JP5451708B2 - Ledパッケージ組立体 - Google Patents

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Description

本発明は、LED(発光ダイオード)に関し、より具体的には、例えば検査及び取付けのためのLEDの精密な位置合わせに関する。
特に高性能の光学系において、LEDの性能は、LEDパッケージ内のLEDダイの位置の精度及び整合性、並びに該LEDパッケージを電気回路基板又は他の取付け面上に取り付ける精度に制限される。例えば自動車の前照灯といった2次的な光学系が用いられる場合には、光学的センタリング、すなわちLEDパッケージを取付け面上に取り付ける精度が特に重要である。LEDダイ及びパッケージを位置合わせする従来の技術は、多くの高性能の用途には不十分なものである。
パッケージ内のLEDダイ及びパッケージを取付け面に位置合わせする現在の方法は、標準的な半導体組立て技術に基づいている。したがって、LEDダイ及びパッケージの位置合わせの正確さを改善する試みは、半導体組立てのばらつきを制御することに重点を置いたものである。非LED型の半導体用途は発光と関係がないので、ダイ及びパッケージを位置合わせする従来の半導体技術は、一般に不正確なものになっている。
例えば、LEDパッケージの従来のピックアンドプレース・マウントは、該LEDパッケージの外側エッジ又は該パッケージの電気リード線を使用する。しかしながら、LEDパッケージの外側エッジは、典型的には、成形されたプラスチック又は鋳造されたエポキシ材料であり、これらは寸法的に不正確なものである。さらに、パッケージの電気リード線は、一般に、高精度の位置合わせに不適切な板金から形成される。したがって、パッケージ内のLEDダイの該LEDパッケージの外側エッジ又はリード線に対する位置関係は、一般に、高精度の位置合わせのためにはあまりにも不正確である。
したがって、LEDパッケージの位置合わせの精度を改善するシステム及び方法が必要とされる。
LEDパッケージが、該LEDパッケージの絶縁体の外側にあり、ヒートシンクに対して既知の固定関係を有する位置基準構成を含む。LEDダイは、該LEDダイがヒートシンクに対して固定関係を有するように、該ヒートシンクに取り付けられる。したがって、位置基準構成は、LEDパッケージ内のLEDダイの位置にフレームの基準を提供する。位置基準構成は、ヒートシンクに取り付けることができ、又は該ヒートシンクから一体形成することができる。ピックアンドプレース・ヘッドは、例えば位置基準構成を位置合わせピンと係合させることによって、LEDパッケージを保持する。さらに、LEDパッケージは、絶縁体内に横方向に延び、LEDダイの方向に延びるリード線を含み、該リード線と該LEDダイとの間の垂直方向距離を減少させることができる。
本発明の1つの態様において、組立体が、LEDダイと、該LEDダイがヒートシンクに対して既知の位置関係を有するように、該LEDダイが連結されたヒートシンクとを含む。この組立体は、ヒートシンクを少なくとも部分的に囲む絶縁体と、該絶縁体の外側にある少なくとも1つの位置基準構成とを含む。この位置基準構成は、該位置基準構成がLEDダイの位置のための基準を提供するように、該ヒートシンクに対して固定関係を有する。
別の態様において、LEDパッケージを組み立てる方法が、ヒートシンクの位置を示す位置基準構成を提供する段階と、LEDダイを該ヒートシンクに取り付ける段階とを含む。その後、絶縁体が、位置基準構成が該絶縁体の外側にあるように、ヒートシンクの少なくとも一部の周りに形成される。
別の態様において、方法が、LEDパッケージの絶縁体の外側にあり、該LEDパッケージ内のLEDダイに対して固定関係を有する位置基準構成を有するLEDパッケージを準備する段階を含む。この方法は、位置基準構成を位置合わせピンと係合させる段階と、係合した位置基準構成を用いてLEDパッケージを保持する段階とを含む。
本発明のさらに別の実施形態において、LEDパッケージは、LEDダイと、該LEDダイが連結されるヒートシンクとを含む。絶縁体がヒートシンクを少なくとも部分的に囲み、レンズが該絶縁体に取り付けられる。複数のリード線が絶縁体から延び、少なくとも1つのリード線が、LEDダイからの第1の垂直方向距離だけ該絶縁体内に横方向に延びる。リード線は、LEDダイからの、第1の垂直方向距離よりも少ない第2の垂直方向距離まで絶縁体を通して延びる。ボンドワイヤが、リード線及びLEDダイを電気的に連結させる。
位置基準構成を含むLEDパッケージの平面図を示す。 位置基準構成を含むLEDパッケージの側面図を示す。 図1A及び1BのLEDパッケージの断面図を示す。 外側に延びる位置基準構成を含むカラー及びヒートシンクの分解斜視図を示す。 ヒートシンクの別の実施形態の斜視図を示す。 位置基準構成を有するLEDパッケージの別の実施形態の平面図を示す。 位置基準構成を有するLEDパッケージの別の実施形態の側面図を示す。 位置基準構成を有するLEDパッケージの別の実施形態の平面図を示す。 位置基準構成を有するLEDパッケージの別の実施形態の側面図を示す。 LEDパッケージと共に用いることができるカラー及びヒートシンクを示す。 位置基準構成を有するLEDパッケージの別の実施形態の平面図を示す。 位置基準構成を有するLEDパッケージの別の実施形態の側面図を示す。 位置基準構成を有するLEDパッケージの別の実施形態の底面図を示す。 位置基準構成を有するLEDパッケージの別の実施形態の平面図を示す。 図8Aの線AAに沿ったLEDパッケージの断面図である。 図8Aの線BBに沿ったLEDパッケージの断面図である。 図8A、図8B、及び図8CのLEDパッケージの分解斜視図を示す。 LEDパッケージ、及び該LEDパッケージを保持するために用いられるピックアンドプレース・ヘッドの斜視図を示す。 LEDパッケージ、及びLEDパッケージの正しい位置合わせを確実にするために用いられる位置合わせピンを有する取付け面の斜視図を示す。 図8Bに示されるLEDパッケージからのリード線の1つの拡大図である。 図8Cに示されるLEDパッケージからのリード線の1つのより詳細な斜視図を示す。
本発明の1つの実施形態によると、LEDが、LEDパッケージの外側にあるが、該パッケージ内のLEDダイの位置に正確な基準を提供する1つ又はそれ以上の位置基準構成を含む。位置基準構成を用いると、LEDパッケージの検査及び取付け精度、光学的センタリングが著しく改善される。LEDの所望の位置への光学的にセンタリングは、自動車の前照灯のような高輝度の用途において特に重要である。
図1A及び図1Bは、単に基準構成と呼ばれることもある、LEDパッケージ100を正確に位置決めするのに用いることができる位置基準構成102を含むLEDパッケージ100の平面図及び側面図を示す。図2は、LEDパッケージ100の断面図を示す。LEDパッケージ100は、絶縁体104、該絶縁体104から延びる複数のリード線106、及び該絶縁体104上に嵌められたレンズ108を含む。4本のリード線106が図1A及び図1Bに示されるが、必要に応じて、2本のリード線を用い得ることを理解すべきである。
図2の断面図に示されるように、LEDパッケージ100は、サブマウント112上に取り付けられたLEDダイ110を含む。サブマウント112は、導電性としてもよく、絶縁性としてもよい。サブマウント112は、シリコン、銅、銀、ダイヤモンド、アルミニウム、タングステン、モリブデン、ベリリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、又は他の熱伝導性材料、化合物又は複合物から作ることができる。この実施形態において、LEDダイ110は、はんだを用いてサブマウント112上のボールグリッドアレイをLEDダイ110上のコンタクトパッドにはんだ付けすることによって、該サブマウント112に接合される。サブマウント112は、LEDダイ110をボンドワイヤ・コンタクト114に連結させる導電性トレースと共に形成される。静電放電を防ぐために、トレースの経路内にツェナーダイオードを形成することができる。ボンドワイヤ115は、サブマウント112上のボンドワイヤ・コンタクト114をリード線106に連結させる。4本のリード線106を用いる場合には、必要に応じて複数のLEDダイスを用いることができる。簡単化するために、単一のLEDダイ110だけが図2に示される。
図2に見られるように、サブマウント112は、ヒートシンク116(「スラグ」とも呼ばれる)の上部嵌合面上に取り付けられる。スラグ116は、シリコン、銅、銀、ダイヤモンド、アルミニウム、タングステン、モリブデン、ベリリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、又は他の熱伝導性材料、化合物又は複合物から作ることができる。サブマウント112、よってLEDダイ110が、スラグ116に正確に位置合わせされ、接合されるように、該サブマウント112の該スラグ116への取付けを行うべきである。LEDダイが、サブマウント112を介してスラグ116に正確に位置合わせされ接合された状態で、該LEDダイ110は、該スラグ116に対して既知の固定関係を有し、例えば、(1つのLEDダイが用いられる場合)該LEDダイ110を該スラグ116のほぼ中心にすることができる。
1つの実施形態において、サブマウント112及びスラグ116は、ほぼ同じ形状及び面積を有する接合面を有する。その後、はんだリフロー工程を用いて、溶融はんだの表面張力によってサブマウント112の接合面をスラグ116の接合面に位置合わせすることができる。LEDダイ110をスラグ116に正確に位置合わせし接合する1つの方法が、2003年1月16日に出願され、本開示と同じ譲受人を有する、Cresente S.Elpedes他による「LED組立体の正確な位置合わせ」という名称の米国出願番号10/346,535号に記載されており、この特許は引用によりここに組み入れられる。必要に応じて、LEDダイ110をスラグ116に正確に位置合わせする他の方法を用いることもできる。
位置基準構成102は、スラグ116に対して既知の固定位置関係を有するように構成される。サブマウント112、よってLEDダイ110は、スラグ116に対して既知の位置を有するので、位置基準構成102は、例えばスラグ116及びサブマウント112を介して、このようにLEDダイ110の位置のための基準を提供する。
例として、位置基準構成は、スラグ116に取り付けられた要素から形成することができる。図3は、位置基準構成102を含む外側に延びるタブ121をもつカラー120の分解斜視図を示す。図3はまた、スラグ116の斜視図を示す。図3に示されるように、スラグ116は、ディスク部分117と、該ディスク部分117の中央から延びる隆起部分118とを含む。カラー120は、例えば六角形のような、スラグ116の隆起部分118と同じ幾何学的形状を有する中央アパーチャ122を含み、この中央アパーチャ122は、該カラー120が該スラグ116に圧力嵌めされるか、又は他の方法で取り付けられることを可能にする。当然、必要に応じて他の幾何学的形状を用いることもできる。一旦カラー120がスラグ116に取り付けられると、位置基準構成102は、該スラグ116に対して既知の固定位置関係を有する。
カラー120は、鋼、ステンレス鋼、めっきされた銅、真鍮のような熱的に安定した材料、又は、他の何らかの熱的に安定した材料、化合物又は複合物から製造することができる。カラー120は、0.010”の厚さとし、例えばスタンピング又はエッチングによって製造することができる。
本発明の範囲から逸脱することなく、スラグ116及びカラー120の構成が、示されるものと異なり得ることを理解すべきである。例えば、カラー120は、上術のサブマウント112とほぼ同じ方法でスラグ116に取り付けることができる中央アパーチャを有していなくてもよい。さらに、必要に応じて、サブマウント112がカラー120に取り付けられてもよく、該カラー120はスラグ116に取り付けられる。サブマウント112がカラー120に取り付けられる場合には、該カラー120は、ヒートシンク特性も提供すべきである。
スラグ116aの別の実施形態が、図4の斜視図に示される。スラグ116aは、図3に示されるスラグ116と類似しているが、位置基準構成102がスラグ116aのディスク部分117aに一体に作られる。このように、一体の位置基準構成を有するスラグ116aを用いる場合、位置基準構成は、別箇のカラー120を必要とすることなく、LEDダイ110に対して既知の固定位置を有する。
再び図1A、図1B、及び図2を参照すると、スラグ116は、絶縁体104内に少なくとも部分的に配置される。絶縁体104は、プラスチック又はエポキシのような何らかの誘電体から作ることができる。例えば、スラグ116、リード線106、及びカラー120のような種々の部品を所望の構成で配置し、絶縁体材料を金型に注入することによって、絶縁体104を従来の方法で形成することができる。LEDパッケージのための絶縁体を形成することは、当該技術分野において公知である。図1A、図1B、及び図2に示されるように、リード線106及び位置基準構成102は、絶縁体104から外側に延びる。このように、位置基準構成102は、外部にアクセス可能である。形成された絶縁体104を用いて、レンズ108が、該絶縁体104上に嵌められる。カプセルの材料がレンズ108を満たし、LEDダイ110を保護することができる。
位置基準構成102が外部にアクセス可能であり、LEDパッケージ内のLEDダイの位置に正確なフレームの基準を提供するので、基準構成102は、検査及び取付けの際にLEDダイを正確に位置合わせするための手段を有利に提供する。例として、位置基準構成102を有するLEDパッケージの位置公差は約±0.2mm以内であり、こうした位置基準構成を有していないLEDパッケージは約±0.5mmの位置公差を有する。
図1Aに見られるように、位置基準構成102は、半円形の陥凹部として構成される。しかしながら、必要に応じて、他の型の陥凹部又は突起部を含む他の構成を位置基準構成に用いることができる。
図5A及び図5Bは、それぞれ、「V」形状の位置基準構成202を含むLEDパッケージ200の別の実施形態の平面図及び側面図を示す。LEDパッケージ200は、LEDパッケージ100と類似しており、同じ符号が付けられた要素は同じものである。しかしながら、LEDパッケージ200は、リード線106に対して90度の位置で絶縁体104上に配向された「V」形状の基準構成202を含む。
図6A及び6Bは、それぞれ、位置基準構成302を含むLEDパッケージ300の別の実施形態の平面図及び側面図を示す。LEDパッケージ300は、LEDパッケージ100と類似しており、同じ符号が付けられた要素は同じものである。図6A及び図6Bに示されるように、位置基準構成302は絶縁体104から外側に延びていないが、代わりに、該絶縁体104が該基準構成302を露出させる凹形部分305を含む。基準構成302は、凹形部分305によって露出された半円形の陥凹部と共に示されている。
図6Cは、LEDパッケージ300と共に用いることができるカラー320及びスラグ116を示す。見られるように、基準構成302は、カラー320から延びるタブから形成される必要はないが、該カラー320内の陥凹部とすることができる。カラー320内の陥凹部は、絶縁体104の凹形部分305によって露出される。
図6Aに示されるように、位置基準構成302は、リード線106に対して約45度の位置で絶縁体104上に配向される。さらに、絶縁体104は、付加的な凹形部分307であり、カラー320の一部を露出させ得る配向構成307を含む。この配向構成307は、ユーザが、アノード及びカノード・リード線を容易に定めることを可能にする。
上述のように、位置基準構成302は、スラグ116のディスク117の一部として一体形成することができ、これにより別箇のカラー320への必要性がなくなる。言い換えれば、スラグ自体又はその構成を基準構成として用いることができる。
図7A、7B及び7Cは、それぞれ、スラグ116から一体形成された基準構成402を含むLEDパッケージ400の別の実施形態の平面図、側面図、及び底面図を示す。LEDパッケージ400は、LEDパッケージ100と類似しており、同じ符号が付けられた要素は同じものである。図7Cに見られるように、スラグ116の底部は、例えば六角形のような幾何学的形状を有する。スラグ116の1つ又はそれ以上のコーナー部、又は該コーナー部に隣接する2つの壁が、LEDパッケージ400の位置基準構成402として用いられる。絶縁体404の凹形部分405により、スラグ116上の基準構成402にアクセスすることが可能になる。
図8Aは、基準構成502を含むLEDパッケージ500の別の実施形態の平面図を示す。図8B及び8Cは、それぞれ、図8A内の線AA及び線BBに沿ったLEDパッケージ500の断面図である。図9は、LEDパッケージ500の分解斜視図を示す。
LEDパッケージ500は、LEDパッケージ100と類似しており、同じ符号が付けられた要素は同じものである。しかしながら、図8A乃至図8C及び図9に示されるように、LEDパッケージ500は、例えば正方形のような矩形状の絶縁体504を含み、2本のリード線506及び2本のトリミングされたリード線507を含む。図9に示されるように、単一のLEDダイ110が用いられ、よってリード線507は不必要であり、示されるようにトリミングすることができる。当然、必要に応じて付加的なLEDダイス及びリード線を用いることができる。
LEDパッケージ500は、図6A及び図6Bに示される基準構成302と類似した基準構成502を含む。基準構成502は、半円形の形状であり、絶縁体504の凹形部分503によって露出される。基準構成502は、必要に応じて他の形状を有することもできる。基準構成502は、正方形の絶縁体504のコーナー部上に配置されるものとして示されるが、必要に応じて該絶縁体504の両側に沿って配置することができる。図9に示されるように、基準構成502は、カラー120上のタブ121内の陥凹部として形成することができる。
LEDパッケージ500はまた、ユーザが該LEDパッケージ500の配向を容易に定めることを可能にする、すなわちアノード及びカノード・リード線のための基準を提供する配向構成505も含む。さらに、配向構成505は、ピックアンドプレース工程中のデバイスの修正配向を確実なものにする。配向構成505は、絶縁体504のベベル状コーナー部として図8Aに示される。
図10Aは、LEDパッケージ500と、検査のために該LEDパッケージ500を持ち上げ、例えば矢印571で示されるような、電気回路基板570又は他の取付け面上の所望の位置に、該LEDパッケージ500を配置するのに用いることができるピックアンドプレース・ヘッド560の斜視図を示す。ヘッド560は、基準構成502と共に用いられる位置合わせピン562を含む。位置合わせピン562は、絶縁体504の凹部503に挿入され、基準構成502と位置合わせするように構成される、すなわち該位置合わせピン562は、位置基準構成502に接触することができる。位置合わせピン562は、基準構成502に対して位置決めするのを助けるように先細にすることができる。位置合わせピン562が位置基準構成502と位置合わせされる間、ヘッド560がLEDパッケージ500を保持するので、該ヘッド560に対するLEDダイ110の位置は、既知のものであり、該LEDパッケージ500を配置し検査する際に用いることができる。例えば、LEDパッケージ500を持ち上げるための真空をもたらすために、アパーチャ564が設けられる。ヘッド560はまた、配向構成505と対応するピン(図示せず)を含むこともでき、これにより、該ヘッド560によって保持された時に、該LEDパッケージ500が正しい配向を有することが保証される。
作動において、位置合わせピン562が位置基準構成502に位置合わせされるように、ロボット・アーム(図示せず)によって保持できるヘッド560が、LEDパッケージ500上に下げられる。必要に応じて、絶縁体504の上面がヘッド560の底面と接触するまで、該ヘッド560を下げることができる。このように、レンズ508をヘッド560に挿入することができる。ヘッド560(及びロボット・アーム)は、例えば基板570のような所望の位置にLEDパッケージ500を正確に移動させ、これを配置することができ、そこで、例えばはんだによって、該LEDパッケージ500を接合することができる。
さらに、LEDパッケージ500がヘッド560内に保持された状態で、LEDを検査することもできる。例として、ヘッド560(及びロボット・アーム)は、適切な電流をリード線506に与えることによって該LEDのスイッチが入る検査ステーションに、LEDパッケージ500を移動させることができる。
図10Bは、LEDパッケージ500と、該LEDパッケージ500の取付け面580上への正しい位置合わせを確実にするために用いられる位置合わせピン563とを含む取付け面580の斜視図である。矢印571で示されるように、LEDパッケージ500が取付け面580上に配置された時に、該取付け面580に取り付けられた位置合わせピン563が該LEDパッケージ500の正しい位置合わせを確実にするので、ピックアンドプレース・ヘッド561は、位置合わせピンを含む必要がない。
本発明の別の態様において、リード線506は、該リード線506とLEDダイ110との間の垂直方向距離を最小にするように構成され、これによりボンドワイヤの長さが減少される。ボンドワイヤの長さを減少させることにより、ワイヤの応力が有利に減少され、これによりLEDの故障率が減少される。
図11は、図8Bからのリード線506のうちの1つの拡大図を示し、図12は、リード線106のうちの1つのより詳細な斜視図である。図11に見られるように、絶縁体504の外側では、リード線506が長さ530に沿ってほぼ水平方向に延びる。絶縁体504の外側では、リード線506は、「Z」形状とすることができる湾曲部分532を含むように曲げることができる、すなわち、該リード線506は、ほぼ下向きの長さ534とほぼ水平方向の別の長さ536とを有することができる。「Z」形状の部分532は、従来から、例えば、表面の取付けのために使用される。当然、リード線506の外側部分は、異なる構成を有してもよく、例えば、部分532は、例えばスルーホール取付けのような他の型の取付けのために下向きの長さ534だけを有することができる。
下向き、上向き、水平方向、及び垂直方向といった、ここで用いられる方向の用語は、LEDパッケージ500が、全体的に上向きの配向で、すなわち該LEDパッケージ500の発光が、ページの上の方向に向けられた状態で示される、LED500の図に関するものであることを理解すべきである。
リード線506の水平方向の長さ530は、絶縁体504内、すなわちLEDパッケージ500内に延びる。図11に示されるように、水平方向の長さ530は、レンズ508の下方に延び、リード線506がLEDダイ110及びサブマウント112に向けて垂直方向に延びる隆起部分540を含む。このように、水平方向の長さ530は、LEDダイ110から垂直方向距離Dv1(例えば、1.3mm)だけ絶縁体504内に延び、LEDダイ110から第2の垂直方向距離Dv2(例えば、0.4mm)だけ垂直方向に延び、ここで、Dv2はDv1より少ない。リード線506は、隆起部分540の中に「Z」形状を有することができ、すなわちリード線506は、ほぼ上向きの長さ542とほぼ水平方向の別の長さ544を有する。
上述のように、サブマウント112は、LEDダイ110をボンドワイヤ・コンタクト114に連結させる導電性トレースと共に形成される。ボンドワイヤ550は、サブマウント112上のボンドワイヤ・コンタクト114を、LEDダイ110からDv2の垂直方向距離を有するリード線506に連結させる。リード線506とボンドワイヤ・コンタクト114との間の垂直方向距離を減少させることによって、ボンドワイヤ550の長さは、従来の構成と比べて実質的に減少される。従来から、リード線とボンドワイヤ・コンタクトとの間の垂直方向距離は、約1.6mmである。より短いボンドワイヤ550を用いることにより、該ボンドワイヤ550の降伏、或いはボンドワイヤ・コンタクト114又はリード線506の何れかとの接触を失うといった、リード線をLEDダイに接続することに関連した接触の問題が減少される。
さらに、図12に見られるように、リード線506の水平方向の長さ530は、該リード線506がLEDダイ110の少なくとも一部の周りに横方向に延びるように、横方向に湾曲するか又は曲がることができる。このように、リード線506の隆起部分540は、例えば湾曲部分530のような該リード線506の外側部分に対する角度とするこができる。リード線506の1つ又はそれ以上に横方向の湾曲を用いることにより、該リード線506が、異なる側からLEDダイ110及び/又はサブマウント112にアクセスすることが可能になり、このことは、4本のリード線構成が用いられる場合、及び/又はサブマウント112が非正方形の構成を有する場合に特に有利である。
本発明は、説明目的のために特定の実施形態に関連して示されるが、本発明はこれに制限されるものではない。本発明の範囲から逸脱することなく、種々の適合及び修正をなすことができる。したがって、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲は、上記の説明に制限されるべきではない。
なお、好ましい実施態様として、本発明を次のように構成することもできる。
1. LEDダイと、
前記LEDダイがヒートシンクに対して既知の位置関係を有するように、該LEDダイが連結されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクを少なくとも部分的に囲む絶縁体と、
前記LEDダイの位置のための基準を提供するように前記ヒートシンクに対して固定関係を有し、前記絶縁体の外側にある少なくとも1つの位置基準構成と、
を備えることを特徴とする組立体。
2. 2つの位置基準構成があり、前記2つの位置基準構成が前記絶縁体のほぼ両側に配置されたことを特徴とする上記1に記載の組立体。
3. 前記位置基準構成が、半円形のノッチ及び「V」形状のノッチのうちの1つであることを特徴とする上記1に記載の組立体。
4. ほぼその中央にアパーチャを有するカラーをさらに備え、前記位置基準構成が前記カラーから一体形成され、該カラーは、該カラー内のアパーチャを通して前記ヒートシンクの少なくとも一部を挿入することによって該ヒートシンク上に取り付けられたことを特徴とする上記1に記載の組立体。
5. 前記カラーがタブを含み、前記位置基準構成が前記タブの少なくとも一部によって形成されたことを特徴とする上記4に記載の組立体。
6. 前記位置基準構成が前記カラー内の陥凹部によって形成されたことを特徴とする上記4に記載の組立体。
7. 前記位置基準構成が前記ヒートシンクから一体形成されたことを特徴とする上記1に記載の組立体。
8. 前記絶縁体が前記位置基準構成を露出させる陥凹部分を含むことを特徴とする上記1に記載の組立体。
9. 前記絶縁体がコーナー部を含み、前記位置基準構成が該絶縁体のコーナー部に配置されたことを特徴とする上記1に記載の組立体。
10. サブマウントをさらに備え、前記LEDダイが前記サブマウント上に取り付けられ、該サブマウントが前記ヒートシンク上に取り付けられたことを特徴とする上記1に記載の組立体。
11. 取付け面をさらに備え、前記ヒートシンクが前記取付け面に連結されたことを特徴とする上記1に記載の組立体。
12. 前記取付け面に連結された少なくとも1つの位置合わせピンをさらに備え、前記位置合わせピン及び位置基準構成が、前記ヒートシンクを該取付け面上の所望の位置に位置合わせするように構成されたことを特徴とする上記11に記載の組立体。
13. 前記ヒートシンクに連結された第2のLEDダイをさらに備えることを特徴とする上記1に記載の組立体。
14. LEDパッケージを組み立てる方法であって、前記方法が、
ヒートシンクの位置を示す位置基準構成を提供し、
LEDダイを前記ヒートシンクに取り付け、
前記位置基準構成が前記絶縁体の外側になるように、前記ヒートシンクの少なくとも一部の周りに絶縁体を形成する、
段階を含むことを特徴とする方法。
15. 位置基準構成を提供する段階が、前記位置基準構成を含む要素を前記ヒートシンクに取り付ける段階を含むことを特徴とする上記14に記載の方法。
16. 前記位置基準構成を含む前記要素が、アパーチャを有するカラーであり、該要素を前記ヒートシンクに取り付ける段階が、前記カラー内の前記アパーチャを通して該ヒートシンクの少なくとも一部を挿入する段階を含むことを特徴とする上記15に記載の方法。
17. 位置基準構成を提供する段階が、一体形成された位置基準構成を有するヒートシンクを提供する段階を含むことを特徴とする上記14に記載の方法。
18. 第2のLEDダイを前記ヒートシンクに取り付ける段階をさらに含むことを特徴とする上記15に記載の方法。
19. LEDパッケージの前記絶縁体の外側にあり、LEDパッケージ内の前記LEDダイに対して固定関係を有する位置基準構成を有するLEDパッケージを準備し、
前記位置基準構成を位置合わせピンと係合させ、
前記係合した位置基準構成を用いて前記LEDパッケージを保持する、
段階を含むことを特徴とする方法。
20. 前記係合した位置基準構成を用いて前記LEDパッケージを保持しながら、該LEDパッケージが取り付けられることになる表面上に該LEDパッケージを配置し、
前記LEDパッケージを前記表面に接合する、
段階をさらに含むことを特徴とする上記19に記載の方法。
21. 前記位置合わせピンが前記表面に連結されたことを特徴とする上記20に記載の方法。
22. 前記係合した位置基準構成を用いて前記LEDパッケージを保持しながら、該LEDパッケージを検査する段階をさらに含むことを特徴とする上記21に記載の方法。
23. LEDダイと、
前記LEDダイが連結されたヒートシンクと、
前記ヒートシンクを少なくとも部分的に囲む絶縁体と、
前記絶縁体に取り付けられたレンズと、
前記絶縁体から延び、少なくとも1つが前記LEDダイからの第1の垂直方向距離だけ該絶縁体内に横方向に延び、前記第1の垂直方向距離より少ない該LEDダイからの第2の垂直方向距離まで該絶縁体を通して延びる複数のリード線と、
前記リード線及び前記LEDダイを電気的に連結させるボンドワイヤと、
を備えることを特徴とするLEDパッケージ。
24. 前記レンズがベースを有し、前記リード線が該レンズの前記ベースの下方に横方向に延びることを特徴とする上記23に記載のLEDパッケージ。
25. サブマウントをさらに備え、前記LEDダイが前記サブマウント上に取り付けられ、該サブマウントが前記ヒートシンク上に取り付けられ、前記ボンドワイヤが該サブマウント及び前記リード線に直接連結されたことを特徴とする上記23に記載のLEDパッケージ。
26. 前記リード線が、前記第2の垂直方向距離だけ横方向にさらに延びることを特徴とする上記23に記載のLEDパッケージ。
27. 前記リード線が、前記絶縁体の中に「Z」形状を有することを特徴とする上記26に記載のLEDパッケージ。
28. 前記ワイヤボンドが前記第2の垂直方向距離だけ前記リード線の横方向の範囲で、少なくとも1つのリード線に連結されたことを特徴とする上記26に記載のLEDパッケージ。
29. 前記リード線が、前記LEDダイの少なくとも一部の周りに横方向に延びることを特徴とする上記23に記載のLEDパッケージ。
30. 前記ヒートシンクに連結された第2のLEDダイをさらに備えることを特徴とする上記23に記載のLEDパッケージ。
100、200、300、400、500:LEDパッケージ
102、202、302、402、502:位置基準構成
104、404、504:絶縁体
106、506、507:リード線
108、508:レンズ
110:LEDダイ
112:サブマウント
114:ボンドワイヤ・コンタクト
115、550:ボンドワイヤ
116、116a:ヒートシンク(スラグ)
120、320:カラー
307、505:配向構成

Claims (18)

  1. 組立体であって、
    リード線に電気的に接続されるLEDダイと、
    前記LEDダイがヒートシンクに対して既知の位置関係を有するように、該LEDダイが連結されたヒートシンクと、
    前記ヒートシンクを少なくとも部分的に囲む絶縁体と、
    記絶縁体を越えて外方に延びる少なくとも1つのタブと、を備え、
    前記少なくとも1つのタブは、前記絶縁体の外側にある少なくとも1つの位置基準構成を含み、
    前記少なくとも1つの位置基準構成は、前記組立体が取り付けられる取付け面に対して前記LEDダイを正確に配置するのを容易にするため、前記LEDダイの位置のための基準を提供するように前記ヒートシンクに対して固定関係を有する、
    ことを特徴とする組立体。
  2. 2つの位置基準構成があり、前記2つの位置基準構成が前記絶縁体のほぼ両側に配置されたことを特徴とする請求項1に記載の組立体。
  3. 前記位置基準構成が、前記タブに設けられた半円形のノッチ及び「V」形状のノッチのうちの1つであることを特徴とする請求項1に記載の組立体。
  4. ほぼその中央にアパーチャを有するカラーをさらに備え、前記タブが前記カラーから一体形成され、該カラーは、該カラー内のアパーチャを通して前記ヒートシンクの少なくとも一部を挿入することによって該ヒートシンク上に取り付けられたことを特徴とする請求項1に記載の組立体。
  5. 前記絶縁体が前記位置基準構成を露出させる陥凹部分を含むことを特徴とする請求項1に記載の組立体。
  6. サブマウントをさらに備え、前記LEDダイが前記サブマウント上に取り付けられ、該サブマウントが前記ヒートシンク上に取り付けられたことを特徴とする請求項1に記載の組立体。
  7. 取付け面をさらに備え、前記ヒートシンクが前記取付け面に連結されたことを特徴とする請求項1に記載の組立体。
  8. 前記取付け面に連結された少なくとも1つの位置合わせピンをさらに備え、前記位置合わせピン及び位置基準構成が、前記ヒートシンクを該取付け面上の所望の位置に位置合わせするように構成されたことを特徴とする請求項7に記載の組立体。
  9. 前記ヒートシンクに連結された第2のLEDダイをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の組立体。
  10. LEDパッケージを組み立てる方法であって、前記方法が、
    リード線、及びヒートシンクの位置を示す位置基準構成を含む少なくとも1つのタブを提供し、
    前記ヒートシンクに対する基準位置でLEDダイを前記ヒートシンクに取り付け、かつ、前記LEDダイをリード線に電気的に接続し、
    組立体が取り付けられる取付け面に対して前記LEDダイを正確に配置するのを容易にするよう、前記少なくとも1つのタブが前記絶縁体を越えて延びるように、前記ヒートシンクの少なくとも一部の周りに絶縁体を形成する、
    段階を含むことを特徴とする方法。
  11. タブを提供する段階が、前記タブを含む要素を前記ヒートシンクに取り付ける段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
  12. 前記タブを含む前記要素が、アパーチャを有するカラーであり、該要素を前記ヒートシンクに取り付ける段階が、前記カラー内の前記アパーチャを通して該ヒートシンクの少なくとも一部を挿入する段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
  13. タブを提供する段階が、一体形成されたタブを有するヒートシンクを提供する段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
  14. 第2のLEDダイを前記ヒートシンクに取り付ける段階をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
  15. タブを有するLEDパッケージ(該タブは、該LEDパッケージの絶縁体の外側にあり、LEDダイに電気的に接続されたリード線とは別に構成され、該LEDパッケージ内のLEDダイに対して固定関係を有する位置基準構成を含むを準備し、前記位置基準構成は、前記絶縁体の位置決め精度とは独立して、実使用のために前記組立体が取り付けられる取付け面に対して前記LEDダイを正確に配置するのを可能にし、
    前記位置基準構成を位置合わせピンと係合させ、
    前記LEDパッケージを前記取付け面に取り付けるために、前記係合した位置基準構成を用いて前記LEDパッケージを保持する、
    段階を含むことを特徴とする方法。
  16. 前記係合した位置基準構成を用いて前記LEDパッケージを保持しながら、該LEDパッケージが取り付けられることになる表面上に該LEDパッケージを配置し、
    前記LEDパッケージを前記表面に接合する、
    段階をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 前記位置合わせピンが前記表面に連結されたことを特徴とする請求項16に記載の方法。
  18. 前記係合した位置基準構成を用いて前記LEDパッケージを保持しながら、該LEDパッケージを検査する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
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Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1802533B (zh) * 2003-05-05 2010-11-24 吉尔科有限公司 基于led的灯泡
CA2589570C (en) * 2004-06-15 2010-04-13 Henkel Corporation High power led electro-optic assembly
KR100587020B1 (ko) * 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
US7855395B2 (en) * 2004-09-10 2010-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die
US7748873B2 (en) * 2004-10-07 2010-07-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Side illumination lens and luminescent device using the same
US7723736B2 (en) * 2004-12-14 2010-05-25 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same
EP1825524A4 (en) * 2004-12-16 2010-06-16 Seoul Semiconductor Co Ltd CONNECTION GRID COMPRISING A THERMAL DISSIPATOR SUPPORT RING, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING USING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING MADE THEREBY
KR100646093B1 (ko) * 2004-12-17 2006-11-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR100580753B1 (ko) * 2004-12-17 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
KR100631903B1 (ko) * 2005-02-17 2006-10-11 삼성전기주식회사 고출력 led 하우징 및 그 제조 방법
KR100665117B1 (ko) 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Led 하우징 및 그 제조 방법
WO2006095949A1 (en) * 2005-03-11 2006-09-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Led package having an array of light emitting cells coupled in series
KR100616684B1 (ko) * 2005-06-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
KR100628987B1 (ko) 2005-07-28 2006-09-27 금산전자 주식회사 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한발광소자의 제조방법
US7910946B2 (en) * 2005-12-12 2011-03-22 Nichia Corporation Light emitting apparatus and semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
JP4811927B2 (ja) * 2006-03-23 2011-11-09 ローム株式会社 Led発光装置およびその製造方法
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US11210971B2 (en) * 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US7655957B2 (en) * 2006-04-27 2010-02-02 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same
US20070267642A1 (en) * 2006-05-16 2007-11-22 Luminus Devices, Inc. Light-emitting devices and methods for manufacturing the same
FR2901347B1 (fr) * 2006-05-22 2008-07-18 Valeo Vision Sa Composant de dissipation thermique et dispositif d'eclairage et/ou de signalisation a diode equipe d'un tel composant
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7534025B2 (en) * 2006-08-25 2009-05-19 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Thin backlight with flipped light emitting diode
EP1895602B1 (en) * 2006-08-29 2019-01-23 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination apparatus having a plurality of semiconductor light-emitting devices
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US8497560B2 (en) * 2006-10-06 2013-07-30 Industrial Technology Research Institute LED package and method of assembling the same
KR100774251B1 (ko) 2006-10-17 2007-11-07 주식회사 우리이티아이 리드프레임 내의 내부 반사층이 라운드 형태를 갖는 엘이디패키지
EP1928026A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-04 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
KR100947454B1 (ko) * 2006-12-19 2010-03-11 서울반도체 주식회사 다단 구조의 열전달 슬러그 및 이를 채용한 발광 다이오드패키지
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
TWI378580B (en) * 2007-03-07 2012-12-01 Everlight Electronics Co Ltd Socket led device
US7470936B2 (en) * 2007-03-09 2008-12-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode with a step section between the base and the lens of the diode
US20080258167A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Liu Ming-Dah Package structure for light-emitting elements
US7638814B2 (en) 2007-06-19 2009-12-29 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Solderless integrated package connector and heat sink for LED
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
TWI353096B (en) * 2007-08-20 2011-11-21 Young Optics Inc Optoelectronic semiconductor package and method fo
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US9263651B2 (en) * 2007-09-20 2016-02-16 Koninklijke Philips N.V. Collimator
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US20110278638A1 (en) 2008-03-25 2011-11-17 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/dielectric/post heat spreader
US20100052005A1 (en) * 2008-03-25 2010-03-04 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and conductive trace
US8193556B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity in post
US8415703B2 (en) 2008-03-25 2013-04-09 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/flange heat spreader and cavity in flange
US8129742B2 (en) 2008-03-25 2012-03-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and plated through-hole
US8288792B2 (en) * 2008-03-25 2012-10-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader
US8212279B2 (en) 2008-03-25 2012-07-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader, signal post and cavity
US8110446B2 (en) 2008-03-25 2012-02-07 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader and a conductive trace
US8525214B2 (en) 2008-03-25 2013-09-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with thermal via
US8269336B2 (en) * 2008-03-25 2012-09-18 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and signal post
US8203167B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and adhesive between base and terminal
US20110156090A1 (en) * 2008-03-25 2011-06-30 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base/post heat spreader and asymmetric posts
US8148747B2 (en) * 2008-03-25 2012-04-03 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base/cap heat spreader
US20100181594A1 (en) * 2008-03-25 2010-07-22 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and cavity over post
US9018667B2 (en) * 2008-03-25 2015-04-28 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and dual adhesives
US8207553B2 (en) * 2008-03-25 2012-06-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with base heat spreader and cavity in base
US20110163348A1 (en) * 2008-03-25 2011-07-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and inverted cavity in bump
US8329510B2 (en) 2008-03-25 2012-12-11 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader with an ESD protection layer
US20090284932A1 (en) * 2008-03-25 2009-11-19 Bridge Semiconductor Corporation Thermally Enhanced Package with Embedded Metal Slug and Patterned Circuitry
US8324723B2 (en) 2008-03-25 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and dual-angle cavity in bump
US8232576B1 (en) 2008-03-25 2012-07-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and ceramic block in post
US8354688B2 (en) 2008-03-25 2013-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base/ledge heat spreader, dual adhesives and cavity in bump
US20100072511A1 (en) * 2008-03-25 2010-03-25 Lin Charles W C Semiconductor chip assembly with copper/aluminum post/base heat spreader
US8531024B2 (en) * 2008-03-25 2013-09-10 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and multilevel conductive trace
US8378372B2 (en) * 2008-03-25 2013-02-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and horizontal signal routing
US8314438B2 (en) * 2008-03-25 2012-11-20 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and cavity in bump
US8310043B2 (en) 2008-03-25 2012-11-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader with ESD protection layer
US7948076B2 (en) 2008-03-25 2011-05-24 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and vertical signal routing
US8067784B2 (en) * 2008-03-25 2011-11-29 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and substrate
US7737638B2 (en) * 2008-03-26 2010-06-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light-emitting device
US8877524B2 (en) 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US20100053978A1 (en) * 2008-08-26 2010-03-04 Han-Ming Lee Radiating semi-conductor light
DE102008045925A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
US20100072491A1 (en) * 2008-09-23 2010-03-25 Baoliang Wang LED chip module
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
TW201031014A (en) * 2009-02-03 2010-08-16 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device and fabrication method thereof
JP5499325B2 (ja) * 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8324653B1 (en) 2009-08-06 2012-12-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with ceramic/metal substrate
US8662704B2 (en) * 2009-08-14 2014-03-04 U.S. Pole Company, Inc. LED optical system with multiple levels of secondary optics
US8120056B2 (en) * 2009-10-19 2012-02-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode assembly
TW201115775A (en) * 2009-10-19 2011-05-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package structure
JP5263788B2 (ja) * 2009-10-22 2013-08-14 シャープ株式会社 表示装置
US10290788B2 (en) * 2009-11-24 2019-05-14 Luminus Devices, Inc. Systems and methods for managing heat from an LED
US8330342B2 (en) * 2009-12-21 2012-12-11 Malek Bhairi Spherical light output LED lens and heat sink stem system
US8350370B2 (en) 2010-01-29 2013-01-08 Cree Huizhou Opto Limited Wide angle oval light emitting diode package
US8319247B2 (en) * 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
US8486761B2 (en) 2010-03-25 2013-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
JP5714916B2 (ja) * 2011-01-12 2015-05-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20120287634A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Schneider Electric USA, Inc. Weather proof high efficient led light engine
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9494285B2 (en) 2013-01-13 2016-11-15 Mag Instrument, Inc Lighting devices
CA2971717C (en) 2014-12-22 2021-08-24 Mag Instrument Inc. Improved efficiency lighting apparatus with led directly mounted to a heatsink
CN105702831A (zh) * 2016-01-19 2016-06-22 深圳市华天迈克光电子科技有限公司 全彩smd显示屏支架及其固晶焊线方法
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
DE102017100165A1 (de) 2017-01-05 2018-07-05 Jabil Optics Germany GmbH Lichtemittierende Anordnung und lichtemittierendes System
US10648640B2 (en) 2017-03-21 2020-05-12 Valeo North America, Inc. Light emitting diode (LED) pad mount system
CN113545171A (zh) * 2018-12-05 2021-10-22 亮锐有限责任公司 照明模块的载体基座模块
CN114497330B (zh) * 2022-04-18 2022-07-12 至芯半导体(杭州)有限公司 一种to紫外器件封装结构

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4342090A (en) * 1980-06-27 1982-07-27 International Business Machines Corp. Batch chip placement system
GB2210500A (en) 1987-09-30 1989-06-07 Plessey Co Plc Method of alignment of led chips
JPH0184455U (ja) * 1987-11-26 1989-06-05
JPH02150080A (ja) * 1988-12-01 1990-06-08 Mitsubishi Electric Corp 発光ダイオードのホルダ
JPH04102378A (ja) * 1990-08-21 1992-04-03 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード装置の製造方法
JP2530054B2 (ja) * 1990-08-28 1996-09-04 株式会社東芝 半導体記憶装置の製造方法
JPH04102378U (ja) * 1991-01-31 1992-09-03 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 ビデオプリンタ装置
JPH04107861U (ja) * 1991-02-28 1992-09-17 サンケン電気株式会社 発光表示装置
US5259054A (en) * 1992-01-10 1993-11-02 At&T Bell Laboratories Self-aligned optical subassembly
JP2574958Y2 (ja) * 1992-06-08 1998-06-18 ローム株式会社 発光ダイオードランプの構造
JP3258221B2 (ja) 1995-12-26 2002-02-18 沖電気工業株式会社 位置合わせ用の認識マークおよびその形成方法、認識マークおよび発光部の形成の兼用マスク、位置合わせ用の認識マークを用いた位置合わせ方法
TW414924B (en) * 1998-05-29 2000-12-11 Rohm Co Ltd Semiconductor device of resin package
JP2000012874A (ja) * 1998-06-17 2000-01-14 Olympus Optical Co Ltd 光学素子およびその取り付け構造
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
JP2000138003A (ja) * 1998-08-28 2000-05-16 Stanley Electric Co Ltd 車両用灯具およびその組立方法
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
JP4296644B2 (ja) * 1999-01-29 2009-07-15 豊田合成株式会社 発光ダイオード
DE10023353A1 (de) * 2000-05-12 2001-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US7268479B2 (en) * 2001-02-15 2007-09-11 Integral Technologies, Inc. Low cost lighting circuits manufactured from conductive loaded resin-based materials
US6541800B2 (en) 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
WO2002097884A1 (en) * 2001-05-26 2002-12-05 Gelcore, Llc High power led module for spot illumination
JP2002353509A (ja) * 2001-05-30 2002-12-06 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
EP1435118B1 (de) * 2001-08-21 2011-11-02 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Gehäuse für ein oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes bauelement, oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes bauelement und anordnung mit einer mehrzahl von oberflächenmontierbaren strahlungsemittierenden bauelementen
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US20030076034A1 (en) * 2001-10-22 2003-04-24 Marshall Thomas M. Led chip package with four led chips and intergrated optics for collimating and mixing the light
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US7170151B2 (en) * 2003-01-16 2007-01-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Accurate alignment of an LED assembly
DE10308917A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit metallisiertem Reflektor
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode

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