TWI382559B - 發光二極體封裝總成 - Google Patents

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TWI382559B
TWI382559B TW093139088A TW93139088A TWI382559B TW I382559 B TWI382559 B TW I382559B TW 093139088 A TW093139088 A TW 093139088A TW 93139088 A TW93139088 A TW 93139088A TW I382559 B TWI382559 B TW I382559B
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Fernando M Teixera
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Philips Lumileds Lighting Co
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Description

發光二極體封裝總成
本發明係關於發光二極體,且更特別地關於例如用於檢測及安裝之發光二極體之精確對準。
一發光二極體之性能,特別在高性能光學系統中,係由該發光二極體封裝內之該發光二極體晶膜位置精確度及一致性所限制,且使其達成一電路板或其他安裝表面上該發光二極體封裝之安裝精確度。一安裝表面上該發光二極體封裝之光學集中及安裝精確度特別重要,例如在自動前照燈中所使用之二次光學裝置。一般對準該發光二極體晶粒及封裝之技術對於許多高性能應用較不適當。
將該封裝內發光二極體晶粒及該封裝對準至安裝表面之現有方法係基於標準半導體總成技術而定。因此,嘗試改良一發光二極體晶粒及該封裝對準精度將著重控制半導體總成之變化。一般對準該晶粒及封裝置之半導體技術通常並不精確,因為非發光二極體型式之半導體應用與光線發射無關。
例如,一般發光二極體封裝之拾取及配置安裝,使用該發光二極體封裝之外緣或該封裝之電引線。然而,該發光二極體封裝之外緣典型係尺寸並不精確之壓模塑膠或鑄造環氧樹脂材料。再者,封裝電引線通常由適合高精確度對準之金屬片製成。如此,該封裝內發光二極體晶粒相對該發光二極體封裝外緣或引線之位置關係,對於高精確度對 準而言,通常太不精確。
因此,吾人需要一種改良發光二極體封裝對準精確度之系統及方法。
一種發光二極體封裝包括一基準參考特徵,其外露於該發光二極體封裝之絕緣體,且與該散熱器間具有一習知云固定關係。該發光二極體晶粒被安裝至該散熱器,以致使該發光二極體晶粒與該散熱器間可具有一固定關係。因此,該參考資料裝置提供該發光二極體晶粒在該發光二極體封裝內之位置的參考架構。該參考資料裝置可被安裝至該散熱器或與該散熱器一體成形。一拾取放置頭藉由使該基準參考特徵與例如利用一對準插銷相嚙合而固持該發光二極體封裝。此外,該發光二極體封裝可包括一側向地延伸進入該絕緣體且朝向該發光二極體晶粒延伸之引線,以便降低該引線及該發光二極體晶粒間之垂直距離。
在本發明之一態樣中,一總成包括一發光二極體晶粒及一被該發光二極體晶粒所耦合之散熱器,以致使該發光二極體晶粒與該散熱器可具有一習知之位置關係。該總成進一步包含一至少部分地環繞該散熱器之絕緣體,及至少一外露於該絕緣體之基準參考特徵。該基準參考特徵與該散熱器間具有一固定關係,以致使該基準參考特徵可針對該發光二極體晶粒之位置提供一參考。
在另一態樣中,一種用於組裝一發光二極體之方法包括提供一基準參考特徵,其可指示一散熱器之位置且將一發 光二極體晶粒安裝至該散熱器。一絕緣體接著在該散熱器之至少一部分周圍形成,以致使該基準參考特徵可外露於該絕緣體。
在另一態樣中,一種方法包括提供一具有基準參考特徵之發光二極體封裝,該裝置係外露於該發光二極體封裝之絕緣體,在此該基準參考特徵與該發光二極體封裝中之該發光二極體晶粒間具有固定關係。該方法進一步包括將該基準參考特徵與一對準插銷相嚙合,且利用該經嚙合之基準參考特徵固持該發光二極體封裝。
在本發明另一實施例中,一發光二極體封裝包括一發光二極體晶粒及一散熱器,其中該發光二極體晶粒被耦合至該散熱器。一絕緣體至少部分環繞該散熱器及一透鏡被安裝至該絕緣體。複數條引線由該絕緣體延伸出去,至少一引線以一段與該發光二極體晶粒相隔之第一垂直距離側向地延伸進入該絕緣體。該引線通過該絕緣體而延伸至一段與該發光二極體相隔之第二垂直距離,其中該第二垂直距離小於該第一垂直距離。一接合線電耦合該引線及該發光二極體晶粒。
如本發明實施例之發光二極體包括一或多個基準參考特徵,其外露於該發光二極體封裝,但其提供相關該封裝內該發光二極體晶粒位置之精確度。
使用該等基準參考特徵,該發光二極體封裝之檢測、安裝精確度及光學集中將有效改良。該發光二極體至其所須 位置之光學集中在例如自動前照燈之高亮度應用中特別重要。
圖1A及1B說明一發光二極體封裝之上平面圖及側視圖,其包括諸基準參考特徵102,有時簡稱為一參考裝置,其可用於精確定位該發光二極體封裝100。圖2說明發光二極體封裝100之截面圖。發光二極體封裝100包括一絕緣體104、由該主體104延伸之複數條引線106,及一配置在該主體104上之透鏡108。儘管圖1A及1B所示四條引線106,但必須瞭解如有需要則二引線也可使用。
如圖2截面圖所示,發光二極體封裝100包括一安裝在附屬座112上之發光二極體晶粒110。附屬座112可電氣傳導或絕緣。附屬座112可由矽、銅、銀、鑽石、鋁、鎢、鉬、鈹、明礬、氮化鋁、氧化鈹、氮化硼或其他導熱材料、化合物或混合物製成。在本實施例中,發光二極體晶粒110以焊錫連接附屬座112上之球形柵狀陣列至發光二極體晶粒110上接觸墊之方式,接合至附屬座112。附屬座112所形成之諸導電軌跡將該發光二極體晶粒110耦合至接合線接點114。齊納二極體可形成於該等軌跡路徑中,以防靜電放電。接合線115將附屬座112上之接合線接點114連接至該等引線106。當使用四條引線106時,複數個發光二極體晶粒如需要可加以使用。為簡潔理由,僅一單發光二極體晶粒110顯示於圖2。
由圖2能看到,附屬座112安裝在一散熱器116(也稱作“散熱塊”)之上配合表面。散熱塊116可由矽、銅、銀、 鑽石、鋁、鎢、鉬、鈹、明礬、氮化鋁、氧化鈹、氮化硼或其他導熱材料、化合物或混合物製成。將該附屬座112安裝至該散熱塊116必須使得該附屬座112及發光二極體晶粒110精確對準及連接至散熱塊116。當該發光二極體晶粒透過附屬座112對準及連接至散熱塊116時,該發光二極體晶粒110與該散熱塊116具有一習知固定關係,例如該發光二極體晶粒110大致可位於該散熱塊116之中心(在此使用一發光二極體晶粒)。
在一實施例中,該附屬座112及散熱塊116之連接表面,具有大致相同形狀及面積。一焊接回流製程能接著使用以便利用該熔接焊錫之表面張力,將該附屬座112之連接表面對準該散熱塊116之連接表面。一種將該發光二極體晶粒110精確對準及連接至該散熱塊116之方法係揭示於美國專利第10/346,535號,其標題為"一發光二極體總成之精確對準",此文件於2003年1月16日由Cresente S.Elpedes等人提出,且其與本案有同一讓受人並在此藉為參考。如有所須,將該發光二極體晶粒110精確對準至該散熱塊116之其他方法也可使用。
該基準參考特徵102之結構與該散熱塊116具有一習知固定之位置關係。因為該附屬座112及該發光二極體晶粒110相對於該散熱塊116具有一習知位置,該基準參考特徵102因此例如透過該散熱塊116及附屬座112,提供該發光二極體晶粒110位置之參考。
利用範例,該等基準參考特徵可由安裝至該散熱塊116 之元件形成。圖3顯示一具有向外延伸凸片121之軸環120之立體分解圖,其中該等凸片包括諸基準參考特徵102。圖3也顯示該散熱塊116之立體圖。如圖3所示,該散熱塊116包括一碟形部分117及一由該碟形部分117中心延伸之升高部分118。該軸環120包括一中心通孔122,其具有與該散熱塊116升高部分118相同之幾何形狀,例如六邊形,其容許該軸環120壓配或安裝至散熱塊116。當然,其他幾何形狀如所須也可使用。一旦該軸環120安裝在該散熱塊116上,該等基準參考特徵102與該散熱塊116具有一習知固定的位置關係。
軸環120可由熱穩定材料,諸如鋼、不銹鋼、電鍍銅、銅或其他熱穩定材料、化合物或混合物製成。該軸環120可具有0.010"厚度且由壓模或蝕刻方式製造。
必須瞭解,該散熱塊116及軸環120之結構可與所示者不同,但不能偏離本發明範圍。例如,該軸環120可不具有中心通孔,而大致與上述附屬座112相同方式安裝至該散熱塊116。再者,如所須,該附屬座112可安裝至該軸環120,且該軸環120安裝至該散熱塊116。當該附屬座112安裝至該軸環120時,該軸環120必須也能提供散熱器性質。
一散熱塊116a之另一實施例係如圖4立體圖所說明。散熱塊116a類似圖3中所示之散熱塊116,然而,該等基準參考特徵102與該散熱塊116a之碟形部分117a整合形成。如此,當用散熱塊116a與諸基準參考特徵整合使用時,該等基準參考特徵與該發光二極體晶粒110具有一習知固定位 置關係,而不需一分離軸環120。
回到前圖1A、1B及2,該散熱塊116至少部分配置於該絕緣體104內。絕緣體104可由任何介電材料,諸如像塑膠或環氧樹脂製成。絕緣體104一般可藉由配置各種組件,例如散熱塊116、引線106及軸環120於其所須結構中且將該體材料注入一模型製成。形成一發光二極體封裝所須之絕緣體係習知技藝。如圖1A、1B及2所示,該等引線106及基準參考特徵102由該體104向外延伸。如此,該等基準參考特徵102可通達外部。當該體104形成時,該透鏡108配置在體104上。一封裝劑可充填透鏡108以保護該發光二極體晶粒110。
因為該等一料參考裝置102可外部通達且提供該發光二極體封裝內該發光二極體晶粒位置之精確參考架構,該等參考裝置102有利於檢測及安裝期間提供一種精確對準該發光二極體封裝置裝置。利用範例,一具有基準參考特徵102之發光二極體封裝之位置容差係約±0.2毫米或更佳,然而不具此基準參考特徵之發光二極體封裝具有約±0.5毫米之位置容差。
由圖1A可知,該等基準參考特徵102可結構為半導體壓痕。如有所須,然而,其他結構也可使用於該等基準參考特徵,包括其他型式之壓痕或突出部。
圖5A及5B分別說明一發光二極體封裝200另一實施例之上平面圖及側視圖,該發光二極體封裝包括"V"形基準參考特徵202。發光二極體封裝200類似於發光二極體封裝 100,如同設計之元件係相同的。然而,發光二極體封裝200包括"V"形基準參考特徵202,該基準參考特徵以90度相對該引線106之位置導向於該絕緣體104上。圖6A及6B分別說明一發光二極體封裝300另一實施例之上平面圖及側視圖,該發光二極體封裝包括諸基準參考特徵302。發光二極體封裝300類似於發光二極體封裝100,如同設計之元件係相同的。如圖6A及6B所示,諸基準參考特徵302不由該體104向外延伸,反而體104包括一顯示該等參考裝置302之凹部305。該等參考裝置302係由一半圓形壓痕顯示,該壓痕由該凹部305顯示。
圖6C說明軸環320及散熱塊116可用於發光二極體封裝300。由此可知,該等參考裝置302不需由該軸環320延伸之凸片形成,但能由該軸環330中之壓痕形成。該軸環330中之壓痕由該體104之凹部305顯示。
如圖6A所示,該等基準參考特徵302以約45度相對於該等引線之位置導向於該絕緣體104上。此外,該體104包括一方位裝置307,其係一附加凹部307,該凹部顯示該軸環320之一部分。該方位裝置307容許使用者易於決定該陽極及陰極引線。
如上所討論,該等參考裝置302可整合形成為該散熱塊116碟片117之一部分,藉此消除一分離軸環320之需求。換句話說,該散熱塊本身或諸裝置本身可用作該參考裝置。圖7A、7B及7C分別說明一發光二極體封裝400另一實施例之上平面圖、側視圖及下平面圖,該發光二極體封裝 包括與該散熱塊116整合形成之諸參考裝置402。發光二極體封裝400類似於發光二極體封裝100,如同設計之元件係相同的。由圖7C可知,該散熱塊116之底部具有一幾何形狀,例如六邊形。該散熱塊116之一或多個隅角,或緊鄰該隅角之二壁面被用作該發光二極體封裝置400中之該等基準參考特徵402。該體404之凹部405容許通達該散熱塊116上之該等參考裝置402。
圖8A說明一包含諸參考裝置502之發光二極體封裝500另一實施例之上平面圖。圖8B及8C係分別沿圖8A之線AA及BB所取之發光二極體封裝500之截面圖。圖9顯示發光二極體封裝500之立體分解圖。
發光二極體封裝500類似於發光二極體封裝100,如同設計之元件係相同的。然而,如圖8A-8C及9所示,發光二極體封裝500包括一絕緣體504,其係矩形例如正方形,且包括二引線506及二修剪引線507。如圖9所示,使用一單發光二極體晶粒110,因此引線507將不必要且可如所示修剪。當然,如有所須,其他發光二極體晶粒及引線可加以使用。
發光二極體封裝500包括諸參考裝置502,其類似於圖6A及6B中所示之參考裝置302。諸參考編號502係半圓形,且由該體504之凹部503顯示。諸參考裝置502如有所須可具有其他形狀。該等參考裝置502係如該正方形體504之隅角上所示,但如有所須能沿該絕緣體504該等側定位。如圖9所示,該等參考裝置502可形成該軸環130上凸片121之壓 痕。
發光二極體封裝500也包括一方位裝置505,以容許使用者易於決定該發光二極體封裝500之方位,即提供該陽極及陰極之一參考。再者,該方位裝置505於該拾取放置過程期間確保該裝置之校正方位。該方位裝置505在圖8A中如該體504之圓錐隅角所示。
圖10A顯示發光二極體封裝500及一拾取放置頭560之立體圖中,該頭可拾取發光二極體封裝500以供檢測,以及配置該發光二極體封裝500於一所須位置,例如在一電路板570或其他安裝表面,如箭頭571所示。頭560包括對準插銷562,其可連同諸參考裝置502使用。諸對準插銷562之結構可插入該體504之凹部503且與諸參考裝置502對準,即該等對準插銷562可與該等基準參考特徵502接觸。諸對準插銷562可傾斜以輔助相對於該等參考裝置502定位。因為該頭560固持該發光二極體封裝500,而該等對準插銷562與該等基準參考特徵502對準,該發光二極體晶粒110相對該頭560之位置係習知且能用於配置及檢測該發光二極體封裝500。一通孔564被提供,例如提供一真空以拾取發光二極體封裝500。該頭560也可包括一對應該方位裝置505之插銷(未顯示),藉此確保該發光二極體封裝500在由該頭560固持時具有該正確方位。
在操作中,可由一機械手臂(未顯示)固持之該頭560降落於發光二極體封裝500上,使得該等對準插銷562與該等基準參考特徵502對準。如有所須,該頭560可降低直到該 絕緣體504上表面與該頭560下表面接觸。如此,該透鏡508可插入該頭560。該頭560(及機械手臂)能精確移動及配置該發光二極體封裝500於一所須位置,例如板570,其中該發光二極體封裝500可由焊錫連接。
此外,當該發光二極體封裝500固持於該頭560時,該發光二極體封裝500也可被檢測。利用範例,該頭560(及機械手臂)可移動該發光二極體封裝500至一檢測站,在此藉由提供一適當電流至該引線506,該發光二極體被開啟。
圖10B係發光二極體封裝500及一安裝表面580之立體圖,其包括用以確保該安裝表面580上該發光二極體封裝500正確對準之諸對準插銷563。該拾取放置頭561不需包括對準插銷,因為當該發光二極體封裝500配置在該安裝表面580上時,如箭頭571所示,附接至該安裝表面580之該等對準插銷563將確保該發光二極體封裝500之正確對準。
在本發明另一態樣中,該等引線506之結構將減少該引線506及該發光二極體晶粒110間之垂直距離,藉此降低該焊線之長度。降低該接合線長度有利於減少線應力,藉此降低發光二極體之故障率。
圖11顯示圖8B該等引線506之一之近視圖,及圖12顯示該等引線506之一之更詳細立體圖。由圖11可知,外露於至體504,引線506大致沿長度530水平延伸。外露於該體504,引線506可彎曲以包括一彎曲段532,其可為Z字形,即引線506可具有一向下長度534且具有另一大致水平長度 536。該Z字形段532一般用於例如表面安裝。當然,該引線506之外部可具有不同結構,例如該段532可僅具有一向下長度534,以供其他型式,例如通孔之安裝。
必須瞭解,在此使用之方向名稱,諸如向下、向上、水平及垂直,係關於發光二極體500之圖形,其中該發光二極體封裝500係以大致向上方位顯示,即該發光二極體封裝500之光線發射朝該頁面上方導向。
該引線506之水平長度530延伸進入該體504,即發光二極體封裝500之內部。如圖11所示,該水平長度530延伸於該透鏡508下方,且包括一升高段540,其中該引線506垂直朝向該發光二極體晶粒110及附屬座112延伸。如此,該水平長度530以一段與該發光二極體晶粒110相隔之垂直距離Dv1(例如1.3毫米)延伸進入該體504,且垂直延伸一段與該發光二極體晶粒110相隔之第二垂直距離Dv2(例如0.4毫米),其中Dv2少於Dv1。該引線506可在該升高段540內具有一Z字形形狀,即引線506具有一約向上長度542且具有另一約水平長度544。
如上所討論,附屬座112以一耦合該發光二極體晶粒110至接合線接點114之導電軌跡形成。一接合線550將附屬座112上之該等接合線接點114連接至該引線506,其中引線506具有一段與該發光二極體晶粒110相隔之垂直距離Dv2。藉由降低該引線506及該接合線接點114間之垂直距離,該接合線550之長度比較於一般結構大致能降低。一般而言,一引線及一接合線接點間之垂直距離係約1.6毫 米。使用越短的接合線550將減少該引線至該發光二極體晶粒連接有關的接觸問題,諸如接合線550斷裂或與該接線接點114或該引線506之接觸不良。
此外,由圖12能看到,該引線506之水平長度530可側向捲曲或彎曲,使得該引線506沿該發光二極體晶粒110至少一部分側向延伸。如此,該引線506之升高部分540可與該引線506之外部,例如彎曲段530,形成一角度。一或多條引線506中側向曲線之使用,容許該等引線506由不同側通達該發光二極體晶粒110及/或附屬座112,如果使用一四引線結構及/或如果該附屬座112具有一非正方形結構時特別有利。
雖然本發明為結構目的而將特定實施例加以說明,但本發明並不因此受到限制。各種適應及修正可在不偏離本發明範圍下得到。所以,文後請求項之精神及範圍不應限於前述說明。
100,200,300,400,500‧‧‧發光二極體封裝
102,202,302,402,502‧‧‧基準參考特徵
104,404,504‧‧‧絕緣體
106,506,507‧‧‧引線
108,508‧‧‧透鏡
110‧‧‧發光二極體晶粒
112‧‧‧附屬座
114‧‧‧接合線接點
115,550‧‧‧接合線
116,116a‧‧‧散熱塊
117,117a‧‧‧碟形部分
118,540‧‧‧升高部分
120,130,320,330‧‧‧軸環
121‧‧‧凸片
305,307,405,503‧‧‧凹部
505‧‧‧方位裝置
530,536,544‧‧‧水平長度
532‧‧‧彎曲段
534‧‧‧向下長度
542‧‧‧向上長度
560,561‧‧‧拾取放置頭
562,563‧‧‧對準插銷
564‧‧‧通孔
570‧‧‧板
571‧‧‧箭頭
580‧‧‧安裝表面
Dv1,Dv2‧‧‧垂直距離
圖1A及1B說明一發光二極體封裝包括基準參考特徵之上平面圖及側視圖。
圖2說明圖1A及1B之該發光二極體封裝之截面圖。
圖3顯示一軸環包括向外延伸之該基準參考特徵及一散熱器之截面圖。
圖4說明該散熱敖另一實施例之立體圖。
圖5A及5B分別說明一發光二極體封裝置具有基準參考特徵之另一實施例之上平面圖及側視圖。
圖6A及6B分別說明一發光二極體封裝置具有基準參考特徵之另一實施例之上平面圖及側視圖。
圖6C說明一軸環及一散熱器可使用於發光二極體封裝之圖形。
圖7A、7B及7C分別說明一發光二極體封裝置具有基準參考特徵之另一實施例之上平面圖、側視圖及下平面圖。
圖8A說明一發光二極體封裝置具有基準參考特徵之另一實施例之上平面圖。
圖8B及8C係分別沿圖8A之線AA及BB所取之該發光二極體封裝之截面圖。
圖9顯示圖8A、8B及8C之該發光二極體封裝之立體分解圖。
圖10A顯示一發光二極體封裝及一用於固持該發光二極體封裝之拾取放置頭之立體圖。
圖10B顯示一發光二極體封裝及一安裝表面之立體圖,其中諸對準插銷用以確保該發光二極體封裝之正確對準。
圖11係來自圖8B所示發光二極體封裝之引線之一之近視圖。
圖12顯示來自圖8C所示發光二極體之引線之一之更詳細立體圖。
100‧‧‧發光二極體封裝
102‧‧‧基準參考特徵
104‧‧‧絕緣體
106‧‧‧引線
108‧‧‧透鏡
114‧‧‧接合線接點

Claims (30)

  1. 一種發光二極體封裝總成,其包含:一發光二極體晶粒;一散熱器,該發光二極體晶粒被耦合至該散熱器,以致使該發光二極體晶粒與該散熱器具有一已知之位置關係;一絕緣體,其至少部分地環繞該散熱器;及至少一基準參考特徵,其外露於該絕緣體,該基準參考特徵與該散熱器間具有一固定關係,以致使該基準參考特徵可針對該發光二極體晶粒之位置提供一參考。
  2. 如請求項1之總成,其中具有二基準參考特徵,該二基準參考特徵大致位於該絕緣體之相對兩側處。
  3. 如請求項1之總成,其中該基準參考特徵係一半圓形及"V"形切口中之一者。
  4. 如請求項1之總成,進一步包含一軸環,其具有一大致位於該軸環中心之通孔,該基準參考特徵與該軸環係一體成形,該軸環藉由插置該散熱器之至少一部分通過該軸環中之該通孔而被安裝在該散熱器上。
  5. 如請求項4之總成,其中該軸環包括一凸片,該基準參考特徵係由該凸片之至少一部分所形成。
  6. 如請求項4之總成,其中該基準參考特徵係由該軸環中之一壓痕所形成。
  7. 如請求項1之總成,其中該基準參考特徵與該散熱器係一體成形。
  8. 如請求項1之總成,其中該絕緣體包括一顯露出該基準參考特徵之凹部。
  9. 如請求項1之總成,其中該絕緣體包括隅角及該基準參考特徵係位於該絕緣體之一隅角處。
  10. 如請求項1之總成,進一步包含一附屬座,該發光二極體晶粒被安裝在該附屬座上,且該附屬座被安裝在該散熱器上。
  11. 如請求項1之總成,進一步包含一安裝表面,而該散熱器被連接至該安裝表面上。
  12. 如請求項11之總成,進一步包含至少一被連接至該安裝表面上之對準插銷,其中該對準插銷及基準參考特徵被構形成可將該散熱器對準至一位在該安裝表面上之所要位置。
  13. 如請求項1之總成,進一步包含一被連接至該散熱器上之第二發光二極體晶粒。
  14. 一種組裝一發光二極體封裝之方法,該方法包含:提供一基準參考特徵,其可指示一散熱器之位置;將一發光二極體晶粒安裝至該散熱器上;在該散熱器之至少一部分周圍形成一絕緣體,且使該基準參考特徵可外露於該絕緣體,其中該基準參考特徵經配置使得該基準參考特徵提供一該發光二極體晶粒對準於該散熱器上之一參考。
  15. 如請求項14之方法,其中提供一基準參考特徵之步驟包含將一包括該基準參考特徵之元件安裝至該散熱器上。
  16. 如請求項15之方法,其中包括該基準參考特徵之該元件係一具有一通孔之軸環,且安裝該元件至該散熱器之步驟包含插置該散熱器之至少一部分通過該軸環中之該通孔。
  17. 如請求項14之方法,其中提供一基準參考特徵之步驟包含提供具有一之散熱器,其具有一整體成形之基準參考特徵。
  18. 如請求項15之方法,進一步包含將一第二發光二極體晶粒安裝至該散熱器上之步驟。
  19. 一種用於組裝一發光二極體之方法,包含:提供一具有一基準參考特徵之發光二極體封裝,該裝置係外露於該發光二極體封裝之絕緣體,該基準參考特徵與該發光二極體封裝中之該發光二極體晶粒具有一固定關係;其中該基準參考特徵經配置使得該基準參考特徵提供一該發光二極體晶粒對準於該散熱器上之一參考;將該基準參考特徵與一對準插銷相嚙合;及利用該經嚙合之基準參考特徵而固持該發光二極體封裝。
  20. 如請求項19之方法,進一步包含:將該發光二極體封裝放置在一將安裝該發光二極體封裝之表面上,同時利用該經嚙合之基準參考特徵而固持該發光二極體晶粒封裝;及將該發光二極體封裝接合至該表面。
  21. 如請求項20之方法,其中該對準插銷被連接至該表面上。
  22. 如請求項21之方法,進一步包含:檢測該發光二極體封裝,同時利用該經嚙合之基準參考特徵而固持該發光二極體封裝。
  23. 一種發光二極體封裝,其包含:一發光二極體晶粒;一散熱器,該發光二極體晶粒被連接至該散熱器,使得該發光二極體晶粒與該散熱器具有一已知位置關係;一絕緣體,其至少部分地環繞該散熱器;一透鏡,其被安裝至該絕緣體;複數條引線,其由該絕緣體延伸出去,至少一引線以一段與該發光二極體晶粒相隔之第一垂直距離側向地延伸進入該絕緣體,該引線延伸通過該絕緣體至一段與該發光二極體相隔之第二垂直距離,該第二垂直距離係小於該第一垂直距離;及一接合線,其電耦合該引線及該發光二極體晶粒,至少一基準參考特徵,其外露於該絕緣體,該基準參考特徵與該散熱器間具有一固定關係,以致使該基準參考特徵可針對該發光二極體晶粒之位置提供一參考。
  24. 如請求項23之發光二極體封裝,其中該透鏡具有一底座,其中該引線在該透鏡之底座下方呈側向地延伸。
  25. 如請求項23之發光二極體封裝,進一步包含:一附屬座,該發光二極體晶粒被安裝在該附屬座上且 該附屬座被安裝在該散熱器上,該接合線直接被連接至該附屬座及該引線。
  26. 如請求項23之發光二極體封裝,其中該引線進一步以該第二垂直距離側向地延伸。
  27. 如請求項26之發光二極體封裝,其中該引線於該絕緣體內具有一"Z"形之形狀。
  28. 如請求項26之發光二極體封裝,其中該接合線以該第二垂直距離並在該引線側向範圍內被連接至該至少一引線。
  29. 如請求項23之發光二極體封裝,其中該引線在該發光二極體晶粒之一部分周圍側向地延伸。
  30. 如請求項23之發光二極體封裝,進一步包含一被連接至該散熱器上之第二發光二極體晶粒。
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