JP5461144B2 - 希ガスの精製方法 - Google Patents

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本発明は、酸素、及び窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、水蒸気から選ばれる1種以上のガスを不純物として含む希ガスを、加熱下でゲッタ材と接触させて、該希ガスに含まれる不純物を除去する希ガスの精製方法に関する。
半導体製造工程においては、ヘリウム、アルゴン等の希ガスが頻繁に使用されている。ヘリウム等の希ガスは、工業的には液体空気を分留する方法により製造されているが、これらの希ガスには、二酸化炭素、酸素等が数ppm〜数百ppm程度含まれている。半導体分野においては、これらの希ガスは、成膜技術の進歩とともに極めて高純度であることが強く要求されているとともに、多量に使用されることから、高純度で連続して半導体製造工程に供給することが可能な希ガスの精製方法が要求されている。
このため、従来から不純物を含む希ガス(不活性ガス)を加熱下でゲッタ材と接触させて精製する方法が研究されており、例えばゲッタ材として、(1)鉄5〜40重量%及び残部ジルコニウムからなる合金ゲッタ材(特開平4−160010)、(2)バナジウム5〜90重量部及び残部ジルコニウムからなる合金ゲッタ材(特開平5−4809)、(3)バナジウム、ジルコニウム、及び鉄からなり重量組成が限定された合金ゲッタ材(特開平2−116607)等が開発されている。
特開平4−160010号公報 特開平5−4809号公報 特開平2−116607号公報
しかしながら、前述のようなゲッタ材を用いて希ガスを精製する際に、希ガスに不純物が多く含まれている場合、ゲッタ材の充填部において圧力損失が徐々に大きくなり、ゲッタ材に不純物の除去能力が残っていても圧力損失が大きくなりすぎて希ガスの精製を中止しなければならないことがあった。
従って、本発明が解決しようとする課題は、圧力損失が大きくなる原因を解明し、希ガスに不純物が多く含まれている場合であっても、圧力損失の上昇を抑制できる精製方法を提供することである。
本発明者らは、この課題を解決すべく鋭意検討した結果、不純物として酸素が含まれる場合、ゲッタ材と酸素が反応しゲッタ材が粉化することにより、圧力損失の上昇が起こることを見出した。さらに、希ガスを、最初に不純物(酸素)に対する反応性が比較的に低く空隙率が高いゲッタ材と接触させて希ガスから主に酸素を除去した後、不純物(酸素)に対する反応性が比較的に高く空隙率が低いゲッタ材と接触させて効率よく希ガスから主に酸素以外の不純物を除去することにより、圧力損失の上昇を抑制できることを見出し、本発明の希ガスの精製方法に到達した。
すなわち本発明は、酸素、及び窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、水蒸気から選ばれる1種以上のガスを不純物として含む希ガスを、加熱下でゲッタ材と接触させて、該希ガスに含まれる不純物を除去する希ガスの精製方法であって、不純物を含む希ガスを、第2のゲッタ材よりも不純物に対する反応性が低く空隙率が高い、スポンジ状の単一の金属からなる第1のゲッタ材と接触させて該希ガスから酸素を除去した後、第1のゲッタ材よりも不純物に対する反応性が高く空隙率が低い、ジルコニウム及びバナジウムを含む合金からなる第2のゲッタ材と接触させて該希ガスから酸素以外の不純物を除去することを特徴とする希ガスの精製方法である。
本発明の希ガスの精製方法により、不純物として少なくとも酸素が含まれる希ガスを精製する際に、空筒線速度を比較的に大きく設定しても、圧力損失の上昇を抑制できるようになった。その結果、例えば内径の小さな精製筒を用いても、圧力損失の上昇速度が遅くなり、精製筒の小型化を図ることができるようになった。
本発明は、酸素、及び窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、水蒸気から選ばれる1種以上のガスを不純物として含む希ガスを、加熱下でゲッタ材と接触させて、該希ガスに含まれる不純物を除去する希ガスの精製方法に適用される。本発明に使用される精製装置としては、例えば図1のような精製筒を挙げることができる。本発明における希ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン等であり、不純物として前記のガスが数ppm〜数百ppm程度含まれる希ガスである。
本発明の精製方法においては、精製筒に少なくとも2種類のゲッタ材が充填される。精製筒の上流側に充填される第1のゲッタ材としては、精製筒の下流側に充填される第2のゲッタ材と較べて、不純物(酸素)に対する反応性が低く空隙率が高いゲッタ材が用いられる。このような構成とすることにより、不純物の中でも反応性が高いガスである酸素は、第1のゲッタ材との接触により希ガスから除去され、反応性が低いその他の不純物は、第1のゲッタ材を通過し、第2のゲッタ材との接触により希ガスから除去される。
本発明の精製方法において、第1のゲッタ材としては、スポンジチタン、スポンジジルコニウム等、スポンジ状の単一の金属からなるゲッタ材が用いられる。
また、第2のゲッタ材としては、ジルコニウム及びバナジウムを含む合金からなるゲッタ材、具体的には、ジルコニウム及びバナジウムのほか、鉄、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、及びアルミニウムから選ばれる1種以上の金属を含む合金からなるゲッタ材を挙げることができる。第2のゲッタ材は、第1のゲッタ材より空隙率が小さく設定されたものであり、スポンジ状ではなく、球状、円柱状、角柱状、円筒状、角筒状、または粒状のものを使用することが好ましい。
本発明の精製方法を実施する際には、通常は図1に示すような上流側に第1のゲッタ材の充填部2、下流側に第2のゲッタ材の充填部3が備えられた精製筒1が用いられるが、各々の充填部を別々に1個ずつ備えた2個の精製筒を用いることもできる。尚、図1のヒータ4は、第1のゲッタ材と第2のゲッタ材を別々に温度コントロールできるように2個設定されているが、1個のヒータで両方のゲッタ材を温度コントロールするように設定してもよい。各々の充填部に第1のゲッタ材と第2のゲッタ材が充填され、ヒータを所定の温度まで上昇させた後、不純物が含まれる希ガスが希ガス導入ライン5から供給され、精製された希ガスが精製希ガス抜出しライン6から得られる。
本発明の精製方法により、酸素、及び窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、水蒸気から選ばれる1種以上のガスを含む希ガスが、加熱下で第1のゲッタ材と接触すると、主に希ガス中の酸素がゲッタ材と反応し希ガスから除去されるとともに、ゲッタ材が粉化する。しかし、前述のように第1のゲッタ材は空隙率が大きいので、圧力損失の上昇を抑制することができる。次に、希ガスが第2のゲッタ材と接触すると、主に希ガス中の酸素以外の不純物がゲッタ材と反応し希ガスから除去される。酸素以外の不純物がゲッタ材と反応してもゲッタ材は粉化しないので、空隙率が小さくても圧力損失の上昇は起こらない。
尚、本発明の精製方法においては、希ガス精製の際に、第1のゲッタ材の温度を第2のゲッタ材の温度よりも実質的に低くすることにより、第1のゲッタ材の不純物に対する反応性をさらに低下させて、本発明の効果をより向上させることができる。その場合、第1のゲッタ材の温度は、第2のゲッタ材の温度よりも5〜200℃低くなることが好ましい。具体的には、第1のゲッタ材と希ガスの接触温度は、通常は300〜700℃である。
また、本発明の精製方法において、希ガス精製の際の圧力には特に制限はなく、通常は1KPaのような減圧下ないし2MPa(絶対圧力)のような加圧下で処理可能であるが、通常は常圧ないし1MPa(絶対圧力)の加圧下で行なわれる。
また、第1のゲッタ材と希ガスの接触時間が、第2のゲッタ材と希ガスの接触時間よりも短く設定することが好ましい。第1のゲッタ材の充填長は、通常は30〜300mm、第2のゲッタ材の充填長は、通常は100〜1000mmである。精製の際の希ガスの空筒線速度は、通常は200cm/sec以下、好ましくは100cm/sec以下である。
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
[実施例1]
(精製装置の製作)
第1のゲッタ材として市販のスポンジチタンからなるゲッタ材を用い、第2のゲッタ材として、ジルコニウム70重量%、バナジウム30重量%となるように金属を混合し、高周波誘導加熱炉によりアルゴン減圧雰囲気下で溶解して合金塊を製作し、粒径1.7〜4mmに粉砕したゲッタ材を調製した。内径32mmのステンレス鋼(SUS316L)製の図1に示すような構成の精製筒の上流側に、第1のゲッタ材を充填長が50mmとなるように、下流側に第2のゲッタ材を充填長が450mmとなるように充填し、精製筒の内部をアルゴンガスで置換した。
(アルゴンの精製試験)
予めアルゴン気流中600℃でゲッタ材の活性化処理を行なった。次に、ヒータによりゲッタ材を所定の温度に加熱した後、不純物として、酸素2.6ppm、窒素52ppm、メタン2.6ppm、一酸化炭素2.6ppm、二酸化炭素2.6ppm、水素2.6ppm、水蒸気65ppmを含むアルゴンを、希ガス導入ラインから0.4MPaの加圧下18L/minの流量で供給した。この間、精製希ガス抜出しラインから排出するガスの一部をサンプリングし、不純物が検出されないことをガスクロマトグラフにより確認するとともに、精製筒の圧力損失を測定した。その結果(時間の経過による圧力損失の増加状況)を図2に示す。尚、アルゴンの精製中、第1のゲッタ材の温度は480℃、第2のゲッタ材の温度は500℃であった。
また、前述のアルゴンの精製試験において、第1のゲッタ材により不純物である酸素が充分に除去されていることを確認するために、第1のゲッタ材のみを充填したほかは前述と同様の精製装置を製作し、前述のアルゴンの精製試験と同様の試験を行なった。アルゴンの精製の際に第1のゲッタ材から排出されるガスを分析した結果、酸素は第1のゲッタ材により99%以上除去されていることがわかった。尚、酸素以外の不純物については、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、及び水蒸気は少量除去されたが、窒素及びメタンはほとんど除去されなかった。
[実施例2]
実施例1の精製装置の製作において、第1のゲッタ材として市販のスポンジジルコニウムからなるゲッタ材を用いたほかは実施例1と同様にして精製装置を製作した。この精製装置を用いたほかは実施例1と同様にしてアルゴンの精製試験を行なった。その結果、時間の経過による圧力損失の増加状況は、ほぼ実施例1と同様であり、20000時間経過しても圧力損失の増加は10KPa未満であった。尚、この間、精製希ガス抜出しラインから排出するガスから、不純物は検出されなかった。
[実施例3(参考例)
実施例1の精製装置の製作において、第1のゲッタ材として市販の球状チタンからなるゲッタ材を用いたほかは実施例1と同様にして精製装置を製作した。第1のゲッタ材の充填層の空隙率は、第2のゲッタ材の空隙率より約1.2倍大きかった。この精製装置を用いたほかは実施例1と同様にしてアルゴンの精製試験を行なった。その結果、時間の経過による圧力損失の増加状況は、実施例1より少し大きかったが、20000時間経過しても圧力損失の増加は50KPa未満であった。尚、この間、精製希ガス抜出しラインから排出するガスから、不純物は検出されなかった。
[実施例4]
実施例1の精製装置の製作において、第2のゲッタ材として、ジルコニウム70重量%、バナジウム25重量%、鉄5重量%の合金からなるゲッタ材を調製し用いたほかは実施例1と同様にして精製装置を製作した。この精製装置を用いたほかは実施例1と同様にしてアルゴンの精製試験を行なった。その結果、時間の経過による圧力損失の増加状況は、ほぼ実施例1と同様であり、20000時間経過しても圧力損失の増加は10KPa未満であった。尚、この間、精製希ガス抜出しラインから排出するガスから、不純物は検出されなかった。
[実施例5]
実施例1の精製装置の製作において、第2のゲッタ材として、ジルコニウム70重量%、バナジウム25重量%、チタン5重量%の合金からなるゲッタ材を調製し用いたほかは実施例1と同様にして精製装置を製作した。この精製装置を用いたほかは実施例1と同様にしてアルゴンの精製試験を行なった。その結果、時間の経過による圧力損失の増加状況は、ほぼ実施例1と同様であり、20000時間経過しても圧力損失の増加は10KPa未満であった。尚、この間、精製希ガス抜出しラインから排出するガスから、不純物は検出されなかった。
[比較例1]
実施例1の精製装置の製作において、第1のゲッタ材を用いなかったほかは実施例1と同様にして精製装置を製作した。この精製装置を用いたほかは実施例1と同様にしてアルゴンの精製試験を行なった。その結果、図2に示すように、7000時間経過した後、圧力損失は急激に増加することが確認された。尚、ゲッタ材には不純物の除去能力が残っていたが、圧力損失増加のためアルゴンの精製を中止した。
以上のように、本発明の実施例の希ガスの精製方法は、不純物として酸素が含まれる希ガスを精製する際に、空筒線速度を比較的に大きく設定しても、圧力損失の上昇を抑制できることが確認された。
本発明に使用される精製装置の一例を示す構成図 本発明の実施例及び比較例の精製試験における、時間の経過による圧力損失の増加状況を示すグラフ
1 精製筒
2 第1のゲッタ材の充填部
3 第2のゲッタ材の充填部
4 ヒータ
5 希ガス導入ライン
6 精製希ガス抜出しライン

Claims (4)

  1. 酸素、及び窒素、炭化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、水蒸気から選ばれる1種以上のガスを不純物として含む希ガスを、加熱下でゲッタ材と接触させて、該希ガスに含まれる不純物を除去する希ガスの精製方法であって、不純物を含む希ガスを、第2のゲッタ材よりも不純物に対する反応性が低く空隙率が高い、スポンジ状の単一の金属からなる第1のゲッタ材と接触させて該希ガスから酸素を除去した後、第1のゲッタ材よりも不純物に対する反応性が高く空隙率が低い、ジルコニウム及びバナジウムを含む合金からなる第2のゲッタ材と接触させて該希ガスから酸素以外の不純物を除去することを特徴とする希ガスの精製方法。
  2. 第2のゲッタ材が、ジルコニウム及びバナジウムのほか、鉄、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、及びアルミニウムから選ばれる1種以上の金属を含む合金からなるゲッタ材である請求項1に記載の希ガスの精製方法。
  3. 第1のゲッタ材と希ガスの接触温度が、第2のゲッタ材と希ガスの接触温度よりも低い請求項1に記載の希ガスの精製方法。
  4. 第1のゲッタ材と希ガスの接触時間が、第2のゲッタ材と希ガスの接触時間よりも短い請求項1に記載の希ガスの精製方法。
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