JP2656733B2 - 薄膜磁気抵抗再生ヘッドの磁気的再初期設定方法及びその装置 - Google Patents
薄膜磁気抵抗再生ヘッドの磁気的再初期設定方法及びその装置Info
- Publication number
- JP2656733B2 JP2656733B2 JP6193242A JP19324294A JP2656733B2 JP 2656733 B2 JP2656733 B2 JP 2656733B2 JP 6193242 A JP6193242 A JP 6193242A JP 19324294 A JP19324294 A JP 19324294A JP 2656733 B2 JP2656733 B2 JP 2656733B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetic
- magnetoresistive
- gap
- suspension assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/465—Arrangements for demagnetisation of heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
- G11B5/4886—Disposition of heads relative to rotating disc
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0008—Magnetic conditionning of heads, e.g. biasing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49034—Treating to affect magnetic properties
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗（ＭＲ）ヘッ
ドを有する媒体駆動装置の製造に関し、特に、駆動装置
の製造における薄膜磁気抵抗素子の磁気状態の設定に関
するものである。
ドを有する媒体駆動装置の製造に関し、特に、駆動装置
の製造における薄膜磁気抵抗素子の磁気状態の設定に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】一定の材料からなる薄膜が示す磁気抵抗
（ＭＲ）効果に基づいて動作する磁気抵抗再生ヘッドが
従来技術で開示されている。ＭＲ変換器を組み込んだ再
生ヘッドは、ＭＲ変換素子によって感知される磁束の量
及び方向の関数としての、ＭＲ変換素子の抵抗変化を通
じて、磁界信号を検出する。
（ＭＲ）効果に基づいて動作する磁気抵抗再生ヘッドが
従来技術で開示されている。ＭＲ変換器を組み込んだ再
生ヘッドは、ＭＲ変換素子によって感知される磁束の量
及び方向の関数としての、ＭＲ変換素子の抵抗変化を通
じて、磁界信号を検出する。
【０００３】駆動装置の記録密度が高くなるのに応じ
て、小型化したＭＲ変換器の効率的な大量生産のための
バッチ式製造方法が開発されてきた。典型的には、ＭＲ
変換器のバッチ式製造方法では、ウェハ・レベルの加工
において既知の薄膜製造技術を用いて１枚のウェハ上に
複数のＭＲ変換器を製造する。ウェハは次に、ｎ個のＭ
Ｒ変換器を有する各列に切断され、列レベルで研摩さ
れ、次に各列が個々のスライダに切断される。各スライ
ダはＭＲ再生ヘッドを含むヘッド構造を有する。
て、小型化したＭＲ変換器の効率的な大量生産のための
バッチ式製造方法が開発されてきた。典型的には、ＭＲ
変換器のバッチ式製造方法では、ウェハ・レベルの加工
において既知の薄膜製造技術を用いて１枚のウェハ上に
複数のＭＲ変換器を製造する。ウェハは次に、ｎ個のＭ
Ｒ変換器を有する各列に切断され、列レベルで研摩さ
れ、次に各列が個々のスライダに切断される。各スライ
ダはＭＲ再生ヘッドを含むヘッド構造を有する。
【０００４】ＭＲ変換器の動作を最適にする特定の磁気
状態を有するＭＲ変換器を製造するために、構造の細部
及び製造パラメータを選択的に変えることが知られてい
る。即ち、ＭＲ変換器は、軟または硬バイアス要素を含
むことができ、また、ウェハ・レベルの加工において一
定のステップで磁界を印加する、バッチ式製造方法によ
って製造される。これらの構成要素は、磁化方向、磁界
の配向などの薄膜ＭＲ層（ＭＲストライプ）の磁気特性
を設定する。例えば、Ｃ．Ｄ．ミー（Mee）等著"MAGNET
IC RECORDING, Vol.1" ,McGraw-Hill, New York, 1987,
pp.270-302を参照されたい。
状態を有するＭＲ変換器を製造するために、構造の細部
及び製造パラメータを選択的に変えることが知られてい
る。即ち、ＭＲ変換器は、軟または硬バイアス要素を含
むことができ、また、ウェハ・レベルの加工において一
定のステップで磁界を印加する、バッチ式製造方法によ
って製造される。これらの構成要素は、磁化方向、磁界
の配向などの薄膜ＭＲ層（ＭＲストライプ）の磁気特性
を設定する。例えば、Ｃ．Ｄ．ミー（Mee）等著"MAGNET
IC RECORDING, Vol.1" ,McGraw-Hill, New York, 1987,
pp.270-302を参照されたい。
【０００５】ＭＲストライプの磁気特性は、ＭＲ再生ヘ
ッドに磁界を印加することにより初期設定される。現
在、初期設定は、製造及び組み立ての環境及び要件に応
じて、ウェハ・レベル及び列レベルで行われる。
ッドに磁界を印加することにより初期設定される。現
在、初期設定は、製造及び組み立ての環境及び要件に応
じて、ウェハ・レベル及び列レベルで行われる。
【０００６】しかしながら、列レベルの加工の最中また
はその後に行われるいくつかの加工操作によって、ＭＲ
変換器の磁気状態が変わることが判明している。即ち、
本発明者等は、列レベルの加工の最中または後に行われ
るＭＲ変換器への意図的及び偶然的な障害が、薄膜磁気
抵抗材料層における磁区の形成を引き起こし、軟バイア
スＭＲ変換器における遷移層の磁化配向を変え、また、
硬バイアスＭＲ変換器における磁化層を配向解除しまた
消磁することがあると結論付けた。これらの影響は、単
独及び集合的に、ＭＲ変換器の磁気状態を変えることが
できる。本発明者等は、磁気状態の変化が、ＭＲ変換器
の動作の品質を著しく低下させ得ることを発見した。こ
れに関連して、列レベルでの試験で高振幅応答を示した
ＭＲ変換器が、列状態から切断されて媒体駆動装置に取
り付けられた後、低振幅応答に落ちてしまうことがあり
得る。
はその後に行われるいくつかの加工操作によって、ＭＲ
変換器の磁気状態が変わることが判明している。即ち、
本発明者等は、列レベルの加工の最中または後に行われ
るＭＲ変換器への意図的及び偶然的な障害が、薄膜磁気
抵抗材料層における磁区の形成を引き起こし、軟バイア
スＭＲ変換器における遷移層の磁化配向を変え、また、
硬バイアスＭＲ変換器における磁化層を配向解除しまた
消磁することがあると結論付けた。これらの影響は、単
独及び集合的に、ＭＲ変換器の磁気状態を変えることが
できる。本発明者等は、磁気状態の変化が、ＭＲ変換器
の動作の品質を著しく低下させ得ることを発見した。こ
れに関連して、列レベルでの試験で高振幅応答を示した
ＭＲ変換器が、列状態から切断されて媒体駆動装置に取
り付けられた後、低振幅応答に落ちてしまうことがあり
得る。
【０００７】ウェハ・レベルの処理中にＭＲ再生ヘッド
に対して最初に確立された磁気状態を媒体駆動装置のレ
ベルで再初期設定する、媒体駆動装置の製造方法は、従
来技術では開示されていない。
に対して最初に確立された磁気状態を媒体駆動装置のレ
ベルで再初期設定する、媒体駆動装置の製造方法は、従
来技術では開示されていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
る目的は、ＭＲ再生ヘッドを駆動装置のサブユニット・
アセンブリに組み込んだ後、ウェハ・レベル及び列レベ
ルでの製造操作に引き続いて、ＭＲ再生ヘッドの磁気状
態を再初期設定するための装置及び方法を提供すること
にある。
る目的は、ＭＲ再生ヘッドを駆動装置のサブユニット・
アセンブリに組み込んだ後、ウェハ・レベル及び列レベ
ルでの製造操作に引き続いて、ＭＲ再生ヘッドの磁気状
態を再初期設定するための装置及び方法を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＭＲ再
生ヘッドの磁気状態が、ＭＲ再生ヘッドをヘッド・サス
ペンション・アセンブリ（ＨＳＡ）のフレキシャ（flex
ure）に取付けた後に磁界（"初期設定磁界"）を印加す
ることによって再初期設定される。
生ヘッドの磁気状態が、ＭＲ再生ヘッドをヘッド・サス
ペンション・アセンブリ（ＨＳＡ）のフレキシャ（flex
ure）に取付けた後に磁界（"初期設定磁界"）を印加す
ることによって再初期設定される。
【００１０】本発明の再初期設定の装置及び方法では、
ＨＳＡレベルでＭＲ再生ヘッドに印加される初期設定磁
界を提供するために、高エネルギー磁石を用いる。初期
設定磁界は、ＨＳＡに取り付けられたＭＲ再生ヘッド
に、特定の方向から印加される。この特定の方向とは、
通常、ＭＲストライプに平行で、かつＭＲストライプを
通る電流の方向と反対の方向である。
ＨＳＡレベルでＭＲ再生ヘッドに印加される初期設定磁
界を提供するために、高エネルギー磁石を用いる。初期
設定磁界は、ＨＳＡに取り付けられたＭＲ再生ヘッド
に、特定の方向から印加される。この特定の方向とは、
通常、ＭＲストライプに平行で、かつＭＲストライプを
通る電流の方向と反対の方向である。
【００１１】図１は、ＭＲ（磁気抵抗）ストライプ１０
を横切って矢線１３で示す方向に磁気記録媒体１２を動
かすことによって生じる、磁束に対するＭＲストライプ
１０の応答を示している。図１に示すように、ＭＲスト
ライプ１０は、磁気記録媒体１２に垂直に配向する平面
構造を有する。ＭＲストライプ１０に接続されたリード
線１４及び１５は、一定の直流電流（ＩＤＣ）をＭＲス
トライプ中に流す。知られているように、ＭＲストライ
プ１０は、矢線１６で示した初期磁化方向を持つ軟磁性
材料である。図１に示すＭＲストライプの実施例では、
磁化方向１６は、ＭＲストライプ１０が組み込まれたＭ
Ｒ変換器の初期磁気状態によって決定される。図１で
は、磁化方向はたまたま、ＩＤＣの方向と反対である。
他の設計では、磁化方向が電流の方向からそれていても
よい。
を横切って矢線１３で示す方向に磁気記録媒体１２を動
かすことによって生じる、磁束に対するＭＲストライプ
１０の応答を示している。図１に示すように、ＭＲスト
ライプ１０は、磁気記録媒体１２に垂直に配向する平面
構造を有する。ＭＲストライプ１０に接続されたリード
線１４及び１５は、一定の直流電流（ＩＤＣ）をＭＲス
トライプ中に流す。知られているように、ＭＲストライ
プ１０は、矢線１６で示した初期磁化方向を持つ軟磁性
材料である。図１に示すＭＲストライプの実施例では、
磁化方向１６は、ＭＲストライプ１０が組み込まれたＭ
Ｒ変換器の初期磁気状態によって決定される。図１で
は、磁化方向はたまたま、ＩＤＣの方向と反対である。
他の設計では、磁化方向が電流の方向からそれていても
よい。
【００１２】知られているように、ＭＲ再生ヘッドは、
ＭＲストライプ１０にバイアスをかける他の特徴を含ん
でいてもよい。ＭＲストライプにバイアスがかかると
き、ＭＲストライプの磁化は、電流の方向から角度θの
矢線１７の方向をとる。
ＭＲストライプ１０にバイアスをかける他の特徴を含ん
でいてもよい。ＭＲストライプにバイアスがかかると
き、ＭＲストライプの磁化は、電流の方向から角度θの
矢線１７の方向をとる。
【００１３】動作に当っては、磁気記録媒体１２を矢線
１３の方向に動かすことによって生ずる磁束が、矢線１
８及び１９によって示されるように、ＭＲストライプ１
０における磁化方向を角度±Δθだけ変える。このため
に、ＭＲストライプの抵抗率が変化する。抵抗率の変化
は、θの変化と既知の関係にあり、リード線１４及び１
５の間の電流ＩＤＣを一定に保つために必要な電圧Ｖの
変化によって測定することができる。
１３の方向に動かすことによって生ずる磁束が、矢線１
８及び１９によって示されるように、ＭＲストライプ１
０における磁化方向を角度±Δθだけ変える。このため
に、ＭＲストライプの抵抗率が変化する。抵抗率の変化
は、θの変化と既知の関係にあり、リード線１４及び１
５の間の電流ＩＤＣを一定に保つために必要な電圧Ｖの
変化によって測定することができる。
【００１４】図２は、ＭＲストライプを備えるＭＲ再生
ヘッドを含むヘッド構造が取り付けられるヘッド・スラ
イダ・アセンブリ（ＨＳＡ）の端部を示す拡大等角投影
図である。この図は、スライダの後端部（ＴＥ）側に向
かって見たものである。
ヘッドを含むヘッド構造が取り付けられるヘッド・スラ
イダ・アセンブリ（ＨＳＡ）の端部を示す拡大等角投影
図である。この図は、スライダの後端部（ＴＥ）側に向
かって見たものである。
【００１５】通常、ディスク駆動装置で使用するために
製造されるＨＳＡ２０は、フレキシャ２２の表面に取り
付けられたスライダ２１を有する。スライダ２１は、セ
ラミック・ウェハから始まる、通常のバッチ式製造技法
を用いて製造される。そのセラミック・ウェハの上に、
既知の技術に従って、ＭＲ再生ヘッドを備えるヘッド構
造が複数個製造される。（図１及び２は、本発明の実施
を制限するものではなく、ヘッド構造は薄膜書込み素子
をも含むことができる。）ウェハはそれから列に切断
し、次に各列をそれぞれヘッド構造を有する個々のスラ
イダに切断する（さいの目に切る）。図２において、ス
ライダ２１は、ＭＲ変換器２５を含むＭＲ再生ヘッド２
４を備えるヘッド構造を有する。ＭＲ変換器の一部分
が、図３に拡大してあり、硬バイアス磁石要素２７及び
２９によって部分的に決定される、初期磁化方向２８を
有するＭＲストライプ２６を含む。図３の硬バイアスさ
れたＭＲ変換器の構造は、本発明を限定するものではな
い。事実、ＭＲ変換器の構造は、その初期磁気状態が、
構造の細部と製造パラメータの選択した組合せによって
予め決定されるものなら、どんなものでもよい。選択さ
れた組合せは、ＭＲ変換器に対して特定の磁気状態を課
するためのものであり、その１つの特性が磁化方向であ
る。
製造されるＨＳＡ２０は、フレキシャ２２の表面に取り
付けられたスライダ２１を有する。スライダ２１は、セ
ラミック・ウェハから始まる、通常のバッチ式製造技法
を用いて製造される。そのセラミック・ウェハの上に、
既知の技術に従って、ＭＲ再生ヘッドを備えるヘッド構
造が複数個製造される。（図１及び２は、本発明の実施
を制限するものではなく、ヘッド構造は薄膜書込み素子
をも含むことができる。）ウェハはそれから列に切断
し、次に各列をそれぞれヘッド構造を有する個々のスラ
イダに切断する（さいの目に切る）。図２において、ス
ライダ２１は、ＭＲ変換器２５を含むＭＲ再生ヘッド２
４を備えるヘッド構造を有する。ＭＲ変換器の一部分
が、図３に拡大してあり、硬バイアス磁石要素２７及び
２９によって部分的に決定される、初期磁化方向２８を
有するＭＲストライプ２６を含む。図３の硬バイアスさ
れたＭＲ変換器の構造は、本発明を限定するものではな
い。事実、ＭＲ変換器の構造は、その初期磁気状態が、
構造の細部と製造パラメータの選択した組合せによって
予め決定されるものなら、どんなものでもよい。選択さ
れた組合せは、ＭＲ変換器に対して特定の磁気状態を課
するためのものであり、その１つの特性が磁化方向であ
る。
【００１６】ＨＳＡ組み立て後に測定したＭＲ変換器の
動作が、列レベルの加工の前及びその最中に測定した同
じＭＲ変換器の動作と大きく異なることがあることを、
本発明者等は発見した。事実、バッチ中のＭＲ変換器の
２〜３％ほどが、列レベルの測定値とＨＳＡレベルの測
定値の間で出力の著しい減少を示すことがあることを、
本発明者等は発見した。本発明は、そのような動作の低
減が、ＨＳＡレベルまでの製造及び組み立て操作に起因
する、ＭＲ変換器への様々な偶然的または意図的なある
いはその両方の障害によって引き起こされる、品質が低
下したＭＲ変換器の磁気状態の変化に由来するものであ
るという本発明者等の認識に基づいている。ＭＲ変換器
をフレキシャに取り付けた後に初期設定磁界をＭＲ変換
器に印加することにより、品質が低下したＭＲ変換器の
磁気状態を再設定または再初期設定すると、ＭＲ変換器
の磁気状態を復元でき、その動作をウェハ・レベルの加
工の終りに測定した水準にまで回復できることを本発明
者等は発見した。
動作が、列レベルの加工の前及びその最中に測定した同
じＭＲ変換器の動作と大きく異なることがあることを、
本発明者等は発見した。事実、バッチ中のＭＲ変換器の
２〜３％ほどが、列レベルの測定値とＨＳＡレベルの測
定値の間で出力の著しい減少を示すことがあることを、
本発明者等は発見した。本発明は、そのような動作の低
減が、ＨＳＡレベルまでの製造及び組み立て操作に起因
する、ＭＲ変換器への様々な偶然的または意図的なある
いはその両方の障害によって引き起こされる、品質が低
下したＭＲ変換器の磁気状態の変化に由来するものであ
るという本発明者等の認識に基づいている。ＭＲ変換器
をフレキシャに取り付けた後に初期設定磁界をＭＲ変換
器に印加することにより、品質が低下したＭＲ変換器の
磁気状態を再設定または再初期設定すると、ＭＲ変換器
の磁気状態を復元でき、その動作をウェハ・レベルの加
工の終りに測定した水準にまで回復できることを本発明
者等は発見した。
【００１７】従って、本発明は、図４に示すような初期
設定磁界を、フレキシャに取り付けられたスライダ上に
おいて、ＭＲ変換器のＭＲストライプの初期磁化方向に
ほぼ平行な方向に印加することによって、ＭＲ再生ヘッ
ドの磁気状態を再初期設定することを含んでいる。図４
において、初期設定磁界はＨIで示されている。
設定磁界を、フレキシャに取り付けられたスライダ上に
おいて、ＭＲ変換器のＭＲストライプの初期磁化方向に
ほぼ平行な方向に印加することによって、ＭＲ再生ヘッ
ドの磁気状態を再初期設定することを含んでいる。図４
において、初期設定磁界はＨIで示されている。
【００１８】フレキシャが磁性体で形成されている場合
には、ＨIを印加すると、フレキシャに残留磁界が残り
得ることを、本発明者等は認識している。したがって、
必要ならば、消磁コイル３０（図４に図式的に示す）を
用いて、ＭＲストライプの磁化方向に直角な方向にフレ
キシャ消磁磁界ＨDを印加することにより、フレキシャ
を消磁することが可能になった。消磁コイル３０によ
り、オン及びオフにスイッチできる交流発電機から、徐
々に弱くなる交流電圧が、フレキシャに印加される。消
磁磁界の方向は図４に示されている。
には、ＨIを印加すると、フレキシャに残留磁界が残り
得ることを、本発明者等は認識している。したがって、
必要ならば、消磁コイル３０（図４に図式的に示す）を
用いて、ＭＲストライプの磁化方向に直角な方向にフレ
キシャ消磁磁界ＨDを印加することにより、フレキシャ
を消磁することが可能になった。消磁コイル３０によ
り、オン及びオフにスイッチできる交流発電機から、徐
々に弱くなる交流電圧が、フレキシャに印加される。消
磁磁界の方向は図４に示されている。
【００１９】初期設定磁界ＨIの強さは、ＭＲ変換器の
磁気状態を基本的に設定する、ＭＲ変換器の各要素に影
響を与えることができる十分な強さでなければならな
い。これに関連して、ＭＲ変換器に硬バイアスがかけら
れる場合には、ＨIの磁界の強さは、ＭＲ変換器におけ
る最も強い硬磁性材料の最大保磁磁界よりもより大きく
あるべきである。４５０〜４５００ガウスの範囲の強さ
を持つ磁界は、硬バイアスされた磁石を用いる設計の全
範囲にわたって、硬バイアスされたＭＲ変換器において
望ましい結果を生じることを、本発明者等は発見した。
さらに、ＭＲ変換器に係わる熱的、電気的、及び機械的
な製造操作は全て、ディスク駆動装置の製造のこのステ
ップの前に完了しているので、駆動装置製造のＨＳＡレ
ベルにおいて再初期設定を行うのは有益であることを、
本発明者等は発見した。また、ＭＲ変換器の操作の大部
分は完了しているであろう。
磁気状態を基本的に設定する、ＭＲ変換器の各要素に影
響を与えることができる十分な強さでなければならな
い。これに関連して、ＭＲ変換器に硬バイアスがかけら
れる場合には、ＨIの磁界の強さは、ＭＲ変換器におけ
る最も強い硬磁性材料の最大保磁磁界よりもより大きく
あるべきである。４５０〜４５００ガウスの範囲の強さ
を持つ磁界は、硬バイアスされた磁石を用いる設計の全
範囲にわたって、硬バイアスされたＭＲ変換器において
望ましい結果を生じることを、本発明者等は発見した。
さらに、ＭＲ変換器に係わる熱的、電気的、及び機械的
な製造操作は全て、ディスク駆動装置の製造のこのステ
ップの前に完了しているので、駆動装置製造のＨＳＡレ
ベルにおいて再初期設定を行うのは有益であることを、
本発明者等は発見した。また、ＭＲ変換器の操作の大部
分は完了しているであろう。
【００２０】本出願の出願人によって用いられるディス
ク駆動装置製造工程においては、ヘッド・スライダ・ア
センブリを製造するために、スライダをフレキシャに取
り付ける製造レベルを、「ＨＳＡレベル」と呼んでい
る。この製造方法において、ＨＳＡは通常、隣り合う２
つの列にそれぞれ１０個ずつ、合計２０個のＨＳＡを保
持するプラスチック・トレイに入れて加工される。ディ
スク駆動装置製造工程のスループットを維持するため
に、本発明者等に課せられた１つの大きな課題は、１つ
のプラスチック・トレイ上に同時にのせられたできるだ
け多くのＨＳＡに対して、本発明の再初期設定工程を実
施することであった。（本明細書では、ＨＳＡが１つの
トレイ内で加工されるとき、これを「トレイ・レベル」
の操作という。）トレイ内の所与の限られた空間内で高
振幅の磁界を実現した結果、トレイ・レベルで注目に値
する装置構成と実施がもたらされた。
ク駆動装置製造工程においては、ヘッド・スライダ・ア
センブリを製造するために、スライダをフレキシャに取
り付ける製造レベルを、「ＨＳＡレベル」と呼んでい
る。この製造方法において、ＨＳＡは通常、隣り合う２
つの列にそれぞれ１０個ずつ、合計２０個のＨＳＡを保
持するプラスチック・トレイに入れて加工される。ディ
スク駆動装置製造工程のスループットを維持するため
に、本発明者等に課せられた１つの大きな課題は、１つ
のプラスチック・トレイ上に同時にのせられたできるだ
け多くのＨＳＡに対して、本発明の再初期設定工程を実
施することであった。（本明細書では、ＨＳＡが１つの
トレイ内で加工されるとき、これを「トレイ・レベル」
の操作という。）トレイ内の所与の限られた空間内で高
振幅の磁界を実現した結果、トレイ・レベルで注目に値
する装置構成と実施がもたらされた。
【００２１】ディスク駆動装置製造のＨＳＡレベルでの
ＭＲ変換器の磁気状態を再初期設定するためのトレイ・
レベルの装置は、一対の軟磁性体磁極片の間に、ＨＳＡ
の端部を受け入れるための、空隙の形の磁化空間を有す
る、図５に示された磁化装置に基づく。初期設定磁界
は、磁極片によって空隙中に誘導される。空隙は、その
中で均一な磁界が形成される、明確な空間領域を提供す
る。磁極片の両面間の空隙の大きさは、トレイ内におけ
るＭＲ再生ヘッド上のＭＲストライプの配置、ＨＳＡの
後端部のサイズ、及び初期設定磁界の振幅と配向許容差
によって決定される。
ＭＲ変換器の磁気状態を再初期設定するためのトレイ・
レベルの装置は、一対の軟磁性体磁極片の間に、ＨＳＡ
の端部を受け入れるための、空隙の形の磁化空間を有す
る、図５に示された磁化装置に基づく。初期設定磁界
は、磁極片によって空隙中に誘導される。空隙は、その
中で均一な磁界が形成される、明確な空間領域を提供す
る。磁極片の両面間の空隙の大きさは、トレイ内におけ
るＭＲ再生ヘッド上のＭＲストライプの配置、ＨＳＡの
後端部のサイズ、及び初期設定磁界の振幅と配向許容差
によって決定される。
【００２２】図６及び７は、図５の磁化装置を用いた次
善の方法を示している。即ち、初期設定磁界が空隙内に
存在する間に、ＭＲ再生ヘッドが空隙領域に入れられそ
こから取り出される場合には、ヘッドはフリンジ磁界を
横切ることになり、ＨＳＡレベルにおける再初期設定の
完全な効果が抑制される。ＭＲ変換器が空隙の公称中心
に留まっている間に図７に示すように磁極片を離して
も、好ましくないフリンジ磁界によって不均一性が生じ
る可能性がある。
善の方法を示している。即ち、初期設定磁界が空隙内に
存在する間に、ＭＲ再生ヘッドが空隙領域に入れられそ
こから取り出される場合には、ヘッドはフリンジ磁界を
横切ることになり、ＨＳＡレベルにおける再初期設定の
完全な効果が抑制される。ＭＲ変換器が空隙の公称中心
に留まっている間に図７に示すように磁極片を離して
も、好ましくないフリンジ磁界によって不均一性が生じ
る可能性がある。
【００２３】
【実施例】本発明によるＭＲ変換器の磁気状態を再初期
設定するための１つの新規な方法は、永久磁石を使っ
て、これを磁化装置に挿入しそこから取り出すものであ
る。これは、図８及び９に示されており、ここでは移動
可能な磁石６０が、磁極片ハウジング６２内に取り付け
られた２つの分離した軟磁性磁極片６１に対してスライ
ド可能に配置されている。磁極片は軟磁性材料により形
成されており、ハウジングは、磁極片６１間で移動可能
な磁石６０をそこに移すことのできる第１の位置を定義
する。移動可能な磁石６０が第１の位置にあるとき、軟
磁性磁極片６１は、磁石の磁界の束を空隙領域６５に通
す。移動可能な磁石６０は、軟磁性材料で形成された磁
気シールド６３内の第２の位置に移ることができ、この
磁気シールド６３は、移動可能な磁石６０が第２の位置
にあるとき、磁石６０の磁界を閉じ込める。第２の位置
にあるとき、移動可能な磁石の磁界は殆どあるいは全く
軟磁性磁極片６１に到達しない。移動可能な磁石６０は
磁石リンク６４に結合され、磁石リンク６４は、磁石６
０を、自動製造ラインに組み込むことのできるソレノイ
ドなど通常の２ストローク式電気機械装置に機械的に連
結するために設けられている。
設定するための１つの新規な方法は、永久磁石を使っ
て、これを磁化装置に挿入しそこから取り出すものであ
る。これは、図８及び９に示されており、ここでは移動
可能な磁石６０が、磁極片ハウジング６２内に取り付け
られた２つの分離した軟磁性磁極片６１に対してスライ
ド可能に配置されている。磁極片は軟磁性材料により形
成されており、ハウジングは、磁極片６１間で移動可能
な磁石６０をそこに移すことのできる第１の位置を定義
する。移動可能な磁石６０が第１の位置にあるとき、軟
磁性磁極片６１は、磁石の磁界の束を空隙領域６５に通
す。移動可能な磁石６０は、軟磁性材料で形成された磁
気シールド６３内の第２の位置に移ることができ、この
磁気シールド６３は、移動可能な磁石６０が第２の位置
にあるとき、磁石６０の磁界を閉じ込める。第２の位置
にあるとき、移動可能な磁石の磁界は殆どあるいは全く
軟磁性磁極片６１に到達しない。移動可能な磁石６０は
磁石リンク６４に結合され、磁石リンク６４は、磁石６
０を、自動製造ラインに組み込むことのできるソレノイ
ドなど通常の２ストローク式電気機械装置に機械的に連
結するために設けられている。
【００２４】図８及び９に示すように、その後端部６７
にＭＲ変換器を取り付けたＨＳＡ６６は、移動可能な磁
石が第２の位置にある間に空隙６５内に置くことができ
る。ＭＲ変換器を空隙６５内に置いた後、移動可能な磁
石６０は、第１の位置に移り、この位置では、その磁界
が空隙内を通り、ＭＲ変換器の磁気状態を再初期設定す
る。次に、移動可能な磁石は第２の位置に移り、ＨＳＡ
と磁極片は離れる。このようにして、空隙内の磁界は、
その大きさが、移動可能な磁石６０が第２の位置にある
ときのゼロから、移動可能な磁石６０が第１の位置にあ
るときの最大値へ変化し、また、移動可能な磁石が第２
の位置へ戻ったとき、最大値からゼロへ変化するだけで
ある。フリンジ磁界を横切ってＭＲ変換器が移動するこ
とが避けられ、その結果、ＭＲ変換器の磁気状態の最適
な再初期設定がもたらされる。
にＭＲ変換器を取り付けたＨＳＡ６６は、移動可能な磁
石が第２の位置にある間に空隙６５内に置くことができ
る。ＭＲ変換器を空隙６５内に置いた後、移動可能な磁
石６０は、第１の位置に移り、この位置では、その磁界
が空隙内を通り、ＭＲ変換器の磁気状態を再初期設定す
る。次に、移動可能な磁石は第２の位置に移り、ＨＳＡ
と磁極片は離れる。このようにして、空隙内の磁界は、
その大きさが、移動可能な磁石６０が第２の位置にある
ときのゼロから、移動可能な磁石６０が第１の位置にあ
るときの最大値へ変化し、また、移動可能な磁石が第２
の位置へ戻ったとき、最大値からゼロへ変化するだけで
ある。フリンジ磁界を横切ってＭＲ変換器が移動するこ
とが避けられ、その結果、ＭＲ変換器の磁気状態の最適
な再初期設定がもたらされる。
【００２５】図８及び９に示した磁化装置は、「セル」
とも呼ばれる。セルの磁極片は、移動可能な磁石６０の
磁界に応答するが、移動可能な磁石６０が第２の位置に
あるときは大きな残留磁界を示さないような、大きな保
磁力を持たない軟磁性材料で形成することが好ましい。
磁極片６１の向かい合う面は、初期設定磁界をＨＳＡの
後端部６７に局在化し、ＨＳＡ６６のフレキシャ全体が
磁界に包まれないようにする。磁気シールドは、磁極片
の軟磁性材料から形成することが好ましい。
とも呼ばれる。セルの磁極片は、移動可能な磁石６０の
磁界に応答するが、移動可能な磁石６０が第２の位置に
あるときは大きな残留磁界を示さないような、大きな保
磁力を持たない軟磁性材料で形成することが好ましい。
磁極片６１の向かい合う面は、初期設定磁界をＨＳＡの
後端部６７に局在化し、ＨＳＡ６６のフレキシャ全体が
磁界に包まれないようにする。磁気シールドは、磁極片
の軟磁性材料から形成することが好ましい。
【００２６】図１０ないし１４は、単一のセル７０を用
いた本発明の方法を示している。図１０において、移動
可能な磁石は、最初、磁界シールド６３内に存在する。
したがって、空隙６５内には磁界は存在しない。この状
態で、セル７０（またはＨＳＡ６６）が移動して、ＨＳ
Ａの後端部とＭＲ変換器とが図１１に示す位置にくる。
この位置にあるとき、空隙の公称中心は、ＭＲ変換器に
おけるＭＲストライプの磁化方向と整列する。図１１で
示す位置にセル（またはＨＳＡ）が移動した後に、移動
可能な磁石６０は、磁石リンク６４を経て図１２に示す
磁極片６１間の第１の位置に移動する。したがって、高
振幅の初期設定磁界が空隙６５内に生成され、ＭＲ変換
器の磁気状態の再初期設定が達成される。移動可能な磁
石は、次に、図１３に示す磁気シールド６３内の第２の
位置に戻り、これに対応して空隙内の磁界がゼロにな
る。最後に、セルとＨＳＡが図１４に示すように離れ
る。
いた本発明の方法を示している。図１０において、移動
可能な磁石は、最初、磁界シールド６３内に存在する。
したがって、空隙６５内には磁界は存在しない。この状
態で、セル７０（またはＨＳＡ６６）が移動して、ＨＳ
Ａの後端部とＭＲ変換器とが図１１に示す位置にくる。
この位置にあるとき、空隙の公称中心は、ＭＲ変換器に
おけるＭＲストライプの磁化方向と整列する。図１１で
示す位置にセル（またはＨＳＡ）が移動した後に、移動
可能な磁石６０は、磁石リンク６４を経て図１２に示す
磁極片６１間の第１の位置に移動する。したがって、高
振幅の初期設定磁界が空隙６５内に生成され、ＭＲ変換
器の磁気状態の再初期設定が達成される。移動可能な磁
石は、次に、図１３に示す磁気シールド６３内の第２の
位置に戻り、これに対応して空隙内の磁界がゼロにな
る。最後に、セルとＨＳＡが図１４に示すように離れ
る。
【００２７】移動可能な磁石６０を磁極片６１間の第１
の位置に置くと、空隙６５内の磁界の強さが直接制御さ
れることを、本発明者等は発見した。したがって、セル
の磁界の強さは調整可能であり、望ましい磁界の強さを
変えるためには、機械式のストローク制限手段があれば
よい。コイルに必要な空間及び電圧源の供給を確保する
ことができれば、代わりに、移動可能な磁石６０を一定
モードまたはパルスモードで動作できる固定電磁石で置
き換えられることを本発明者等は企図している。
の位置に置くと、空隙６５内の磁界の強さが直接制御さ
れることを、本発明者等は発見した。したがって、セル
の磁界の強さは調整可能であり、望ましい磁界の強さを
変えるためには、機械式のストローク制限手段があれば
よい。コイルに必要な空間及び電圧源の供給を確保する
ことができれば、代わりに、移動可能な磁石６０を一定
モードまたはパルスモードで動作できる固定電磁石で置
き換えられることを本発明者等は企図している。
【００２８】図１０ないし１４の５段階の手順は、磁界
の誘導なしにＨＳＡが空隙内に入れられまた取り出され
るとき、最適条件の結果を生み出すことが理解されよ
う。これにより、図６及び７を参照して上述した望まし
くない結果が避けられる。しかしながら、環境が許すな
らば、ＨＳＡが空隙内に入れられまた取り出される間磁
界を維持することにより、本発明が実施できることを本
発明者等は企図している。
の誘導なしにＨＳＡが空隙内に入れられまた取り出され
るとき、最適条件の結果を生み出すことが理解されよ
う。これにより、図６及び７を参照して上述した望まし
くない結果が避けられる。しかしながら、環境が許すな
らば、ＨＳＡが空隙内に入れられまた取り出される間磁
界を維持することにより、本発明が実施できることを本
発明者等は企図している。
【００２９】当業者には理解されるように、ロボット式
位置決め装置を用いてＨＳＡを１個ずつステーションに
送ることにより、単一セルの磁化装置を使ってＨＳＡを
再初期設定することができる。これは、本発明による処
理をトレイ・レベルに限定するものではない。無論、手
動操作のセルも実施できる。
位置決め装置を用いてＨＳＡを１個ずつステーションに
送ることにより、単一セルの磁化装置を使ってＨＳＡを
再初期設定することができる。これは、本発明による処
理をトレイ・レベルに限定するものではない。無論、手
動操作のセルも実施できる。
【００３０】図１５は、トレイ・レベルでの処理の場合
の２０個のＨＳＡの配置を示している。即ち、トレイ８
０は、トレイ・レベルでの処理のための２０個のＨＳＡ
に対する取付支持体を提供する。２０個のＨＳＡのうち
の１つを参照符号８１によって示す。トレイ８０は、そ
の１つを参照符号８２で示す複数の水平支持部材と、そ
の１つを参照符号８３で示す複数の垂直横架部材とを含
む。水平支持部材、垂直横架部材、及びＨＳＡは、外周
部材８４に囲まれる。水平支持部材、垂直横架部材及び
外周部材は同一平面上にあり、トレイは底面及び上面を
有さない。したがって、ＨＳＡの後端部には、トレイ８
０のいずれの側からも接近可能である。図１５に示すよ
うにトレイ８０を用いると、多数の小さなＨＳＡを所定
の向きで隣り合って置くことが可能になり、またトレイ
内に磁極片を挿入することが可能になる。
の２０個のＨＳＡの配置を示している。即ち、トレイ８
０は、トレイ・レベルでの処理のための２０個のＨＳＡ
に対する取付支持体を提供する。２０個のＨＳＡのうち
の１つを参照符号８１によって示す。トレイ８０は、そ
の１つを参照符号８２で示す複数の水平支持部材と、そ
の１つを参照符号８３で示す複数の垂直横架部材とを含
む。水平支持部材、垂直横架部材、及びＨＳＡは、外周
部材８４に囲まれる。水平支持部材、垂直横架部材及び
外周部材は同一平面上にあり、トレイは底面及び上面を
有さない。したがって、ＨＳＡの後端部には、トレイ８
０のいずれの側からも接近可能である。図１５に示すよ
うにトレイ８０を用いると、多数の小さなＨＳＡを所定
の向きで隣り合って置くことが可能になり、またトレイ
内に磁極片を挿入することが可能になる。
【００３１】図１６及び１７は、トレイを受けるための
凹部９３を有する平板９２上に多数のセル９１を並べ
た、トレイ・レベルの装置９０を示している。図１６に
示すように、セル９１は、１列に１０セルずつ取り付け
られている。各セル列は、マルチ・ストローク駆動装置
９４によって矢線９５で示す２つの方向に駆動される移
動可能な部材（図示せず）の上に一緒に載せられてい
る。下方向に駆動されたとき、各セル列はトレイ・レベ
ルの装置９０の内部に引き込まれる。上方向に駆動され
たとき、各セル列は、図１６に示す位置に移動し、磁極
片が、凹部９３によって画定される空間内で上方に向か
って突き出た状態となる。図１７に示すように、２０個
のＨＳＡが取り付けられたトレイ９７は、トレイを凹部
と整列させて、各セル列を上方に凹部内に駆動させたと
き、それぞれのセルの空隙が対応するＨＳＡの後端部と
正確に整列し、これにより全てのＨＳＡで同時に再初期
設定ステップを実行できるようにするため、凹部９３の
外周部と係合する下側リップ９８を有する。再初期設定
は、マルチ・ストローク駆動装置９４が各セルの移動可
能な磁石を上方に磁極片の間に移動させて空隙内に初期
設定磁界を誘導するときに行われる。次に、マルチ・ス
トローク駆動装置９４は、移動可能な磁石を磁気シール
ド内に引き込み、それから、各セル列を下方にトレイ・
レベルの装置９０内に引き込む。トレイ９７はその後、
凹部９３から引き出される。
凹部９３を有する平板９２上に多数のセル９１を並べ
た、トレイ・レベルの装置９０を示している。図１６に
示すように、セル９１は、１列に１０セルずつ取り付け
られている。各セル列は、マルチ・ストローク駆動装置
９４によって矢線９５で示す２つの方向に駆動される移
動可能な部材（図示せず）の上に一緒に載せられてい
る。下方向に駆動されたとき、各セル列はトレイ・レベ
ルの装置９０の内部に引き込まれる。上方向に駆動され
たとき、各セル列は、図１６に示す位置に移動し、磁極
片が、凹部９３によって画定される空間内で上方に向か
って突き出た状態となる。図１７に示すように、２０個
のＨＳＡが取り付けられたトレイ９７は、トレイを凹部
と整列させて、各セル列を上方に凹部内に駆動させたと
き、それぞれのセルの空隙が対応するＨＳＡの後端部と
正確に整列し、これにより全てのＨＳＡで同時に再初期
設定ステップを実行できるようにするため、凹部９３の
外周部と係合する下側リップ９８を有する。再初期設定
は、マルチ・ストローク駆動装置９４が各セルの移動可
能な磁石を上方に磁極片の間に移動させて空隙内に初期
設定磁界を誘導するときに行われる。次に、マルチ・ス
トローク駆動装置９４は、移動可能な磁石を磁気シール
ド内に引き込み、それから、各セル列を下方にトレイ・
レベルの装置９０内に引き込む。トレイ９７はその後、
凹部９３から引き出される。
【００３２】図１６及び１７に示す装置内の初期設定セ
ルが小型であり、隣接して配置されている場合には、２
０個の空隙を同時にトレイ内に挿入し、かつトレイ内に
取り付けられた全てのＨＳＡに取り付けられているＭＲ
変換器の磁気状態を同時に初期設定することが可能であ
る。しかしながら、隣接するセル間の望ましくない磁界
の漏れは、どの空隙内の磁界をも著しく減じさせてしま
う。ある応用例では、ＭＲ変換器の磁気状態を再設定す
るのに低い磁界強度が必要なこともあり、この強さで
は、隣接するセルの漏れ磁界が、空隙の磁界の強さを受
け入れられない水準にまで低下させることはない。しか
しながら、他の場合には、磁界の漏れのために、磁界が
初期設定に必要な水準に達することが妨げられることも
ある。隣接するセルの磁界の漏れによる空隙内の磁界の
強度の低下を防ぐために、図１８に示すように、隣接す
るセルの磁極片間に「ブースト」永久磁石を加えること
もできる。ブースト磁石とセル磁石があいまって、各空
隙内に高磁界を提供する。ブースト磁石は、セル磁石を
動かす磁石リンクに連結することができ、したがって、
セル磁石と縦列状態で動かすことができる。
ルが小型であり、隣接して配置されている場合には、２
０個の空隙を同時にトレイ内に挿入し、かつトレイ内に
取り付けられた全てのＨＳＡに取り付けられているＭＲ
変換器の磁気状態を同時に初期設定することが可能であ
る。しかしながら、隣接するセル間の望ましくない磁界
の漏れは、どの空隙内の磁界をも著しく減じさせてしま
う。ある応用例では、ＭＲ変換器の磁気状態を再設定す
るのに低い磁界強度が必要なこともあり、この強さで
は、隣接するセルの漏れ磁界が、空隙の磁界の強さを受
け入れられない水準にまで低下させることはない。しか
しながら、他の場合には、磁界の漏れのために、磁界が
初期設定に必要な水準に達することが妨げられることも
ある。隣接するセルの磁界の漏れによる空隙内の磁界の
強度の低下を防ぐために、図１８に示すように、隣接す
るセルの磁極片間に「ブースト」永久磁石を加えること
もできる。ブースト磁石とセル磁石があいまって、各空
隙内に高磁界を提供する。ブースト磁石は、セル磁石を
動かす磁石リンクに連結することができ、したがって、
セル磁石と縦列状態で動かすことができる。
【００３３】また、セルが比較的大きな間隔で配置され
ている場合には、ブースト磁石を省略してもよい。ただ
し、こうすると、磁石のストローク当たり処理できるＨ
ＳＡの数が減ってしまう。またこうすると、１つのトレ
イ内に取り付けられたＨＳＡに２つの経路が設けられた
ときに、第１の経路の間に初期設定されたＭＲ再生ヘッ
ドが第２の経路から悪影響を受けるのを防止するための
シールドが必要となる。
ている場合には、ブースト磁石を省略してもよい。ただ
し、こうすると、磁石のストローク当たり処理できるＨ
ＳＡの数が減ってしまう。またこうすると、１つのトレ
イ内に取り付けられたＨＳＡに２つの経路が設けられた
ときに、第１の経路の間に初期設定されたＭＲ再生ヘッ
ドが第２の経路から悪影響を受けるのを防止するための
シールドが必要となる。
【００３４】図１９及び２０は、セルが図１６及び１７
のトレイ・レベルの装置９０で示したよりも相対的に大
きな間隔で配置されている、トレイ・レベルの装置１１
０を示している。トレイ・レベルの装置１１０は、２つ
の親指状部材１１１ａの間に凹部を有し、その中でトレ
イ１１９が２つの位置の間を動く。トレイ１１９は、そ
の外周部にタブ１１９ａを有する。タブ１１９ａは、親
指状部材１１１ａに嵌合され、親指状部材１１１ａは、
軸支延長部材１１１ｂ上に取り付けられている。トレイ
１１９は、トレイの下側リップと嵌合するための張出し
部材１１３を有する、トレイ支持フレーム１１７に嵌合
される。トレイ支持フレーム１１７は、軸１１８上に沿
って２つの位置の間を移動可能である。トレイが左に寄
る第１の位置では、トレイ１１９の各列の５個のＨＳＡ
が、それぞれのセル列１１２の５個のセルによって再初
期設定される位置にくる。図２０を見ると最もよく分か
るように、それぞれのセル列は、５個のセル１１５及び
６個のシールド１１６を含む。すなわち、トレイ１１９
が第１の位置のとき、トレイ内の各列の５個のＨＳＡ
は、各セル列１１２の対応する５個のセル内で発生する
初期設定磁界によって再初期設定される。例えば、トレ
イ１１９が第１の位置のとき、トレイ１１９の後側の列
内の参照番号１１８ａによって示される５個のＨＳＡと
トレイの前側の列内の上記に対応する５個のＨＳＡは、
それらの後端部が、セルの空隙内で再初期設定のための
位置にくる。第１の位置のとき、最初の１０個のＨＳＡ
が再初期設定される間、参照番号１１８ｂで示される後
側の列内のＨＳＡと前側の列内のこれらに対応するＨＳ
Ａとからなる、次の１０個のＨＳＡは、その後端部が２
つのセル列のシールド１１６によってシールドされる。
第２の位置のとき、トレイ１１９は右に寄り、その結
果、トレイ１１９の後側の列内の参照番号１１８ａによ
って示される５個のＨＳＡとトレイの前側の列内の上記
に対応する５個のＨＳＡは、それらの後端部がシールド
され、参照番号１１８ｂで示される後側の列内のＨＳＡ
と前側の列内のこれらに対応するＨＳＡからなる残りの
１０個のＨＳＡは、１０個のセルによって再初期設定さ
れる位置にくる。
のトレイ・レベルの装置９０で示したよりも相対的に大
きな間隔で配置されている、トレイ・レベルの装置１１
０を示している。トレイ・レベルの装置１１０は、２つ
の親指状部材１１１ａの間に凹部を有し、その中でトレ
イ１１９が２つの位置の間を動く。トレイ１１９は、そ
の外周部にタブ１１９ａを有する。タブ１１９ａは、親
指状部材１１１ａに嵌合され、親指状部材１１１ａは、
軸支延長部材１１１ｂ上に取り付けられている。トレイ
１１９は、トレイの下側リップと嵌合するための張出し
部材１１３を有する、トレイ支持フレーム１１７に嵌合
される。トレイ支持フレーム１１７は、軸１１８上に沿
って２つの位置の間を移動可能である。トレイが左に寄
る第１の位置では、トレイ１１９の各列の５個のＨＳＡ
が、それぞれのセル列１１２の５個のセルによって再初
期設定される位置にくる。図２０を見ると最もよく分か
るように、それぞれのセル列は、５個のセル１１５及び
６個のシールド１１６を含む。すなわち、トレイ１１９
が第１の位置のとき、トレイ内の各列の５個のＨＳＡ
は、各セル列１１２の対応する５個のセル内で発生する
初期設定磁界によって再初期設定される。例えば、トレ
イ１１９が第１の位置のとき、トレイ１１９の後側の列
内の参照番号１１８ａによって示される５個のＨＳＡと
トレイの前側の列内の上記に対応する５個のＨＳＡは、
それらの後端部が、セルの空隙内で再初期設定のための
位置にくる。第１の位置のとき、最初の１０個のＨＳＡ
が再初期設定される間、参照番号１１８ｂで示される後
側の列内のＨＳＡと前側の列内のこれらに対応するＨＳ
Ａとからなる、次の１０個のＨＳＡは、その後端部が２
つのセル列のシールド１１６によってシールドされる。
第２の位置のとき、トレイ１１９は右に寄り、その結
果、トレイ１１９の後側の列内の参照番号１１８ａによ
って示される５個のＨＳＡとトレイの前側の列内の上記
に対応する５個のＨＳＡは、それらの後端部がシールド
され、参照番号１１８ｂで示される後側の列内のＨＳＡ
と前側の列内のこれらに対応するＨＳＡからなる残りの
１０個のＨＳＡは、１０個のセルによって再初期設定さ
れる位置にくる。
【００３５】図２１は、本発明を実施するために用いら
れる、トレイ・レベルの磁気回路の２つの実施例を示し
ている。参照番号１２０で示される回路において、軟磁
性磁極片が各ＨＳＡの間に配置され、この結果ＨＳＡの
後端部を横切って十分に均一に磁束が通る。永久磁石１
２１及び１２２が軟磁性戻り回路１２３に接続されて、
磁化回路が閉じる。磁極片は、１ストロークで定位置に
移動し、空隙の中心がＭＲ変換器と整列する。それか
ら、永久磁石と戻り回路が、磁極片と整列するように移
動し、再初期設定が行われる。それから、永久磁石と戻
り回路が取り外され、次に磁極片が取り外される。参照
番号１２４で示された実施例は、一連の磁気回路も含ん
でいる。ただし、最初の実施例の大きな端部永久磁石１
２１及び１２２の代わりに使用される磁石は小さく、磁
極片間に分散されている。
れる、トレイ・レベルの磁気回路の２つの実施例を示し
ている。参照番号１２０で示される回路において、軟磁
性磁極片が各ＨＳＡの間に配置され、この結果ＨＳＡの
後端部を横切って十分に均一に磁束が通る。永久磁石１
２１及び１２２が軟磁性戻り回路１２３に接続されて、
磁化回路が閉じる。磁極片は、１ストロークで定位置に
移動し、空隙の中心がＭＲ変換器と整列する。それか
ら、永久磁石と戻り回路が、磁極片と整列するように移
動し、再初期設定が行われる。それから、永久磁石と戻
り回路が取り外され、次に磁極片が取り外される。参照
番号１２４で示された実施例は、一連の磁気回路も含ん
でいる。ただし、最初の実施例の大きな端部永久磁石１
２１及び１２２の代わりに使用される磁石は小さく、磁
極片間に分散されている。
【００３６】本発明の工業的応用例に影響を与える種々
の問題を考慮して、前に例示し記述したものとは異なる
再初期設定磁化装置を選択することがある。例えば、本
発明者等は、再初期設定磁界の発生のために固定電磁石
の使用を企図していることを指摘した。永久磁石を用い
る装置の重要な利点は、移動可能な磁石が第１の位置か
ら第２の位置に移動するとき、この装置の大きな空隙が
大きなリアクタンスを示し、そのために磁極片の軟磁性
材料内の残留磁界が大きく減少することから生じるもの
であると認められる。通常の電磁石の設計では、コイル
巻線を中実のＣ字形コアに巻きつけ、１個または複数の
ＨＳＡをコアによって形成される空隙内に置き、コイル
巻線に電流を流して、空隙内に磁界を誘導する。電流を
除去しても、中実のＣ字形コアは、磁極片の材料の保磁
力のために、弱い馬蹄形磁石として働き続ける。電磁石
のコアに大きな空隙を設けると、この設計の高い磁界強
度の能力が低下してしまう。
の問題を考慮して、前に例示し記述したものとは異なる
再初期設定磁化装置を選択することがある。例えば、本
発明者等は、再初期設定磁界の発生のために固定電磁石
の使用を企図していることを指摘した。永久磁石を用い
る装置の重要な利点は、移動可能な磁石が第１の位置か
ら第２の位置に移動するとき、この装置の大きな空隙が
大きなリアクタンスを示し、そのために磁極片の軟磁性
材料内の残留磁界が大きく減少することから生じるもの
であると認められる。通常の電磁石の設計では、コイル
巻線を中実のＣ字形コアに巻きつけ、１個または複数の
ＨＳＡをコアによって形成される空隙内に置き、コイル
巻線に電流を流して、空隙内に磁界を誘導する。電流を
除去しても、中実のＣ字形コアは、磁極片の材料の保磁
力のために、弱い馬蹄形磁石として働き続ける。電磁石
のコアに大きな空隙を設けると、この設計の高い磁界強
度の能力が低下してしまう。
【００３７】適度に小さな空隙を有する電磁石が使用で
きる１つの設計が、図２２に示されている。この設計で
は、電磁石は、移動可能な反残留磁界コア片を有してお
り、この反残留磁界コア片は、電磁石に付勢する前に第
１の位置に移動し、電磁石のスイッチを切ったとき第２
の位置に移動する。第１の位置に反残留磁界コア片があ
るとき、１個または複数のＨＳＡを空隙内に置き、電流
を流し次いで切り、その後、移動可能な反残留磁界コア
片を第２の位置に移動させると、残留磁界が減少し、Ｈ
ＳＡの除去が可能になる。別法として、電流をコイル巻
線に流し、再初期設定磁界が空隙に誘導された後に、残
留磁界に逆らう小さな逆電流をコイル巻線に供給するこ
とにより、残留磁界を減少させ、または十分に抑制する
ことができる。
きる１つの設計が、図２２に示されている。この設計で
は、電磁石は、移動可能な反残留磁界コア片を有してお
り、この反残留磁界コア片は、電磁石に付勢する前に第
１の位置に移動し、電磁石のスイッチを切ったとき第２
の位置に移動する。第１の位置に反残留磁界コア片があ
るとき、１個または複数のＨＳＡを空隙内に置き、電流
を流し次いで切り、その後、移動可能な反残留磁界コア
片を第２の位置に移動させると、残留磁界が減少し、Ｈ
ＳＡの除去が可能になる。別法として、電流をコイル巻
線に流し、再初期設定磁界が空隙に誘導された後に、残
留磁界に逆らう小さな逆電流をコイル巻線に供給するこ
とにより、残留磁界を減少させ、または十分に抑制する
ことができる。
【００３８】本発明を実施するための第３の代替実施例
は、図２３に大きなソレノイドの形で概略的に示されて
いる。ソレノイドは、自己支持形の、または支持体に巻
きつけた形のコイル巻線のシリンダを備えることができ
る。ソレノイドの内部は、ＨＳＡのトレイを受けること
ができる磁化空間を形成する。ＨＳＡのトレイは、磁化
空間内に置かれる。コイル巻線に電流を流すことによ
り、通常、ＨＳＡが位置するシリンダ内の磁化空間に広
がる磁界が誘導され、それによって、それらのＭＲ素子
が初期設定される。
は、図２３に大きなソレノイドの形で概略的に示されて
いる。ソレノイドは、自己支持形の、または支持体に巻
きつけた形のコイル巻線のシリンダを備えることができ
る。ソレノイドの内部は、ＨＳＡのトレイを受けること
ができる磁化空間を形成する。ＨＳＡのトレイは、磁化
空間内に置かれる。コイル巻線に電流を流すことによ
り、通常、ＨＳＡが位置するシリンダ内の磁化空間に広
がる磁界が誘導され、それによって、それらのＭＲ素子
が初期設定される。
【００３９】図２４は、２０個のＨＳＡのサスペンショ
ンを同時に消磁する、トレイ・レベルの消磁装置を示
す。これが必要となるのは、磁化されたサスペンション
からの浮遊磁界が、取り付けられたＭＲ素子のバイアス
・レベルの妨害や、ＭＲ素子の近くの望ましくない磁気
粒子の集合などのような、望ましくない効果を生ずる場
合である。
ンを同時に消磁する、トレイ・レベルの消磁装置を示
す。これが必要となるのは、磁化されたサスペンション
からの浮遊磁界が、取り付けられたＭＲ素子のバイアス
・レベルの妨害や、ＭＲ素子の近くの望ましくない磁気
粒子の集合などのような、望ましくない効果を生ずる場
合である。
【００４０】消磁装置は、軟磁性材料から形成されるコ
アを有する。コアは、基部１４０、外部磁極１４１、第
２の外部磁極１４２、及び中央磁極１４３を有する。中
央磁極は、３つの幅広タブ１４３ａ、４つの比較的幅狭
タブ１４３ｂ、及びスロット１４３ｃを有する。
アを有する。コアは、基部１４０、外部磁極１４１、第
２の外部磁極１４２、及び中央磁極１４３を有する。中
央磁極は、３つの幅広タブ１４３ａ、４つの比較的幅狭
タブ１４３ｂ、及びスロット１４３ｃを有する。
【００４１】電磁石を形成するために、中央磁極１４３
の回りにコイル１４５を巻きつける。コイルは、交流電
圧源（図示せず）に接続するために用いられる接続ワイ
ヤ１４６及び１４７を有する。交流電圧源は、適当な消
磁磁界を提供するために、振幅がゆっくりと減少する交
流電圧を供給する。
の回りにコイル１４５を巻きつける。コイルは、交流電
圧源（図示せず）に接続するために用いられる接続ワイ
ヤ１４６及び１４７を有する。交流電圧源は、適当な消
磁磁界を提供するために、振幅がゆっくりと減少する交
流電圧を供給する。
【００４２】２０個のＨＳＡを載せたトレイ１４８を、
中央磁極１４３の全てのタブを貫通する長いスロット
（図示せず）を有する、非磁性の傾斜した支持体１４９
上に置く。その１つを前に図１５に参照符号８３によっ
て示した、トレイの垂直横架部材が、中央磁極１４３の
スロット１４３ｃ内に貫入する。機械式ガイド（図示せ
ず）が、トレイを消磁装置の磁極構造内に下ろし、トレ
イをその中で支持するために用いられる。
中央磁極１４３の全てのタブを貫通する長いスロット
（図示せず）を有する、非磁性の傾斜した支持体１４９
上に置く。その１つを前に図１５に参照符号８３によっ
て示した、トレイの垂直横架部材が、中央磁極１４３の
スロット１４３ｃ内に貫入する。機械式ガイド（図示せ
ず）が、トレイを消磁装置の磁極構造内に下ろし、トレ
イをその中で支持するために用いられる。
【００４３】トレイ１４８を挿入したとき、中央磁極１
４３の３つの幅広タブ１４３ａの両側に、それぞれ２つ
のＨＳＡが存在する。中央磁極１４３の４つの幅狭タブ
１４３ｂの両側に、それぞれ１つのＨＳＡが存在する。
中央磁極の終端部１４３ｄは、トレイの外側に延び、各
列の端部にあるＨＳＡに作用する磁界の強さが減らない
ような構造であり、また外側のＨＳＡの位置において
も、中央磁極と外部磁極の間で磁界の方向が十分に垂直
に保たれるような構造である。支持体１４９の傾きは、
ＨＳＡがトレイ中に寝かされたときの角度を補償するよ
うに形成されており、その結果、磁界はスライダの長手
方向に沿ったものとなる。
４３の３つの幅広タブ１４３ａの両側に、それぞれ２つ
のＨＳＡが存在する。中央磁極１４３の４つの幅狭タブ
１４３ｂの両側に、それぞれ１つのＨＳＡが存在する。
中央磁極の終端部１４３ｄは、トレイの外側に延び、各
列の端部にあるＨＳＡに作用する磁界の強さが減らない
ような構造であり、また外側のＨＳＡの位置において
も、中央磁極と外部磁極の間で磁界の方向が十分に垂直
に保たれるような構造である。支持体１４９の傾きは、
ＨＳＡがトレイ中に寝かされたときの角度を補償するよ
うに形成されており、その結果、磁界はスライダの長手
方向に沿ったものとなる。
【００４４】１４６と１４７の間に交流が流れると、磁
束は、中央磁極１４３中に押し込まれる。磁束の半分
は、中央磁極を離れて外部磁極１４１に向かって流れ、
磁束の他の半分は、逆に外部磁極１４２に向かって流れ
る。中央磁極１４３は、外部磁極よりも高い垂直の広が
りを有し、外部磁極を越えて外部磁極の外縁へと進む磁
束を提供している。これによって、外部磁極の内表面の
磁界の強さが、中央磁極の外表面の磁界の強さにほぼ等
しくなる。
束は、中央磁極１４３中に押し込まれる。磁束の半分
は、中央磁極を離れて外部磁極１４１に向かって流れ、
磁束の他の半分は、逆に外部磁極１４２に向かって流れ
る。中央磁極１４３は、外部磁極よりも高い垂直の広が
りを有し、外部磁極を越えて外部磁極の外縁へと進む磁
束を提供している。これによって、外部磁極の内表面の
磁界の強さが、中央磁極の外表面の磁界の強さにほぼ等
しくなる。
【００４５】２つの外部磁極を設けることにより、レー
ス・トラック・コイルの両側が利用され、また、磁極ト
レイ幅を横切って、単純なＵ字形の電磁石のアンプ・タ
ーンの半分が利用されるようになる。また２つの外部磁
極の使用により、磁界の強さが、装置の近くから離れる
と急速に低下し、したがって近くの他の装置への影響が
防止される。
ス・トラック・コイルの両側が利用され、また、磁極ト
レイ幅を横切って、単純なＵ字形の電磁石のアンプ・タ
ーンの半分が利用されるようになる。また２つの外部磁
極の使用により、磁界の強さが、装置の近くから離れる
と急速に低下し、したがって近くの他の装置への影響が
防止される。
【００４６】交流の消磁電流がゼロになったとき、支持
体１４９とトレイ１４８が持ち上げられ、次のトレイが
支持体上に置かれて、同じ工程が繰り返される。
体１４９とトレイ１４８が持ち上げられ、次のトレイが
支持体上に置かれて、同じ工程が繰り返される。
【００４７】図２５は、前に例示し記述した、単一また
は複数のセルの実施例のいずれかによって実行される再
初期設定ステップを組み込んだ、ディスク駆動装置製造
工程の諸ステップを示している。まず、ディスクとヘッ
ド・アセンブリを含む構造要素を製造する。ＭＲ再生ヘ
ッドを含むヘッド・アセンブリを、既知の方法を用い
て、１つのウェハ上に製造する。ヘッドの製造後、ステ
ップ１５１から始めて、以下の処理によってスライダを
製造する。ステップ１５１で、多数のヘッド・アセンブ
リが形成されたウェハを列に切断する。ステップ１５２
で、例えば、エア・ベアリング面を研磨することによっ
て列を処理する。ステップ１５３で、列を個々に切断す
ることにより個々のスライダを製造する。各スライダ
は、ＭＲ再生ヘッドを備えるヘッド構造を有する。ステ
ップ１５４から始めて、ディスク駆動装置サブユニット
・アセンブリを製造する。即ち、スライダをフレキシャ
に取り付けて、ヘッド・サスペンション・アセンブリを
製造する。ステップ１５５で、ステップ１５４で製造さ
れたＨＳＡのＭＲ再生ヘッドを、上述の教示に従って個
々にまたはトレイ・レベルで、その磁気状態を設定す
る。次いで、ステップ１５６で、ＨＳＡのサスペンショ
ンを単独にまたはトレイ・レベルで消磁する。最後にス
テップ１５７で、ＨＳＡ及び他のサブユニット・アセン
ブリをディスク駆動装置に組み込む。
は複数のセルの実施例のいずれかによって実行される再
初期設定ステップを組み込んだ、ディスク駆動装置製造
工程の諸ステップを示している。まず、ディスクとヘッ
ド・アセンブリを含む構造要素を製造する。ＭＲ再生ヘ
ッドを含むヘッド・アセンブリを、既知の方法を用い
て、１つのウェハ上に製造する。ヘッドの製造後、ステ
ップ１５１から始めて、以下の処理によってスライダを
製造する。ステップ１５１で、多数のヘッド・アセンブ
リが形成されたウェハを列に切断する。ステップ１５２
で、例えば、エア・ベアリング面を研磨することによっ
て列を処理する。ステップ１５３で、列を個々に切断す
ることにより個々のスライダを製造する。各スライダ
は、ＭＲ再生ヘッドを備えるヘッド構造を有する。ステ
ップ１５４から始めて、ディスク駆動装置サブユニット
・アセンブリを製造する。即ち、スライダをフレキシャ
に取り付けて、ヘッド・サスペンション・アセンブリを
製造する。ステップ１５５で、ステップ１５４で製造さ
れたＨＳＡのＭＲ再生ヘッドを、上述の教示に従って個
々にまたはトレイ・レベルで、その磁気状態を設定す
る。次いで、ステップ１５６で、ＨＳＡのサスペンショ
ンを単独にまたはトレイ・レベルで消磁する。最後にス
テップ１５７で、ＨＳＡ及び他のサブユニット・アセン
ブリをディスク駆動装置に組み込む。
【００４８】本発明の最適のモード及び好ましい実施例
では、ＭＲ素子の初期設定は、ウェハ・レベルまたは列
レベルで、あるいはＨＳＡレベルに先行する各レベルで
一度行われるので、本発明の方法及び装置を「再初期設
定」の文脈で開示した。本発明は、再初期設定に限定さ
れるものではなく、事実、上に述べた方法による初期設
定を延期して、ＨＳＡレベルで行うことができることも
企図されている。したがって、本発明は、媒体駆動装置
製造のＨＳＡレベルでの薄膜磁気抵抗再生ヘッドの磁気
的初期設定にも適用できる。
では、ＭＲ素子の初期設定は、ウェハ・レベルまたは列
レベルで、あるいはＨＳＡレベルに先行する各レベルで
一度行われるので、本発明の方法及び装置を「再初期設
定」の文脈で開示した。本発明は、再初期設定に限定さ
れるものではなく、事実、上に述べた方法による初期設
定を延期して、ＨＳＡレベルで行うことができることも
企図されている。したがって、本発明は、媒体駆動装置
製造のＨＳＡレベルでの薄膜磁気抵抗再生ヘッドの磁気
的初期設定にも適用できる。
【００４９】明らかに、以上の教示に照らせば、当業者
には本発明の他の実施例及び変更例がすぐに思い付くで
あろう。したがって、本発明は、そのような実施例及び
変更例をすべて含む、頭記の特許請求の範囲によっての
み限定される。
には本発明の他の実施例及び変更例がすぐに思い付くで
あろう。したがって、本発明は、そのような実施例及び
変更例をすべて含む、頭記の特許請求の範囲によっての
み限定される。
【００５０】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００５１】（１）磁界空間と上記磁界空間内に磁界を
誘導するための手段とを備えた磁化装置を使用して、磁
気抵抗デバイスの磁気状態を設定する方法であって、単
一の基板上に、それぞれある磁気状態を有する磁気抵抗
素子を含む、複数の薄膜磁気抵抗デバイスを形成するス
テップと、上記単一の基板を切断して、上記薄膜磁気抵
抗デバイスを複数の個々の部片に分離するステップと、
上記個々の部片を媒体駆動装置のサスペンション・アセ
ンブリ上に取り付けるステップと、少なくとも１つの上
記サスペンション・アセンブリについて、上記磁化装置
によって上記磁界空間内に誘導される磁界内に上記磁気
抵抗素子が配置されるように上記サスペンション・アセ
ンブリを上記磁化装置に対して配置することにより、上
記サスペンション・アセンブリに取り付けられた磁気抵
抗デバイスにおける磁気抵抗素子の磁気状態を設定する
ステップと、を含む方法。 （２）上記磁界空間が空隙を含み、上記設定ステップ
が、上記磁気抵抗素子が上記磁化装置の上記空隙内に位
置するように上記サスペンション・アセンブリを位置決
めするステップと、次いで、上記空隙に磁界を誘導する
ステップと、を含むことを特徴とする、上記（１）に記
載の方法。 （３）上記設定ステップがさらに、磁界が誘導された後
に、上記空隙から磁界を除去するステップと、上記サス
ペンション・アセンブリを移動させて、上記磁気抵抗素
子を上記空隙から取り出すステップと、を含むことを特
徴とする、上記（２）に記載の方法。 （４）上記磁界が、上記磁気抵抗素子の初期磁化方向に
対して第１の配向を有し、さらに、上記磁気抵抗素子の
初期磁化方向にほぼ直角の磁界方向を有する徐々に弱く
なる磁界を上記サスペンション・アセンブリに印加する
ことにより、上記サスペンション・アセンブリを消磁す
るステップを含むことを特徴とする、上記（１）に記載
の方法。 （５）上記設定ステップが、複数のサスペンション・ア
センブリの複数の磁気抵抗素子に対してほぼ同時に実行
されることを特徴とする、上記（１）に記載の方法。 （６）上記設定ステップが、上記磁気抵抗素子が上記磁
界空間内に配置されるように上記サスペンション・アセ
ンブリを配置するステップと、上記磁界空間内に上記磁
界を誘導するステップと、上記磁界空間から上記磁界を
除去し、それに続いて、上記磁界空間から上記サスペン
ション・アセンブリを取り除くステップとを含むことを
特徴とする、上記（１）に記載の方法。 （７）上記設定ステップが、複数のサスペンション・ア
センブリの複数の磁気抵抗素子に対してほぼ同時に実行
されることを特徴とする、上記（６）に記載の方法。 （８）磁気抵抗デバイスの磁気状態を磁気的に設定する
ための装置であって、磁界空隙を形成する、対向する非
磁化磁極部材と、上記非磁化磁極部材に対してスライド
可能に配置され、磁界を有する磁化部材と、上記磁化部
材に連結された、上記磁化部材を上記磁極部材間で、す
なわち、上記磁極部材が磁界を上記磁化部材から上記空
隙へと導く、上記空隙側の第１の位置と、上記磁極部材
が上記磁界を上記磁化部材から上記空隙へと導かない、
上記空隙からはなれた側の第２の位置との間で、移動さ
せる手段と、磁気抵抗デバイスを上記磁化部材の動きに
調和して、上記空隙の中へまたは外へ移動させる手段と
を含む装置。 （９）上記磁化部材が永久磁石を含むことを特徴とす
る、上記（８）に記載の装置。 （１０）上記永久磁石を受け、上記永久磁石の磁界を磁
界シールドに閉じ込める磁気シールドを含む手段を、上
記第２の位置に含むことを特徴とする、上記（９）に記
載の装置。 （１１）上記移動手段が、磁気抵抗（ＭＲ）変換器を動
かす手段であることを特徴とする、上記（８）に記載の
装置。 （１２）上記磁気抵抗デバイスが磁気抵抗変換器である
ことを特徴とする、上記（８）に記載の装置。 （１３）上記磁極部材が軟磁性材料から形成されること
を特徴とする、上記（８）に記載の装置。 （１４）上記磁化部材が、４５０〜４５００ガウスの範
囲の磁界の強さを有する永久磁石であることを特徴とす
る、上記（１３）に記載の装置。 （１５）さらに、上記磁化部材を受け、上記磁化部材の
磁界を磁界シールドに閉じ込める該磁界シールドを含む
手段を、上記第２の位置に含むことを特徴とする、上記
（１４）に記載の装置。 （１６）上記磁界シールドが軟磁性材料から形成される
ことを特徴とする、上記（１５）に記載の装置。 （１７）上記移動手段が、媒体駆動装置のヘッド・サス
ペンション・アセンブリ（ＨＳＡ）を動かす手段である
ことを特徴とする、上記（１６）に記載の装置。 （１８）上記磁気抵抗デバイスが、ＨＳＡに取り付けら
れた磁気抵抗（ＭＲ）変換器であることを特徴とする、
上記（１７）に記載の装置。 （１９）上記磁化部材が永久磁石を含むことを特徴とす
る、上記（１８）に記載の装置。 （２０）磁気抵抗デバイスの磁気状態を磁気的に設定す
るための装置であって、磁化空間を形成するための第１
手段と、上記第１手段に連結された、上記磁化空間内に
磁界を生成するための第２手段と、媒体駆動装置内に磁
気抵抗デバイスを取り付けるためのサスペンション手段
と、上記磁界が上記磁気抵抗デバイス内の所定の磁化方
向にほぼ平行となるように、上記磁化空間内で、上記サ
スペンション手段に取り付けられた上記磁気抵抗デバイ
スを配向させるために、上記サスペンション手段を上記
第１手段に対して位置決めする手段と、を含む装置。 （２１）さらに、初期磁化方向にほぼ直角な磁界方向を
有する徐々に弱くなる磁界を上記サスペンション手段に
印加することにより、上記サスペンション手段を消磁す
るステップを含むことを特徴とする、上記（２０）に記
載の装置。 （２２）上記磁界が、４５０〜４５００ガウスの範囲の
磁界の強さを有することを特徴とする、上記（２０）に
記載の装置。 （２３）上記磁気抵抗デバイスが、１つまたは複数の硬
バイアス素子を有し、上記磁界が、該硬バイアス素子の
最大保磁磁界よりも大きな磁界の強さを有することを特
徴とする、上記（２０）に記載の装置。 （２４）上記第１手段が上記磁化空間を形成する空隙を
形成する対向する磁極部材を有し、さらに、上記空隙内
に上記磁界を誘導するために上記磁界を上記磁極部材に
結合する手段を含むことを特徴とする、上記（２０）に
記載の装置。 （２５）磁気抵抗デバイスを取り付けた、媒体駆動装置
のサスペンション・アセンブリを消磁するための装置で
あって、上記媒体駆動装置のサスペンション・アセンブ
リを受ける第１手段と、空隙を形成する消磁磁極部材
と、上記媒体駆動装置のサスペンション・アセンブリが
上記空隙内に配置されるように、上記第１手段を磁極片
に対して位置決めする第２手段と、消磁手段に連結され
た、上記空隙内に消磁磁界を誘導する手段とを含む装
置。
誘導するための手段とを備えた磁化装置を使用して、磁
気抵抗デバイスの磁気状態を設定する方法であって、単
一の基板上に、それぞれある磁気状態を有する磁気抵抗
素子を含む、複数の薄膜磁気抵抗デバイスを形成するス
テップと、上記単一の基板を切断して、上記薄膜磁気抵
抗デバイスを複数の個々の部片に分離するステップと、
上記個々の部片を媒体駆動装置のサスペンション・アセ
ンブリ上に取り付けるステップと、少なくとも１つの上
記サスペンション・アセンブリについて、上記磁化装置
によって上記磁界空間内に誘導される磁界内に上記磁気
抵抗素子が配置されるように上記サスペンション・アセ
ンブリを上記磁化装置に対して配置することにより、上
記サスペンション・アセンブリに取り付けられた磁気抵
抗デバイスにおける磁気抵抗素子の磁気状態を設定する
ステップと、を含む方法。 （２）上記磁界空間が空隙を含み、上記設定ステップ
が、上記磁気抵抗素子が上記磁化装置の上記空隙内に位
置するように上記サスペンション・アセンブリを位置決
めするステップと、次いで、上記空隙に磁界を誘導する
ステップと、を含むことを特徴とする、上記（１）に記
載の方法。 （３）上記設定ステップがさらに、磁界が誘導された後
に、上記空隙から磁界を除去するステップと、上記サス
ペンション・アセンブリを移動させて、上記磁気抵抗素
子を上記空隙から取り出すステップと、を含むことを特
徴とする、上記（２）に記載の方法。 （４）上記磁界が、上記磁気抵抗素子の初期磁化方向に
対して第１の配向を有し、さらに、上記磁気抵抗素子の
初期磁化方向にほぼ直角の磁界方向を有する徐々に弱く
なる磁界を上記サスペンション・アセンブリに印加する
ことにより、上記サスペンション・アセンブリを消磁す
るステップを含むことを特徴とする、上記（１）に記載
の方法。 （５）上記設定ステップが、複数のサスペンション・ア
センブリの複数の磁気抵抗素子に対してほぼ同時に実行
されることを特徴とする、上記（１）に記載の方法。 （６）上記設定ステップが、上記磁気抵抗素子が上記磁
界空間内に配置されるように上記サスペンション・アセ
ンブリを配置するステップと、上記磁界空間内に上記磁
界を誘導するステップと、上記磁界空間から上記磁界を
除去し、それに続いて、上記磁界空間から上記サスペン
ション・アセンブリを取り除くステップとを含むことを
特徴とする、上記（１）に記載の方法。 （７）上記設定ステップが、複数のサスペンション・ア
センブリの複数の磁気抵抗素子に対してほぼ同時に実行
されることを特徴とする、上記（６）に記載の方法。 （８）磁気抵抗デバイスの磁気状態を磁気的に設定する
ための装置であって、磁界空隙を形成する、対向する非
磁化磁極部材と、上記非磁化磁極部材に対してスライド
可能に配置され、磁界を有する磁化部材と、上記磁化部
材に連結された、上記磁化部材を上記磁極部材間で、す
なわち、上記磁極部材が磁界を上記磁化部材から上記空
隙へと導く、上記空隙側の第１の位置と、上記磁極部材
が上記磁界を上記磁化部材から上記空隙へと導かない、
上記空隙からはなれた側の第２の位置との間で、移動さ
せる手段と、磁気抵抗デバイスを上記磁化部材の動きに
調和して、上記空隙の中へまたは外へ移動させる手段と
を含む装置。 （９）上記磁化部材が永久磁石を含むことを特徴とす
る、上記（８）に記載の装置。 （１０）上記永久磁石を受け、上記永久磁石の磁界を磁
界シールドに閉じ込める磁気シールドを含む手段を、上
記第２の位置に含むことを特徴とする、上記（９）に記
載の装置。 （１１）上記移動手段が、磁気抵抗（ＭＲ）変換器を動
かす手段であることを特徴とする、上記（８）に記載の
装置。 （１２）上記磁気抵抗デバイスが磁気抵抗変換器である
ことを特徴とする、上記（８）に記載の装置。 （１３）上記磁極部材が軟磁性材料から形成されること
を特徴とする、上記（８）に記載の装置。 （１４）上記磁化部材が、４５０〜４５００ガウスの範
囲の磁界の強さを有する永久磁石であることを特徴とす
る、上記（１３）に記載の装置。 （１５）さらに、上記磁化部材を受け、上記磁化部材の
磁界を磁界シールドに閉じ込める該磁界シールドを含む
手段を、上記第２の位置に含むことを特徴とする、上記
（１４）に記載の装置。 （１６）上記磁界シールドが軟磁性材料から形成される
ことを特徴とする、上記（１５）に記載の装置。 （１７）上記移動手段が、媒体駆動装置のヘッド・サス
ペンション・アセンブリ（ＨＳＡ）を動かす手段である
ことを特徴とする、上記（１６）に記載の装置。 （１８）上記磁気抵抗デバイスが、ＨＳＡに取り付けら
れた磁気抵抗（ＭＲ）変換器であることを特徴とする、
上記（１７）に記載の装置。 （１９）上記磁化部材が永久磁石を含むことを特徴とす
る、上記（１８）に記載の装置。 （２０）磁気抵抗デバイスの磁気状態を磁気的に設定す
るための装置であって、磁化空間を形成するための第１
手段と、上記第１手段に連結された、上記磁化空間内に
磁界を生成するための第２手段と、媒体駆動装置内に磁
気抵抗デバイスを取り付けるためのサスペンション手段
と、上記磁界が上記磁気抵抗デバイス内の所定の磁化方
向にほぼ平行となるように、上記磁化空間内で、上記サ
スペンション手段に取り付けられた上記磁気抵抗デバイ
スを配向させるために、上記サスペンション手段を上記
第１手段に対して位置決めする手段と、を含む装置。 （２１）さらに、初期磁化方向にほぼ直角な磁界方向を
有する徐々に弱くなる磁界を上記サスペンション手段に
印加することにより、上記サスペンション手段を消磁す
るステップを含むことを特徴とする、上記（２０）に記
載の装置。 （２２）上記磁界が、４５０〜４５００ガウスの範囲の
磁界の強さを有することを特徴とする、上記（２０）に
記載の装置。 （２３）上記磁気抵抗デバイスが、１つまたは複数の硬
バイアス素子を有し、上記磁界が、該硬バイアス素子の
最大保磁磁界よりも大きな磁界の強さを有することを特
徴とする、上記（２０）に記載の装置。 （２４）上記第１手段が上記磁化空間を形成する空隙を
形成する対向する磁極部材を有し、さらに、上記空隙内
に上記磁界を誘導するために上記磁界を上記磁極部材に
結合する手段を含むことを特徴とする、上記（２０）に
記載の装置。 （２５）磁気抵抗デバイスを取り付けた、媒体駆動装置
のサスペンション・アセンブリを消磁するための装置で
あって、上記媒体駆動装置のサスペンション・アセンブ
リを受ける第１手段と、空隙を形成する消磁磁極部材
と、上記媒体駆動装置のサスペンション・アセンブリが
上記空隙内に配置されるように、上記第１手段を磁極片
に対して位置決めする第２手段と、消磁手段に連結され
た、上記空隙内に消磁磁界を誘導する手段とを含む装
置。
【００５２】
【発明の効果】本発明の装置、及び方法によって、ヘッ
ド・サスペンション・アセンブリに組み込んだ後に磁気
抵抗素子部分を再初期設定することにより、磁気抵抗部
分の磁気状態が再び最適化され、多数の均質な薄膜磁気
抵抗再生ヘッドが得られる。
ド・サスペンション・アセンブリに組み込んだ後に磁気
抵抗素子部分を再初期設定することにより、磁気抵抗部
分の磁気状態が再び最適化され、多数の均質な薄膜磁気
抵抗再生ヘッドが得られる。
【図１】磁気記録媒体から情報を読み取るための磁気抵
抗（ＭＲ）素子を含む回路の概略図。
抗（ＭＲ）素子を含む回路の概略図。
【図２】ディスク駆動装置用のヘッド・サスペンション
・アセンブリ（ＨＳＡ）の後端部の、ＭＲ再生ヘッドを
有するスライダが取り付けられる部分を示す等角投影
図。
・アセンブリ（ＨＳＡ）の後端部の、ＭＲ再生ヘッドを
有するスライダが取り付けられる部分を示す等角投影
図。
【図３】図２に示したＭＲ変換器部分の拡大概略図。
【図４】ＭＲ再生ヘッドを含むＨＳＡへの初期設定磁界
及び消磁磁界の印加を示す図。
及び消磁磁界の印加を示す図。
【図５】本発明によるＨＳＡに取り付けられたＭＲ再生
ヘッドの磁気状態の再初期設定を示す平面図。
ヘッドの磁気状態の再初期設定を示す平面図。
【図６】初期設定磁界とＨＳＡに取り付けられたＭＲ再
生ヘッドとの間の相対的な動きを示す図。
生ヘッドとの間の相対的な動きを示す図。
【図７】初期設定磁界とＨＳＡに取り付けられたＭＲ再
生ヘッドとの間の相対的な動きを示す図。
生ヘッドとの間の相対的な動きを示す図。
【図８】本発明による初期設定磁界を印加するための装
置を示す側面図。
置を示す側面図。
【図９】本発明による初期設定磁界を印加するための装
置の斜視図。
置の斜視図。
【図１０】初期設定磁界を印加するための装置と、ＨＳ
Ａに取り付けられたＭＲ再生ヘッドとの初期状態を示す
図。
Ａに取り付けられたＭＲ再生ヘッドとの初期状態を示す
図。
【図１１】初期設定磁界を印加するために、装置の所定
の位置にＭＲヘッドを置いた過程を示す図。
の位置にＭＲヘッドを置いた過程を示す図。
【図１２】装置の磁石を移動させて、ＭＲヘッドに初期
設定磁界を印加している過程を示す図。
設定磁界を印加している過程を示す図。
【図１３】ＭＲヘッドに初期設定磁界を印加した後、装
置の磁石を再び移動させて空隙内の磁界をゼロにする過
程を示す図。
置の磁石を再び移動させて空隙内の磁界をゼロにする過
程を示す図。
【図１４】初期設定磁界が印加されたＭＲヘッドを装置
から離す過程を示す図。
から離す過程を示す図。
【図１５】複数のＨＳＡを保持するためのトレイを示す
上面斜視図。
上面斜視図。
【図１６】本発明による多数同時再初期設定を実施する
ための第１の製造装置を示す図。
ための第１の製造装置を示す図。
【図１７】本発明による多数同時再初期設定を実施する
ための第１の製造装置を示す図。
ための第１の製造装置を示す図。
【図１８】隣接する再初期設定セルの間の磁界漏れの抑
制を示す概略図。
制を示す概略図。
【図１９】本発明による多数同時再初期設定を実施する
ための第２の製造装置を示す図。
ための第２の製造装置を示す図。
【図２０】本発明による多数同時再初期設定を実施する
ための第２の製造装置を示す図。
ための第２の製造装置を示す図。
【図２１】ＨＳＡの製造時に、複数のＨＳＡに対して多
数同時再初期設定を実施するための２つの磁気回路を示
す概略図。
数同時再初期設定を実施するための２つの磁気回路を示
す概略図。
【図２２】本発明による再初期設定を実施するための代
替装置の一例を示す概略図。
替装置の一例を示す概略図。
【図２３】本発明による再初期設定を実施するための代
替装置のさらに他の一例を示す概略図。
替装置のさらに他の一例を示す概略図。
【図２４】再初期設定の後、ＨＳＡのサスペンションの
多数同時消磁を実施するための製造装置の斜視図。
多数同時消磁を実施するための製造装置の斜視図。
【図２５】ＭＲ再生ヘッドの磁気再初期設定ステップを
含むディスク駆動装置製造方法の流れ図。
含むディスク駆動装置製造方法の流れ図。
１０ ＭＲストライプ １２ 磁気記録媒体 １４ リード線 １５ リード線 ２０ ＨＳＡ（ヘッド・サスペンション・アセンブリ） ２１ スライダ ２４ ＭＲ再生ヘッド ２５ ＭＲ変換器 ２６ ＭＲストライプ ２７ 硬バイアス磁石 ２８ 初期磁化方向 ２９ 硬バイアス磁石 ３０ 消磁コイル ６０ 磁石 ６１ 磁極片 ６２ 磁極片ハウジング ６３ 磁気シールド ６４ 磁石リンク ６５ 空隙 ６６ ＨＳＡ（ヘッド・サスペンション・アセンブリ） ６７ ＨＳＡ後端部 ７０ セル ８０ トレイ ８１ ＨＳＡ（ヘッド・サスペンション・アセンブリ） ８２ 水平支持部材 ８３ 垂直横架部材 ８４ 外周部材 ９０ トレイ・レベルの装置 ９１ セル ９２ 平板 ９３ 凹部（くぼみ） ９４ マルチ・ストローク駆動装置 ９７ トレイ ９８ 下部リップ １１０ トレイ・レベルの装置 １１１ａ 新指状部材 １１１ｂ 軸支延長部材 １１２ セル列 １１３ 張り出し部材 １１５ セル １１６ シールド １１７ トレイ支持フレーム １１８ 軸 １１９ トレイ １２０ 回路 １２１ 磁石 １２２ 磁石 １２３ 戻り回路 １４０ 基部 １４１ 第１外部磁極 １４２ 第２外部磁極 １４３ 中央磁極 １４５ コイル １４６ リード線 １４７ リード線 １４８ トレイ １４９ 支持体
フロントページの続き (72)発明者 ニコラス・クリストファー・アプッツォ アメリカ合衆国55904 ミネソタ州ロチ ェスター、ローガン・ストリート・サウ ス・イースト 5362 (72)発明者 ジェフリー・バーナード・ブラウン アメリカ合衆国55901 ミネソタ州ロチ ェスター、エイティーンス・アベニュ ー・ノース・ウェスト 2416 (72)発明者 アール・アルバート・カニンガム アメリカ合衆国55901 ミネソタ州ロチ ェスター、サーティーンス・アベニュ ー・ノース・ウェスト 2429 (72)発明者 デービッド・マルコム・ハノン アメリカ合衆国94301 カリフォルニア 州パロ・アルト、ウェブスター・ストリ ート 1342 (72)発明者 レイモンド・パトリック・マレット アメリカ合衆国05482 バーモント州シ ェルバーン、ファームステッド・ドライ ブ 13 (72)発明者 ポウル・シェルダン・テイラー アメリカ合衆国55901 ミネソタ州ロチ ェスター、トゥエンティナインス・スト リート・ノース・ウェスト 531 (72)発明者 スティーブン・ハリー・ヴォス アメリカ合衆国55906 ミネソタ州ロチ ェスター、セブンティフィフス・ストリ ート・ノース・イースト 2841 (72)発明者 アルバート・ジョン・ワラシュ アメリカ合衆国95037 カリフォルニア 州モーガン・ヒル、ベレイア・コート 685
Claims (25)
- 【請求項１】磁界空間と上記磁界空間内に磁界を誘導す
るための手段とを備えた磁化装置を使用して、磁気抵抗
デバイスの磁気状態を設定する方法であって、 単一の基板上に、それぞれある磁気状態を有する磁気抵
抗素子を含む、複数の薄膜磁気抵抗デバイスを形成する
ステップと、 上記単一の基板を切断して、上記複数の薄膜磁気抵抗デ
バイスを個々の磁気抵抗デバイスに分離するステップ
と、 上記個々の磁気抵抗デバイスを媒体駆動装置のサスペン
ション・アセンブリ上に取り付けるステップと、 少なくとも１つの上記サスペンション・アセンブリにつ
いて、上記磁化装置によって上記磁界空間内に誘導され
る磁界内に上記磁気抵抗素子が配置されるように上記サ
スペンション・アセンブリを上記磁化装置に対して配置
することにより、上記サスペンション・アセンブリに取
り付けられた磁気抵抗デバイスにおける磁気抵抗素子の
磁気状態を設定するステップと、 を含む方法。 - 【請求項２】上記磁界空間が空隙を含み、上記設定ステ
ップが、 上記磁気抵抗素子が上記磁化装置の上記空隙内に位置す
るように上記サスペンション・アセンブリを位置決めす
るステップと、次いで、 上記空隙に磁界を誘導するステップと、 を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】上記設定ステップがさらに、磁界が誘導さ
れた後に、 上記空隙から磁界を除去するステップと、 上記サスペンション・アセンブリを移動させて、上記磁
気抵抗素子を上記空隙から取り出すステップと、 を含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】上記磁界が、上記磁気抵抗素子の初期磁化
方向に対して第１の配向を有し、 さらに、上記磁気抵抗素子の初期磁化方向にほぼ直角の
磁界方向を有する徐々に弱くなる磁界を上記サスペンシ
ョン・アセンブリに印加することにより、上記サスペン
ション・アセンブリを消磁するステップを含むことを特
徴とする、請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】上記設定ステップが、複数のサスペンショ
ン・アセンブリの複数の磁気抵抗素子に対してほぼ同時
に実行されることを特徴とする、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項６】上記設定ステップが、 上記磁気抵抗素子が上記磁界空間内に配置されるように
上記サスペンション・アセンブリを配置するステップ
と、 上記磁界空間内に上記磁界を誘導するステップと、 上記磁界空間から上記磁界を除去し、それに続いて、上
記磁界空間から上記サスペンション・アセンブリを取り
除くステップとを含むことを特徴とする、請求項１に記
載の方法。 - 【請求項７】上記設定ステップが、複数のサスペンショ
ン・アセンブリの複数の磁気抵抗素子に対してほぼ同時
に実行されることを特徴とする、請求項６に記載の方
法。 - 【請求項８】磁気抵抗デバイスの磁気状態を磁気的に設
定するための装置であって、 磁界空隙を形成する、対向する非磁化磁極部材と、 上記非磁化磁極部材に対してスライド可能に配置され、
磁界を有する磁化部材と、 上記磁化部材に連結された、上記磁化部材を上記磁極部
材間で、すなわち、上記磁極部材が磁界を上記磁化部材
から上記空隙へと導く、上記空隙側の第１の位置と、上
記磁極部材が上記磁界を上記磁化部材から上記空隙へと
導かない、上記空隙からはなれた側の第２の位置との間
で、移動させる手段と、 磁気抵抗デバイスを上記磁化部材の動きに調和して、上
記空隙の中へまたは外へ移動させる手段とを含む装置。 - 【請求項９】上記磁化部材が永久磁石を含むことを特徴
とする、請求項８に記載の装置。 - 【請求項１０】上記永久磁石を受け、上記永久磁石の磁
界を磁界シールドに閉じ込める磁気シールドを含む手段
を、上記第２の位置に含むことを特徴とする、請求項９
に記載の装置。 - 【請求項１１】上記移動手段が、磁気抵抗（ＭＲ）変換
器を動かす手段であることを特徴とする、請求項８に記
載の装置。 - 【請求項１２】上記磁気抵抗デバイスが磁気抵抗変換器
であることを特徴とする、請求項８に記載の装置。 - 【請求項１３】上記磁極部材が軟磁性材料から形成され
ることを特徴とする、請求項８に記載の装置。 - 【請求項１４】上記磁化部材が、４５０〜４５００ガウ
スの範囲の磁界の強さを有する永久磁石であることを特
徴とする、請求項１３に記載の装置。 - 【請求項１５】さらに、上記磁化部材を受け、上記磁化
部材の磁界を磁界シールドに閉じ込める該磁界シールド
を含む手段を、上記第２の位置に含むことを特徴とす
る、請求項１４に記載の装置。 - 【請求項１６】上記磁界シールドが軟磁性材料から形成
されることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。 - 【請求項１７】上記移動手段が、媒体駆動装置のヘッド
・サスペンション・アセンブリ（ＨＳＡ）を動かす手段
であることを特徴とする、請求項１６に記載の装置。 - 【請求項１８】上記磁気抵抗デバイスが、ＨＳＡに取り
付けられた磁気抵抗（ＭＲ）変換器であることを特徴と
する、請求項１７に記載の装置。 - 【請求項１９】上記磁化部材が永久磁石を含むことを特
徴とする、請求項１８に記載の装置。 - 【請求項２０】磁気抵抗デバイスの磁気状態を磁気的に
設定するための装置であって、 磁化空間を形成するための第１手段と、 上記第１手段に連結された、上記磁化空間内に磁界を生
成するための第２手段と、 媒体駆動装置内に磁気抵抗デバイスを取り付けるための
サスペンション手段と、 上記磁界が上記磁気抵抗デバイス内の所定の磁化方向に
ほぼ平行となるように、上記磁化空間内で、上記サスペ
ンション手段に取り付けられた上記磁気抵抗デバイスを
配向させるために、上記サスペンション手段を上記第１
手段に対して位置決めする手段と、 を含む装置。 - 【請求項２１】さらに、初期磁化方向にほぼ直角な磁界
方向を有する徐々に弱くなる磁界を上記サスペンション
手段に印加することにより、上記サスペンション手段を
消磁するステップを含むことを特徴とする、請求項２０
に記載の装置。 - 【請求項２２】上記磁界が、４５０〜４５００ガウスの
範囲の磁界の強さを有することを特徴とする、請求項２
０に記載の装置。 - 【請求項２３】上記磁気抵抗デバイスが、１つまたは複
数の硬バイアス素子を有し、上記磁界が、該硬バイアス
素子の最大保磁磁界よりも大きな磁界の強さを有するこ
とを特徴とする、請求項２０に記載の装置。 - 【請求項２４】上記第１手段が上記磁化空間を形成する
空隙を形成する対向する磁極部材を有し、 さらに、上記空隙内に上記磁界を誘導するために上記磁
界を上記磁極部材に結合する手段を含むことを特徴とす
る、請求項２０に記載の装置。 - 【請求項２５】磁気抵抗デバイスを取り付けた、媒体駆
動装置のサスペンション・アセンブリを消磁するための
装置であって、 上記媒体駆動装置のサスペンション・アセンブリを受け
る第１手段と、 空隙を形成する消磁磁極部材と、 上記媒体駆動装置のサスペンション・アセンブリが上記
空隙内に配置されるように、上記第１手段を磁極片に対
して位置決めする第２手段と、 消磁手段に連結された、上記空隙内に消磁磁界を誘導す
る手段とを含む装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12929393A | 1993-09-29 | 1993-09-29 | |
| US129293 | 1993-09-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07110923A JPH07110923A (ja) | 1995-04-25 |
| JP2656733B2 true JP2656733B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=22439322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6193242A Expired - Fee Related JP2656733B2 (ja) | 1993-09-29 | 1994-08-17 | 薄膜磁気抵抗再生ヘッドの磁気的再初期設定方法及びその装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5783981A (ja) |
| EP (1) | EP0645760A3 (ja) |
| JP (1) | JP2656733B2 (ja) |
| SG (2) | SG85656A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6118622A (en) | 1997-05-13 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Technique for robust resetting of spin valve head |
| US6324029B1 (en) | 1998-06-29 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Method and system for GMR sensor reset pulse application |
| US6135958A (en) * | 1998-08-06 | 2000-10-24 | Acuson Corporation | Ultrasound imaging system with touch-pad pointing device |
| US6728055B1 (en) | 2000-03-21 | 2004-04-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for performing spin valve combined pinned layer reset and hard bias initialization at the HGA level |
| US6988308B2 (en) * | 2002-01-18 | 2006-01-24 | International Business Machines Corporation | Method of initializing hard bias of a magnetic read head |
| US7474510B1 (en) * | 2004-01-08 | 2009-01-06 | Seagate Technology Llc | Disk drive head reset for parked head using closely spaced magnet |
| US7138797B2 (en) * | 2004-09-30 | 2006-11-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Reverse magnetic reset to screen for weakly pinned heads |
| US8226795B2 (en) * | 2009-02-03 | 2012-07-24 | Nordson Corporation | Magnetic clips and substrate holders for use in a plasma processing system |
| JP5275840B2 (ja) * | 2009-02-10 | 2013-08-28 | Ｎｔｎ株式会社 | 磁気エンコーダ等の多極磁化環状体の着磁方法および着磁装置 |
| CN102467917A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-05-23 | 新科实业有限公司 | 工艺托盘、运送工具及使用其制造磁盘悬臂组合的方法 |
| US9543067B2 (en) * | 2013-12-20 | 2017-01-10 | Nxp Usa, Inc. | Magnetic pre-conditioning of magnetic sensors |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2834938A (en) * | 1953-04-14 | 1958-05-13 | Bosch Arma Corp | Method and apparatus for measuring thickness |
| US3021230A (en) * | 1959-04-17 | 1962-02-13 | Eastman Kodak Co | Apparatus and method for magnetically orienting particles |
| US3032363A (en) * | 1959-12-24 | 1962-05-01 | Railway Automation Maintenance | Magnetic tie plate lifter |
| US3164756A (en) * | 1962-05-16 | 1965-01-05 | Nix Steingroeve Elektro Physik | Adjustable permanent magnet |
| US3477050A (en) * | 1968-02-13 | 1969-11-04 | Wehr Corp | Latch assembly for material handling magnet |
| DE2440920A1 (de) * | 1974-08-27 | 1976-03-11 | Basf Ag | Anordnung zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungstraegers mit magnetischer vorzugsrichtung |
| JPS5840265B2 (ja) * | 1976-01-21 | 1983-09-05 | 日本電気株式会社 | 磁気デイスク収容体 |
| US4187521A (en) * | 1978-05-04 | 1980-02-05 | Basf Aktiengesellschaft | DC erase head |
| US4224649A (en) * | 1978-05-10 | 1980-09-23 | Robins Industries Corp. | Automatic cassette head demagnetizer |
| JPS5613513A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head and its manufacture |
| JPS5942625A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-09 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘツドの検査方法 |
| JPS62279509A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-04 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| US4800353A (en) * | 1986-10-30 | 1989-01-24 | The State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The University Of Oregon | Micropole undulator |
| JPH01201816A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド用トランスデューサの検査方法及び検査装置 |
| JPH01211314A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| JPH01229414A (ja) * | 1988-03-08 | 1989-09-13 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 薄膜磁気ヘッド検査装置 |
| JPH01300414A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-04 | Hitachi Ltd | 薄膜ヘッドの検査装置 |
| US4939837A (en) * | 1988-09-01 | 1990-07-10 | International Business Machines Corporation | Batch fabrication process for magnetic heads |
| US4987508A (en) * | 1988-12-23 | 1991-01-22 | Eastman Kodak Company | Permanent magnet shaped to provide uniform biasing of a magnetoresistive reproduce head |
| US5264980A (en) * | 1989-08-02 | 1993-11-23 | Seagate Technology, Inc. | Magnetoresistive head and head setting method |
| US5003276A (en) * | 1989-08-11 | 1991-03-26 | General Atomics | Method of site shimming on permanent magnets |
| US5220474A (en) * | 1992-02-05 | 1993-06-15 | Show Electric Co., Ltd. | Demagnetizer for magnetic heads of floppy disc drive |
| US5210493A (en) * | 1992-02-27 | 1993-05-11 | General Motors Corporation | Method for embedding wires within a powder metal core and sensor assembly produced by such a method |
| EP0572067B1 (en) * | 1992-05-26 | 1997-12-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | System for recording and/or reproducing signals, and reset cassette suitable for use in the system |
-
1994
- 1994-08-17 JP JP6193242A patent/JP2656733B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-06 SG SG9903463A patent/SG85656A1/en unknown
- 1994-09-06 SG SG1996000024A patent/SG44377A1/en unknown
- 1994-09-06 EP EP94480077A patent/EP0645760A3/en not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-06-05 US US08/462,348 patent/US5783981A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-05 US US08/463,391 patent/US5617289A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-06 US US08/471,505 patent/US5664319A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG85656A1 (en) | 2002-01-15 |
| JPH07110923A (ja) | 1995-04-25 |
| EP0645760A3 (en) | 1996-07-24 |
| US5617289A (en) | 1997-04-01 |
| SG44377A1 (en) | 1997-12-19 |
| EP0645760A2 (en) | 1995-03-29 |
| US5783981A (en) | 1998-07-21 |
| US5664319A (en) | 1997-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9076463B2 (en) | Magnetic recording head and disk device with the same | |
| US6785092B2 (en) | White head for high anisotropy media | |
| CN105206286B (zh) | 磁盘装置 | |
| US5875080A (en) | Write head with second coil above pole having coil density less electrically connected first coil below the pole | |
| JP4333018B2 (ja) | 磁気記録媒体の磁気記録制御方法、および、磁気記録制御装置 | |
| JP2656733B2 (ja) | 薄膜磁気抵抗再生ヘッドの磁気的再初期設定方法及びその装置 | |
| US7724490B2 (en) | Magnetic disk degaussing device and degaussing method | |
| US8164852B2 (en) | Magnetic head having shield and recording apparatus employing the same | |
| CN105788613A (zh) | 用于微波辅助的磁记录的设有低驱动电压的自旋转矩振荡器的磁头 | |
| US6714398B2 (en) | Bulk degausser with fixed arrays of magnetic poles configured for thick and small form factor, high coercivity media | |
| US7468852B2 (en) | Method of demagnetizing magnetic recording medium and apparatus for carrying out same | |
| CN101814292B (zh) | 以磁进动来快速切换垂直写入极磁化的垂直磁记录系统 | |
| US5317340A (en) | Method and device for erasing and writing on magnetic recording media suitable for direct viewing | |
| JP2001209935A (ja) | 磁気記録媒体への記録方法 | |
| EP1335354A2 (en) | Method of magnetic transfer | |
| US20100149678A1 (en) | Method of manufacturing a hard-disk drive using a bulk eraser | |
| JP2007242140A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気ディスク装置 | |
| JP4327372B2 (ja) | 磁気テープの消磁装置 | |
| JPH0922509A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JPS62262212A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2002230712A (ja) | 磁気転写ヘッド、および、磁気転写方法 | |
| JP2863543B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH08315311A (ja) | 磁気記録ヘッド | |
| JPS6020237Y2 (ja) | 磁気バブルドメイン転送装置 | |
| JPH01279407A (ja) | 薄膜磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |