JP5443224B2 - 荷電粒子ビーム描画用データの生成方法および荷電粒子ビーム描画用データ生成装置 - Google Patents

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置で用いられる描画用データを生成する方法に関する。

電子ビーム描画装置といった荷電粒子ビーム描画装置は広く知られる。電子ビーム描画装置では感光性樹脂材のキャンバスに電子ビームで図形すなわち回路パターンが描画される。その後、感光性樹脂材は現像される。残存する感光性樹脂材から外れた位置で金属膜はエッチング処理される。こうしてフォトリソグラフィ用のマスクは形成される。

こうして製造されたマスクでは線幅の精度や回路パターンの位置精度が検証される。検証の結果、線幅の精度や位置精度が低いと、その原因が探求される。原因の探求にあたってマスクの回路パターン上に測定用マークが形成される。測定用マークの線幅や位置が測定される。測定された線幅や位置は設計値に比較される。誤差の出方に応じて誤差の原因が特定されることができる。

特開２００７−２４２８２３号公報

回路パターンの描画にあたって電子ビーム描画装置には個々の半導体チップごとにレイアウトデータすなわち設計データが取り込まれる。レイアウトデータには平面座標系に従って回路パターンのレイアウトが書き込まれる。前述の測定用マークの形成にあたってレイアウトデータでは回路パターンのレイアウト内に測定用マークのレイアウトが書き込まれなければならない。ＣＡＤ（コンピューター支援設計）システムでＣＡＤデータの書き換えが要求される。電子ビーム描画装置の運用部門と設計部門との間で多大なやりとりが要求されてしまう。非効率であった。

本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、これまでよりも効率的な誤差原因の探求に寄与することができる荷電粒子ビーム描画用データの生成方法を提供することを目的とする。本発明は、そういった生成方法を実現することができる荷電粒子ビーム描画用データ生成装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の第１側面によれば、平面座標系に従って回路パターンのレイアウトを特定する第１レイアウトデータを取得する工程と、前記平面座標系に従って測定用マークのレイアウトを特定する第２レイアウトデータを取得する工程と、前記平面座標系に従って前記測定用マークを囲む枠図形のレイアウトを特定する第３レイアウトデータを取得する工程と、前記平面座標系に従って、前記枠図形で囲まれる領域から前記回路パターンを削除する工程と、前記平面座標系に従って、前記回路パターンのレイアウトに対して前記枠図形で囲まれる領域に前記測定用マークを合成する工程とを備える荷電粒子ビーム描画用データの生成方法が提供される。

本発明の第２側面によれば、平面座標系に従って回路パターンのレイアウトを特定する第１レイアウトデータ、および、前記平面座標系に従って測定用マークのレイアウトを特定する第２レイアウトデータに基づき、前記平面座標系に従って、前記回路パターンのレイアウトに対して前記測定用マークを合成する測定用マーク合成手段と、前記平面座標系に従って前記測定用マークを囲む枠図形のレイアウトを特定する第３レイアウトデータに基づき、前記平面座標系に従って、前記枠図形で囲まれる領域から前記回路パターンを削除する削除手段とを備える荷電粒子ビーム描画用データ生成装置が提供される。

本発明によれば、これまでよりも効率的な誤差原因の探求に寄与することができる荷電粒子ビーム描画用データの生成方法を提供される。そういった生成方法を実現することができる荷電粒子ビーム描画用データ生成装置は提供される。

荷電粒子ビーム描画装置の一具体例に係る電子ビーム描画装置の構成を概略的に示す図である。 データ変換装置の構成を概略的に示すブロック図である。 レイアウトデータの構造を概略的に示す概念図である。 データ処理手段の処理手順を概略的に示すフローチャートである。 １つのセルが複数のブロックに含まれる際に描画データの生成方法を概略的に示す概念図である。 測定用マークの合成方法を概略的に示す概念図である。 第２実施形態に係る作業用端末の構成を概略的に示すブロック図である。 作業用端末の処理動作を概略的に示すフローチャートである。 入力画面の一具体例を示す図である。

以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。

図１は荷電粒子ビーム描画装置の一具体例すなわち電子ビーム描画装置１１の構成を概略的に示す。電子ビーム描画装置１１では感光性樹脂材のキャンバスに電子ビームで図形が描画される。すなわち、感光性樹脂材は電子ビームで露光される。感光性樹脂材は例えば電子ビームの照射に応じて固化する。図形のレイアウトは描画データで特定される。こういった電子ビーム描画装置１１は例えば半導体チップ用マスク原版の作成にあたって利用される。なお、荷電粒子ビーム描画装置では電子ビームに代えて例えばイオンビームといった荷電粒子ビームが利用されればよい。

電子ビーム描画装置１１は土台１２を備える。土台１２には描画室１３が区画される。描画室１３内にはＸＹステージ１４が配置される。ＸＹステージ１４は上向きの試料受け面１４ａを区画する。試料受け面１４ａは例えば任意の水平面内すなわちｘｙ平面内で広がる。試料受け面１４ａは重力方向に直交する。ＸＹステージ１４は水平面内すなわちｘｙ平面内で試料受け面１４ａの移動を実現する。こういった移動の実現にあたってＸＹステージ１４には所定の駆動機構が組み込まれる。駆動機構は例えば案内レールとリニアモーターとで構成されればよい。

土台１２には鏡筒１５が取り付けられる。鏡筒１５の内部空間は描画室１３から連続する。鏡筒１５内には電子銃１６および電子光学系１７が組み込まれる。電子銃１６はＸＹステージ１４の試料受け面１４ａに直交方向に電子を放出する。電子は電子ビーム１８を形成する。電子ビーム１８は電子光学系１７を通過してＸＹステージ１４の試料受け面１４ａに至る。

電子光学系１７は第１アパーチャ板２１および第２アパーチャ板２２を備える。第１および第２アパーチャ板２１、２２は電子銃１６およびＸＹステージ１４の間に配置される。第１および第２アパーチャ板２１、２２は、電子ビーム１８を遮蔽する板材から形成される。第１および第２アパーチャ板２１、２２にはそれぞれ開口２１ａ、２２ａが形成される。開口２１ａは例えば矩形の輪郭を有する。電子ビーム１８は開口２１ａ、２２ａを通過する。

電子光学系１７は第１偏向器２３、第２偏向器２４および第３偏向器２５をさらに備える。第１偏向器２３は電子銃１６および第１アパーチャ板２１の間に配置される。第２偏向器２４は第１アパーチャ板２１および第２アパーチャ板２２の間に配置される。第３偏向器２５は第２アパーチャ板２２およびＸＹステージ１４の間に配置される。第１、第２および第３偏向器２３、２４、２５は電磁気の働きで電子ビーム１８の進行方向を制御する。

電子光学系１７は照明レンズ２６、投影レンズ２７および対物レンズ２８をさらに備える。照明レンズ２６は電子銃１６および第１アパーチャ板２１の間に配置される。照明レンズ２６は電磁気の働きで開口２１ａに対して電子ビーム１８を集光する。投影レンズ２７は第１アパーチャ板２１および第２アパーチャ板２２の間に配置される。投影レンズ２７は電磁気の働きで開口２２ａに対して電子ビーム１８を集光する。対物レンズ２８は第２アパーチャ板２２およびＸＹステージ１４の間に配置される。対物レンズ２８はＸＹステージ１４上の感光性樹脂のキャンバスに対して電子ビーム１８を集光する。

電子ビーム描画装置１１は制御回路３１を備える。制御回路３１は第１偏向器２３、第２偏向器２４、第３偏向器２５およびＸＹステージ１４に接続される。制御回路３１は例えばショットデータに基づき電子ビーム描画装置１１の動作を制御する。ショットデータは、電子ビーム１８で描き出される図形のレイアウトを特定する。ショットデータは単純な矩形や三角形といった図形の形状、大きさおよび位置を特定する。個々の図形は例えば１照射ごとの電子ビーム１８のビームスポットに相当する。半導体チップ用マスク原版の作成にあたって回路パターンは図形の集合体で描かれる。

制御回路３１は第１偏向器２３に駆動信号を供給する。駆動信号の供給に応じて第１偏向器２３は例えば第１進行方向および第２進行方向の間で電子ビーム１８の進行方向を切り替える。電子ビーム１８が第１進行方向に向けられると、電子ビーム１８は第１アパーチャ板２１の開口２１ａを通過する。電子ビーム１８が第２進行方向に向けられると、電子ビーム１８は開口２１ａの外側で第１アパーチャ板２１に衝突する。電子ビーム１８の進行は遮られる。こうしてブランキング制御に応じて電子ビーム１８の照射および遮断が切り替えられる。

制御回路３１は第２偏向器２４に駆動信号を供給する。駆動信号の供給に応じて第２偏向器２４は電子ビーム１８の進行方向を変更する。電子ビーム１８の経路は第２アパーチャ板２２の開口２２ａに対して相対的に調整される。その結果、電子ビーム１８の経路は部分的に第２アパーチャ板２２で遮られる。こうして電子ビーム１８の断面形状は開口２１ａの輪郭と開口２２ａの輪郭とで成形される。可変成形ビームは確立される。

制御回路３１は第３偏向器２５に駆動信号を供給する。駆動信号の供給に応じて第３偏向器２５は電子ビーム１８の進行方向を変更する。こうして電子ビーム１８のビームスポットはＸＹステージ１４の試料受け面１４ａ上で移動する。

制御回路３１はＸＹステージ１４に駆動信号を供給する。駆動信号の供給に応じてＸＹステージ１４の移動は制御される。こうして不動の電子銃１６に対してＸＹステージ１４の位置は相対的に変更される。ＸＹステージ１４の移動に応じてＸＹステージ１４上で対物レンズ２８に対して所定の照射範囲は位置決めされる。ＸＹステージ１４の静止中、ＸＹステージ１４上では第３偏向器２５の働きで電子ビーム１８のビームスポットは当該照射範囲内で移動することができる。ＸＹステージ１４の試料受け面１４ａには所定の大きさで所定の形状のビームスポットが間欠的に照射される。照射のたびにビームスポットの位置は移動する。

電子ビーム描画装置１１はフォーマット変換装置３２を備える。フォーマット変換装置３２は制御回路３１に接続される。フォーマット変換装置３２は描画データに基づき前述のショットデータを生成する。描画データは例えば台形といった図形に基づき回路パターンを表現する。描画データではクラスター域といった微小単位区域ごとに図形のレイアウトが特定される。レイアウトは図形の形状、大きさおよび位置で表現される。ショットデータの図形の集合体が描画データの１図形に相当する。すなわち、ショットデータでは描画データの図形は細分化される。

電子ビーム描画装置１１はデータ変換装置３３を備える。データ変換装置３３はフォーマット変換装置３２に接続される。データ変換装置３３はレイアウトデータに基づき描画データを生成する。レイアウトデータは例えば台形といった図形に基づき回路パターンを表現する。レイアウトデータではセルといった区域ごとに図形のレイアウトが特定される。レイアウトは図形の形状、大きさおよび位置で表現される。クラスター域の集合体がセルに相当する。レイアウトデータは例えばインターフェース３４を通じてデータ変換装置３３に取り込まれる。

電子ビーム描画装置１１には第１実施形態に係る作業用端末３６が接続される。作業用端末３６は例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）といった演算処理手段３７を備える。演算処理手段３７は例えばデータ変換装置３３に接続される。接続にあたって作業用端末３６のインターフェース３８は電子ビーム描画装置１１のインターフェース３４に接続される。電子ビーム描画装置１１の利用にあたって作業者は作業用端末３６を操作する。演算処理手段３７はデータ変換装置３３やフォーマット変換装置３２にコマンドやデータを供給する。

作業用端末３６はキーボード４１やマウス４２といった入力手段４３を備える。キーボード４１やマウス４２は演算処理手段３７に接続される。入力手段４３は演算処理手段３７に電気信号を供給する。キーボード４１の電気信号はキー操作を特定する。マウス４２の電気信号は個々のマウス操作を特定する。作業者はキーボード４１やマウス４２の操作を通じて演算処理手段３７に指示や情報を入力することができる。その他、入力手段４３にはＣＤ駆動装置やＤＶＤ駆動装置といったデータ読み取り装置４４やＬＡＮインターフェースといったインターフェース４５が組み込まれてもよい。こういったデータ読み取り装置４４やＬＡＮネットワークを通じて例えばレイアウトデータといった大容量のデータは作業用端末３６に取り込まれることができる。

作業用端末３６はディスプレイ装置４７といった表示手段４８を備える。ディスプレイ装置４７は演算処理手段３７に接続される。演算処理手段３７はディスプレイ装置４７に画像信号を供給する。画像信号ではディスプレイ装置４７の個々の画素ごとに表示情報が特定される。ディスプレイ装置４７の画面には画像信号に基づき画像が映し出される。演算処理手段３７は例えばディスプレイ装置４７の画像信号およびキーボード４１やマウス４２の電気信号に基づきコマンドを特定することができる。

作業用端末３６は記憶手段４９を備える。記憶手段４９は、例えばＲＡＭ（ランダムアクセスメモリー）５１といった一時記憶手段やハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）５２といった大容量記憶手段であればよい。ＲＡＭ５１およびＨＤＤ５２は演算処理手段３７に接続される。例えばＨＤＤ５２には所定のソフトウェアプログラムが格納される。演算処理手段３７はソフトウェアプログラムに基づき様々な演算処理を実行する。実行にあたってソフトウェアプログラムは一時的にＲＡＭ５１に取り込まれる。ソフトウェアプログラムは例えばＣＤ−ＲＯＭ（コンピューター読み出し専用のコンパクトディスク）その他の可搬性記憶媒体からＨＤＤ５２に取り込まれてもよく、ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）やインターネットといったネットワークからＨＤＤ５２に取り込まれてもよい。

いま、半導体チップ用マスク原版が作成される場面を想定する。半導体チップ用マスク原版の作成にあたってガラス基板は用意される。ガラス基板の表面には例えば金属膜が積層される。金属膜は例えばクロム（Ｃｒ）で形成される。金属膜の表面に感光性樹脂材すなわちレジスト材が積層される。レイアウトデータに基づき電子ビーム描画装置１１でレジスト材に回路パターンが描画される。電子ビーム１８の露光に基づきレジスト材は固化する。

その後、ガラス基板の表面でレジスト材に現像処理が施される。レジスト材は例えば現像液に曝される。未露光のレジスト材は現像液に溶解する。固化したレジスト材は金属膜の表面に残存する。こうして金属膜の表面にはレジスト膜の回路パターンが形成される。

次いで、金属膜にはエッチング処理が施される。エッチング処理には例えばウェットエッチングが用いられる。レジスト膜の輪郭の外側で金属膜はエッチング液に曝される。こうしてレジスト膜の輪郭の外側で金属膜は流し落とされる。レジスト膜が除去されると、ガラス基板の表面には金属膜の回路パターンが残存する。こうして半導体チップ用マスク原版は作成される。

回路パターンの描画にあたって作業者は作業用端末３６の操作に基づきデータ変換装置３３にレイアウトデータを供給する。データ変換装置３３はレイアウトデータを描画データに変換する。フォーマット変換装置３２は描画データを取り込む。フォーマット変換装置３２は描画データをショットデータに変換する。ショットデータに基づき制御回路３１は電子ビーム描画装置１１の動作を制御する。

図２に示されるように、データ変換装置３３はデータ処理手段５３を備える。データ処理手段５３は荷電粒子ビーム描画用データ生成装置として機能する。データ処理手段５３はレイアウトデータに基づき描画データを生成する。データ処理手段５３はセル抽出手段５４すなわちセル抽出回路を備える。セル抽出手段５４はレイアウトデータ中でセルを抽出する。セルが抽出されると、そのセル内の図形は特定されることができる。セルの抽出にあたってセル抽出手段５４はＨＤＤといった不揮発性大容量記憶手段５５ａから第１レイアウトデータを取得する。不揮発性大容量記憶手段５５ａには例えば作業用端末３６から第１レイアウトデータが取り込まれればよい。第１レイアウトデータでは平面座標系に従って回路パターンのレイアウトが特定される。

データ処理手段５３はセル複写手段５６すなわちセル複写回路を備える。セル複写手段５６はセルを複写する。セルごとに図形のレイアウトデータは複写される。複写されたレイアウトデータは例えば不揮発性大容量記憶手段５５ａの仮想メモリーに一時的に格納されればよい。

データ処理手段５３はクラスター分割手段５７すなわちクラスター分割回路を備える。クラスター分割手段５７は複数の微小領域すなわちクラスター域にセルを分割する。クラスター域は予め決められた規定の大きさを有すればよい。

データ処理手段５３はクラスター分配手段５８すなわちクラスター分配回路を備える。クラスター分配手段５８は所定の規則に従ってクラスター域を分配する。分配の結果、クラスター域はグループごとに仕分けられる。

データ処理手段５３は測定用マーク合成手段５９すなわち測定用マーク合成回路を備える。測定用マーク合成手段５９はセルの第１レイアウトデータに測定用マークを合成する。測定用マークは例えば十字形、Ｌ字形、コンタクトホール形といった測定用の図形に相当する。測定用マークの合成にあたって測定用マーク合成手段５９は例えば不揮発性大容量記憶手段５５ａから第２レイアウトデータを取得する。不揮発性大容量記憶手段５５ａには例えば作業用端末３６から第２レイアウトデータが取り込まれればよい。第２レイアウトデータには平面座標系に従って測定用マークのレイアウトが特定される。

データ処理手段５３は枠図形設定手段６１すなわち枠図形設定回路を備える。枠図形設定手段６１はセル内に枠図形を設定する。枠図形はレイアウトデータの平面座標系上で特定の区域を囲む。特定の区域の輪郭で図形は切り出される。枠図形の設定にあたって枠図形設定手段６１は例えば不揮発性大容量記憶手段５５ａから第３レイアウトデータを取得する。不揮発性大容量記憶手段５５ａには例えば作業用端末３６から第３レイアウトデータが取り込まれればよい。第３レイアウトデータには平面座標系に従って枠図形のレイアウトが特定される。

データ処理手段５３は削除手段６２すなわち削除回路を備える。削除手段６２は、第１レイアウトデータから、指定された区域の情報を削除する。例えばクラスター域のグループが指定されると、グループに属するクラスター域はセルから削除される。例えば枠図形が指定されると、枠図形で囲まれる領域から図形は削除される。

データ処理手段５３は描画データ生成手段６３すなわち描画データ生成回路を備える。描画データ生成手段６３は第１レイアウトデータに基づき描画データを生成する。描画データの生成にあたって描画データ生成手段６３は削除手段６２から処理後の第１レイアウトデータを取り込む。描画データ生成手段６３は例えば不揮発性大容量記憶手段５５ｂに描画データを格納する。

なお、データ処理手段５３は例えば演算処理回路６４とメモリー６５との組み合わせで構成されてもよい。演算処理回路６４は、ソフトウェアプログラムの実行に基づき、前述のセル抽出手段５４の機能、セル複写手段５６の機能、クラスター分割手段５７の機能、クラスター分配手段５８の機能、測定用マーク合成手段５９の機能、枠図形設定手段６１の機能、削除手段６２の機能および描画データ生成手段６３の機能を実現すればよい。これら機能の実現にあたってソフトウェアプログラムは例えば一時的にメモリー６５に取り込まれればよい。こうしたソフトウェアプログラムは不揮発性大容量記憶手段５５ａに格納されればよい。ソフトウェアプログラムは例えばＣＤ−ＲＯＭ（コンピューター読み出し専用のコンパクトディスク）その他の可搬性記憶媒体から不揮発性大容量記憶手段５５ａに取り込まれてもよく、ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）やインターネットといったネットワークから不揮発性大容量記憶手段５５ａに取り込まれてもよい。

いま、半導体チップ用マスク原版で回路パターンの線幅または（および）位置精度に許容値を超える誤差が検出された場面を想定する。前述と同様に、レイアウトデータに基づき半導体チップ用マスク原版は作成される。この再作成にあたって回路パターン内に測定用マークが組み入れられる。組み入れにあたって、前述のレイアウトデータと同一の第１レイアウトデータと、前述の第２レイアウトデータおよび第３レイアウトデータは準備される。作業者は例えば作業用端末３６の操作に基づき再作成を指示する。第１〜第３レイアウトデータは例えば不揮発性大容量記憶手段５５ａに格納される。

第１レイアウトデータは、図３に示されるように、例えば第１階層〜第５階層の階層構造を備える。第１階層ＣＰはチップレイアウトデータを有する。チップレイアウトデータでは１枚のフォトマスクの全域といった特定域内で半導体チップＣＰ１…といった要素図形のレイアウトが特定される。レイアウトの特定にあたって半導体チップＣＰ１…ごとに形状、大きさおよび位置が特定される。個々の半導体チップＣＰ１…は複数のフレーム域ＦＲ１、ＦＲ２…に等分割される。

第２階層ＦＲはフレーム数と同数のフレームレイアウトデータを備える。個々のフレームレイアウトデータは個々のフレーム域ＦＲ１、ＦＲ２…に関連づけられる。フレームレイアウトデータではチップＣＰ１…といった特定域ごとにフレーム域ＦＲ１、ＦＲ２…といった要素図形のレイアウトが特定される。レイアウトの特定にあたってフレーム域ＦＲ１、ＦＲ２…ごとに形状、大きさおよび位置が特定される。個々のフレーム域ＦＲ１、ＦＲ２…は複数のブロック域ＢＬ００、ＢＬ０１…に等分割される。

第３階層ＢＬはブロック数と同数のブロックレイアウトデータを備える。個々のブロックレイアウトデータは個々のブロック域ＢＬ００、ＢＬ０１…に関連づけられる。ブロックレイアウトデータではフレーム域ＦＲ１、ＦＲ２…といった特定域ごとにブロック域ＢＬ００、ＢＬ０１…といった要素図形のレイアウトが特定される。レイアウトの特定にあたってブロック域ＢＬ００、ＢＬ０１…ごとに形状、大きさおよび位置が特定される。個々のブロック域ＢＬ００、ＢＬ０１…ごとにセルＣＬ１、ＣＬ２…が特定される。

第４階層ＣＬはセル数と同数のセルレイアウトデータを備える。個々のセルレイアウトデータは個々のセルＣＬ１、ＣＬ２…に関連づけられる。セルレイアウトデータではブロック域ＢＬ００、ＢＬ０１…といった特定域ごとにセルＣＬ１、ＣＬ２…といった要素図形のレイアウトが特定される。レイアウトの特定にあたってセルＣＬ１、ＣＬ２…ごとに形状、大きさおよび位置が特定される。ここでは、１つのセルＣＬ１が複数の領域すなわち複数のブロックＢＬ２１、ＢＬ２２に同時に含まれても、セルＣＬ１の統一性は維持される。セルＣＬ１の分割は回避される。セルＣＬ１はいずれか一方のブロックＢＬ２１に割り当てられる。個々のセルＣＬ１、ＣＬ２…ごとに要素図形ＦＧ１、ＦＧ２…が特定される。

第５階層ＦＧは要素図形数と同数の図形レイアウトデータを備える。個々の図形レイアウトデータは個々の要素図形ＦＧ１、ＦＧ２…に関連づけられる。図形レイアウトデータではセルＣＬ１、ＣＬ２…といった特定域ごとに要素図形ＦＧ１、ＦＧ２…のレイアウトが特定される。レイアウトの特定にあたって要素図形ＦＧ１、ＦＧ２…ごとに形状、大きさおよび位置が特定される。要素図形ＦＧ１、ＦＧ２…の集合体で回路パターンは描かれる。

図４を参照しつつデータ処理手段５３の処理動作を詳述する。ステップＳ１で不揮発性大容量記憶手段５５ａから第１〜第３レイアウトデータが取り込まれると、ステップＳ２でセル抽出手段５４はセルＣＬ１を抽出する。ステップＳ３で、測定用マーク合成手段６２は第２レイアウトデータに基づきセルＣＬ１内で測定用マークの有無を調査する。セルＣＬ１内で測定用マークが確認されなければ、ステップＳ４で測定用マーク合成手段５９はセルＣＬ１のブロックＢＬを確認する。複数の領域すなわちブロックＢＬにセルＣＬ１は含まれるか否かが判断される。セルＣＬ１が単一のブロックＢＬ２１にのみ含まれていれば、ステップＳ５でクラスター分割手段５７は複数のクラスター域にセルＣＬ１を分割する。クラスター域ごとに要素図形ＦＧ１、ＦＧ２…は特定される。その後、ステップＳ６で描画データ生成手段６３は個々のクラスター域ごとに描画データを生成する。生成された描画データは不揮発性大容量記憶手段５５ｂに格納される。ステップＳ７で全てのセルＣＬ１、ＣＬ２…で描画データが生成されたか否かが判断される。描画データが生成されていれば、データ処理手段５３の処理動作は終了する。

いま、例えば図５に示されるように、セルＣＬ２が複数のブロックＢＬ２１、ＢＬ２２すなわち第１領域および第２領域に同時に含まれる場面を想定する。第１レイアウトデータでは所定の基準に従ってセルＣＬ２はブロックＢＬ２１に属する。ステップＳ８でセル複写手段５６はブロックＢＬ２２にセルＣＬ２を複写する。こうしてセルＣＬ２全体はブロックＢＬ２１、ＢＬ２２すなわち第１領域および第２領域に関連づけられる。

ステップＳ９でクラスター分割手段５７はブロックＢＬ２１およびブロックＢＬ２２で複数のクラスター域７１に個々のセルＣＬ２を分割する。クラスター域７１ごとに要素図形ＦＧ１、ＦＧ２…は特定される。このとき、クラスター域７１の境界とブロックＢＬ２１、ＢＬ２２同士の境界は必ずしも一致しない。

ステップＳ１０でクラスター分配手段５８は個々のブロックＢＬ２１、ＢＬ２２にクラスター域７１ａ、７１ｂを分配する。共通の基準でブロックＢＬ２１、ＢＬ２２それぞれでセルＣＬ２は分割される。例えばブロックＢＬ１２にはクラスター域７１すなわち分割片７２ａが割り振られる。ブロックＢＬ２２にはクラスター域７１すなわち分割片７２ｂが割り振られる。ステップＳ１１で削除手段６２は個々のブロックＢＬ２１、ＢＬ２２で余分なクラスター域７１を削除する。割り振られたクラスター域７１以外のクラスター域７１は削除される。その後、ステップＳ６で描画データ生成手段６３は個々のクラスター域７１ごとに描画データを生成する。生成された描画データは不揮発性大容量記憶手段５５ｂに格納される。

ステップＳ３で測定用マーク合成手段５９が第２レイアウトデータでセル内に測定用マークを確認すると、ステップＳ１２で枠図形設定手段６１はセル内に枠図形を設定する。枠図形設定手段６１は、図６に示されるように、第１レイアウトデータの回路パターン７３上で第３レイアウトデータの枠図形７４を特定する。第１レイアウトデータでは枠図形７４で囲まれる領域は切断される。ステップＳ１３で削除手段６２は第１レイアウトデータで枠図形７４内の回路パターン７３を削除する。ステップＳ１４で測定用マーク合成手段５９は枠図形７４に囲まれた領域で第１レイアウトデータに測定用マーク７５を書き込む。こうして測定用マーク７５は合成される。その後、ステップＳ４で、セルＣＬ３が複数のブロックＢＬ２１、ＢＬ２２に含まれるか否かが判定される。セルＣＬ３は、前述と同様に、クラスター域７１に分割されていく。第１レイアウトデータでは測定用マーク７５は枠図形７４内に配置されることから、測定用マーク７５と回路パターン７３との重なりは回避される。その結果、電子ビーム１８で良好な露光は実現される。

図７は第２実施形態に係る作業用端末３６ａの構成を概略的に示す。作業用端末３６ａの演算処理手段３７ａはライブラリデータ取得手段７９すなわちライブラリデータ取得回路を備える。ライブラリデータ取得手段７９はマークライブラリデータ８１を取得する。マークライブラリデータ８１は例えば予めＨＤＤ５２に格納される。マークライブラリデータ８１では複数種類にわたって測定用マーク７５の形状および枠図形７４の形状が特定される。

演算処理手段３７ａは画像情報生成手段８２すなわち画像情報生成回路を備える。画像情報生成手段８２は画像情報を生成する。画像情報は例えば個々の種類ごとに測定用マーク７５の形状および枠図形７４の形状を特定する。画像情報には例えばビットマップデータが用いられればよい。画像情報に基づき画像信号は生成される。画像信号は画面全体の画像を表現する。ディスプレイ装置４８は画像信号に基づき画面上に測定用マーク７５の形状および枠図形７４の形状を映し出す。画像情報の生成にあたって前述のマークライブラリデータ８１は利用される。

演算処理手段３７ａは入力情報受信手段８３すなわち入力情報受信回路を備える。入力情報受信手段８３は選択情報および数値情報を受信する。選択情報は例えば１種類の測定用マーク７５の指定および１種類の枠図形７４の指定を特定する。数値情報は、測定用マーク７５の大きさや測定用マーク７５の線の太さ、セルＣＬ１、ＣＬ２…内の測定用マーク７５のｘ座標値およびｙ座標値、枠図形７４の大きさ、枠図形７４の線の太さ、セルＣＬ１、ＣＬ２…内の枠図形７４のｘ座標値およびｙ座標値を特定する。入力情報受信手段は例えばディスプレイ装置４７の画像信号およびキーボード４１やマウス４２の電気信号に基づき選択情報および数値情報を特定する。

演算処理手段３７ａは描画情報生成手段８４すなわち描画情報生成回路を備える。描画情報生成手段８４はマークライブラリデータ、選択情報および数値情報に基づき描画情報すなわち第２レイアウトデータおよび第３レイアウトデータを生成する。

演算処理手段３７ａは、ソフトウェアプログラムの実行に基づき、前述のライブラリデータ取得手段７９の機能、画像信号生成手段８２の機能、入力情報受信手段８３の機能および描画情報生成手段８４の機能を実現してもよい。これら機能の実現にあたってソフトウェアプログラムは例えば一時的にメモリー５１に取り込まれればよい。こうしたソフトウェアプログラムは例えばＨＤＤ５２に格納されればよい。ソフトウェアプログラムは例えばＣＤ−ＲＯＭ（コンピューター読み出し専用のコンパクトディスク）その他の可搬性記憶媒体からＨＤＤ５２に取り込まれてもよく、ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）やインターネットといったネットワークからＨＤＤ５２に取り込まれてもよい。

いま、半導体チップ用マスク原版の作成にあたって回路パターン内に測定用マークが組み入れられる場面を想定する。作業者は例えば作業用端末３６ａの操作に基づき再作成を指示する。図８に示されるように、ステップＴ１でライブラリデータ取得手段７９はＨＤＤ５２からマークライブラリデータ８１を取得する。マークライブラリデータ８１は画像信号生成手段８２に受け渡される。ステップＴ２で画像信号生成手段８２はマークライブラリデータ８１に基づき画像情報を生成する。画像情報の生成に応じて画像信号は生成される。画像情報はディスプレイ装置４７に送り込まれる。

図９に示されるように、ディスプレイ装置４７には所定の入力画面が表示される。例えば第１ウインドウ８６には個々の測定用マーク７５の形状が描かれる。作業者には測定用マーク７５の選択が促される。作業者は例えばマウス４２のクリック操作で測定用マーク７５を選択する。同様に、作業者には、測定用マーク７５の大きさ、線の太さおよび配置のｘ座標値およびｙ座標値の入力が促される。こうした入力にあたって例えば第１ウインドウ８６には入力ボックス８７が表示される。作業者は例えばキーボード４１のキー操作で個々の数値を入力する。

同様に、例えば第２ウインドウ８８には個々の枠図形７４の形状が描かれる。作業者には枠図形７４の選択が促される。作業者は例えばマウス４２のクリック操作で枠図形７４を選択する。同様に、作業者には、枠図形７４の大きさ、線の太さおよび配置のｘ座標値およびｙ座標値の入力が促される。こうした入力にあたって例えば第２ウインドウ８８には入力ボックス８９が表示される。作業者は例えばキーボード４１のキー操作で個々の数値を入力する。なお、測定用マーク７５および枠図形７４の選択並びに数値の入力にあたって第１ウインドウ８６および第２ウインドウ８８は１ウインドウにまとめられてもよい。

ステップＴ３で入力情報受信手段８３は選択情報および数値情報を受信する。選択情報および数値情報は第１ウインドウ８６および第２ウインドウ８８の入力操作を反映する。選択情報および数値情報は描画情報生成手段８４に受け渡される。ステップＴ４で描画情報生成手段８４は選択情報および数値情報に基づき第２レイアウトデータおよび第３レイアウトデータを生成する。

こういった作業用端末３６ａによれば、簡単な入力操作に応じて第２レイアウトデータおよび第３レイアウトデータは作成されることができる。第２レイアウトデータおよび第３レイアウトデータの作成は簡素化される。作業者の負担は著しく軽減される。

作業用端末３６ａでは個々の測定用マーク７５ごとに特定の枠図形７４が予め関連付けられてもよい。この場合、例えば測定用マーク７５の形状、大きさ、線幅および配置が特定されると、それらに関連して枠図形７４の形状、大きさ、線幅および配置は演算処理手段３７ａで算出されることができる。選択された測定用マーク７５に対して枠図形７４は描かれる。その結果、作業者の入力操作は簡素化される。第２レイアウトデータおよび第３レイアウトデータの作成はさらに簡素化されることができる。作業者の負担はさらに軽減されることができる。

４７ 表示装置としてのディスプレイ装置、５３ 荷電粒子ビーム描画用データ生成装置としてのデータ処理手段、５９ 測定用マーク合成手段、６２ 削除手段、７１ａ 分割片、７１ｂ 分割片、７３ 回路パターン、７４ 枠図形、７５ 測定用マーク、８１ マークライブラリデータ、ＢＬ２１ 第１領域としてのブロック、ＢＬ２２ 第２領域としてのブロック、ＣＬ２ 要素図形としてのセル。

Claims (5)

1. 平面座標系に従って回路パターンのレイアウトを特定する第１レイアウトデータを取得する工程と、
   前記平面座標系に従って測定用マークのレイアウトを特定する第２レイアウトデータを取得する工程と、
   前記平面座標系に従って前記測定用マークを囲む枠図形のレイアウトを特定する第３レイアウトデータを取得する工程と、
   前記平面座標系に従って、前記枠図形で囲まれる領域から前記回路パターンを削除する工程と、
   前記平面座標系に従って、前記回路パターンのレイアウトに対して前記枠図形で囲まれる領域に前記測定用マークを合成する工程と
   を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画用データの生成方法。
2. 請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画用データの生成方法において、
   前記第１レイアウトデータに含まれる要素図形が第１領域および第２領域に同時に含まれる際に、前記第１領域および前記第２領域にそれぞれ要素図形全体を関連づける工程と、
   共通の基準で前記第１領域および前記第２領域それぞれで要素図形全体を分割して前記第１領域および前記第２領域にそれぞれ分割片を割り振り、前記第１領域および前記第２領域それぞれで割り振られた分割片以外の分割片を削除する工程と
   をさらに備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画用データの生成方法。
3. 請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム描画用データの生成方法において、
   複数種類にわたって前記測定用マークの形状を特定するマークライブラリデータを取得する工程と、
   個々の種類ごとに表示装置の画面上に前記形状を表現する画像情報を生成する工程と、
   前記画像情報の出力に応じて、１種類の前記測定用マークの指定を特定する選択情報を取得する工程と
   をさらに備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画用データの生成方法。
4. 請求項３に記載の荷電粒子ビーム描画用データの生成方法において、
   前記選択情報の取得に応じて、指定される前記測定用マークに対して前記枠図形を描く工程をさらに備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画用データの生成方法。
5. 平面座標系に従って回路パターンのレイアウトを特定する第１レイアウトデータ、および、前記平面座標系に従って測定用マークのレイアウトを特定する第２レイアウトデータに基づき、前記平面座標系に従って、前記回路パターンのレイアウトに対して前記測定用マークを合成する測定用マーク合成手段と、
   前記平面座標系に従って前記測定用マークを囲む枠図形のレイアウトを特定する第３レイアウトデータに基づき、前記平面座標系に従って、前記枠図形で囲まれる領域から前記回路パターンを削除する削除手段と
   を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画用データ生成装置。

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