JP5472271B2 - 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 - Google Patents
銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5472271B2 JP5472271B2 JP2011257827A JP2011257827A JP5472271B2 JP 5472271 B2 JP5472271 B2 JP 5472271B2 JP 2011257827 A JP2011257827 A JP 2011257827A JP 2011257827 A JP2011257827 A JP 2011257827A JP 5472271 B2 JP5472271 B2 JP 5472271B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- component
- acid
- abrasive
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 466
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 146
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims description 146
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 64
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 136
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 95
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 59
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 44
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 38
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 31
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 29
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims description 28
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 28
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 28
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 25
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 24
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 23
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 23
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 21
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- -1 triazole compound Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 17
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 12
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 12
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 8
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 47
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 37
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 35
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 24
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 20
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 20
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 20
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 19
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 19
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 18
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 6
- JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N [3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-ylmethyl)-1-oxa-2,8-diazaspiro[4.5]dec-2-en-8-yl]-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]methanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CC1=NOC2(C1)CCN(CC2)C(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F JAWMENYCRQKKJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 4
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJMDYLWCYJJYMO-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O UJMDYLWCYJJYMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3,5-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=CC(C(O)=O)=C1 QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 4
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 4
- FXADMRZICBQPQY-UHFFFAOYSA-N orthotelluric acid Chemical compound O[Te](O)(O)(O)(O)O FXADMRZICBQPQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1O GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylimidazole Chemical compound CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 3
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 3
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N [(3S)-3-[8-(1-ethyl-5-methylpyrazol-4-yl)-9-methylpurin-6-yl]oxypyrrolidin-1-yl]-(oxan-4-yl)methanone Chemical compound C(C)N1N=CC(=C1C)C=1N(C2=NC=NC(=C2N=1)O[C@@H]1CN(CC1)C(=O)C1CCOCC1)C FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N 0.000 description 3
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N (2R)-2-hydroxy-2-phenylacetic acid Chemical compound O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1.O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1 QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- 239000001124 (E)-prop-1-ene-1,2,3-tricarboxylic acid Substances 0.000 description 2
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Chemical compound C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CN1 DEPDDPLQZYCHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC=C1O WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=CN=C(C)N1 LLPKQRMDOFYSGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical compound NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N D-threo-isocitric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-ZAFYKAAXSA-N 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N Isocitric acid Natural products OC(=O)[C@@H](O)[C@H](C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-FONMRSAGSA-N 0.000 description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 2
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N R-2-phenyl-2-hydroxyacetic acid Natural products OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 description 2
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940091181 aconitic acid Drugs 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 2
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N cis-aconitic acid Chemical compound OC(=O)C\C(C(O)=O)=C\C(O)=O GTZCVFVGUGFEME-IWQZZHSRSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 2
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- ROBFUDYVXSDBQM-UHFFFAOYSA-N hydroxymalonic acid Chemical compound OC(=O)C(O)C(O)=O ROBFUDYVXSDBQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 2
- TWBYWOBDOCUKOW-UHFFFAOYSA-N isonicotinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=NC=C1 TWBYWOBDOCUKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 description 2
- YDSWCNNOKPMOTP-UHFFFAOYSA-N mellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O YDSWCNNOKPMOTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical compound O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHPXUQMNIQBQEV-UHFFFAOYSA-N oxaloacetic acid Chemical compound OC(=O)CC(=O)C(O)=O KHPXUQMNIQBQEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFSCUAXLTRFIDC-UHFFFAOYSA-N oxalosuccinic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C(=O)C(O)=O UFSCUAXLTRFIDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 2
- DHRLEVQXOMLTIM-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.O=[Mo](=O)=O.OP(O)(O)=O DHRLEVQXOMLTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxotungsten Chemical compound O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.OP(O)(O)=O IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 2
- 238000009789 rate limiting process Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYHFIVBSNOWOCQ-UHFFFAOYSA-N selenic acid Chemical compound O[Se](O)(=O)=O QYHFIVBSNOWOCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CGFYHILWFSGVJS-UHFFFAOYSA-N silicic acid;trioxotungsten Chemical compound O[Si](O)(O)O.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 CGFYHILWFSGVJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N sulfurothioic S-acid Chemical compound OS(O)(=O)=S DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMSVCTWVEWCHDZ-UHFFFAOYSA-N syringic acid Chemical compound COC1=CC(C(O)=O)=CC(OC)=C1O JMSVCTWVEWCHDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N threo-D-isocitric acid Natural products OC(=O)C(O)C(C(O)=O)CC(O)=O ODBLHEXUDAPZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N trans-aconitic acid Natural products OC(=O)CC(C(O)=O)=CC(O)=O GTZCVFVGUGFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N trans-caffeic acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N 0.000 description 2
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N triphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(O)=O UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 2
- WQEVDHBJGNOKKO-UHFFFAOYSA-K vanadic acid Chemical compound O[V](O)(O)=O WQEVDHBJGNOKKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N (2e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N 0.000 description 1
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AAWZDTNXLSGCEK-LNVDRNJUSA-N (3r,5r)-1,3,4,5-tetrahydroxycyclohexane-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1CC(O)(C(O)=O)C[C@@H](O)C1O AAWZDTNXLSGCEK-LNVDRNJUSA-N 0.000 description 1
- ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N (E)-3,4,5-trihydroxycinnamic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSEBMYQBYZTDHS-HWKANZROSA-M (E)-Ferulic acid Natural products COC1=CC(\C=C\C([O-])=O)=CC=C1O KSEBMYQBYZTDHS-HWKANZROSA-M 0.000 description 1
- KJTLQQUUPVSXIM-ZCFIWIBFSA-N (R)-mevalonic acid Chemical compound OCC[C@](O)(C)CC(O)=O KJTLQQUUPVSXIM-ZCFIWIBFSA-N 0.000 description 1
- OTOIIPJYVQJATP-BYPYZUCNSA-N (R)-pantoic acid Chemical compound OCC(C)(C)[C@@H](O)C(O)=O OTOIIPJYVQJATP-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHRZCXAVMTUTDD-UHFFFAOYSA-N 1h-furo[2,3-d]pyrimidin-2-one Chemical compound N1C(=O)N=C2OC=CC2=C1 WHRZCXAVMTUTDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYHKNCXZYYTLRG-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazole-2-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=NC=CN1 XYHKNCXZYYTLRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMOYKDCLYCJGHG-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-benzotriazol-4-ylmethyl)butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC1=CC=CC2=NNN=C12 HMOYKDCLYCJGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLDUURXGMDOCY-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCC1=NC=CN1 SLLDUURXGMDOCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 2-furoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CO1 SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUOZJYASZOSONT-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yl-1h-imidazole Chemical compound CC(C)C1=NC=CN1 FUOZJYASZOSONT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKBBSFGKFMQPPC-UHFFFAOYSA-N 2-propyl-1h-imidazole Chemical compound CCCC1=NC=CN1 MKBBSFGKFMQPPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazol-4-ol Chemical compound OC1=CC=CC2=C1N=NN2 JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 2h-benzo[e]benzotriazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=NNN=C21 YTZPUTADNGREHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethyl-1h-pyrazole Chemical compound CC=1C=C(C)NN=1 SDXAWLJRERMRKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VJEFVEHNRRGNQX-UHFFFAOYSA-N 3-(benzotriazol-1-yl)propane-1,1-diol Chemical compound C1=CC=C2N(CCC(O)O)N=NC2=C1 VJEFVEHNRRGNQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 3-Methylbutanoic acid Natural products CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYTLHYRDGXRYEY-UHFFFAOYSA-N 5-Methyl-3-pyrazolamine Chemical compound CC=1C=C(N)NN=1 FYTLHYRDGXRYEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZBGOTVBHYKUDS-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydropyrazol-3-one Chemical compound NC1=CC(=O)NN1 QZBGOTVBHYKUDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAHAURRLKFPBCQ-UHFFFAOYSA-N 5-hexyl-2h-benzotriazole Chemical compound CCCCCCC1=CC=C2NN=NC2=C1 GAHAURRLKFPBCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- XFTRTWQBIOMVPK-YFKPBYRVSA-N Citramalic acid Natural products OC(=O)[C@](O)(C)CC(O)=O XFTRTWQBIOMVPK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- AAWZDTNXLSGCEK-UHFFFAOYSA-N Cordycepinsaeure Natural products OC1CC(O)(C(O)=O)CC(O)C1O AAWZDTNXLSGCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVWYRKDKASIDU-QWWZWVQMSA-N D-cystine Chemical compound OC(=O)[C@H](N)CSSC[C@@H](N)C(O)=O LEVWYRKDKASIDU-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- KJTLQQUUPVSXIM-UHFFFAOYSA-N DL-mevalonic acid Natural products OCCC(O)(C)CC(O)=O KJTLQQUUPVSXIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- 235000006173 Larrea tridentata Nutrition 0.000 description 1
- 244000073231 Larrea tridentata Species 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEAAPULBRBHRTM-UHFFFAOYSA-N N1(N=NC2=C1C=CC=C2)COP(OCN2N=NC1=C2C=CC=C1)=O Chemical compound N1(N=NC2=C1C=CC=C2)COP(OCN2N=NC1=C2C=CC=C1)=O AEAAPULBRBHRTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAWZDTNXLSGCEK-ZHQZDSKASA-N Quinic acid Natural products O[C@H]1CC(O)(C(O)=O)C[C@H](O)C1O AAWZDTNXLSGCEK-ZHQZDSKASA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWCHELUCVWSRRS-UHFFFAOYSA-N atrolactic acid Chemical compound OC(=O)C(O)(C)C1=CC=CC=C1 NWCHELUCVWSRRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- UKXSKSHDVLQNKG-UHFFFAOYSA-N benzilic acid Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(=O)O)C1=CC=CC=C1 UKXSKSHDVLQNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N beta-methyl-butyric acid Natural products CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIAFKZKHHVMJGS-UHFFFAOYSA-N beta-resorcylic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1O UIAFKZKHHVMJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid Chemical compound OC(=O)CC=C PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004883 caffeic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074360 caffeic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- MSUOLNSQHLHDAS-UHFFFAOYSA-N cerebronic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)C(O)=O MSUOLNSQHLHDAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N cis-caffeic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFTRTWQBIOMVPK-UHFFFAOYSA-N citramalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)(C)CC(O)=O XFTRTWQBIOMVPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229960002126 creosote Drugs 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 229960003067 cystine Drugs 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- OREAFAJWWJHCOT-UHFFFAOYSA-N dimethylmalonic acid Chemical compound OC(=O)C(C)(C)C(O)=O OREAFAJWWJHCOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 235000001785 ferulic acid Nutrition 0.000 description 1
- KSEBMYQBYZTDHS-HWKANZROSA-N ferulic acid Chemical compound COC1=CC(\C=C\C(O)=O)=CC=C1O KSEBMYQBYZTDHS-HWKANZROSA-N 0.000 description 1
- 229940114124 ferulic acid Drugs 0.000 description 1
- KSEBMYQBYZTDHS-UHFFFAOYSA-N ferulic acid Natural products COC1=CC(C=CC(O)=O)=CC=C1O KSEBMYQBYZTDHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIKMMFOAQPJVMX-UHFFFAOYSA-N fomepizole Chemical compound CC=1C=NNC=1 RIKMMFOAQPJVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004285 fomepizole Drugs 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229960005219 gentisic acid Drugs 0.000 description 1
- 229960004275 glycolic acid Drugs 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-IHWYPQMZSA-N isocrotonic acid Chemical compound C\C=C/C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960000448 lactic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIYVHBGGAOATLY-UHFFFAOYSA-N methylmalonic acid Chemical compound OC(=O)C(C)C(O)=O ZIYVHBGGAOATLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N pivalic acid Chemical compound CC(C)(C)C(O)=O IUGYQRQAERSCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N propionic anhydride Chemical compound CCC(=O)OC(=O)CC WYVAMUWZEOHJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N propynoic acid Chemical compound OC(=O)C#C UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N protochatechuic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 description 1
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N ricinelaidic acid Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C\C=C\CCCCCCCC(O)=O WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N 0.000 description 1
- 229960003656 ricinoleic acid Drugs 0.000 description 1
- FEUQNCSVHBHROZ-UHFFFAOYSA-N ricinoleic acid Natural products CCCCCCC(O[Si](C)(C)C)CC=CCCCCCCCC(=O)OC FEUQNCSVHBHROZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- ORIHZIZPTZTNCU-YVMONPNESA-N salicylaldoxime Chemical compound O\N=C/C1=CC=CC=C1O ORIHZIZPTZTNCU-YVMONPNESA-N 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXOHGGNKMLTUBP-HSUXUTPPSA-N shikimic acid Chemical compound O[C@@H]1CC(C(O)=O)=C[C@@H](O)[C@H]1O JXOHGGNKMLTUBP-HSUXUTPPSA-N 0.000 description 1
- JXOHGGNKMLTUBP-JKUQZMGJSA-N shikimic acid Natural products O[C@@H]1CC(C(O)=O)=C[C@H](O)[C@@H]1O JXOHGGNKMLTUBP-JKUQZMGJSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- PCMORTLOPMLEFB-ONEGZZNKSA-N sinapic acid Chemical compound COC1=CC(\C=C\C(O)=O)=CC(OC)=C1O PCMORTLOPMLEFB-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- PCMORTLOPMLEFB-UHFFFAOYSA-N sinapinic acid Natural products COC1=CC(C=CC(O)=O)=CC(OC)=C1O PCMORTLOPMLEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 1
- YIBXWXOYFGZLRU-UHFFFAOYSA-N syringic aldehyde Natural products CC12CCC(C3(CCC(=O)C(C)(C)C3CC=3)C)C=3C1(C)CCC2C1COC(C)(C)C(O)C(O)C1 YIBXWXOYFGZLRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- QERYCTSHXKAMIS-UHFFFAOYSA-N thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CS1 QERYCTSHXKAMIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QURCVMIEKCOAJU-UHFFFAOYSA-N trans-isoferulic acid Natural products COC1=CC=C(C=CC(O)=O)C=C1O QURCVMIEKCOAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- WKOLLVMJNQIZCI-UHFFFAOYSA-N vanillic acid Chemical compound COC1=CC(C(O)=O)=CC=C1O WKOLLVMJNQIZCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUUBOHWZSQXCSW-UHFFFAOYSA-N vanillic acid Natural products COC1=CC(O)=CC(C(O)=O)=C1 TUUBOHWZSQXCSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/7684—Smoothing; Planarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
条件(i)保護膜形成剤の含有量(mol/kg)に対する無機酸の含有量(mol/kg)の比率(無機酸の含有量/保護膜形成剤の含有量)が、2.00以上であること。
条件(ii)研磨剤中に有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種を含むこと。
本発明の第1実施形態に係る銅研磨用研磨剤(以下、単に「研磨剤」という。)は、前記条件(i)を満たす。すなわち、第1実施形態に係る研磨剤は、(A)無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水とを含み、(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上であり、(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上であり、(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上であり、(C)成分の含有量(mol/kg)に対する(A)成分の含有量(mol/kg)の比率が2.00以上である。
第1実施形態に係る研磨剤のpHは、CMPによる銅に対する研磨速度が大きく、銅膜に腐食を生じさせないという点で、1.5〜4.0の範囲であることが好ましい。pHが1.5以上であると、銅膜の表面粗さを低減しやすくなる傾向があり、同様の観点から、pHは2.0以上がより好ましい。pHが4.0以下であると、CMPによる研磨速度が増加してより実用的な研磨剤となる傾向があり、同様の観点から、pHは3.5以下がより好ましく、3.0以下が更に好ましい。
(A)成分は、二価以上の無機酸(一価でない無機酸)であり、公知のものを特に制限なく使用することができ、例えば、硫酸、クロム酸、炭酸、モリブデン酸、硫化水素、亜硫酸、チオ硫酸、セレン酸、テルル酸、亜テルル酸、タングステン酸、ホスホン酸等の二価の酸、リン酸、リンモリブデン酸、リンタングステン酸、バナジン酸等の三価の酸、ケイモリブデン酸、ケイタングステン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸等の四価以上の酸などが挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
銅膜の表面粗さを更に低減できるという点では、弱酸(pKaが0を超える酸と定義する。以下同じ)が好ましい。弱酸としては、具体的には、炭酸、モリブデン酸、硫化水素、亜硫酸、チオ硫酸、セレン酸、テルル酸、亜テルル酸、タングステン酸、ホスホン酸、リン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、バナジン酸が挙げられ、リン酸が好ましい。
研磨速度と表面粗さとを更に高度に両立できる点では、上記強酸と上記弱酸とを組み合わせて使用することが好ましく、この観点で、硫酸及びリン酸の混合物が特に好ましい。
(B)成分は、pHを調整し、かつ銅を溶解させる目的で使用されるアミノ酸である。このような(B)成分としては、わずかでも水に溶解するアミノ酸であれば特に制限はなく、例えば、グリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、シシチン、メチオニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、リシン、アルギニン、フェニルアラニン、チロシン、ヒスチジン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリンから選択される少なくとも一種が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
(C)成分である保護膜形成剤とは、銅表面に対して保護膜を形成する作用を有する物質をいい、防食剤やインヒビターとも呼ばれる物質である。ただし、上述のように保護膜形成剤は、研磨進行時に除去される「反応層」を構成していると考えられ、必ずしも銅が研磨されるのを防ぐための「保護膜」を形成するものに限られない。
(D)成分としては、特に制限はなく、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、炭化珪素等の無機物砥粒、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリ塩化ビニル等の有機物砥粒を挙げることができる。これらの(D)成分の中でも、研磨剤中での分散安定性が良く、CMPにより発生する研磨傷(スクラッチ)の発生数が少ない点で、シリカ及びアルミナが好ましく、粒径の制御が容易であり、研磨特性により優れる点で、コロイダルシリカ、コロイダルアルミナがより好ましい。コロイダルシリカは、シリコンアルコキシドの加水分解又は珪酸ナトリウムのイオン交換による製造方法が知られている。コロイダルアルミナは、硝酸アルミニウムの加水分解による製造方法が知られている。上記(D)成分は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
(E)成分としては、銅に対する酸化作用を有する酸化剤であれば特に制限なく使用することができる。(E)成分としては、例えば、過酸化水素(H2O2)、過硫酸、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸カリウム等が挙げられ、その中でも研磨速度に更に優れる点で過酸化水素、過硫酸及び過硫酸塩から選択される少なくとも一種が好ましい。上記酸化剤は単独で又は二種類以上組み合わせて使用することができる。
研磨剤の媒体である(F)成分としては、特に制限されないが、脱イオン水、イオン交換水、超純水等が好ましい。研磨剤における(F)成分の含有量は、他の構成成分の含有量の残部でよく、研磨剤中に含有されていれば特に限定されない。
適用される基板や用途によっては、銅に対する更に高い研磨速度(例えば50000Å/minを超えるような研磨速度)が求められる場合がある。このような場合、第1実施形態に係る研磨剤は、(A)無機酸、(B)アミノ酸、(C)保護膜形成剤、(D)砥粒、(E)酸化剤及び(F)水を少なくとも含む研磨剤のpHを4まで増加させるために要する水酸化カリウムの量(無機酸の水酸化カリウムによる中和滴定等量)が、研磨剤1kg当たり0.10mol以上となるように無機酸を添加することが好ましい。
第2実施形態に係る銅研磨用研磨剤(以下、単に「研磨剤」という。)は、前記条件(ii)を満たす。すなわち、第2実施形態に係る研磨剤は、(A)無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水と、(G)有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種とを含み、(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上であり、(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上であり、(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上である。
第2実施形態に係る研磨剤は、(G)成分として有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種を含有する。(G)成分としては、例えば、ギ酸、酢酸、グリオキシル酸、ピルビン酸、乳酸、マンデル酸、ビニル酢酸、3−ヒドロキシ絡酸、シュウ酸、マレイン酸、マロン酸、メチルマロン酸、ジメチルマロン酸、フタル酸、酒石酸、フマル酸、リンゴ酸、コハク酸、グルタル酸、オキサロ酢酸、クエン酸、ヘミメリト酸、トリメリト酸、トリメシン酸、メリト酸、イソクエン酸、アコニット酸、オキサロコハク酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、オクタン酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、アクリル酸、プロピオール酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、安息香酸、ケイヒ酸、イソフタル酸、テレフタル酸、フランカルボン酸、チオフェンカルボン酸、ニコチン酸、イソニコチン酸、グリコール酸、サリチル酸、クレオソート酸、バニリン酸、シリング酸、ピロカテク酸、レソルシル酸、ゲンチジン酸、プロカテク酸、オルセリン酸、没食子酸、タルトロン酸、ロイシン酸、メバロン酸、パントイン酸、リシノール酸、リシネライジン酸、セレブロン酸、シトラマル酸、キナ酸、シキミ酸、マンデル酸、ベンジル酸、アトロラクチン酸,メリロト酸、フロレト酸、クマル酸、ウンベル酸、カフェー酸、フェルラ酸、イソフェルラ酸、シナピン酸等の有機酸、及び、無水マレイン酸、無水プロピオン酸、無水コハク酸、無水フタル酸等の有機酸の酸無水物から選ばれる少なくとも一種が挙げられる。なお、(G)成分としては(B)成分のアミノ酸を除く。
適用される基板や用途によっては、銅に対する更に高い研磨速度(例えば50000Å/minを超えるような研磨速度)が求められる場合がある。このような場合、第2実施形態に係る研磨剤は、研磨剤から(G)成分を除いた組成物のpHを4まで増加させるために要する水酸化カリウムの量(無機酸の水酸化カリウムによる中和滴定等量)が、前記組成物1kg当たり0.10mol以上となるように無機酸を添加することが好ましい。
第3実施形態に係る銅研磨用研磨剤(以下、単に「研磨剤」という。)は、前記条件(i)及び(ii)の両方を満たす。すなわち、第3実施形態に係る研磨剤は、(A)無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水と、(G)有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種とを含み、(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上であり、(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上であり、(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上であり、(C)成分の含有量に対する(A)成分の含有量の比率が2.00以上である。
上記各実施形態に係る研磨剤の保存方法に特に制限はない。例えば、構成成分を全て含む1液式研磨剤として保存しても良く、互いに混合して上記各実施形態に係るCMP研磨剤となるように該研磨剤の構成成分を少なくともスラリー(第1の液)と添加液(第2の液)とに分ける2液式研磨剤として保存しても良い。上記第1実施形態が2液式研磨剤の場合、例えば、(D)砥粒及び(F)水を含有するスラリーと、(A)無機酸、(B)アミノ酸、(C)保護膜形成剤及び(F)水を含有する添加液とに分けられる。(E)酸化剤は、スラリーと添加液とを混合する際に添加される。スラリーと添加剤とを混合せずに保管すると、研磨剤の保存安定性を向上させることが可能であり、研磨速度の低下を更に抑制し安定した研磨速度で研磨することが可能である。
本実施形態に係る研磨方法は、上記各実施形態に係る研磨剤を用いて銅を含む金属膜を研磨し、金属膜の少なくとも一部を除去することを特徴とする。本実施形態に係る研磨方法は、より具体的には、基板上に、銅を含む金属膜を積層する積層ステップと、上記各実施形態に係る研磨剤を用いて銅を含む金属膜を研磨し、当該金属膜の一部を除去する研磨ステップ、を有することを特徴とする。ここで、「銅を含む金属膜」とは、純銅からなる金属膜、銅を含む金属膜(例えば銅合金膜)、又はそれらの金属膜と他の金属との積層膜等であってもよい。
また、研磨剤を所定の圧力で吹きつけることで研磨しても良い。
(研磨剤の作製)
以下、実験例1−1〜1−11の研磨剤について説明する。なお、実験例1−7〜1−8は、本発明の上記第1実施形態に相当し、実験例1−6は、本発明の上記第2実施形態に相当し、実験例1−1〜1−5、1−9は、本発明の上記第3実施形態に相当する。
濃度96%の硫酸10g、濃度85%のリン酸10g、グリシン50g、ベンゾトリアゾール(BTA)10g、シュウ酸10g、及びテトラエトキシシランのアンモニア溶液中での加水分解により作製した平均粒径70nmのコロイダルシリカ(固形分20%)50gを水550gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させた。さらに25%のアンモニア水溶液を添加して液のpHを2.6に調整した後、純水をさらに加えて全量を700gとした。これに、過酸化水素水(試薬特級、30%水溶液)300gを加えて、全量1000gの研磨剤1−1を得た。
(実験例1−2)
シュウ酸の代わりにマロン酸を10g添加した以外は実験例1−1と同様にして研磨剤1−2を作製した。
(実験例1−3)
シュウ酸の代わりにマレイン酸を10g添加した以外は実験例1−1と同様にして研磨剤1−3を作製した。
(実験例1−4)
グリシンの代わりにアラニンを50g添加した以外は実験例1−1と同様にして研磨剤1−4を作製した。
(実験例1−5)
グリシンの代わりにセリンを50g添加した以外は実験例1−1と同様にして研磨剤1−5を作製した。
(実験例1−6)
添加する硫酸とリン酸の量をそれぞれ5gとした以外は実験例1−1と同様にして研磨剤1−6を作製した。
(実験例1−7)
シュウ酸を加えないこと以外は実験例1−1と同様にして研磨剤1−7を作製した。
(実験例1−8)
シュウ酸を加えないことに加えて、硫酸の量を20gに増量した以外は実験例1−1と同様にして研磨剤1−8を作製した。
(実験例1−9)
シュウ酸の代わりにリンゴ酸を添加したこと以外は実験例1−1と同様にして研磨剤1−9を作製した。
硫酸及びリン酸を加えず、シュウ酸の量を30gとした以外は実験例1−1と同様にして研磨剤X1−1を作製した。
(実験例1−11)
添加する硫酸の量を1g、リン酸の量を5gとした以外は実験例1−1と同様にして研磨剤X1−2を作製した。
上記研磨剤1−1〜1−9、X1−1〜X1−2のpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定した。表1に記載のpHはこの測定値である。
有機酸及び25%のアンモニア水溶液を添加しないこと以外は実験例1−1〜1−11と同様にして、中和滴定量測定用の試験液(試験液1−1〜1−9及び試験液X1−1〜X1−2)を作製した。それぞれの試験液について、pHメータ(横河電機株式会社製 PH81)を使用し、25℃の恒温水槽中で、水酸化カリウムによる中和滴定等量を測定した。なお、実験例1−10については、シュウ酸及びアンモニア水を添加しない状態でのpHが4.0を超えていたため、中和滴定量を0(mol/kg)とした。
直径8インチ(20.3cm)(φ)サイズのシリコン基板上に厚み20μmの銅膜を製膜した基板(アドバンテック社より購入)を用意した。この基板を使用し、上記研磨剤1−1〜1−9及び研磨剤X1−1〜X1−2を、研磨装置の定盤に貼り付けた研磨布に滴下しながら、CMP研磨を行った。
研磨装置:定盤寸法は直径600mm(φ)、ロータリータイプ
研磨布:独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂(IC−1010、ロームアンドハース社製)
研磨圧力:32kPa
定盤/ヘッド回転速度:93/87rpm
研磨剤流量:200ml/min
上述のようにして研磨した基板について、CMPによる銅の研磨速度(以下、単に「研磨速度」という)及び表面粗さを測定した。
研磨速度:基板のCMP前後での膜厚差をシート抵抗変化から換算して求めた。測定装置はナプソン社製抵抗率測定器Model RT−7を用いた。なお、抵抗値としては、ウエハの直径方向77点(エッジから5mm部分除外)の平均値を用いた。
表面粗さ(算術平均粗さRa):研磨後の銅膜表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡:SPA−400,エスアイアイナノテクノロジー社製)で測定した。測定は基板中央部から半径方向に50mm離れた箇所において、5μm×5μmの面積範囲で行った。
実験例1−7の研磨剤にシュウ酸を加えた組成である実験例1−1の研磨剤1−1は、実験例1−7と比較して表面粗さが維持されつつ、研磨速度が向上した。
実験例1−1の研磨剤において硫酸及びリン酸をシュウ酸に置き換えた組成である実験例1−10の研磨剤X1−1は、実験例1−1と比較して、表面粗さは維持したものの、研磨速度は大幅に低下した。
実験例1−8の研磨剤において硫酸の一部をシュウ酸に置き換えた組成である実験例1−1の研磨剤1−1は、実験例1−8と比較して、表面粗さ及び研磨速度が向上した。実験例1−8は、実験例1−7と同様に30000Å/minを上回る速度であった。
また、研磨速度に着目すると、実験例1−7に対して10gの硫酸を更に追加した実験例1−8の研磨剤では、研磨速度が37000Å/minであるのに対し、実験例1−7に対して10gのシュウ酸を加えた系である実験例1−1の研磨剤では、研磨速度が60000Å/minを達成した。これにより、(A)成分と(G)成分を組み合わせることが研磨速度向上に有効であることが確認できる。
一方、(A)成分の種類、(A)成分及び(G)成分の量は実験例1−9と同じであるが、(G)成分のpKaが2.7以下である実験例1−1の研磨剤1−1は、実験例1−9と比較して表面粗さが維持されつつ、研磨速度が向上した。
(研磨剤の作製)
以下、実験例2−1〜2−14の研磨剤について説明する。なお、実験例2−1〜2−4は、本発明の上記第1実施形態に相当する。
濃度96%の硫酸5.1g、濃度85%のリン酸5.8g、グリシン20.3g、ベンゾトリアゾール(BTA)4.0g、及び、砥粒としてテトラエトキシシランのアンモニア溶液中での加水分解により作製した平均粒径70nmのコロイダルシリカ(固形分20%)50gを純水600gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させた。更に25%のアンモニア水溶液を添加して液のpHを2.6に調整した後、純水を更に加えて全量を700gとした。これに、過酸化水素水(試薬特級、30%水溶液)300gを加えて、全量1000gの研磨剤2−1を得た。
硫酸の量を7.7g、リン酸の量を8.6g、グリシンの量を30.8g、ベンゾトリアゾールの量を6.0gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤2−2を作製した。
(実験例2−3)
硫酸の量を10.2g、リン酸の量を11.5g、グリシンの量を40.5g、ベンゾトリアゾールの量を8.0gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤2−3を作製した。
(実験例2−4)
グリシンのかわりにセリンを28.4g用いた以外は実験例2−1と同様にして研磨剤2−4を作製した。
硫酸の量を2.6g、リン酸の量を2.9g、グリシンの量を10.5g、ベンゾトリアゾールの量を2.0gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−1を作製した。
(実験例2−6)
グリシンの量を10.5g、ベンゾトリアゾールの量を2.0gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−2を作製した。
(実験例2−7)
硫酸の量を10.2g、リン酸の量を11.5g、グリシンの量を10.5g、ベンゾトリアゾールの量を2.0gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−3を作製した。
(実験例2−8)
硫酸の量を2.6g、リン酸の量を2.9g、ベンゾトリアゾールの量を2.0gとし、pH調整にアンモニア水溶液にかえて36%の塩酸を使用した以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−4を作製した。
(実験例2−9)
硫酸の量を2.6g、リン酸の量を2.9g、グリシンの量を10.5gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−5を作製した。
(実験例2−10)
硫酸の量を2.6g、リン酸の量を2.9gとし、pH調整にアンモニア水溶液にかえて36%の塩酸を使用した以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−6を作製した。
(実験例2−11)
グリシンの量を0gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−7を作製した。
(実験例2−12)
グリシンの量を10.5g、ベンゾトリアゾールの量を4.0gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−8を作製した。
(実験例2−13)
ベンゾトリアゾールの量を2.0gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−9を作製した。
(実験例2−14)
ベンゾトリアゾールの量を8.0gとした以外は実験例2−1と同様にして研磨剤X2−10を作製した。
上記研磨剤2−1〜2−4、X2−1〜X2−10のpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定した。表2,3に記載のpHはこの測定値である。
25%のアンモニア水溶液を添加しないこと以外は実験例2−1〜2−14と同様にして、中和滴定量測定用の試験液(試験液2−1〜2−4及び試験液X2−1〜X2−10)を作製した。それぞれの試験液について、pHメータ(横河電機株式会社製 PH81)を使用し、25℃の恒温水槽中で、水酸化カリウムによる中和滴定等量を測定した。
直径8インチ(20.3cm)(φ)サイズのシリコン基板上に20μm厚さの銅膜を製膜した基板(アドバンテック社より購入)を用意した。この基板を使用し、上記研磨剤2−1〜2−4及び研磨剤X2−1〜X2−10を、研磨装置の定盤に貼り付けた研磨布に滴下しながら、CMP研磨を行った。
研磨装置:定盤寸法は直径600mm(φ)、ロータリータイプ
研磨布:独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂(IC−1010、ロームアンドハース社製)
研磨圧力:32kPa
研磨定盤/ヘッド回転速度:93/87rpm
研磨剤流量:200ml/min
上述のようにして研磨した基板について、CMPによる銅の研磨速度(以下、単に「研磨速度」という。)及び表面粗さを測定した。
研磨速度:基板のCMP前後での膜厚差をシート抵抗変化から換算して求めた。測定装置はナプソン社製抵抗率測定器Model RT−7を用いた。ウエハの直径方向77点(エッジから5mm部分除外)の平均値を抵抗値とした。
表面粗さ(算術平均粗さRa):研磨後の銅膜の表面粗さをAFM(原子間力顕微鏡:SPA−400、エスアイアイナノテクノロジー社製)で測定した。測定は、基板中央から半径方向に50mm離れた箇所において、5μm×5μmの面積範囲で行った。
(A)成分の含有量のみを実験例2−1と同含有量とした以外は実験例2−5と同様にした実験例2−6の研磨剤X2−2、及び、実験例2−6の(A)成分の含有量を増した実験例2−7の研磨剤X2−3については、若干の研磨速度の向上は見られたものの実験例2−1に対して研磨速度は低下した。つまり、(A)成分の含有量のみを増しても研磨速度の向上効果は大きくないことが分かった。
実験例2−1の研磨剤2−1に対して(A)成分、(C)成分の含有量は同じであるが、(B)成分の含有量が本発明の値よりも小さい実験例2−11の研磨剤X2−7、実験例2−12の研磨剤X2−8の研磨速度は低下した。
実験例2−1の研磨剤2−1に対して(A)成分、(B)成分の含有量は同じであるが、(C)成分の含有量が本発明の値よりも小さい実験例2−13の研磨剤X2−9の研磨速度は低下した。
実験例2−1と実験例2−6、2−8、2−9の関係から(A)成分、(B)成分、(C)成分のうち1成分のみの含有量を同程度にし、他の成分の含有量が本発明の値より小さい場合は、研磨速度が不充分であることが分かる。
実験例2−1と実験例2−10〜2−14の関係から(A)成分、(B)成分、(C)成分のうち2成分の含有量を同程度にし、他の成分の含有量が本発明の値より小さい場合は、研磨速度が不充分であることが分かる。
以上の結果より同時に(A)成分、(B)成分、(C)成分の3成分を一定量以上にすることで効率良く研磨速度を向上させることができることが分かる。
(研磨剤の作製)
以下、実験例3−1〜3−15の研磨剤について説明する。なお、実験例3−8は、本発明の上記第1実施形態に相当し、実験例3−7は、本発明の上記第2実施形態に相当し、実験例3−1〜3−6、3−9〜3−10は、本発明の上記第3実施形態に相当する。
(実験例3−1)
濃度96%の硫酸5.1g、濃度85%のリン酸5.8g、グリシン20.3g、ベンゾトリアゾール(BTA)4.0g、シュウ酸5.4g、及び、砥粒として平均粒径70nmのコロイダルシリカ(固形分20%)50gを純水600gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させた。更に25%のアンモニア水溶液を添加して液のpHを2.6に調整した後、純水を更に加えて全量を700gとした。これに、過酸化水素水(試薬特級、30%水溶液)300gを加えて、全量1000gの研磨剤3−1を得た。
シュウ酸の含有量を14.0gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−1と同様にして研磨剤3−2を作製した。
(実験例3−3)
シュウ酸5.4gの代わりにマレイン酸7.0gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−1と同様にして研磨剤3−3を作製した。
(実験例3−4)
シュウ酸5.4gの代わりに無水マレイン酸5.9gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−1と同様にして研磨剤3−4を作製した。
(実験例3−5)
シュウ酸5.4gの代わりにマロン酸6.2gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−1と同様にして研磨剤3−5を作製した。
(実験例3−6)
シュウ酸5.4gの代わりにクエン酸11.5gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−1と同様にして研磨剤3−6を作製した。
(実験例3−7)
ベンゾトリアゾールの含有量を7.9gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−1と同様にして研磨剤3−7を作製した。
(実験例3−8)
シュウ酸を添加せず、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−1と同様にして研磨剤3−8を作製した。
(実験例3−9)
シュウ酸5.4gの代わりに酒石酸9.0gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−1と同様にして研磨剤3−9を作製した。
(実験例3−10)
シュウ酸5.4gの代わりにリンゴ酸8.0gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−1と同様にして研磨剤3−10を作製した。
濃度96%の硫酸2.6g、濃度85%のリン酸2.9g、グリシン10.2g、ベンゾトリアゾール2.0g、砥粒として平均粒径70nmのコロイダルシリカ(固形分20%)50gを水600gに加えて、コロイダルシリカ以外の成分を溶解させた。更に25%のアンモニア水溶液を添加して液のpHを2.6に調整した後、純水を更に加えて全量を700gとした。これに、過酸化水素水(試薬特級、30%水溶液)300gを加えて、全量1000gの研磨剤X3−1を得た。
(実験例3−12)
硫酸の含有量を5.1gとし、リン酸の含有量を5.8gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−11と同様にして研磨剤X3−2を作製した。
(実験例3−13)
グリシンの含有量を20.3gとし、pH調整にアンモニア水溶液にかえて36%の塩酸を使用し、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−11と同様にして研磨剤X3−3を作製した。
(実験例3−14)
ベンゾトリアゾールの含有量を4.0gとし、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−11と同様にして研磨剤X3−4を作製した。
(実験例3−15)
有機酸としてシュウ酸を5.4g更に加え、純水の添加量を調整して全量1000gとしたこと以外は実験例3−11と同様にして研磨剤X3−5を作製した。
上記研磨剤3−1〜3−10、X3−1〜X3−5のpHを横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定した。表4,5に記載のpHはこの測定値である。
有機酸及び25%のアンモニア水溶液を添加しないこと以外は実験例3−1〜3−15と同様にして、中和滴定量測定用の試験液(試験液3−1〜3−10及び試験液X3−1〜X3−5)を作製した。それぞれの試験液について、pHメータ(横河電機株式会社製 PH81)を使用し、25℃の恒温水槽中で、水酸化カリウムによる中和滴定等量を測定した。
直径12インチ(30.5cm)(φ)サイズのシリコン基板上に厚さ20μmの銅膜を製膜した基板(グローバルネット社製)を用意した。この基板を使用し、上記研磨剤3−1〜3−10及び研磨剤X3−1〜X3−5を、研磨装置の定盤に貼り付けた研磨布に滴下しながら、CMP研磨を行った。
研磨装置:CMP用研磨機(アプライドマテリアルズ製、商品名:Reflexion)
研磨布:独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂(商品名:IC−1010、ロームアンドハース社製)
研磨圧力:32kPa
定盤/ヘッド回転速度:60/55rpm
研磨剤流量:300ml/min
Claims (31)
- (A)二価以上の無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水とを含み、
前記(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上であり、
前記(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量に対する前記(A)成分の含有量の比率が2.00以上である、銅研磨用研磨剤。 - pHを4まで増加させるために要する水酸化カリウムの量が銅研磨用研磨剤1kg当たり0.10mol以上である、請求項1に記載の銅研磨用研磨剤。
- (A)二価以上の無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水と、(G)有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種とを含み、
前記(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上であり、
前記(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上である、銅研磨用研磨剤。 - (A)二価以上の無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水と、(G)有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種とを含み、
前記(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上であり、
前記(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量に対する前記(A)成分の含有量の比率が2.00以上である、銅研磨用研磨剤。 - 銅研磨用研磨剤から前記(G)成分を除いた組成物のpHを4まで増加させるために要する水酸化カリウムの量が、前記組成物1kg当たり0.10mol以上である、請求項3又は4に記載の銅研磨用研磨剤。
- 前記(G)成分が、カルボキシル基を2つ有しかつpKaが2.7以下である有機酸及びその酸無水物並びにカルボキシル基を3つ以上有する有機酸から選択される少なくとも一種である、請求項3〜5のいずれか一項に記載の銅研磨用研磨剤。
- 前記(G)成分がシュウ酸、マレイン酸、無水マレイン酸、マロン酸及びクエン酸から選択される少なくとも一種である、請求項3〜6のいずれか一項に記載の銅研磨用研磨剤。
- pHが1.5〜4.0である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の銅研磨用研磨剤。
- 前記(A)成分が硫酸及びリン酸から選択される少なくとも一種である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の銅研磨用研磨剤。
- 前記(B)成分としてpKaが2〜3のアミノ酸を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の銅研磨用研磨剤。
- 前記(C)成分がトリアゾール化合物である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の銅研磨用研磨剤。
- 前記トリアゾール化合物がベンゾトリアゾール及びその誘導体から選択される少なくとも一種である、請求項11に記載の銅研磨用研磨剤。
- 前記(D)成分がコロイダルシリカ及びコロイダルアルミナから選択される少なくとも一種であり、該(D)成分の平均粒径が100nm以下である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の銅研磨用研磨剤。
- 前記(E)成分が過酸化水素、過硫酸及び過硫酸塩から選択される少なくとも一種である、請求項1〜13のいずれか一項に記載の銅研磨用研磨剤。
- 銅研磨用研磨剤を用いて銅を含む金属膜を研磨し、前記金属膜の少なくとも一部を除去する研磨方法であって、
前記銅研磨用研磨剤が、(A)二価以上の無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水とを含み、
前記(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上であり、
前記(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量に対する前記(A)成分の含有量の比率が2.00以上である、研磨方法。 - 前記銅研磨用研磨剤のpHを4まで増加させるために要する水酸化カリウムの量が前記銅研磨用研磨剤1kg当たり0.10mol以上である、請求項15に記載の研磨方法。
- 銅研磨用研磨剤を用いて銅を含む金属膜を研磨し、前記金属膜の少なくとも一部を除去する研磨方法であって、
前記銅研磨用研磨剤が、(A)二価以上の無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水と、(G)有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種とを含み、
前記(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上であり、
前記(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上である、研磨方法。 - 銅研磨用研磨剤を用いて銅を含む金属膜を研磨し、前記金属膜の少なくとも一部を除去する研磨方法であって、
前記銅研磨用研磨剤が、(A)二価以上の無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水と、(G)有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種とを含み、
前記(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上であり、
前記(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上であり、
前記(C)成分の含有量に対する前記(A)成分の含有量の比率が2.00以上である、研磨方法。 - 前記銅研磨用研磨剤から前記(G)成分を除いた組成物のpHを4まで増加させるために要する水酸化カリウムの量が、前記組成物1kg当たり0.10mol以上である、請求項17又は18に記載の研磨方法。
- 前記(G)成分が、カルボキシル基を2つ有しかつpKaが2.7以下である有機酸及びその酸無水物並びにカルボキシル基を3つ以上有する有機酸から選択される少なくとも一種である、請求項17〜19のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記(G)成分がシュウ酸、マレイン酸、無水マレイン酸、マロン酸及びクエン酸から選択される少なくとも一種である、請求項17〜20のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記銅研磨用研磨剤のpHが1.5〜4.0である、請求項15〜21のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記(A)成分が硫酸及びリン酸から選択される少なくとも一種である、請求項15〜22のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記銅研磨用研磨剤が、前記(B)成分としてpKaが2〜3のアミノ酸を含む、請求項15〜23のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記(C)成分がトリアゾール化合物である、請求項15〜24のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記トリアゾール化合物がベンゾトリアゾール及びその誘導体から選択される少なくとも一種である、請求項25に記載の研磨方法。
- 前記(D)成分がコロイダルシリカ及びコロイダルアルミナから選択される少なくとも一種であり、該(D)成分の平均粒径が100nm以下である、請求項15〜26のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記(E)成分が過酸化水素、過硫酸及び過硫酸塩から選択される少なくとも一種である、請求項15〜27のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記金属膜の最大厚みが5μm以上である、請求項15〜28のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記金属膜の最大厚みが10μm以上である、請求項15〜28のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記金属膜に対する研磨速度が30000Å/min以上である、請求項15〜30のいずれか一項に記載の研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011257827A JP5472271B2 (ja) | 2009-02-16 | 2011-11-25 | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 |
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009032635 | 2009-02-16 | ||
JP2009032635 | 2009-02-16 | ||
JP2009121144 | 2009-05-19 | ||
JP2009121144 | 2009-05-19 | ||
JP2009290563 | 2009-12-22 | ||
JP2009290563 | 2009-12-22 | ||
PCT/JP2010/050806 WO2010092865A1 (ja) | 2009-02-16 | 2010-01-22 | 研磨剤及び研磨方法 |
JPPCT/JP2010/050806 | 2010-01-22 | ||
JP2011257827A JP5472271B2 (ja) | 2009-02-16 | 2011-11-25 | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010550557A Division JP4930641B2 (ja) | 2009-02-16 | 2010-02-12 | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012104835A JP2012104835A (ja) | 2012-05-31 |
JP5472271B2 true JP5472271B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=42561851
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010550557A Active JP4930641B2 (ja) | 2009-02-16 | 2010-02-12 | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 |
JP2011257827A Active JP5472271B2 (ja) | 2009-02-16 | 2011-11-25 | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010550557A Active JP4930641B2 (ja) | 2009-02-16 | 2010-02-12 | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8889555B2 (ja) |
JP (2) | JP4930641B2 (ja) |
KR (2) | KR101400585B1 (ja) |
CN (3) | CN102318042B (ja) |
SG (2) | SG172829A1 (ja) |
TW (1) | TWI535834B (ja) |
WO (1) | WO2010093011A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8845915B2 (en) | 2009-02-16 | 2014-09-30 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrading agent and abrading method |
CN102318042B (zh) | 2009-02-16 | 2015-07-01 | 日立化成株式会社 | 铜研磨用研磨剂和使用了其的研磨方法 |
US10796921B2 (en) * | 2009-07-16 | 2020-10-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CMP fluid and method for polishing palladium |
JP5533889B2 (ja) | 2010-02-15 | 2014-06-25 | 日立化成株式会社 | Cmp研磨液及び研磨方法 |
US8497210B2 (en) * | 2010-10-04 | 2013-07-30 | International Business Machines Corporation | Shallow trench isolation chemical mechanical planarization |
WO2013005631A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 |
US9163162B2 (en) * | 2012-08-30 | 2015-10-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Polishing agent, polishing agent set and method for polishing base |
JP6222907B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2017-11-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
KR101526006B1 (ko) | 2012-12-31 | 2015-06-04 | 제일모직주식회사 | 구리 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
JP6252587B2 (ja) | 2013-06-12 | 2017-12-27 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液及び研磨方法 |
JP6366308B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2018-08-01 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6405776B2 (ja) * | 2014-08-07 | 2018-10-17 | 日立化成株式会社 | タングステン用研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
KR102588042B1 (ko) * | 2014-12-22 | 2023-10-11 | 바스프 에스이 | 코발트 및/또는 코발트 합금 포함 기판의 연마를 위한 화학적 기계적 연마 (cmp) 조성물의 용도 |
KR102298238B1 (ko) * | 2016-06-03 | 2021-09-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 연마액, 및 화학적 기계적 연마 방법 |
CN108621033B (zh) * | 2017-03-21 | 2020-04-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 研磨垫的研磨方法 |
BR112020013534A2 (pt) | 2018-01-03 | 2020-12-01 | Ecolab Usa Inc. | método para inibir a corrosão de uma superfície de metal em contato com um sistema aquoso, formulação inibidora de corrosão, e, uso da formulação |
KR102190916B1 (ko) * | 2018-08-31 | 2020-12-15 | 씨제이제일제당 주식회사 | 점착 조성물, 및 이의 제조방법 |
US20200102475A1 (en) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mecahnical polishing composition and method of polishing silcon dioxide over silicon nitiride |
TWI749287B (zh) * | 2019-01-22 | 2021-12-11 | 達興材料股份有限公司 | 酸性過氧化氫水溶液組成物 |
US10781343B2 (en) * | 2019-01-24 | 2020-09-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Acid polishing composition and method of polishing a substrate having enhanced defect inhibition |
CN110064973A (zh) * | 2019-03-21 | 2019-07-30 | 林德谊 | 一种铜或铜合金的表面抛光处理工艺 |
ES2837489B2 (es) * | 2019-12-31 | 2022-02-28 | Primalchit Solutions S L | Mezcla de componentes organicos no polimericos con capacidad retardante de llama, metodo de preparacion y uso |
CA3110390A1 (en) * | 2021-02-25 | 2022-08-25 | Sixring Inc. | Modified sulfuric acid and uses thereof |
CN116171309A (zh) * | 2021-09-01 | 2023-05-26 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 抛光组合物及其使用方法 |
CN113981450A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-01-28 | 兰溪市同力铝业股份有限公司 | 一种铝合金氧化工艺用二酸化抛物及其制备方法 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4954142A (en) | 1989-03-07 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
US5575885A (en) * | 1993-12-14 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device |
US6217416B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates |
CN100381537C (zh) * | 1998-08-31 | 2008-04-16 | 日立化成工业株式会社 | 金属用研磨液及研磨方法 |
JP4053165B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2008-02-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP4164941B2 (ja) * | 1999-05-27 | 2008-10-15 | 日立化成工業株式会社 | 金属用研磨液及び研磨方法 |
TWI296006B (ja) * | 2000-02-09 | 2008-04-21 | Jsr Corp | |
TWI268286B (en) | 2000-04-28 | 2006-12-11 | Kao Corp | Roll-off reducing agent |
US6551935B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-04-22 | Micron Technology, Inc. | Slurry for use in polishing semiconductor device conductive structures that include copper and tungsten and polishing methods |
EP1211024A3 (en) * | 2000-11-30 | 2004-01-02 | JSR Corporation | Polishing method |
US7160432B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US7128825B2 (en) * | 2001-03-14 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
US20040159050A1 (en) * | 2001-04-30 | 2004-08-19 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing conductive and non-conductive layers on semiconductor wafers |
JP3899456B2 (ja) | 2001-10-19 | 2007-03-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
KR100720985B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2007-05-22 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 연마액 및 연마방법 |
US6803353B2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-10-12 | Atofina Chemicals, Inc. | Copper chemical mechanical polishing solutions using sulfonated amphiprotic agents |
US7300601B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization |
US20040175942A1 (en) * | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
US7736405B2 (en) * | 2003-05-12 | 2010-06-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same |
TW200427827A (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Sumitomo Chemical Co | Metal polishing composition |
CN1842577A (zh) | 2003-06-06 | 2006-10-04 | 应用材料公司 | 用于抛光导电材料的抛光组合物和方法 |
US7186653B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-03-06 | Climax Engineered Materials, Llc | Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing |
JP4707311B2 (ja) | 2003-08-08 | 2011-06-22 | 花王株式会社 | 磁気ディスク用基板 |
US20050090104A1 (en) * | 2003-10-27 | 2005-04-28 | Kai Yang | Slurry compositions for chemical mechanical polishing of copper and barrier films |
TWI288046B (en) * | 2003-11-14 | 2007-10-11 | Showa Denko Kk | Polishing composition and polishing method |
US20070082456A1 (en) * | 2003-11-14 | 2007-04-12 | Nobuo Uotani | Polishing composition and polishing method |
US7390744B2 (en) | 2004-01-29 | 2008-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
JP2006302968A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 磁性金属膜および絶縁材料膜複合材料用研磨材および研磨方法 |
JP2007103485A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 研磨方法及びそれに用いる研磨液 |
JP2007150264A (ja) | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 有機絶縁材料膜及び銅膜複合材料用研磨材及び研磨方法 |
JP5412706B2 (ja) | 2005-11-01 | 2014-02-12 | 日立化成株式会社 | 銅膜及び絶縁材料膜用研磨材及び研磨方法 |
JP2007270826A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-10-18 | Denso Corp | 燃料ポンプ |
JPWO2007138975A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2009-10-08 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤組成物および研磨方法 |
JP2008181955A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
JP2008186898A (ja) | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Nissan Chem Ind Ltd | 研磨用組成物 |
JP2008235481A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用組成物、その製造方法、及び研磨加工方法 |
JP2008270584A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用組成物及び研磨加工方法 |
KR101472617B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2014-12-15 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 금속용 연마액 및 연마 방법 |
JP5275595B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-08-28 | 日本化学工業株式会社 | 半導体ウエハ研磨用組成物および研磨方法 |
US20100301010A1 (en) * | 2007-10-08 | 2010-12-02 | Basf Se | ETCHANT COMPOSITIONS AND ETCHING METHOD FOR METALS Cu/Mo |
JP4992826B2 (ja) * | 2008-06-02 | 2012-08-08 | 日立化成工業株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
CN102318042B (zh) * | 2009-02-16 | 2015-07-01 | 日立化成株式会社 | 铜研磨用研磨剂和使用了其的研磨方法 |
KR101666516B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2016-10-17 | 삼성전자주식회사 | 구리 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 |
-
2010
- 2010-02-12 CN CN201080007580.7A patent/CN102318042B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-12 CN CN201210135053.5A patent/CN102690605B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-12 WO PCT/JP2010/052069 patent/WO2010093011A1/ja active Application Filing
- 2010-02-12 KR KR1020127005402A patent/KR101400585B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-12 CN CN2012101356086A patent/CN102703027A/zh active Pending
- 2010-02-12 TW TW099104840A patent/TWI535834B/zh active
- 2010-02-12 SG SG2011048501A patent/SG172829A1/en unknown
- 2010-02-12 SG SG2014002869A patent/SG196817A1/en unknown
- 2010-02-12 KR KR1020117019004A patent/KR101153510B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-02-12 US US13/201,529 patent/US8889555B2/en active Active
- 2010-02-12 JP JP2010550557A patent/JP4930641B2/ja active Active
-
2011
- 2011-11-25 JP JP2011257827A patent/JP5472271B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-06 US US13/412,893 patent/US8859429B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2010093011A1 (ja) | 2012-08-16 |
CN102318042A (zh) | 2012-01-11 |
KR101400585B1 (ko) | 2014-05-27 |
TWI535834B (zh) | 2016-06-01 |
KR20120037509A (ko) | 2012-04-19 |
US8889555B2 (en) | 2014-11-18 |
CN102690605A (zh) | 2012-09-26 |
KR101153510B1 (ko) | 2012-06-11 |
SG196817A1 (en) | 2014-02-13 |
JP2012104835A (ja) | 2012-05-31 |
CN102318042B (zh) | 2015-07-01 |
WO2010093011A1 (ja) | 2010-08-19 |
US8859429B2 (en) | 2014-10-14 |
JP4930641B2 (ja) | 2012-05-16 |
US20120024818A1 (en) | 2012-02-02 |
KR20110112429A (ko) | 2011-10-12 |
SG172829A1 (en) | 2011-08-29 |
CN102703027A (zh) | 2012-10-03 |
US20120160804A1 (en) | 2012-06-28 |
CN102690605B (zh) | 2015-01-21 |
TW201035301A (en) | 2010-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5472271B2 (ja) | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 | |
JP5516734B2 (ja) | 銅研磨用研磨液及びそれを用いた研磨方法 | |
KR101330956B1 (ko) | Cmp 연마액 및 연마 방법 | |
JP5880524B2 (ja) | 研磨剤及び研磨方法 | |
JP2013004660A (ja) | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 | |
WO2011077973A1 (ja) | 銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法 | |
JP6379764B2 (ja) | 研磨液及び研磨方法 | |
JP2012028516A (ja) | 銅研磨用研磨液及びそれを用いた研磨方法 | |
TWI833935B (zh) | 研磨用組合物、研磨方法及基板之製造方法 | |
JP2013004670A (ja) | 金属用研磨液及び金属用研磨液を用いた研磨方法 | |
WO2022107217A1 (ja) | 研磨剤、複数液式研磨剤及び研磨方法 | |
JP2022028258A (ja) | 研磨剤、2液式研磨剤及び研磨方法 | |
JP2015028968A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体調製用キット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140120 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5472271 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |