JP5528802B2 - 緻密質炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法 - Google Patents
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- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 title claims description 251
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 251
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 146
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 94
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 94
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 94
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 78
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 77
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 66
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 50
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 44
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N [B].[C] Chemical compound [B].[C] PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 57
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 description 12
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
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Description
本発明の別の実施形態は、相対密度が89%以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスであって、炭化ホウ素の含有量が98.5質量%以上、アルミニウムの含有量が、0.03質量%以上1.0質量%以下、かつ、シリコンの含有量が、0.1質量%以上0.35質量%以下であることを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックスである。
【0013】
まず、炭化ホウ素原料として、平均粒径がそれぞれ異なる市販の炭化ホウ素含有量98.5の炭化ホウ素粉末原料を用意した。各原料の平均粒径は、A:0.15μm、B:0.2μm、C:0.8μm、D:1.6μm、E:2.0μm、F:3.0μmである。次に、これらの炭化ホウ素粉末原料を用い、成形圧300MPa、常温下で加圧成形を行ってそれぞれ炭化ホウ素成形体を得た。得られた各成形体を黒鉛のルツボ(内容積628cm3)中に入れ、該成形体と接触しないようにしてルツボ中にシリコン系のガス状物質を発生させる目的で、金属シリコンを10g(計算濃度0.016g/cm3)配置した。次に、この状態のアルゴンガス雰囲気中で、2,200℃、2時間にて焼成を行って炭化ホウ素セラミックスA〜Fを得た。
先に行った炭化ホウ素原料の粒度についての検討の結果、最も緻密化した炭化ホウ素セラミックスCが得られた高純度炭化ホウ素粉末C(平均粒径0.8μm)を用意した。そして、この炭化ホウ素粉末原料を用い、常温下、成形圧をそれぞれ、10MPa、20MPa、50MPa、200MPa、500MPa、2,000MPa及び3,000MPaとして、同様の形状の炭化ホウ素成形体の成形を行った。次に、それぞれの加圧条件で得られた各炭化ホウ素成形体を、成形体と接触しないようにして金属アルミニウム粉末と金属シリコン粉末を炉内に配置し、アルミニウム系ガス物質とシリコン系ガス物質とを付加したアルゴンガス雰囲気中で、で2,150℃の温度を4時間保持して焼成を行って炭化ホウ素セラミックスG〜Mをそれぞれ得た。
炭化ホウ素含有量がそれぞれ異なる市販の粉末を、直径25mmの金型に充填し、100MPaの加圧により炭化ホウ素成形体を作製した。使用した炭化ホウ素粉末は、いずれも平均粒径が0.8μmのものである。セラミックス中の炭化ホウ素の含有量はX線回折法により結晶層を同定し、定量法によって決定した。得られた炭化ホウ素成形体を、炭化ホウ素成形体と接触しないようにして金属アルミニウムを炉内に配置し、アルゴンガス雰囲気中で、で2,150℃の温度を4時間保持して焼成して、炭化ホウ素セラミックスN〜Rを得た。得られた各炭化ホウ素セラミックスについて、セラミックス中のアルミニウムの含有量を測定したところ、いずれも0.09質量%であった。また、各炭化ホウ素セラミックスの密度について、JIS−R1634に準拠して測定し、相対密度を求めた結果を表3に示した。その結果、純度の高いものを使用した方が相対密度の高い、より緻密な炭化ホウ素セラミックスとなることが確認された。特に、炭化ホウ素含有量が96.0質量%よりも高い炭化ホウ素粉末原料を用いることが好ましく、より好ましくは98.0〜99.5質量%、工業性を考慮した場合には、98.0〜99.0質量%の炭化ホウ素粉末原料を用いるとよいことを確認した。
先に述べた炭化ホウ素原料についての検討結果から、最も緻密化したセラミックスを得ることができた高純度炭化ホウ素粉末C(平均粒径0.8μm)を用意し、該粉末を成形圧100MPaで加圧成形を行って炭化ホウ素成形体を得た。得られた成形体を2個の黒鉛のルツボ中にそれぞれ入れ、該成形体と接触しないようにしてルツボ中にシリコン系ガス状物質を発生させる目的で金属シリコンをそれぞれ10g、15g配置した。このときのシリコン系ガス状物質の計算濃度は、それぞれ、0.0159g/cm3、0.023g/cm3である。この状態のアルゴンガス雰囲気中で、2,220℃、4時間の条件で、上記の炭化ホウ素成形体を焼成してそれぞれ炭化ホウ素セラミックスを得た。
(実施品1〜8と比較品1及び2)
市販の炭化ホウ素粉末(H.S.Starck社製)を、直径25mmの金型に充填し、100MPaで加圧して成形体を作製した。使用した炭化ホウ素粉末は、平均粒径が0.8μmの、炭化ホウ素含有量99%(酸素含有量1.2%、窒素含有量0.2%を除く)のものである。こうして得られた成形体を、焼成条件を表4に示したようにそれぞれ変えて焼成し、本発明の実施品1〜8と、比較品1及び2を得た。
良好:収縮に伴う表面のザラツキ感が認められる程度
ほぼ良好:収縮に伴う表面のザラツキ感とともに、表面にわずかな凹凸が認められる程度
表面発泡あり:表面に内部からの発泡により隆起したと思われる凹凸が認められる
不良:表面の凹凸が巨大化し、一部溶融した箇所が認められる
最後に、炭化ホウ素成形体の粉末原料中に添加物を含有させた場合の、炭化ホウ素の緻密化への影響について検討した。
先の検討で、最も緻密化したセラミックスを得ることができた市販の平均粒径0.8μmの高純度炭化ホウ素粉末Cを用意した。そして、該粉末に、炭化ケイ素換算でシリコンを0.02質量%〜1.0質量%の範囲で段階的に添加して、エタノール中で湿式混合して原料粉末を作製した。次に、得られた各混合粉末を用いて、該粉末を成形圧100MPa、常温下で加圧成形を行ってそれぞれ成形体を得た。そして、得られた各成形体と接触しないようにしてルツボ中に金属アルミニウムを配置し、この状態のアルゴンガス雰囲気中で、2,250℃、4時間で焼成を行って炭化ホウ素セラミックスを得た。
Claims (7)
- 焼成助剤を原料中に添加することなく、炭化ホウ素粉末原料を加圧成形してなる炭化ホウ素成形体を、加圧せずに常圧で焼成してなる相対密度が95%以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスであって、炭化ホウ素の含有量が98.5質量%以上、アルミニウムの含有量が、0.03質量%以上1.0質量%以下であることを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックス。
- 焼成助剤を原料中に添加することなく、炭化ホウ素粉末原料を加圧成形してなる炭化ホウ素成形体を、加圧せずに常圧で焼成してなる相対密度が95%以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスであって、炭化ホウ素の含有量が98.5質量%以上、アルミニウムの含有量が、0.03質量%以上1.0質量%以下、かつ、シリコンの含有量が、0.1質量%以上0.35質量%以下であることを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックス。
- 炭化ホウ素の含有量が98.5質量%以上で、その相対密度が89%以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスを常圧下で得る緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法であって、
焼成助剤を原料中に添加することなく、炭化ホウ素粉末原料を加圧成形して炭化ホウ素成形体を得た後、該炭化ホウ素成形体を加圧せずに常圧で焼成する際に、炉内に、少なくともアルミニウム及び/又はシリコンを含有してなる、粉末、成形体若しくは焼結体のいずれかを配置した状態で炭化ホウ素成形体を焼成することを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。 - 炉内温度を上げて、炉内に配置した少なくともアルミニウム及び/又はシリコンを含有してなる、粉末、成形体若しくは焼結体のいずれかから、アルミニウムを含有するガス、シリコンを含有する炭化物ガス、及び、その他のシリコンを含有するガスから選ばれる少なくとも1種のガスを発生させ、炉内の不活性ガス雰囲気中に上記ガスが存在する状態とさせた後に、炉内温度をさらに上げて成形体の焼成を行う請求項3に記載の緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。
- 炭化ホウ素の含有量が98.5質量%以上で、その相対密度が89%以上の緻密質炭化ホウ素セラミックスを常圧下で得る緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法であって、
焼成助剤を原料中に添加することなく、炭化ホウ素粉末原料を加圧成形して成形体を得た後、該炭化ホウ素成形体を加圧せずに常圧で焼成する際に、アルミニウムを含有するガス、シリコンを含有する炭化物ガス、及び、その他のシリコンを含有するガスのいずれか1種を存在させた不活性ガス雰囲気中で炭化ホウ素成形体を焼成することを特徴とする緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。 - 焼成時における炉内の不活性ガス雰囲気中におけるアルミニウムガス又はシリコンガス又はシリコンを含有する炭化物ガスの濃度が、金属換算で2×10-6g/cm3以上2×10-2g/cm3以下である請求項3〜5のいずれか1項に記載の緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。
- 炭化ホウ素成形体が、平均粒径0.2μm以上2.0μm以下の炭化ホウ素粉末を、成形圧20MPa以上2,000MPa以下で、加熱することなく加圧成形して得られたものである請求項3〜5のいずれか1項に記載の緻密質炭化ホウ素セラミックスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009519330A JP5528802B2 (ja) | 2007-06-15 | 2008-06-16 | 緻密質炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158332 | 2007-06-15 | ||
JP2007158332 | 2007-06-15 | ||
JP2008046577 | 2008-02-27 | ||
JP2008046577 | 2008-02-27 | ||
PCT/JP2008/060964 WO2008153177A1 (ja) | 2007-06-15 | 2008-06-16 | 緻密質炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法 |
JP2009519330A JP5528802B2 (ja) | 2007-06-15 | 2008-06-16 | 緻密質炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008153177A1 JPWO2008153177A1 (ja) | 2010-08-26 |
JP5528802B2 true JP5528802B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=40129778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009519330A Active JP5528802B2 (ja) | 2007-06-15 | 2008-06-16 | 緻密質炭化ホウ素セラミックスおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20100184583A1 (ja) |
EP (1) | EP2165990B1 (ja) |
JP (1) | JP5528802B2 (ja) |
WO (1) | WO2008153177A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5430869B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2014-03-05 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 緻密質炭化ホウ素焼結体およびその製造方法 |
JP5528749B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-06-25 | 美濃窯業株式会社 | 炭化ホウ素−炭化ケイ素複合セラミックス及び該セラミックスの製造方法 |
JP5653776B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2015-01-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高性能スピーカー用振動板及びスピーカー用振動板の製造方法 |
JP5914026B2 (ja) * | 2012-02-16 | 2016-05-11 | 日本ファインセラミックス株式会社 | 複合材料およびその製造方法 |
US9789671B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-10-17 | Mino Ceramic Co., Ltd. | Shock absorbing member |
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JP6346593B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2018-06-20 | 株式会社アテクト | 炭化ホウ素の焼結体の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0812434A (ja) | 1993-11-01 | 1996-01-16 | Noritake Co Ltd | B4c焼結体の製造方法およびb4c質焼結体 |
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EP1641727A4 (en) * | 2003-06-12 | 2009-04-01 | Georgia Tech Res Inst | METHODS AND METHODS FOR MAKING BORON CARBIDE AND BORON CARBIDE COMPONENTS |
JP2008535769A (ja) | 2005-04-11 | 2008-09-04 | ジョージア・テック・リサーチ・コーポレーション | 炭化ホウ素構成材並びにその製造方法 |
US7557054B2 (en) * | 2006-02-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Boron carbide sintered body and protective member |
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-
2008
- 2008-06-16 JP JP2009519330A patent/JP5528802B2/ja active Active
- 2008-06-16 US US12/664,885 patent/US20100184583A1/en not_active Abandoned
- 2008-06-16 EP EP08765647.6A patent/EP2165990B1/en active Active
- 2008-06-16 WO PCT/JP2008/060964 patent/WO2008153177A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-02-28 US US13/407,471 patent/US8883069B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6212663A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | B4c質複合体およびその製造方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008153177A1 (ja) | 2008-12-18 |
EP2165990A1 (en) | 2010-03-24 |
JPWO2008153177A1 (ja) | 2010-08-26 |
EP2165990B1 (en) | 2013-10-02 |
US20120157292A1 (en) | 2012-06-21 |
US20100184583A1 (en) | 2010-07-22 |
US8883069B2 (en) | 2014-11-11 |
EP2165990A4 (en) | 2011-04-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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