JP5538779B2 - 感光性樹脂組成物および該組成物を使用した反応現像画像形成方法 - Google Patents
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Landscapes
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Description
ミクロ電子工学の半導体集積部品の製造において回路構造を作るために、半導体基材はフォトレジストで被覆され、フォトレジスト層の画像形成露光及びこれに続く現像によりフォトレジストレリーフ構造を作り出す。このレリーフ構造は半導体基材上に、金属又は他の半導体又は絶縁基材を用いたエッチング−ドーピング、被覆により実際の回路パターンを作るためのマスクとして使用される。その後、フォトレジストマスクは通常除かれる。複数のかかる加工サイクルを用いてマイクロチップのレリーフ構造が基材に形成される。
ところで、フォトレジストには、異なる2種のフォトレジスト、即ちポジ型フォトレジストとネガ型フォトレジストが知られている。両者の相違は、ポジ型フォトレジストでは、露光域が現像プロセスにより除去され、未露光域が基材上に層として残るのに対し、ネガ型フォトレジストでは、照射域がレリーフ構造として残ることにある。
この「反応現像画像形成法」は、ポジ型のフォトレジスト技術の一種であり、次の手段によりポジ型微細パターンを形成することができる。即ち、まず、フォトレジスト層をヘテロ原子に結合したカルボニル基を主鎖に含む樹脂と光酸発生剤とから成る混合物により形成し、この層を適宜所望のパターンにマスクした後に、紫外線を照射することにより光酸発生剤は酸を発生させる。これをアルカリ(特に、求核性のアミン)を含む現像液で洗浄すると、このアルカリが生成した酸と反応することにより、塩が生成し、露光域の極性が増大する。その結果、現像液中のアルカリがこの露光域のポリマーの主鎖を構成するヘテロ原子に結合したカルボニル基を攻撃し、この攻撃により該カルボニル基の箇所で主鎖は切断され、ポリマーは低分子化され現像液に溶解する。
この「ネガ型反応現像画像形成法」は、次の手段によりネガ型微細パターンを形成することができると考えられる。即ち、まず、フォトレジスト層をヘテロ原子に結合したカルボニル基を主鎖に含む縮合型ポリマーと光酸発生剤、アニオン再生剤とから成る混合物により形成し、この層を適宜所望のパターンにマスクした後に、紫外線を照射する。照射後、低分子アルコールを含んだテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像する。未露光部のアニオン再生剤は現像液中のヒドロキシルアニオンと反応、更に水と反応しヒドロキシルアニオンを再生する。即ち、アニオン再生剤を介してヒドロキシルアニオンが連続的に再生し、膜中へヒドロキシルアニオンが取り込まれていく。再生したヒドロキシルアニオンがポリマーの主鎖を切断し、低分子アルコールを含んだテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド水溶液により溶解していく。露光部でもアニオン再生剤は現像液中のヒドロキシルアニオンと反応する。しかしこの後、水ではなく紫外線照射により光酸発生剤から生じた酸とも反応してしまい、ヒドロキシルアニオンが大量に再生されないため、ポリマー主鎖の切断が抑制されネガ型となる。
即ち、本発明者らは、そのアルカリ加水分解物がアルカリ水溶液に可溶である、主鎖にイミド基を有するポリマー(ポリイミド樹脂)を用い、これに光酸発生剤としてジアゾナフトキノン化合物及びアニオン再生剤としてN−置換マレイミド化合物を混合して成膜し、紫外線を照射して、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)及び水のみから成る現像液を用いて現像したところ、紫外線照射後の露光部と非露光部の現像液に対する溶解性に顕著な差があることを見出し、その差を利用することによりネガ型のフォトレジストを形成することができることを見出し本発明に到達した。
更に、本発明者らは、上記組成物に、アルカリ溶解促進剤として低分子有機酸を加えることにより、上記ポリイミド樹脂のアルカリ加水分解物がアルカリ水溶液への溶解を促進し、微細パターン形成が可能であることを見出した。
<1> ポリイミド樹脂、アニオン再生剤及び光酸発生剤を含有するネガ型感光性樹脂組成物であって、
前記ポリイミド樹脂のアルカリ加水分解物がアルカリ水溶液に可溶であり、かつ前記ポリイミド樹脂が、下記式(I)で表される酸二無水物と下記式(II)又は式(III)で表されるジアミン化合物とを反応させたポリイミド樹脂であるネガ型感光性樹脂組成物。
(式中、Aは下式(Ia)で表される置換基を表す。)
(式中、R5は、それぞれ独立して、水素原子又は−(CH2)mCH3又は−O(CH2)mCH3を表し、Qは、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。また、nは1〜4の数字を、mは0〜4の数字を、pは1〜4の数字をそれぞれ表す。)
<2> さらに、アルカリ溶解促進剤を含有する前記<1>記載のネガ型感光性樹脂組成物。
<3> 前記アニオン再生剤が、下記(A)〜(D)の群から選ばれた少なくとも1つの化合物である前記<1>または<2>記載のネガ型感光性樹脂組成物。
(A)下記式(1)で表される構造を有する化合物
(B)下記式(2)又は下記式(3)で表される構造を有する化合物
(C)下記式(4)で表される構造を有する化合物
(D)下記式(5)で表される構造を有する化合物
<4> 前記アニオン再生剤が、下記式(1b)で表されるN−置換マレイミド化合物である前記<3>記載のネガ型感光性樹脂組成物。
(式中、R1は、水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表す。)
<5> 前記光酸発生剤が、ジアゾナフトキノン化合物である前記<1>から<4>のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
<6> 前記アルカリ溶解促進剤が、アルキルスルホン酸、アリールスルホン酸、アルキルカルボン酸及びアリールカルボン酸の群から選ばれる少なくとも1種類以上の化合物である前記<2>記載のネガ型感光性樹脂組成物。
<7> 前記<1>から<6>のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物を溶剤に混合または溶解して得られてなるフォトレジスト溶液。
<8> 基板上に、前記<1>から<6>のいずれかに記載のネガ型感光性樹脂組成物を含むフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層をアルカリ水溶液で処理する現像段階からなる反応現像画像形成方法。
<9> 前記アルカリ水溶液が、KOH、NaOH、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの群から選ばれる少なくとも1種類以上のアルカリと水とからなる前記<8>記載の反応現像画像形成方法。
本発明におけるポリイミド樹脂とは、イミド結合を主鎖に持つ縮合ポリマーであり、例えば、酸二無水物とジアミンの重合により得られるポリイミドの前駆体であるポリアミック酸(ポリアミド酸)を脱水・環化反応することにより得られる。
本発明では、酸二無水物としては芳香族酸二無水物が好適に用いられ、また、ジアミンとしては芳香族ジアミンが好適に用いられる。
上記ポリイミド樹脂は、イミド化率(ポリアミック酸のイミド環化割合をいう。)が、好ましくは90%以上、より好ましくは95%以上である。また、上記ポリイミド樹脂は、そのアルカリ加水分解物がアルカリ水溶液に可溶であるポリイミド樹脂であることが必要である。なお、上記ポリイミド樹脂としては有機溶媒に可能なものを用いる。
また、ポリイミド樹脂が有機溶媒に可溶とは、製膜溶媒であるNMP(N-メチルピロリドン)に60℃で17wt%以上溶解可能であるかどうかで判断することができる。
(式中、Aは下式(Ia)で表される置換基を表す。)
なお、上述のジアミン化合物は1種を単独で用いても良く、2種以上を組み合わせて用いても良い。
このアニオン再生剤は、現像時に現像液中のヒドロキシルアニオンにより、マイケル付加、水素引き抜き、または求核攻撃を受けアニオン性化合物を生成し、さらにプリベーク時に揮発せず膜中に残存することが好ましい。
このアニオン再生剤としては、下記のいずれかの化合物が好適に使用され、これらは1種を単独で用いても良く、2種以上を組み合わせて用いても良い。
これらは1種を単独で用いても良く、2種以上を組み合わせて用いても良い。
(式中、R1は、水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表す。)
式(5)で表される化合物としては、N-フルオレニルメチルオキシカルボニル保護アミンが挙げられ、具体例としてはN-(9−フルオレニルメチルオキシカルボニル)−2−メトキシエチルアミンが挙げられる。
(式中、R'は2価の結合基を表し、ここにR’の代表例としては1,4-フェニレン基、1,3-フェニレン基、メチレンジ-p-フェニレン基が挙げられる。nは自然数を表し、好ましくは、n = 1〜300、より好ましくはn = 1〜50である。)
また、上述のようにアニオン再生剤(A)の中でも、(1b)で表されるN−置換マレイミド化合物がより好ましく使用される。
ここで、アルキルスルホン酸の具体例としては、メタンスルホン酸、ブタンスルホン酸が挙げられる。
アリールスルホン酸の具体例としては、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸が挙げられる。
アルキルカルボン酸の具体例としては、酪酸、吉草酸、ステアリン酸があげられ、また、アリールカルボン酸の具体例としては、アリールカルボン酸:安息香酸、1,4−ナフタレンジカルボン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、2−ナフタレンカルボン酸が挙げられる。
これらの中で、アリールスルホン酸、アリールカルボン酸が好ましく、アリールスルホン酸としては、ヒドロキシベンゼンスルホン酸が、またアリールカルボン酸としては、上記アリールカルボン酸:安息香酸、1,4−ナフタレンジカルボン酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、2−ナフタレンカルボン酸が好適に使用される。この中でも、ヒドロキシベンゼンスルホン酸が特に好ましい。
ポリイミド樹脂は、感光性樹脂組成物(ポリイミド樹脂、アニオン再生剤、及び、光酸発生剤)中の全固形含量を100重量%としたとき、好ましくは50〜98重量%、より好ましくは60〜90重量%で用いられる。
先ず、上記のように本発明の感光性樹脂組成物を溶剤に溶解したフォトレジスト溶液を用いて、基板上にフォトレジスト層を形成する。この基板としては、樹脂等有機物、無機物、金属などいずれを用いてもよいが、銅基板やシリコン基板が好適に使用される。
基板上への被覆は通常、浸漬、噴霧、ロール塗り又はスピンコーティングによって行われる。生じた層の厚さはフォトレジスト溶液の粘度、固形分含量及びスピンコーティング速度に依存する。本発明のフォトレジストは0.1〜500μm、好ましくは1〜100μmの層厚を持つ層及びレリーフ構造を作ることができる。多層回路における薄層は一時の間に合わせのフォトレジストとして又は絶縁層として1〜50μmにすることができる。
フォトレジストを基材に塗布した後、これに普通50〜120℃の温度範囲で予備乾燥させる。オーブン又は加熱プレートを使用できる。オーブン中での乾燥時間は5〜60分であり、加熱プレートでの乾燥時間は1〜10分である。
普通、輻射は紫外線ランプを用いて行われる。市販で入手できる輻射装置、例えば接触又は非接触露光機、走査投光型露光装置又はウエハステッパーを使用することが好ましい。
アルカリ成分濃度は、1〜25重量%、好ましくは1〜10重量%、より好ましくは2〜5重量%である。
本発明のネガ型フォトレジストは0.1〜500μm、好ましくは1〜100μmの層厚を有するポリマー被膜及び鋭い輪郭を有するレリーフ構造をとることができる。
なお、本発明の反応現像画像形成の反応機構については、本願発明者の先願にかかる前記特許文献2に詳述するところである。
本実施例において、ポリイミド樹脂の数平均分子量Mn、重量平均分子量Mwは、以下の方法で測定した。
ゲル透過クロマトグラフィー(GPC)(東ソー株式会社、デュアルポンプDP-8020、紫外可視検出器UV-8020(測定波長270nm)、カラムTSKgel GMHHR-M(2本)、ガードカラムTSKguardcolumn HHR-H(1本))を用い、室温でポリイミドの分子量を測定した。N,N'-ジメチルホルムアミドDMF(流速0.8mL/min、DMF 1Lに対してLiBr 30mmol H3PO4 60mmolを含む。)を溶離液として用い、ポリスチレン換算で数平均分子量Mn、重量平均分子量Mwをそれぞれ決定した。
フォトレジストは、各実施例のフォトレジスト配合物を、3μm細孔径のろ過膜でろ過して製造した。このフォトレジスト配合物を、表面処理を行った直径10cmの銅箔の表面上に、スピンコート法で塗布した。次いで、赤外線熱風乾燥機中で乾燥した。このフォトレジスト配合物塗布膜上に、ネガ型フォトマスク用のテストパターン(10-200μmのラインアンドスペースパターン)を置き、2kW超高圧水銀灯照射装置(オーク製作所製品:JP-2000G)を用いて、画像が得られる露光量で照射した。
いくつかの実施例においては、形成したフォトレジストをSEM(日本電子、走査型電子顕微鏡:JSM-6390LV、加速電圧:1.2kV)により観察した。またフォトレジスト調製に用いたポリイミドのガラス転移温度をDSC(島津製作所、DSC-60)により評価した。試料をクリンプセルにつめ、窒素下、昇温速度5℃/minで測定した。また、耐熱性をTG-DTA(島津製作所、DTG-60)により評価した。試料を白金セルにつめ、空気下、昇温速度5℃/minで測定した。
式(8)に樹脂PI6DD50の化学式を示す。
(式中、mおよびnは、「m:n=1:1(仕込みベースのモル比)」の関係を満たす数字をそれぞれ表す。)
NMP(N-メチルピロリドン)4.8gにポリイミド樹脂PI6DD501.0gを添加して溶解させた後、光酸発生剤としてジアゾナフトキノン系感光剤PC-5(登録商標)(東洋合成製、1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸-p-クレゾールエステル)0.1g、アニオン再生剤としてPMI(N-フェニルマレイミド)0.2g、アルカリ溶解促進剤としてPHA(p-ヒドロキシベンゼンスルホン酸)0.07gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、PHA 7重量部)。この溶液を35μmの電解銅箔上(マット面)にスピンコート法(700rpm/10sec +1000rpm/30sec)にて塗布し、遠赤外線熱風循環式乾燥機でプリベーク(75℃/10min)後、膜厚約10μmの感光性PI被塗膜を得た。
露光後、5重量% TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液10gを用いて、室温下、浸漬により現像を行い、イオン交換水100gで1分間洗浄した結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は34分19秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで25μmであり、残膜率は77%であった。このフォトレジストのSEM写真を図1に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
NMP 4.8gにポリイミド樹脂PI6DD50 1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、PHA 0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、PHA 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は28分42秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで65μmであり、残膜率は54%であった。このフォトレジストのSEM写真を図2に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
NMP 4.8gにポリイミド樹脂PI6DD50 1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、PHA 0.05gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、PHA 5重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は32分40秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで75μmであり、残膜率は76%であった。このフォトレジストのSEM写真を図3に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
実施例3と同様の操作により得た感光性ポリイミド被塗膜にPET製のフォトマスクを介して、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は100mJ/cm2であった。実施例3と同様の操作により現像を行った。このときの現像時間は38分11秒であり、残膜率は82%であったが、ラインアンドスペースのパターンは全て剥離し、像を得ることはできなかった。これは露光量が実施例3の1/3であり、露光量が少なすぎたためと考えられる。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
実施例3と同様の操作により得た感光性ポリイミド被塗膜にPET製のフォトマスクを介して、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は500mJ/cm2であった。実施例3と同様の操作により現像を行った。このときの現像時間は35分30秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで65μmであり、残膜率は86%であった。このフォトレジストのSEM写真を図4に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
NMP 4.8gにポリイミド樹脂PI6DD50 1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、1,5NSA(1,5-ナフタレンジスルホン酸四水和物) 0.07gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、1,5NSA 7重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光を行った後、10重量% TMAH水溶液10gを用いて浸漬により現像を行い、イオン交換水100gで1分間洗浄した結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は12分30秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで60μmであり、残膜率は55%であった。このフォトレジストのSEM写真を図5に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
NMP 4.8gにポリイミド樹脂PI6DD50 1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、2NSA(2-ナフタレンスルホン酸一水和物)0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標)10重量部、PMI20重量部、2NSA 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は29分02秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで60μmであり、残膜率は68%であった。このフォトレジストのSEM写真を図6に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
NMP 4.8gにポリイミド樹脂PI6DD50 1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、p-TSA(p-トルエンスルホン酸一水和物) 0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、p-TSA 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は27分49秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで60μmであり、残膜率は57%であった。このフォトレジストのSEM写真を図7に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
NMP 4.8gにポリイミド樹脂PI6DD50 1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、安息香酸0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、安息香酸 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光を行った後、10重量% TMAH水溶液10gを用いて室温下、浸漬により現像を行い、イオン交換水100gで1分間洗浄した結果、ネガ型の像を得た。このときの現像時間は45分10秒であったが、パターンの間に溶け残りが見られた。このフォトレジストのSEM写真を図8に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
式(9)に樹脂PI4copの化学式を示す。
(式中、k、l、m及びnは、「k:l:m:n=1:1:1:1(仕込みベースのモル比)」の関係を満たす数字を表す。)
NMP 4.8gにポリイミド樹脂PI4cop1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、2NSA 0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、2NSA 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は16分11秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで30μmであり、残膜率は40%であった。このフォトレジストのSEM写真を図9に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
NMP 4.8gにポリイミド樹脂PI4cop 1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、1,5NSA 0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、1,5NSA 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は14分35秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで20μmであり、残膜率は39%であった。このフォトレジストのSEM写真を図10に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
式(10)に樹脂PI(6FDA-DAT)の化学式を示す。
(式中、nは自然数を表す。)
NMP 4.0gにポリイミド樹脂PI(6FDA-DAT)1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、PHA 0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、PHA 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は24分08秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで20μmであり、残膜率は82%であった。このフォトレジストのSEM写真を図11に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
実施例12と同様の操作により得た感光性ポリイミド被塗膜にPET製のフォトマスクを介して、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は500mJ/cm2であった。実施例12と同様の操作により現像を行った。このときの現像時間は29分48秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで15μmであり、残膜率は82%であった。このフォトレジストのSEM写真を図12に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
式(11)に樹脂PI6DDAT50の化学式を示す。
(式中、mおよびnは、「m:n=1:1(仕込みベースのモル比)」の関係を満たす数字をそれぞれ表す。)
NMP 4.0gにポリイミド樹脂PI6DDAT50(数平均分子量13,000)1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、PHA 0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、PHA 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は16分23秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで20μmであり、残膜率は67%であった。このフォトレジストのSEM写真を図13に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
NMP 4.8gにポリイミド樹脂PI6DDAT50(数平均分子量17,000)1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、PHA 0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、PHA 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は14分46秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで25μmであり、残膜率は63%であった。このフォトレジストのSEM写真を図14に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
実施例1〜9で使用したポリイミド樹脂PI6DD50(数平均分子量23,000)のガラス転移温度をDSCにより測定した。先ず、PI6DD50を200℃で1時間減圧乾燥して溶媒を完全に除いた後、一度室温まで冷ましてからクリンプセルにつめ、再度350℃まで流速20mL/minの窒素下で加熱した。得られた結果を図15に示す。350℃まで加熱してもガラス転移温度のピークは観測されなかった。
実施例1〜9で使用したポリイミド樹脂PI6DD50(数平均分子量23,000)の耐熱性をTGAにより測定した。先ず、PI6DD50を白金セルにつめ、200℃まで昇温速度10℃/minで加熱し、30分間200℃で保った後、一度室温まで冷却してから、再度空気下で800℃まで加熱した。得られた結果を図16に示す。PI6DD50の重量減少開始温度は399℃であり、5%重量減少温度は421℃であった。
NMP 5.3gにPI6DD50 1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は40分27秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで20μmであり、残膜率は58%であった。このフォトレジストのSEM写真を図17に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
式(12)に樹脂PI6DDAT50-Fluorenyl10の化学式を示す。
(式中、k、l、m及びnは、「k:l:m:n=1:9:1:9(仕込みベースのモル比)」の関係を満たす数字を表す。)
NMP 4.8gに1.0gのポリイミド樹脂PI6DDAT50-Fluorenyl10を添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.1g、PMI 0.2g、PHA 0.1gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 10重量部、PMI 20重量部、PHA 10重量部)。実施例1と同様の操作で、プリベーク、露光及び現像を行った。このときの現像時間は19分09秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで35μmであり、残膜率は69%であった。このフォトレジストのSEM写真を図18に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
実施例19と同様の操作により得た感光性PI被塗膜にPET製のフォトマスクを介して、紫外線露光機によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は500mJ/cm2であった。実施例19と同様の操作により現像を行った。このときの現像時間は20分10秒であった。解像度はラインアンドスペースパターンで25μmであり、残膜率は72%であった。このフォトレジストのSEM写真を図19に示す。また、作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
NMP 4.8gに下記式(13)の構造を有するポリエーテルイミド樹脂(PEI, Sabicイノベーティブプラスチック社製、数平均分子量21,000)1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.15g、PMI 0.01gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 15重量部、PMI 1重量部)。この溶液を35μmの電解銅箔上(マット面)にスピンコート法(700rpm/10sec +1000rpm/30sec)にて塗布し、遠赤外線熱風循環式乾燥機でプリベーク(90℃/10min)後、膜厚約10μmの感光性PEI被塗膜を得た。
これにPET製のフォトマスクを介して、紫外線露光機(オーク社製)によりi線からg線帯域の光を照射した。i線帯域用の照度計で測定した露光量は100mJ/cm2であった。
露光後、26wt% TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液10gを用いて、50℃、超音波処理下で14分間現像を行ったのち、イオン交換水100gで1分間洗浄した結果、現像液が浸透していかず、パターンも全く確認できなかった。
なお、ポリエーテルイミド樹脂PEIを25wt%TMAH水溶液5mLに対して、1mg仕込み、25℃で24時間攪拌したが、PEIが溶解せず濁ったままであることが目視で確認された。作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
(式中、nは自然数を表す。)
NMP 4.8gにPEI 1.0gを添加して溶解させた後、PC-5(登録商標) 0.15g、PMI 0.01gを添加して室温で約1時間、スターラーで撹拌してフォトレジスト配合物を調製した(樹脂100重量部に対してPC-5(登録商標) 15重量部、PMI 1重量部)。比較例1と同様の操作で、プリベーク及び露光を行った。露光後、10wt% TEAH(テトラエチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液10gを用いて、50℃、超音波処理下で15分58秒間現像を行ったのち、イオン交換水100gで1分間洗浄した結果、現像液が浸透していかず、パターンも全く確認できなかった。作製条件及び結果を表1にまとめて示す。
Claims (9)
- ポリイミド樹脂、アニオン再生剤及び光酸発生剤を含有するネガ型感光性樹脂組成物であって、
前記ポリイミド樹脂のアルカリ加水分解物がアルカリ水溶液に可溶であり、かつ前記ポリイミド樹脂が、下記式(I)で表される酸二無水物と下記式(II)又は式(III)で表されるジアミン化合物とを反応させたポリイミド樹脂であることを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。
(式中、Aは下式(Ia)で表される置換基を表す。)
(式中、R5は、それぞれ独立して、水素原子又は−(CH2)mCH3又は−O(CH2)mCH3を表し、Qは、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。また、nは1〜4の数字を、mは0〜4の数字を、pは1〜4の数字をそれぞれ表す。)
- さらに、アルカリ溶解促進剤を含有することを特徴とする請求項1記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 前記アニオン再生剤が、下記(A)〜(D)の群から選ばれた少なくとも1つの化合物であることを特徴とする請求項1または2に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
(A)下記式(1)で表される構造を有する化合物
(式中、R2は、脂肪族基又は芳香族基を表し、R1は、水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表す。)
(C)下記式(4)で表される構造を有する化合物
(D)下記式(5)で表される構造を有する化合物
- 前記アニオン再生剤が、下記式(1b)で表されるN−置換マレイミド化合物であることを特徴とする請求項3記載のネガ型感光性樹脂組成物。
(式中、R1は、水素原子、脂肪族基又は芳香族基を表す。) - 前記光酸発生剤が、ジアゾナフトキノン化合物であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 前記アルカリ溶解促進剤が、アルキルスルホン酸、アリールスルホン酸、アルキルカルボン酸及びアリールカルボン酸の群から選ばれる少なくとも1種類以上の化合物であることを特徴とする請求項2記載のネガ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物を溶剤に混合または溶解して得られてなることを特徴とするフォトレジスト溶液。
- 基板上に、請求項1から6のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物を含むフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層をアルカリ水溶液で処理する現像段階からなることを特徴とする反応現像画像形成方法。
- 前記アルカリ水溶液が、KOH、NaOH、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの群から選ばれる少なくとも1種類以上のアルカリと水とからなることを特徴とする請求項8に記載の反応現像画像形成方法。
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