましい。Cu粉末の含有量が、40質量%未満である場合、遮断性能が低下することがあり好ましくない。Cu粉末の含有量が、50質量%を超える場合、耐電圧性能が不十分となることがあり好ましくない。また、WC粉末の含有量が、50質量%未満である場合、耐電圧性能が不十分となることがあり好ましくない。WC粉末の含有量が、60質量%を超える場合、遮断性能が低下することがあり好ましくない。また、Te粉末の含有量が、0.1質量%未満である場合、低溶着性能が乏しくなることがあり好ましくない。Te粉末の含有量が、2質量%を超える場合、低溶着性能は向上するが、材料自体が脆くなることがあり、接点材料としては実用上不適当である。
平均粒径が1μm以上2μm以下の範囲のCu粉末を44質量%と、平均粒径が125μmのWC粉末を54質量%と、平均粒径が0.1μm以上0.5μm以下の範囲のTe粉末を2質量%とを混合し、所定量を圧力800MPaで加圧成形した。次に、成形体を温度700℃の水素雰囲気下で4時間焼結した。その後、焼結体を圧力800MPaで再圧縮し、温度700℃の水素雰囲気下で4時間再焼結して、相対密度95%のCu−WC−Te接点材料を得た。接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散していることが確認された。
成形体の焼結温度及び焼結体の再焼結温度を600℃に変更した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は94%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散していることが確認された。
成形体の焼結温度を600℃に変更した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は95%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散していることが確認された。
焼結体の再焼結温度を600℃に変更した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は95%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散していることが確認された。
原料粉末として平均粒径が150μmのWC粉末を使用した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は97%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散していることが確認された。
原料粉末として平均粒径が75μmのWC粉末を使用した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は93%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散していることが確認された。
成形体の焼結温度を900℃に変更し、再圧縮工程及び再焼結工程を省略した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は87%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、図3に示すようなCuを主体とした母材15中に、WC粒子16と、Cu2Te相18とが分散している組織となっており、Cu3Te2相は形成されていないことが確認された。
成形体の焼結温度及び焼結体の再焼結温度を900℃に変更した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は96%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、図3に示すようなCuを主体とした母材15中に、WC粒子16と、Cu2Te相18とが分散している組織となっており、Cu3Te2相は形成されていないことが確認された。
再圧縮工程及び再焼結工程を省略した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は85%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散していることが確認された。
原料粉末として平均粒径が60μmのWC粉末を使用した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は80%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散していることが確認された。
原料粉末として平均粒径が10μmのWC粉末を使用した以外は実施例1と同様にして、Cu−WC−Te接点材料を得た。得られたCu−WC−Te接点材料の相対密度は75%であった。また、接点材料の内部組織について顕微鏡観察を行った結果、Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散していることが確認された。
Claims (3)
- Cuを主体とした母材中に、WC粒子と、Cu3Te2相の周囲をCu2Te相が囲んだ相とが分散しており、且つ相対密度が理論密度の90%以上であることを特徴とする接点材料。
- 1μm以上10μm以下の平均粒径を有するCu粉末と、75μm以上150μm以下の平均粒径を有するWC粉末と、1μm以上50μm以下の平均粒径を有するTe粉末とを混合する工程と、得られた混合物を圧縮し、600℃以上700℃以下の温度で焼結する工程と、得られた焼結体を再度圧縮し、600℃以上700℃以下の温度で再焼結する工程を有することを特徴とする接点材料の製造方法。
- 請求項1に記載の接点材料からなる接点を備えることを特徴とする真空バルブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011121945A JP5539265B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | 接点材料、その製造方法及び真空バルブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011121945A JP5539265B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | 接点材料、その製造方法及び真空バルブ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012248521A JP2012248521A (ja) | 2012-12-13 |
JP5539265B2 true JP5539265B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=47468764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011121945A Active JP5539265B2 (ja) | 2011-05-31 | 2011-05-31 | 接点材料、その製造方法及び真空バルブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5539265B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110291606B (zh) * | 2017-02-22 | 2021-11-19 | 三菱电机株式会社 | 接点材料、其制造方法及真空阀 |
CN111889681B (zh) * | 2020-08-24 | 2021-11-12 | 北京科技大学 | 一种铜基粉末冶金制动闸片及制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09161628A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-06-20 | Shibafu Eng Kk | 真空バルブ用接点材料及びその製造方法 |
JP2000057912A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Shibafu Engineering Kk | 真空バルブ用接点の製造方法 |
-
2011
- 2011-05-31 JP JP2011121945A patent/JP5539265B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012248521A (ja) | 2012-12-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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