JP5537975B2 - プラズマ加工システムにおいて使用する磁気クリップ及び基板ホルダー - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 114
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000612 Sm alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007430 reference method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F7/00—Magnets
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- H01F7/0231—Magnetic circuits with PM for power or force generation
- H01F7/0252—PM holding devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Claims (12)
- プラズマ加工システムにおいて基板の縁領域を保持する基板ホルダーと共に使用するクリップであって、
第1の締め付け面及び第1の磁石を含み、前記基板ホルダーと機械的に接続されるように構成される第1の本体部材と、
ヒンジと、
第2の締め付け面及び第2の磁石を含む第2の本体部材であって、前記基板の前記縁領域が前記第1の締め付け面と前記第2の締め付け面との間に接触関係で位置決めされる閉位置と、前記基板の前記縁領域が解放される開位置との間で前記第1の本体部材に対して枢動するように、前記ヒンジによって機械的に接続され、前記第2の磁石は、前記第2の本体部材が前記閉位置にあるときに前記第1の磁石を磁気的に引き付けて、前記第1の締め付け面及び前記第2の締め付け面に対する前記基板の前記縁領域の移動を拘束する力を加えるように構成されている第2の本体部材と、
を備え、
前記ヒンジは、前記第1の本体部材と機械的に接続される第1の部分と、前記第1の部分と枢着される第2の部分とを有し、前記第1の本体部材は、前記第1の締め付け面と前記ヒンジの前記第1の部分との間に第1の非締め付け面を含み、前記第1の磁石は、前記第1の非締め付け面に配置されているクリップ。 - 前記第2の本体部材は、前記第2の締め付け面と前記ヒンジの前記第2の部分との間に第2の非締め付け面を含み、前記第2の磁石は、前記第2の非締め付け面に配置されている請求項1に記載のクリップ。
- 前記第2の本体部材は、前記第2の非締め付け面から外方へ突出しているフランジをさらに含み、前記第2の締め付け面は、前記フランジ上に配置されており、前記第2の非締め付け面は、前記フランジと前記ヒンジの前記第2の部分との間に配置されている請求項2に記載のクリップ。
- 前記第1の本体部材は、前記第1の非締め付け面と前記第1の締め付け面との間に止め面をさらに含み、前記止め面は、前記基板の前記縁領域で終端する縁と接触するように構成され、それによって、前記第2の本体部材が前記開位置から前記閉位置へ移動されて前記基板の前記縁領域を前記第1の締め付け面と前記第2の締め付け面との間に位置決めしたときに、前記基板の前記縁が前記第1の非締め付け面へ延びることが阻止される請求項1に記載のクリップ。
- プラズマ加工システムにおいて基板の縁領域を保持する基板ホルダーと共に使用するクリップであって、
第1の締め付け面及び第1の磁石を含み、前記基板ホルダーと機械的に接続されるように構成される第1の本体部材と、
ヒンジと、
第2の締め付け面及び第2の磁石を含む第2の本体部材であって、前記基板の前記縁領域が前記第1の締め付け面と前記第2の締め付け面との間に接触関係で位置決めされる閉位置と、前記基板の前記縁領域が解放される開位置との間で前記第1の本体部材に対して枢動するように、前記ヒンジによって機械的に接続され、前記第2の磁石は、前記第2の本体部材が前記閉位置にあるときに前記第1の磁石を磁気的に引き付けて、前記第1の締め付け面及び前記第2の締め付け面に対する前記基板の前記縁領域の移動を拘束する力を加えるように構成されている第2の本体部材と、
を備え、
前記第1の本体部材は、前記第1の締め付け面と前記ヒンジとの間の第1の非締め付け面と、前記第1の締め付け面と前記第1の非締め付け面との間の止め面とを含み、前記第1の磁石は、前記第1の非締め付け面に配置されており、前記止め面は、前記基板の前記縁領域で終端する縁と接触するように構成されており、それによって、前記クリップが前記基板と結合されたときに、前記基板の前記縁が前記第1の非締め付け面へ延びることが阻止されるクリップ。 - 前記第2の本体部材は、第2の非締め付け面と、前記第2の非締め付け面から外方へ突出しているフランジとをさらに含み、前記第2の締め付け面は、前記フランジ上に配置されており、前記第2の磁石は、前記第2の非締め付け面に配置されている請求項5に記載のクリップ。
- 前記第2の本体部材は、前記フランジ及び前記第2の締め付け面を横方向に切頭する凹部をさらに含み、前記凹部は、前記第2の本体部材を前記閉位置から前記開位置へ移動させるために前記第2の本体部材へ開く力を加えるアクセスを提供する寸法及び形状である請求項6に記載のクリップ。
- 加工システムにおいて基板を保持する基板ホルダーであって、
複数の枠要素及び前記枠要素の内周に配置される前記基板のための窓を有する枠部材と、
前記枠要素のうちの1つと機械的に接続されるように構成される第1の本体部材、ヒンジ、及び前記ヒンジによって前記第1の本体部材に枢着される第2の本体部材を含むクリップであって、前記第1の本体部材は、第1の締め付け面及び第1の磁石を含み、前記第2の本体部材は、第2の締め付け面及び第2の磁石を含み、前記第2の本体部材は、前記基板の縁領域が前記第1の締め付け面と前記第2の締め付け面との間に接触関係で位置決めされる閉位置と、前記基板の前記縁領域が解放される開位置との間で前記第1の本体部材に対して移動可能であり、前記第2の磁石は、前記第2の本体部材が前記閉位置にあるときに前記第1の磁石を磁気的に引き付けて、前記第1の締め付け面及び前記第2の締め付け面に対する前記基板の前記縁領域の移動を拘束する力を加えるように構成されているクリップと、
を備え、
前記第1の本体部材は、前記枠要素を受け入れる寸法及び形状である凹部と、前記第1の本体部材を貫通して前記凹部まで延在するねじ山付き開口部と、前記ねじ山付き開口部に受け入れられるねじ山付き部材とを含み、前記ねじ山付き部材は、前記枠要素と接触し、且つ前記枠要素へ向かって前進するときに前記第1の本体部材を前記枠要素に対して移動させ、前記第1の本体部材の一部と、前記第1の本体部材の位置を前記枠要素に対して固定する前記枠要素の一部とを接触関係にする部分を含む基板ホルダー。 - 加工システムにおいて基板を保持する基板ホルダーであって、
複数の枠要素及び前記枠要素の内周に配置される前記基板のための窓を有する枠部材と、
前記枠要素のうちの1つと機械的に接続されるように構成される第1の本体部材、ヒンジ、及び前記ヒンジによって前記第1の本体部材に枢着される第2の本体部材を含むクリップであって、前記第1の本体部材は、第1の締め付け面及び第1の磁石を含み、前記第2の本体部材は、第2の締め付け面及び第2の磁石を含み、前記第2の本体部材は、前記基板の縁領域が前記第1の締め付け面と前記第2の締め付け面との間に接触関係で位置決めされる閉位置と、前記基板の前記縁領域が解放される開位置との間で前記第1の本体部材に対して移動可能であり、前記第2の磁石は、前記第2の本体部材が前記閉位置にあるときに前記第1の磁石を磁気的に引き付けて、前記第1の締め付け面及び前記第2の締め付け面に対する前記基板の前記縁領域の移動を拘束する力を加えるように構成されているクリップと、
を備え、
前記ヒンジは、前記第1の本体部材と機械的に接続される第1の部分と、前記第1の部分に枢着される第2の部分とを有し、前記第1の本体部材は、前記第1の締め付け面と前記ヒンジの前記第1の部分との間に第1の非締め付け面を含み、前記第1の磁石は、前記第1の非締め付け面に配置されている基板ホルダー。 - 前記第2の本体部材は、前記第2の締め付け面と前記ヒンジの前記第2の部分との間に第2の非締め付け面を含み、前記第2の磁石は、前記第2の非締め付け面に配置されている請求項9に記載の基板ホルダー。
- 前記第2の本体部材は、前記第2の非締め付け面から外方へ突出しているフランジをさらに含み、前記第2の締め付け面は、前記フランジ上に配置されており、前記第2の非締め付け面は、前記フランジと前記ヒンジの前記第2の部分との間に配置されている請求項10に記載の基板ホルダー。
- 前記第1の本体部材は、前記第1の非締め付け面と前記第1の締め付け面との間に止め面をさらに含み、前記止め面は、前記基板の前記縁領域で終端する縁と接触するように構成されており、それによって、前記第2の本体部材が前記開位置から前記閉位置へ移動されて前記基板の前記縁領域を前記第1の締め付け面と前記第2の締め付け面との間に位置決めしたときに、前記基板の前記縁が前記第1の非締め付け面へ延びることが阻止される請求項9に記載の基板ホルダー。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/364,888 US8226795B2 (en) | 2009-02-03 | 2009-02-03 | Magnetic clips and substrate holders for use in a plasma processing system |
US12/364888 | 2009-02-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010183078A JP2010183078A (ja) | 2010-08-19 |
JP5537975B2 true JP5537975B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=42397208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010021735A Expired - Fee Related JP5537975B2 (ja) | 2009-02-03 | 2010-02-03 | プラズマ加工システムにおいて使用する磁気クリップ及び基板ホルダー |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8226795B2 (ja) |
JP (1) | JP5537975B2 (ja) |
KR (1) | KR101601642B1 (ja) |
CN (1) | CN101834155B (ja) |
TW (1) | TWI506722B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8796075B2 (en) | 2011-01-11 | 2014-08-05 | Nordson Corporation | Methods for vacuum assisted underfilling |
US8597982B2 (en) | 2011-10-31 | 2013-12-03 | Nordson Corporation | Methods of fabricating electronics assemblies |
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JP2018085523A (ja) * | 2017-12-21 | 2018-05-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板用キャリア |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2009
- 2009-02-03 US US12/364,888 patent/US8226795B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-02 KR KR1020100009416A patent/KR101601642B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-03 CN CN201010113386.9A patent/CN101834155B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-03 JP JP2010021735A patent/JP5537975B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-03 TW TW099103228A patent/TWI506722B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010183078A (ja) | 2010-08-19 |
TWI506722B (zh) | 2015-11-01 |
KR101601642B1 (ko) | 2016-03-09 |
US8226795B2 (en) | 2012-07-24 |
CN101834155B (zh) | 2015-08-19 |
CN101834155A (zh) | 2010-09-15 |
TW201110263A (en) | 2011-03-16 |
KR20100089774A (ko) | 2010-08-12 |
US20100194505A1 (en) | 2010-08-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |