JP5446587B2 - 紫外線センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
まず、ZnO系薄膜材料層をスパッタリング法によって形成するにあたって用いられるスパッタリング用ターゲットを作製するため、ZnO、ならびにIn2O3、Ga2O3、Al2O3およびMgOの各原料無機粉末を、それぞれ、表1に示した組成となるように秤量し、これに純水を加え、PSZ(部分安定化ジルコニア)ビーズをメディアとしてボールミルにて平均粒径0.5μm以下となるように混合粉砕処理した。
実験例1において得られた(Ni,Zn)O層の一方主面の一部を覆うように、スパッタリング法によって、厚みが約0.5μmのITOからなる薄膜材料層を形成したことを除いて、実験例1の場合と同様の工程を経て、試料11に係る紫外線センサを得た。
以上のようにして得られた試料11および12に係る紫外線センサについて、実験例1の場合と同様の条件にて、分光感度を求めた。その結果が図4に示されている。
2 (Ni,Zn)O層
4 薄膜材料層
5 積層体
6 接合部
7 第1の端子電極
8 第2の端子電極
9 内部電極
Claims (5)
- ZnOがNiOに固溶してなる酸化物半導体からなる、(Ni,Zn)O層と、
前記(Ni,Zn)O層の一方主面の一部を覆うように、スパッタリング法により形成される、ZnOを含む酸化物半導体からなる薄膜材料層と
を含む、積層体を備え、さらに、
前記(Ni,Zn)O層と前記薄膜材料層との接合部の少なくとも一部を露出させた状態で前記積層体の外表面上に形成される、第1の端子電極と、
前記(Ni,Zn)O層と前記薄膜材料層との接合部の少なくとも一部を露出させた状態で前記積層体の外表面上に形成される、第2の端子電極と、
前記(Ni,Zn)O層内に形成される内部電極と
を備え、
前記第1の端子電極は、前記(Ni,Zn)O層および前記内部電極に電気的に接続されるが、前記薄膜材料層に電気的に接続されず、
前記第2の端子電極は、前記(Ni,Zn)O層および前記薄膜材料層に電気的に接続されるが、前記内部電極に電気的に接続されず、
前記薄膜材料層は、Mgの酸化物を含む、
紫外線センサ。 - 前記薄膜材料層が、In、GaおよびAlの各酸化物から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項1に記載の紫外線センサ。
- 光受光感度の半値幅が60nm以下である、請求項1または2に記載の紫外線センサ。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載の紫外線センサを製造する方法であって、
前記内部電極を内蔵した前記(Ni,Zn)O層となるべきグリーン成形体を作製する工程と、
前記グリーン成形体を焼成し、それによって、前記内部電極を内蔵した前記(Ni,Zn)O層を得る工程と、
前記(Ni,Zn)O層の一方主面の一部を覆うように、前記薄膜材料層をスパッタリング法により形成する工程と
を備える、紫外線センサの製造方法。 - 前記グリーン成形体を焼成する工程は、ZnOを含むセッターまたはシート上に前記グリーン成形体を配置した状態で実施される、請求項4に記載の紫外線センサの製造方法。
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