JP5499816B2 - ハロゲン系ガスの除去方法 - Google Patents

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本発明は、ハロゲン系ガス、特に酸性ガスと中性ガスの両方を含有するハロゲン系ガスを除去するためのハロゲン系ガスの除去方法に関する。
半導体や液晶の製造プロセスにおけるドライエッチング工程では、ドライエッチング用ガスとして、ハロゲン系ガス、例えば、塩素ガス等のハロゲンガス、塩化水素等のハロゲン化水素、三塩化ホウ素等のハロゲン化ホウ素などが用いられている。そして、ドライエッチング工程から排出される排ガスは、このドライエッチング用ガスの他に、エッチングで生成したハロゲン化ケイ素、ハロゲン化タングステン、ハロゲン化カルボニル、酸化ハロゲンなども含有している。また、クリーニング工程などから排出される排ガスも、このようなハロゲン系ガスを含有している。
このようなハロゲン含有物質は環境汚染の一因となることから、大気中への放出は厳しく規制されている。そこで、ハロゲン系ガスを除去して、半導体デバイスの製造工程から排出される排ガスを無害化する方法が提案されている。
例えば、特許文献1には、酸化鉄、アルカリ土類金属化合物及び活性炭を含有することを特徴とするハロゲン系ガスの除害剤が開示されている。また、特にSO2を含むドライエッチング排ガスの場合においては、この排ガスを上記の除害剤と接触させ、次いで、ゼオライト、好ましくはSO吸着容量が大きいMS−13Xからなる除害剤と接触させる方法が開示されている。しかしながら、この酸化鉄、アルカリ土類金属化合物及び活性炭を組み合わせた除害剤は、除害能力は高いが、活性炭はハロゲン系ガスの吸着による発熱があり、場合によっては発火するおそれがある。
特許文献2には、ハロゲン系ガスの除害剤としてバインダレスX型ゼオライトが開示されており、除去されるハロゲン系ガスとしてハロゲン、ハロゲン化水素、ハロゲン化珪素、ハロゲン化ホウ素、ハロゲン化タングステン、ハロゲン化カルボニル、酸化ハロゲンが挙げられている。しかしながら、この除害剤は、HF、Clガス等の除害能力は高いが、その他のBCL、SiCL等のハロゲン系ガスの除害能力は必ずしも高いとは言えない。
特開2001−338910号公報 特開2008−229610号公報
本発明の目的は、ハロゲン系ガスを常温付近で簡便に、効率よく、しかも安全に除去することができるハロゲン系ガスの除去方法を提供することである。
本発明は、ハロゲン系ガスを、鉄化合物と接触させる工程と、バインダレスX型ゼオライトと接触させる工程と、を有することを特徴とするハロゲン系ガスの除去方法に関する。上記構成において、ハロゲン系ガスを、鉄化合物と接触させ、次いで前記鉄化合物と接触されたガスをバインダレスX型ゼオライトと接触させることが好ましい。また、上記構成において、前記ハロゲン系ガスが三塩化ホウ素および塩素を含むことが好ましい。
本発明によれば、ハロゲン系ガスを室温付近で安全、簡便に、効率よく吸着除去することができる。また、本発明によれば、バインダレスX型ゼオライトと鉄化合物、好ましくは酸化鉄とを組み合わせて使用しているので、ハロゲンガス(Clなど)等の中性ガスと、ハロゲン化水素(HClなど)やハロゲン化ホウ素(BClなど)等の酸性ガスの両方に対して高い除去性能を有している。
本発明において用いられるハロゲン系ガスを除去するための除去剤は、バインダレスX型ゼオライトと鉄化合物、好ましくは酸化鉄とを含むことを特徴とする。バインダレスX型ゼオライトと鉄化合物とを混合して除去剤とすることもできるが、通常、バインダレスX型ゼオライトを含む層と、鉄化合物を含む層とを有するように構成される。各層の層数は2層以上あってもよく、他の層を有するようにしてもよい。
除去剤の層構成については特に限定されず、前段にバインダレスX型ゼオライトを含む層を、後段に鉄化合物を含む層を配置することもできるが、前段に鉄化合物を含む層を、後段にバインダレスX型ゼオライトを含む層を配置することが好ましい。鉄化合物を含む層にハロゲン系ガスを流通させると、塩化水素等のハロゲン化水素が生成することがあり、後段にバインダレスX型ゼオライトを含む層を配置することで、この生成したハロゲン化水素をバインダレスX型ゼオライトが吸着除去するため、より高いハロゲン系ガスの除去性能が得られる。一般に、鉄化合物、好ましくは酸化鉄が塩化水素等の酸性ガスの除去能力が高く、バインダレスX型ゼオライトは中性ガスの除去能力が高いが、バインダレスX型ゼオライトは酸性ガスも吸着除去することができる。
バインダレスX型ゼオライトを含む層は、その所望の効果を損なわない範囲内で他の成分を含有していてもよいが、通常は、バインダレスX型ゼオライトのみからなる層が好ましい。ここで、バインダレスX型ゼオライトとは、X型ゼオライト含有量が98wt%以上であるゼオライト成形体である。
バインダレスX型ゼオライトは、例えば、次のようにして製造することができるが、これに限定されるものではない。
まず、合成X型ゼオライト粉末、該合成X型ゼオライト粉末との合計に対して20〜25wt%の平均粒子径1.5μm以上のカオリン型粘土、および該カオリン型粘土中のアルミニウムに対してNaOH/Alモル比0.25以下の水酸化ナトリウムからなる混合物を水分の調整をしながら全てが均一になるよう混合混練した後、所望の形に成形する。次いで、得られた成形体を乾燥した後、カオリン型粘土が焼結し、メタカオリン型粘土に転移する温度550℃以上、好ましくは600℃で焼成する。そして、必要に応じて焼成した成形体を飽和水分吸着量程度まで加湿した後、濃度1.5〜2.5mol/lの水酸化ナトリウムと0.1〜0.2mol/lの珪酸ナトリウムとの混合水溶液と接触(浸漬)させ、通常X型ゼオライトを合成する温度条件、例えば40℃で1時間程度の熟成操作をした後、90℃で8時間程度保持して結晶化させて、成形体中のカオリン型粘土を純粋なX型ゼオライトに転化させる。転化終了後、成形体を水酸化ナトリウムおよび珪酸ナトリウム混合溶液中から取出し、水で十分洗浄した後、成形体を乾燥する。活性化するために、この乾燥品をさらに焼成してもよい。用いる合成X型ゼオライト粉末は、通常、NaX型ゼオライトでよく、公知の方法、すなわちアルミン酸ナトリウムと珪酸ナトリウムとから合成することができる。
なお、バインダレスX型ゼオライトとしては、NaX型以外のバインダレスX型ゼオライトを用いることもできるが、好ましくはNaX型ゼオライトである。
バインダレスX型ゼオライトは、例えば東ソー株式会社製、ゼオラムF−9HA等を使用することができる。
用いるバインダレスX型ゼオライトは、SiO/Al比が2〜3であることが好ましい。また、バインダレスX型ゼオライトの陽イオンは、NaまたはKであることが好ましい。
鉄化合物を含む層は、好ましくは酸化鉄および/または水酸化鉄を含む層であり、酸化鉄、より好ましくはFeを含むことが特に好ましい。
鉄化合物を含む層は、鉄化合物のみを含む層であってもよく、他の成分を含有する層であってもよい。
鉄化合物を含む層は、例えば、マンガン化合物を含むことができる。この場合、鉄化合物とマンガン化合物の比率は、FeとMnOとしての合計量を100重量部としたときに、鉄化合物がFeとして20〜95重量部、マンガン化合物がMnOとして5〜80重量部であることが好ましく、鉄化合物がFeとして70〜94重量部、マンガン化合物がMnOとして6〜30重量部であることがより好ましい。
この場合も、鉄化合物は、酸化鉄および/または水酸化鉄であることが好ましく、酸化鉄であることがより好ましく、Feであることが特に好ましい。マンガン化合物は、酸化マンガンおよび/または水酸化マンガンであることが好ましく、MnO、Mn等の酸化マンガンであることがより好ましい。
鉄化合物を含む層は、シリカ、アルミナ、有機物バインダ等を含んでいてもよく、ペレット状、タブレット状、球状等の形状を有する成形体であることが好ましい。また、多孔質であることが好ましい。
鉄化合物を含む層となる成形体は、例えば、鉄の酸化物または塩と、所望によりマンガンの酸化物または塩や、その他の金属の酸化物または塩とを水中で混合して、鉄およびマンガンの塩を水酸化物に変え、濾過、水洗、乾燥を行った後、150〜450℃の温度で焼成し、得られた焼成物に所望によりシリカ、アルミナ、有機物バインダ等を添加して混練、成形(造粒)および乾燥を行って製造することができる。用いる鉄の塩としては、特に限定されないが、硫酸鉄、塩化鉄等の無機酸の塩であることが好ましい。また、用いるマンガンの塩としては、特に限定されないが、硫酸マンガン、塩化マンガン等の無機酸の塩であることが好ましい。
本発明の除去方法としては、例えば、上記のようにして製造されるバインダレスX型ゼオライト成形体と、鉄化合物を含む成形体とを適当な順に容器内に積層し充填する方法が挙げられる。また、バインダレスX型ゼオライトと鉄化合物を含む成形体とをそれぞれ別々の容器に充填し、これを連結して使用することもできる。
本発明のハロゲン系ガスの除去方法では、上記のような除去剤にハロゲン系ガスを含むガスを接触させ、ハロゲン系ガスを吸着除去する。本発明にいうハロゲン系ガスとは、ハロゲンを含有するガスであれば特に制限はない。また、除去剤に接触させるガスはハロゲン系ガス以外の他の種類のガスを含んでいてもよい。
バインダレスX型ゼオライトと鉄化合物とを含む除去剤、好ましくは前段に鉄化合物を含む層を有し、後段にバインダレスX型ゼオライトを含む層を有する除去剤を用いる以外は公知の方法に従ってハロゲン系ガスの除去を行うことができる。除去剤の使用量(充填量)、バインダレスX型ゼオライトと鉄化合物との比率、除去剤の形状および大きさ、ハロゲン系ガスを含むガスの流量および濃度、接触させる際の温度および圧力などの処理条件は適宜選択することができる。
除去剤にハロゲン系ガスを含むガスを接触させる際の温度は特に限定されず、例えば0〜120℃、好ましくは0〜90℃であり、例えば常温でよく、敢えて加温および冷却する必要はない。通常の処理工程では、必要により適宜前処理した排ガスを、温度制御を行ってもよいが、通常は、そのまま接触させることができる。
また、ハロゲン系ガスを含むガスを除去剤に接触させるときの圧力も特に限定はされず、通常は常圧下でよく、または他の目的または前後の装置の都合で減圧または加圧下としてもよい。除去装置の容器の肉厚や材質は適宜設定される。
ハロゲン系ガスを含むガスを除去剤に接触させるには、一般的には、除去剤を充填した容器(例えばカラム状容器)の中を、ハロゲン系ガスを含むガスを流通させることで行う。好ましい除去処理装置としては、例えば、特開2009−50747号公報に記載のガス処理装置が挙げられる。
除去剤を充填する容器の形状は、特に限定されないが、例えば、円筒形、三角筒形、四角筒形、六角筒形等が挙げられるが、好ましくは四角筒形のものが使用される。
前記容器の容量は、特に制限されないが、実用性を考慮すれば、好ましくは1〜500L、更に好ましくは10〜300L、特に好ましくは50〜200Lである。容器の材質としては、腐食しがたいものが使用されるが、好ましくはインコネル、ハステロイ、ステンレス鋼が使用され、市販されている一般規格としては、例えば、SUS304、SUS316等が通常使用される。
除去剤を充填した容器の排ガス導入口は、容器の上部、下部のどちらかに設ければ良く、除去処理ガス導出口は、排ガス導入口の反対側に位置していれば、つまり、導入した排ガスが除去剤を通過する構成であれば、特に限定されない。
容器の形状、大きさ、排ガス導入口の導入角度については特に限定されないが、容器は移動に便利な車輪が接続されていることが一般的である。
容器に充填する除去剤は、好ましくは層状に充填され、その充填方法は、一般的に行われている方法であれば特に限定されないが、例えば、不活性ガスの雰囲気にて、容器の充填口から、そのまま投入する等の方法によって行われる。例えば、後段の層(下層)になるバインダレスX型ゼオライトを容器内に投入・充填した後、前段の層(上層)になる鉄化合物を含む成形体を投入・充填することができる。
除去装置に供給する排ガスの線速度は、好ましくは毎分1〜300cm、更に好ましくは毎分5〜80cmである。また、排ガスの除去剤への接触時間は、好ましくは0を超え150分、更に好ましくは0を超え20分である。さらに、排ガスの空間速度は、好ましくは1〜1500h−1である。
鉄化合物とバインダレスX型ゼオライトとを1つの容器に層状に充填する代わりに、鉄化合物を含む除去剤と、バインダレスX型ゼオライトを含む除去剤とを準備し、これらを別の容器に充填して使用することもできる。ハロゲン系ガスを含むガスを、鉄化合物を含む除去剤に接触させた後、別の容器に充填されているバインダレスX型ゼオライトを含む除去剤に接触させることによっても、または、ハロゲン系ガスを含むガスを、バインダレスX型ゼオライトを含む除去剤に接触させた後、別の容器に充填されている鉄化合物を含む除去剤に接触させることによっても、ハロゲン系ガスを室温で簡便に、効率よく除去することができる。
除去されるハロゲン系ガスとしては、Cl、F、Br、I等のハロゲンガス、HCl、HF、HBr、HI等のハロゲン化水素、SiCl、SiF、SiBr等のハロゲン化珪素、BCl、BBr等のハロゲン化ホウ素、WCl、WF等のハロゲン化タングステン、COCl、COF等のハロゲン化カルボニル、OF等の酸化ハロゲンが挙げられる。本発明の除去方法は、特に、ハロゲン化水素やハロゲン化ホウ素等の酸性ガスと、ハロゲンガス等の中性ガスの両方を含有するハロゲン系ガスを除去する場合に好適である。また、半導体・液晶製造におけるエッチング工程およびクリーニング工程などから排出される排ガス中のハロゲン系ガスの除去に好適である。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
〔実施例1〕
まず、ステンレス製カラム(内径72.5mm;断面積41cm)に、後段(下層)の除去剤層としてバインダレスX型ゼオライト(東ソー株式会社製、ゼオラムF−9HA)を500ml充填した。次いで、前段(上層)の除去剤層として酸化鉄の成形体(ズードケミー触媒株式会社製、N−600F)を500ml充填した。この酸化鉄の成形体は、酸化鉄以外に、酸化マンガン、硫酸カルシウム、酸化ケイ素(シリカ)、酸化アルミニウム(アルミナ)等を含むものである。
ドライエッチングガス用の排ガスを模した試験ガスとして、Clが2容量%、BClが2容量%のN希釈ガス(N:96容量%)を、ガス流量2.08L/min、常圧下、25℃で吸着剤を充填したカラムへ供給した。ガスの供給流量の制御には、コフロック製のマスフローコントローラーを使用した。処理条件は線速度1cm/sec、空間速度125hr−1である。そして、カラム出口側で対象ガス(Cl、BCl)の濃度を株式会社ガステック製のガス検知管「型番:8La(塩素用)、14L(塩化水素用)」で測定し、Clの許容濃度0.5ppm、またはBClの許容濃度(BCl1モルが水と反応して3モルの塩化水素(HCl)が生成する反応において、HClの許容濃度として5ppm)を検出した時点を破過とし、この破過までの対象ガスの供給量[対象ガスの導入ガス流量(40ml/min)×破過までの時間]を求め、破過能力を示す破過流通量(mol/L)を次式から算出した。
破過流通量(mol/L)=破過までの対象ガス供給量(L)/22.4(L)/吸着剤充填量(1000ml=1L)
その結果を表1に示す。
〔比較例1〕
バインダレスX型ゼオライトの代わりに、バインダを含むX型ゼオライト(東ソー株式会社製、ゼオラムF−9)を用いた以外は、実施例1と同様にしてハロゲン系ガス(Cl、BCl)の吸着除去を行った。その結果を表1に示す。
Figure 0005499816
酸化鉄とバインダレスX型ゼオライトを使用した実施例1は、酸化鉄とバインダを含むX型ゼオライトを使用した比較例1よりも、中性ガスであるCl、酸性ガスであるBClのどちらについても破過流通量が大きく、除去性能が高かった。
以上のように、本発明の除去方法によれば、特に酸性ガスと中性ガスの両方を含有するハロゲン系ガスを室温で簡便に、効率よく除去することができる。

Claims (3)

  1. 三塩化ホウ素および塩素を含むハロゲン系ガスを、前段に鉄化合物を含み、活性炭を含まない層を配置し、後段にバインダレスX型ゼオライトを含む層を配置した容器の中を流通させることで、鉄化合物と接触させ、次いでバインダレスX型ゼオライトと接触させることを特徴とするハロゲン系ガスの除去方法。
  2. 鉄化合物を含み、活性炭を含まない層が容器の上部に配置され、バインダレスX型ゼオライトを含む層が容器の下部に配置され、ハロゲン系ガスは容器の上部から導入され、容器の下部から導出される請求項1記載のハロゲン系ガスの除去方法。
  3. 鉄化合物を含み、活性炭を含まない層が容器の下部に配置され、バインダレスX型ゼオライトを含む層が容器の上部に配置され、ハロゲン系ガスは容器の下部から導入され、容器の上部から導出される請求項1記載のハロゲン系ガスの除去方法。
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JP5810950B2 (ja) * 2012-02-06 2015-11-11 日産自動車株式会社 ミクロポーラス炭素系材料の製造方法
KR101333220B1 (ko) * 2012-03-05 2013-11-26 (주) 리드제넥스 금속수산화물을 이용한 반도체 및 평판디스플레이 제조공정에서 발생하는 독성유해가스 제거용 흡착제 및 이의 제조방법
JP2015112545A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 宇部興産株式会社 ガスの処理装置及びガスの処理カートリッジ
JP2016221428A (ja) * 2015-05-28 2016-12-28 宇部興産株式会社 ガスの処理装置及びガスの処理カートリッジ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2581642B2 (ja) * 1993-05-10 1997-02-12 宇部興産株式会社 エッチング排ガス除害剤及び排ガス処理方法
JP3004204B2 (ja) * 1996-02-22 2000-01-31 勇藏 森 プラズマcvm排ガスの精製回収方法
JP3981206B2 (ja) * 1997-06-20 2007-09-26 株式会社荏原製作所 無機ハロゲン化ガスを含有する排ガスの処理方法及び処理装置
JP3840877B2 (ja) * 2000-05-26 2006-11-01 昭和電工株式会社 ハロゲン系ガスの除害剤、除害方法及びその用途
JP5145904B2 (ja) * 2007-02-21 2013-02-20 東ソー株式会社 ハロゲン系ガスの除害剤及びそれを使用するハロゲン系ガスの除害方法

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