JP5502469B2 - 多用途でコンパクトなdc結合cmlバッファ - Google Patents
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Description
この出願は、2006年6月28日に提出された仮出願第60/817,595号及び2006年7月24日に提出された仮出願第60/833,059号の35USC119に基づく利益を主張し、前記仮出願は参照としてここに取り入れられる。
本願の出願時に提出された請求項1−25に対応する記載が付記1−25として表記される。
付記1
第1の差動信号入力ノードと、
第2の差動信号入力ノードと、
第1の差動信号出力ノードと、
第2の差動信号出力ノードと、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ゲートは前記第1の差動信号入力ノードに結合され、そして、ソースは前記第1の差動信号出力ノードに結合される第1の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは前記第1のFETのドレインに結合され、ゲートは前記第2の差動信号入力ノードに結合され、ソースは前記第2の差動出力ノードに結合される第2の電界効果トランジスタ(FET)と、
第1の入力ノード及び第2の入力ノードを有するラッチであって、該ラッチの第1の入力ノードは前記第1の差動信号出力ノードであり、そして、該ラッチの第2の入力ノードは前記第2の差動信号出力ノードであるラッチと、
を備えるバッファ回路。
付記2
前記バファ回路は、信号をそれの第1の差動信号入力ノードに受信し、そして、
前記信号をそれの第1の差動信号出力ノードから負荷の差動信号入力ノードに伝達し、前記信号が、約5キロヘルツのより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって、50パーセントより小さい減衰をもって前記バッファ回路の前記第1の差動信号入力ノードから前記負荷の前記差動信号入力ノードに伝達される、付記1のバッファ回路。
付記3
前記ラッチは、
ソース、ドレイン、及びゲートを有し、ソースは接地に抵抗的に結合され、ドレインは前記ラッチの前記第2の入力ノードに結合され、ゲートは前記ラッチの前記第1の入力ノードに結合される第1のNチャンネル電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有する第2のNチャンネルFETであって、前記第2のNチャンネルFETのドレインは前記第1のNチャンネルFETのゲートに結合され、前記第2のNチャンネルFETのゲートは前記第1のNチャンネルFETのドレインに結合され、そして、前記第2のNチャンネルFETのソースは接地に抵抗的に結合される前記第2のNチャンネルFETと、
を備える、付記1のバッファ回路。
付記4
前記第1及び第2の差動信号出力ノードは負荷の1対の差動信号入力ノードにDC結合される、付記3のバッファ回路。
付記5
前記バッファ回路は、それの第1及び第2の差動信号入力ノードから前記負荷の前記1対の差動信号入力ノードまでのDC伝達関数比を有し、そして、前記DC伝達関数比は約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって1より小さい、付記4のバッファ回路。
付記6
電界効果トランジスタ(FET)を備え、前記FETはゲートを有し、そして、前記ゲートは前記負荷の信号入力ノードである負荷と、
第1及び第2の差動信号入力リード及び第1及び第2の差動信号出力リードを有し、第1の差動信号出力リードは前記負荷の前記信号入力ノードにDC結合されるバッファ回路と、
を備え、
前記バッファ回路は、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは供給電圧を受け取るように結合され、ゲートは前記バッファ回路の前記第1の差動信号入力リードであり、そして、ソースは前記バッファ回路の前記第1の差動信号出力リードに結合される第1の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは前記第1のFETのドレインに結合され、ゲートは前記バッファ回路の前記第2の差動信号入力リードであり、そしてソースは前記バッファ回路の前記第2の差動信号出力リードに結合される第2の電界効果トランジスタ(FET)と、
第1の入力ノード及び第2の入力ノードを有し、第1の入力ノードは前記バッファ回路の前記第1の差動信号出力リードに結合され、第2の入力ノードは前記バッファ回路の前記第2の差動信号出力リードに結合されるラッチと
を備えるシステム。
付記7
前記ラッチは、1対の交差結合Nチャンネル電界効果トランジスタを備える、付記6のシステム。
付記8
前記バッファ回路の前記第1の差動信号出力リードは、前記バッファ回路の前記第1の差動信号出力リードから前記負荷の前記信号入力ノードまで延長する連続導体によって、前記負荷の前記信号入力ノードにDC結合される、付記6のシステム。
付記9
前記バッファ回路は、前記負荷のFETのゲートにDCバイアス電圧を供給する、付記6のシステム。
付記10
前記ラッチは、
ソース、ゲート、及びドレインを有し、ゲートは前記ラッチの第1の入力ノードに結合されるNチャンネル・トランジスタと、
第1の端子及び第2の端子を有する抵抗であって、前記抵抗の第1の端子は前記Nチャンネル・トランジスタのソースに結合され、前記抵抗の第2の端子は接地導体に結合され、前記ラッチは前記負荷のFETのゲートにDCバイアス電圧を供給し、前記DCバイアス電圧は前記抵抗で降下した電圧プラス前記Nチャンネル・トランジスタのゲート・ソース間電圧に実質的に等しい前記抵抗と
を備える、付記6のシステム。
付記11
前記負荷は、DCバイアス電圧を前記負荷のFETのゲートに供給できるバイアス回路を備えていない、付記6のシステム。
付記12
前記バッファ回路は、多係数周波数分割器の一部である、付記6のシステム。
付記13
前記バッファ回路は、それの第1及び第2の差動信号入力リードから前記負荷までにDC伝達関数比を有し、前記DC伝達関数比は、約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって1より小さい、付記6のシステム。
付記14
前記バッファ回路は、それの第1の差動入力リードで信号を受信し、そして、約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの信号周波数範囲にわたって50パーセントより少ない減衰をもって前記信号を前記負荷の信号入力ノードに伝達する、付記6のシステム。
付記15
前記バッファ回路は、前記負荷の信号入力ノードにDCバイアス電圧を供給し、差動入力信号が前記バッファ回路の前記第1の差動信号入力リードで受信され、前記差動入力信号はDCバイアス電圧を有し、そして、前記差動入力信号のDCバイアス電圧は前記負荷の信号入力ノードにおける前記DCバイアス電圧を決定する、付記6のシステム。
付記16
前記負荷はCMOS論理回路である、付記6のシステム。
付記17
負荷と、
電流モード論理(CML)差動信号をバッファするための及び前記CML差動信号を前記負荷に駆動するための手段と、
を備え、前記手段は前記負荷にDC結合され、そして、前記手段は、前記CML差動信号が約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって50パーセントより少ない減衰をもって前記負荷に伝達されるように、前記CML差動信号をバッファするためであるシステム。
付記18
前記手段は、多係数分割器内のバッファである、付記17のシステム。
付記19
ラッチを含むバッファの第1の差動信号出力ノードから負荷の第1の差動信号入力ノードまで延長する第1の導電性信号経路を提供すること、
前記第1の導電性信号経路を横切って前記負荷の第1の差動信号入力ノードに第1のDCバイアス電圧を与えるために前記ラッチを用いること、
前記バッファの第2の差動信号出力ノードから前記負荷の第2の差動信号入力ノードまで延長する第の導電性信号経路を提供すること、
前記第2の導電性信号経路を横切って前記負荷の第2の差動信号入力ノードに第2のDCバイアス電圧を与えるために前記ラッチを用いること、
前記バッファの第1及び第2の差動信号入力ノードで差動信号を受信すること及び前記差動信号が約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって50パーセントより少ない減衰をもって前記負荷に伝達されるように前記第1及び第2の導電性信号通路を横切って前記バッファから前記負荷に前記差動信号を伝達すること、
を備える方法。
付記20
前記バッファは電流モード論理(CML)バッファであり、そして、前記ラッチは、1対の交差結合Nチャンネル・トランジスタを含む、付記19の方法。
付記21
前記第1及び第2のDCバイアス電圧は同じDC電圧であり、前記第1の導電性信号経路は20フェムトファラッドより少ない全容量を有し、前記第2の導電性信号経路は20フェムトファラッドより少ない全容量を有する、付記20の方法。
付記22
前記バッファから前記負荷に伝達される差動信号は、500ピコ秒より小さいパルス幅を有するパルスを含み、かつまた、10マイクロ秒より大きいパルス幅を有する、付記21の方法。
付記23
前記バッファは、Pチャンネル・トランジスタを含まない、また、前記バッファはバイポーラ接合トランジスタを含まない、付記19の方法。
付記24
前記負荷はCMOS論理回路である、付記19の方法。
付記25
ラッチを含むバッファの第1の差動信号出力ノードから負荷の第1の差動信号入力ノードまで延長する第1の導電性信号経路を提供するための手段と
前記第1の導電性信号経路を横切って前記負荷の第1の差動信号入力ノードに第1のDCバイアス電圧を与えるために前記ラッチを用いるための手段と、
前記バッファの第2の差動信号出力ノードから前記負荷の第2の差動信号入力ノードまで延長する第の導電性信号経路を提供するための手段と
前記第2の導電性信号経路を横切って前記負荷の第2の差動信号入力ノードに第2のDCバイアス電圧を与えるために前記ラッチを用いるための手段と、
前記バッファの第1及び第2の差動信号入力ノードで差動信号を受信する、そして、前記差動信号が約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって50パーセントより少ない減衰をもって前記負荷に伝達されるように前記第1及び第2の導電性信号通路を横切って前記バッファから前記負荷に前記差動信号を伝達するための手段と、
を備える回路。
Claims (23)
- 第1の差動信号入力ノードと、
第2の差動信号入力ノードと、
第1の差動信号出力ノードと、
第2の差動信号出力ノードと、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ゲートは前記第1の差動信号入力ノードに結合され、そして、ソースは前記第1の差動信号出力ノードに結合される第1の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは前記第1のFETのドレインに結合され、ゲートは前記第2の差動信号入力ノードに結合され、ソースは前記第2の差動信号出力ノードに結合される第2の電界効果トランジスタ(FET)と、
第1の入力ノード及び第2の入力ノードを有するラッチであって、該ラッチの第1の入力ノードは前記第1の差動信号出力ノードであり、そして、該ラッチの第2の入力ノードは前記第2の差動信号出力ノードであるラッチと、
を備え、前記ラッチは、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、第3の電界効果トランジスタ(FET)であって、前記第3のFETのドレインは前記第2のFETのソースに結合される第3の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有する第4の電界効果トランジスタ(FET)であって、前記第4のFETのドレインは前記第1のFETのソースに結合される第4の電界効果トランジスタ(FET)と、
前記第3のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第1の抵抗と、
前記第4のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第2の抵抗と、
第1の端子および第2の端子を有し、前記第1の端子は前記第3のFETのソースと前記第1の抵抗の第1の端子とに結合され、前記第2の端子は前記第4のFETのソースと前記第2の抵抗の前記第1の端子とに結合されるコンデンサと、をさらに備え、
前記第3のFETのドレインは前記第4のFETのゲートに結合され、前記第3のFETのドレインは前記ラッチの前記第2の入力ノードに結合され、前記第3のFETのゲートは前記ラッチの前記第1の入力ノードに結合され、
前記第4のFETのゲートは前記ラッチの前記第2の入力ノードに結合され、前記第4のFETのドレインは前記第3のFETのゲートに結合され、前記第4のFETのドレインは前記ラッチの前記第1の入力ノードに結合される、バッファ回路。 - 信号をそれの第1の差動信号入力ノードに受信し、そして、前記信号を負荷の差動信号入力ノードにDC結合されたそれの第1の差動信号出力ノードから伝達し、前記信号が、前記負荷の前記差動信号入力ノード上にDCバイアス電圧を与える前記第1および第2の抵抗との組み合わせにおいて前記負荷の前記差動信号入力ノードに前記ラッチの前記第1の入力ノードがDC結合される配列により約5キロヘルツのより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって、50パーセントより小さい減衰をもって前記バッファ回路の前記第1の差動信号入力ノードから前記負荷の前記差動信号入力ノードに伝達される、請求項1のバッファ回路。
- 前記第1及び第2の差動信号出力ノードは負荷の1対の差動信号入力ノードにDC結合される、請求項1のバッファ回路。
- 前記バッファ回路は、それの第1及び第2の差動信号入力ノードから前記負荷の前記1対の差動信号入力ノードまでのDC伝達関数比を有し、そして、前記負荷の前記差動信号入力ノード上にDCバイアス電圧を与える前記第1および第2の抵抗との組み合わせにおいて前記負荷の前記差動信号入力ノードに前記ラッチの前記第1の入力ノードおよび前記第2の入力ノードがDC結合された配列により前記DC伝達関数比は約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって1より小さい、請求項3のバッファ回路。
- 電界効果トランジスタ(FET)を備える負荷と、ここにおいて、記FETはゲートを有し、そして、前記ゲートは前記負荷の信号入力ノードであり、
第1及び第2の差動信号入力リード及び第1及び第2の差動信号出力リードを有し、第1の差動信号出力リードは前記負荷の前記信号入力ノードにDC結合されるバッファ回路と、
を備え、
前記バッファ回路は、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは供給電圧を受け取るように結合され、ゲートは前記バッファ回路の前記第1の差動信号入力リードであり、そして、ソースは前記バッファ回路の前記第1の差動信号出力リードに結合される第1の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは前記第1のFETのドレインに結合され、ゲートは前記バッファ回路の前記第2の差動信号入力リードであり、そしてソースは前記バッファ回路の前記第2の差動信号出力リードに結合される第2の電界効果トランジスタ(FET)と、
第1の入力ノード及び第2の入力ノードを有し、第1の入力ノードは前記バッファ回路の前記第1の差動信号出力リードに結合され、第2の入力ノードは前記バッファ回路の前記第2の差動信号出力リードに結合されるラッチと
を備え、
前記ラッチは、
ソース、ドレイン及びゲートを有する第3の電界効果トランジスタ(FET)であって、前記第3のFETのドレインは前記第2のFETのソースに結合される第3の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有する第4の電界効果トランジスタ(FET)であって、前記第4のFETのドレインは前記第1のFETのソースに結合される第4の電界効果トランジスタ(FET)と、
前記第3のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第1の抵抗と、
前記第4のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第2の抵抗と、
第1の端子および第2の端子を有し、前記第1の端子は前記第3のFETのソースと前記第1の抵抗の第1の端子とに結合され、前記第2の端子は前記第4のFETのソースと前記第2の抵抗の前記第1の端子とに結合されるコンデンサと、をさらに備え、
前記第3のFETのドレインは前記第4のFETのゲートに結合され、前記第3のFETのドレインは前記ラッチの前記第2の入力ノードに結合され、前記第3のFETのゲートは前記ラッチの前記第1の入力ノードに結合され、
前記第4のFETのゲートは前記ラッチの前記第2の入力ノードに結合され、前記第4のFETのドレインは前記第3のFETのゲートに結合され、前記第4のFETのドレインは前記ラッチの前記第1の入力ノードに結合される、システム。 - 前記バッファ回路の前記第1の差動信号出力リードは、前記バッファ回路の前記第1の差動信号出力リードから前記負荷の前記信号入力ノードまで延長する連続導体によって、前記負荷の前記信号入力ノードにDC結合される、請求項5のシステム。
- 前記バッファ回路は、前記負荷のFETのゲートにDCバイアス電圧を供給する、請求項5のシステム。
- 前記ラッチは前記負荷のFETのゲートにDCバイアス電圧を供給し、前記DCバイアス電圧は前記第2の抵抗で降下した電圧プラス前記第4のFETのゲート・ソース間電圧に等しい、請求項5のシステム。
- 前記負荷は、DCバイアス電圧を前記負荷のFETのゲートに供給できるバイアス回路を備えていない、請求項5のシステム。
- 前記バッファ回路は、多係数周波数分割器の一部である、請求項5のシステム。
- 前記負荷は差動信号入力ノードを備え、前記バッファ回路は、それの第1及び第2の差動信号入力リードから前記負荷までにDC伝達関数比を有し、前記負荷の前記差動信号入力ノード上にDCバイアス電圧を与える前記第1および第2の抵抗との組み合わせにおいて前記負荷の前記差動信号入力ノードに前記ラッチの前記第1の入力ノードおよび前記第2の入力ノードが第1および第2の導電性信号経路によってDC結合される配列により、前記DC伝達関数比は、約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって1より小さい、請求項5のシステム。
- 前記負荷は差動信号入力ノードを備え、前記バッファ回路は、それの第1の差動入力リードで信号を受信し、そして、前記負荷の前記差動信号入力ノード上にDCバイアス電圧を与える前記第1および第2の抵抗との組み合わせにおいて前記負荷の前記差動信号入力ノードに前記ラッチの前記第1の入力ノードおよび前記第2の入力ノードが第1および第2の導電性信号経路によってDC結合される配列により、約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの信号周波数範囲にわたって50パーセントより少ない減衰をもって前記信号を前記負荷の信号入力ノードへのDC結合を通じて伝達する、請求項5のシステム。
- 前記バッファ回路は、前記負荷の前記信号入力ノードにDCバイアス電圧を供給し、差動入力信号が前記バッファ回路の前記第1の差動信号入力リードで受信され、前記差動入力信号はDCバイアス電圧を有し、そして、前記差動入力信号のDCバイアス電圧は前記負荷の信号入力ノードにおける前記DCバイアス電圧を決定する、請求項5のシステム。
- 前記負荷はCMOS論理回路である、請求項5のシステム。
- 負荷と、
電流モード論理(CML)差動信号をバッファするための及び前記CML差動信号を前記負荷に駆動するための手段と、
を備え、前記手段は前記負荷にDC結合され、そして、前記手段は、前記CML差動信号が約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって50パーセントより少ない減衰をもって前記負荷に伝達されるように、前記CML差動信号をバッファするためであり、
前記バッファするための手段はラッチを備え、前記ラッチは、
ソース、ドレインおよびゲートを有し、ドレインは前記ラッチの第1の入力ノードに結合される第1の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレインおよびゲートを有し、ドレインは前記ラッチの第2の入力ノードに結合される第2の電界効果トランジスタ(FET)と、
前記第1のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第1の抵抗と、
前記第2のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第2の抵抗と、
第1の端子および第2の端子を有し、前記第1の端子は前記第1のFETのソースと前記第1の抵抗の前記第1の端子とに結合され、前記第2の端子は前記第2のFETのソースと前記第2の抵抗の前記第1の端子とに結合されるコンデンサと、を備え、
前記約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたる50パーセント減衰は、前記負荷の差動信号入力ノード上にDCバイアス電圧を与えるために前記第1および第2の抵抗との組み合わせにおいて前記負荷の前記差動信号入力ノードに前記ラッチの前記第1の入力ノードおよび前記第2の入力ノードが第1および第2の導電性信号経路によってDC結合される配列により与えられる、システム。 - 前記手段は、多係数分割器内のバッファである、請求項15のシステム。
- 第1の入力ノードおよび第2の入力ノードを有するラッチを含むバッファの第1の差動信号出力ノードから負荷の第1の差動信号入力ノードまで延長する第1の導電性信号経路を提供すること、
前記第1の導電性信号経路を横切って前記負荷の第1の差動信号入力ノードに第1のDCバイアス電圧を与えるために前記ラッチを用いること、
前記バッファの第2の差動信号出力ノードから前記負荷の第2の差動信号入力ノードまで延長する第2の導電性信号経路を提供すること、
前記第2の導電性信号経路を横切って前記負荷の第2の差動信号入力ノードに第2のDCバイアス電圧を与えるために前記ラッチを用いること、
前記バッファの第1及び第2の差動信号入力ノードで差動信号を受信すること及び前記差動信号が約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって50パーセントより少ない減衰をもって前記負荷に伝達されるように前記第1及び第2の導電性信号通路を横切って前記バッファから前記負荷に前記差動信号を伝達すること、
を備え、
前記バッファは、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは供給電圧を受け取るように結合され、ゲートは前記バッファの前記第1の差動信号入力リードであり、そして、ソースは前記バッファの前記第1の差動信号出力リードに結合される第1の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは前記第1のFETのドレインに結合され、ゲートは前記バッファの前記第2の差動信号入力リードであり、そしてソースは前記バッファの前記第2の差動信号出力リードに結合される第2の電界効果トランジスタ(FET)と、を含み、
前記ラッチは、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、第3の電界効果トランジスタ(FET)であって、前記第3のFETのドレインは前記第2のFETのソースに結合される第3の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有する第4の電界効果トランジスタ(FET)であって、前記第4のFETのドレインは前記第1のFETのソースに結合される第4の電界効果トランジスタ(FET)と、
前記第3のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第1の抵抗と、
前記第4のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第2の抵抗と、
第1の端子および第2の端子を有し、前記第1の端子は前記第3のFETのソースと前記第1の抵抗の第1の端子とに結合され、前記第2の端子は前記第4のFETのソースと前記第2の抵抗の前記第1の端子とに結合されるコンデンサと、をさらに備え、
前記第3のFETのドレインは前記第4のFETのゲートに結合され、前記第3のFETのドレインは前記ラッチの前記第2の入力ノードに結合され、前記第3のFETのゲートは前記ラッチの前記第1の入力ノードに結合され、
前記第4のFETのゲートは前記ラッチの前記第2の入力ノードに結合され、前記第4のFETのドレインは前記第3のFETのゲートに結合され、前記第4のFETのドレインは前記ラッチの前記第1の入力ノードに結合され、
前記約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたる50パーセントより少ない減衰は、前記負荷の前記第1および第2の差動信号入力ノード上にDCバイアス電圧を与えるために前記第1および第2の抵抗との組み合わせにおいて前記負荷の前記第1および第2の差動信号入力ノードに前記ラッチの前記第1の入力ノードおよび前記第2の入力ノードがDC結合され、前記ラッチの前記第2の入力ノードが前記負荷の前記第2の差動信号入力ノードに結合される配列により与えられる、方法。 - 前記バッファは電流モード論理(CML)バッファであり、そして、前記ラッチの前記第3および第4のFETは、1対の交差結合Nチャンネル・トランジスタを含む、請求項17の方法。
- 前記第1及び第2のDCバイアス電圧は同じDC電圧であり、前記第1の導電性信号経路は20フェムトファラッドより少ない全容量を有し、前記第2の導電性信号経路は20フェムトファラッドより少ない全容量を有する、請求項18の方法。
- 前記バッファから前記負荷に伝達される差動信号は、500ピコ秒より小さいパルス幅を有するパルスを含み、かつまた、10マイクロ秒より大きいパルス幅を有する、請求項19の方法。
- 前記バッファは、Pチャンネル・トランジスタを含まない、また、前記バッファはバイポーラ接合トランジスタを含まない、請求項17の方法。
- 前記負荷はCMOS論理回路である、請求項17の方法。
- 第1の入力ノードおよび第2の入力ノードを有するラッチを含むバッファの第1の差動信号出力ノードから負荷の第1の差動信号入力ノードまで延長する第1の導電性信号経路を提供する、
前記第1の導電性信号経路を横切って前記負荷の第1の差動信号入力ノードに第1のDCバイアス電圧を与えるために前記ラッチを用いる、
前記バッファの第2の差動信号出力ノードから前記負荷の第2の差動信号入力ノードまで延長する第2の導電性信号経路を提供する、
前記第2の導電性信号経路を横切って前記負荷の第2の差動信号入力ノードに第2のDCバイアス電圧を与えるために前記ラッチを用いる、
前記バッファの第1及び第2の差動信号入力ノードで差動信号を受信する、そして、前記差動信号が約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたって50パーセントより少ない減衰をもって前記負荷に伝達されるように前記第1及び第2の導電性信号通路を横切って前記バッファから前記負荷に前記差動信号を伝達する
ように構成された回路であって、前記バッファは、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは供給電圧を受け取るように結合され、ゲートは前記バッファの前記第1の差動信号入力リードであり、そして、ソースは前記バッファの前記第1の差動信号出力リードに結合される第1の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有し、ドレインは前記第1のFETのドレインに結合され、ゲートは前記バッファの前記第2の差動信号入力リードであり、そしてソースは前記バッファの前記第2の差動信号出力リードに結合される第2の電界効果トランジスタ(FET)と、を含み、
前記ラッチは、
ソース、ドレイン及びゲートを有する第3の電界効果トランジスタ(FET)であって、前記第3のFETのドレインは前記第2のFETのソースに結合される第3の電界効果トランジスタ(FET)と、
ソース、ドレイン及びゲートを有する第4の電界効果トランジスタ(FET)であって、前記第4のFETのドレインは前記第1のFETのソースに結合される第4の電界効果トランジスタ(FET)と、
前記第3のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第1の抵抗と、
前記第4のFETのソースに結合される第1の端子および接地に結合される第2の端子を有する第2の抵抗と、
第1の端子および第2の端子を有し、前記第1の端子は前記第3のFETのソースと前記第1の抵抗の第1の端子とに結合され、前記第2の端子は前記第4のFETのソースと前記第2の抵抗の前記第1の端子とに結合されるコンデンサと、を含み、
前記第3のFETのドレインは前記第4のFETのゲートに結合され、前記第3のFETのドレインは前記ラッチの前記第2の入力ノードに結合され、前記第3のFETのゲートは前記ラッチの前記第1の入力ノードに結合され、
前記第4のFETのゲートは前記ラッチの前記第2の入力ノードに結合され、前記第4のFETのドレインは前記第3のFETのゲートに結合され、前記第4のFETのドレインは前記ラッチの前記第1の入力ノードに結合され、
前記約5キロヘルツより少ないから1ギガヘルツより多いまでの周波数範囲にわたる50パーセントより少ない減衰は、前記負荷の前記第1および第2の差動信号入力ノード上にDCバイアス電圧を与えるために前記第1および第2の抵抗との組み合わせにおいて前記ラッチの前記第1の入力ノードが前記負荷の前記第1の差動入力ノードにDC結合され、前記ラッチの前記第2の入力ノードが前記負荷の前記第2の差動信号入力ノードにDC結合される配列により与えられる、回路。
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