JP5525153B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図9は、VDMOSを備える従来の半導体装置の模式的な断面図である。
半導体装置101は、半導体層102を備えている。半導体層102には、N−型のドリフト領域103およびP型のボディ領域104が基層側からこの順に形成されている。
ボディ領域104の表層部には、N+型のソース領域108および複数のP+型のボディコンタクト領域109が形成されている。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の模式的な平面図である。図2は、図1に示す半導体装置の切断線II−IIにおける断面図である。図3は、図1に示す半導体装置の切断線III−IIIにおける断面図である。
図2,3に示すように、半導体装置1は、半導体層2を備えている。半導体層2は、たとえば、シリコンからなる。半導体層2の表面には、図1に示すように、環状のフィールド酸化膜(たとえば、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法により形成されるシリコン酸化膜)3が形成されている。フィールド酸化膜3に囲まれる領域とフィールド酸化膜3の外側の領域とは、フィールド酸化膜3によって絶縁分離されており、フィールド酸化膜3に囲まれる領域には、並列に接続された複数のVDMOSが形成されている。
半導体層2には、平面視櫛歯状のトレンチ7が形成されている。具体的には、トレンチ7は、互いに平行をなして所定方向に延びる複数の平行部8と、所定方向と直交する方向に延び、各平行部8の一端を連結する連結部9とを有している。図2,3に示すように、トレンチ7(平行部8および連結部9)は、ボディ領域6をその表面から掘り下がり、ボディ領域6を貫通して、その底部がドリフト領域5に達している。
トレンチ7の底部の周囲には、ゲート電極11と重なる深さにおいて、P+型(ボディ領域6のP型不純物濃度よりも高濃度なP型)の第1不純物領域12が形成されている。第1不純物領域12は、ボディ領域6から離間している。
なお、ボディ領域6および第2不純物領域15の表面上にも、SiO2からなる酸化膜が形成されている。ボディ領域6および第2不純物領域15の表面上の酸化膜は、ゲート絶縁膜10と一体化している。
半導体層2上には、その表面全域を覆うように、層間絶縁膜(図示せず)が形成されている。層間絶縁膜には、各ボディコンタクト領域14に対応して、プラグ17が埋設されている。各プラグ17は、層間絶縁膜を貫通し、ソース領域13のボディコンタクト領域14の周囲の部分とボディコンタクト領域14とに跨って接続(バッティングコンタクト)されている。また、層間絶縁膜には、コンタクト領域16上に、複数のプラグ18がトレンチ7の連結部9が延びる方向に一定間隔を空けて埋設されている。各プラグ18は、層間絶縁膜を貫通し、コンタクト領域16に接続されている。そして、層間絶縁膜上には、複数のプラグ17に共通に接続されるソース配線19と、複数のプラグ18に共通に接続される排出配線20とが形成されている。ソース配線19および排出配線20は、接地されている。
半導体層2の裏面には、ドレイン電極(図示せず)が形成されている。このドレイン電極に適当な大きさの正電圧が印加されつつ、ゲート電極11の電位(ゲート電圧)が制御されることにより、ボディ領域6におけるゲート絶縁膜10との界面近傍にチャネルが形成されて、ドレイン領域4とソース領域13との間に電流が流れる。
半導体装置1の製造工程では、まず、図4A,5Aに示すように、基層部にドレイン領域4が形成された半導体層2の表面に、熱酸化法により、SiO2からなる酸化膜41が形成される。次に、LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法により、酸化膜41上に、SiN(窒化シリコン)からなる窒化膜42が形成される。
そして、図4D,5Dに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、パッド酸化膜43および窒化膜44が選択的に除去される。そして、パッド酸化膜43および窒化膜44をマスクとするエッチングにより、半導体層2が掘り下げられることにより、トレンチ7が形成される。
そして、図4F,5Fに示すように、イオン注入法により、パッド酸化膜43および窒化膜44をマスクとして、トレンチ7を通して、半導体層2におけるトレンチ7の底部の周囲にP型不純物(たとえば、ボロン)が注入される。
そして、図4H,5Hに示すように、熱酸化法により、トレンチ7の内面を含む半導体層2の表面に、SiO2からなる酸化膜が形成される。トレンチ7の内面に形成される酸化膜は、ゲート絶縁膜10をなす。このときの熱処理により、半導体層2に注入されたP型不純物が拡散し、トレンチ7の底部の周囲に、第1不純物領域12が形成される。その後、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)法により、半導体層2上に、トレンチ7を埋め尽くすように、ドープトポリシリコンが堆積される。そして、そのドープトポリシリコンの堆積層のエッチバックにより、トレンチ7内にゲート絶縁膜10を介して埋設されたゲート電極11が形成される。
半導体装置1において、ソース領域13とドリフト領域5(ドレイン領域4)との間にVDMOSの定格値を超える電圧が印加されると、第1不純物領域12の最深部付近に最も高い電界が生じ、その第1不純物領域12の最深部付近でアバランシェ降伏が起こる。アバランシェ降伏により発生したホールは、第1不純物領域12から第2不純物領域15および排出配線20を介して排出される。これにより、ホールがボディ領域6に流れこむことを防止でき、ドリフト領域5、ボディ領域6およびソース領域13からなる寄生トランジスタのターンオンを防止できる。よって、各VDMOSのアバランシェ耐量の向上を図ることができる。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式的な断面図である。図6において、図2に示す各部に相当する部分には、図2の場合と同一の参照符号を付している。また、図6に示す半導体装置の平面図は、図2に示す半導体装置の平面図、つまり図1と同じであり、図6の切断面は、図2の切断面と同じである。以下では、図6に示す構造について、図2に示す構造との相違点のみを取り上げて説明し、同一の参照符号を付した各部の説明を省略する。
半導体装置61の製造工程では、まず、図7A,8Aに示すように、基層部にドレイン領域4が形成されたシリコンからなる半導体基層71の表面に、熱酸化法により、SiO2からなる酸化膜72が形成される。その後、フォトリソグラフィにより、酸化膜72上に、レジストパターン73が形成される。つづいて、エッチングにより、酸化膜72におけるレジストパターン73から露出する部分が除去され、半導体基層71が部分的に露出する。そして、イオン注入法により、酸化膜72およびレジストパターン73をマスクとして、半導体基層71の露出した部分にP型不純物が注入される。
その後、HF(フッ酸)を用いたエッチングにより、酸化膜72,74が除去される。そして、図7C,8Cに示すように、エピタキシャル成長法により、半導体基層71上に、N型不純物がドーピングされたシリコンからなるエピタキシャル層75が形成される。このとき、半導体基層71に注入されているP型不純物がエピタキシャル層75にも拡散し、半導体基層71およびエピタキシャル層75に跨って、不純物埋込領域62が形成される。エピタキシャル層75は、半導体基層71と一体化し、半導体基層71とともに半導体層2となる。
次いで、図7E,8Eに示すように、熱酸化法により、半導体層2の表面に、SiO2からなるパッド酸化膜76が形成される。さらに、LPCVD法により、パッド酸化膜76上に、窒化膜77が形成される。
その後、図7G,8Gに示すように、熱酸化法により、トレンチ7の内面に、SiO2からなる犠牲酸化膜78が形成される。パッド酸化膜76および窒化膜77は、除去されずに残されている。
次いで、図7I,8Iに示すように、犠牲酸化膜78、窒化膜77およびパッド酸化膜76がこの順に除去される。
その後、図7N,8Nに示すように、半導体層2上に、レジストパターン81が形成される。そして、イオン注入法により、レジストパターン81をマスクとして、半導体層2のレジストパターン81から露出した部分にN型不純物が注入される。これにより、ソース領域13が形成される。N型不純物の注入後、レジストパターン81は除去される。
なお、ボディ領域6のP型不純物濃度よりも第2不純物領域15のP型不純物濃度の方が大きい場合の製造方法について説明したが、ボディ領域6のP型不純物濃度と第2不純物領域15のP型不純物濃度とが同じでよい場合には、図7K,8Kに示す工程と図7L,8Lに示す工程とが合わされて、レジストパターン79,80を形成せずに、半導体層2の全面にP型不純物が注入されてもよい。
たとえば、半導体装置1,61において、各半導体部分の導電型(P型、N型)を反転した構造が採用されてもよい。
2 半導体層
5 ドリフト領域
6 ボディ領域
7 トレンチ
8 平行部
9 連結部
10 ゲート絶縁膜
11 ゲート電極
12 第1不純物領域
13 ソース領域
15 第2不純物領域
61 半導体装置
62 不純物埋込領域
Claims (5)
- 半導体層と、
前記半導体層に形成された第1導電型のドリフト領域と、
前記半導体層における前記ドリフト領域上に形成された第2導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域の表面から前記半導体層を掘り下がり、その底部がドリフト領域に達するトレンチと、
前記トレンチの内面上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチに前記ゲート絶縁膜を介して埋設されたゲート電極と、
前記ボディ領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域と、
前記トレンチの底部の周囲において、前記ゲート電極と重なる深さにおいて前記ボディ領域から離間して形成された第2導電型の第1不純物領域と、
前記半導体層における前記ボディ領域の側方に、前記ボディ領域から分離して形成され、前記第1不純物領域と電気的に接続される第2導電型の第2不純物領域とを含む、半導体装置。 - 前記トレンチは、互いに平行をなして所定方向に延びる複数の平行部と、前記所定方向と直交する方向に延び、各前記平行部の一端を連結する連結部とを有している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2不純物領域は、前記半導体層の表面から前記第1不純物領域に達する深さを有している、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2不純物領域は、前記ボディ領域と同じ深さを有し、
前記第2不純物領域の下方に形成され、前記第1不純物領域および前記第2不純物領域に接続される第2導電型の不純物埋込領域をさらに含む、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第2不純物領域は、前記ボディ領域の周囲を取り囲む環状に形成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
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