JP5418112B2 - チャージポンプ回路 - Google Patents

チャージポンプ回路 Download PDF

Info

Publication number
JP5418112B2
JP5418112B2 JP2009221879A JP2009221879A JP5418112B2 JP 5418112 B2 JP5418112 B2 JP 5418112B2 JP 2009221879 A JP2009221879 A JP 2009221879A JP 2009221879 A JP2009221879 A JP 2009221879A JP 5418112 B2 JP5418112 B2 JP 5418112B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
circuit
boosting
comparison result
outputs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009221879A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011071791A (ja
Inventor
俊 岡田
暁翔 陳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Inc filed Critical Toppan Inc
Priority to JP2009221879A priority Critical patent/JP5418112B2/ja
Publication of JP2011071791A publication Critical patent/JP2011071791A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5418112B2 publication Critical patent/JP5418112B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、昇圧した電圧を出力するチャージポンプ回路に関する。
近年、フラッシュメモリなどに代表される不揮発性半導体メモリにおいては、不揮発性半導体メモリを構成する記憶セルに対して、供給される外部印加電圧(電源電圧)Vddよりも高い電圧を印加する必要がある。記憶セルに情報を記憶させる(書き込み)ときや、記憶セルに記憶されている情報を消す(消去)ときに用いられる電源電圧Vddより数倍高い電圧は、不揮発性半導体メモリに供えられた内部昇圧用チャージポンプ回路によって、電源電圧Vddを数倍高い電圧に昇圧して供給される。さらに、近年は持ち運びが便利なモバイル用途で、バッテリー駆動の要求が強く、低電圧化の要求が強くなって来た。その為、効率が良く、かつ出力電圧の振幅が小さいチャージポンプ回路が要求される。このようなチャージポンプ回路に関連した技術が、例えば、特許文献1に記載されている。
図11は、このような従来例に係るチャージポンプ回路900の構成を示す概略ブロック図である。チャージポンプ回路900は、制御部91と発振回路20と昇圧部93とを具備している。負荷容量Cloadは、チャージポンプ回路900の負荷となる容量である。例えば、チャージポンプ回路900が不揮発性半導体メモリの内部昇圧回路として用いられる場合、負荷容量Cloadは、記憶領域の大きさに比例して増加する。
制御部91は、外部から入力された昇圧開始信号により動作を開始すると共に、昇圧部93が出力する出力電圧Voutを検出して、パルス信号Tosを出力するか否か示す動作信号Compoutを発振回路20に対して出力する。発振回路20は、外部から入力される昇圧開始信号と、制御部91が出力する動作信号Compoutとに基づいて、パルス信号Tosを昇圧部93に出力する。昇圧部93は、発振回路20が出力するパルス信号Tosを用いて電源電圧Vddを昇圧して出力電圧Voutを出力する。
制御部91は、基準回路11と検出回路912とコンパレータ回路913とを備えている。基準回路11は、予め定められた基準電圧Vrefをコンパレータ回路913に出力する。検出回路912は、例えば、抵抗951と抵抗952が直列接続された分圧回路であり、抵抗951の抵抗値をRx、抵抗952の抵抗値をRyとすると、比較に用いる検出電圧Vaを、Va=Vout×Rx/(Rx+Ry)に従って、コンパレータ回路913に対して出力する。すなわち、検出回路912は、出力電圧Voutに応じて、コンパレータ回路913が比較に用いる検出電圧Vaを分圧ノードから出力する。また、基準電圧Vrefは、チャージポンプ回路900に求められる出力電圧である昇圧規定電圧Vload(規定電圧)に応じて定められ、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vloadと一致するときの検出電圧と同じ電圧となるように定められる。すなわち、Vref=Vload×Rx/(Rx+Ry)と定められる。
コンパレータ回路913は、基準回路11が出力する基準電圧Vrefと、検出回路912が検出した検出電圧Vaとを比較して、比較結果に応じて発振回路20の動作を制御する動作信号Compoutを出力する。
発振回路20は、コンパレータ回路913から入力されるHレベルの動作信号Compoutに応じて、連続する発振したパルス信号Tosを出力する。発振回路20は、例えば、リング・オシレータ回路により構成される。
昇圧部93は、複数の、例えば4個の昇圧回路931a1〜昇圧回路931a4を備えている。昇圧回路931a1〜931a4は、並列に接続されている。なお、昇圧回路931a1〜931a4は、同じ構成を有しており、以下、昇圧回路931a1〜931a4のいずれか1つ、あるいは、全てを代表して示すときには、昇圧回路931aという。各昇圧回路931aは、発振回路20が出力するパルス信号Tosがパルス信号ckとして入力され、入力されたパルス信号ckに応じて電源電圧Vddを昇圧して出力する。各昇圧回路931aの出力は、チャージポンプ回路900の出力端子94を介して負荷容量Cloadに接続される。
次に、図12は、従来例に係る昇圧回路931aの構成を示した概略図である。昇圧回路931aは、図示するようにDickson方式の構成を有する電圧を昇圧する回路である。昇圧回路931aは、i個の順方向に直列接続されたダイオード932a1〜ダイオード932aiと、ダイオード932a1〜932aiそれぞれの間の接続点に一端が接続されたコンデンサ933a1〜コンデンサ933ajと、入力されたパルス信号ckを反転するインバータ934とを含んで構成される。
直列接続されたダイオード932a1〜932aiの初段のダイオード932a1には、電源電圧Vddが供給される。また、直列接続されたダイオード932a1〜932aiの最終段(ダイオード932ai)からは、昇圧された電圧が出力される。コンデンサ933a1〜933ajの他端それぞれには、インバータ934が出力するパルス信号ckを反転した信号と、パルス信号ckとが交互に入力される。
このように構成された昇圧回路931aでは、入力されるパルス信号ckの電圧が変化するたびに、ダイオード932a1〜932aiのうちの1つを介して隣接するコンデンサ933a1〜933ajの間で蓄積された電荷が移動し、移動するたびに出力電圧が昇圧される。
次に、チャージポンプ回路900の動作を説明する。図13は、チャージポンプ回路900の動作を示した波形図である。図示するように、時刻t0において、検出回路912は、出力電圧Voutが0Vであるのに応じた検出電圧Vaを出力する。コンパレータ回路913は、昇圧開始信号がL(Low)レベルからH(High)レベルに変化すると、検出回路912が出力した検出電圧Vaと、基準回路11から出力される基準電圧Vrefとを比較することにより、検出電圧Vaが基準電圧Vrefより低いことを検出して、パルス信号Tosの出力を示すHレベルの動作信号Compoutを発振回路20に出力する。発振回路20は、コンパレータ回路913から出力されたHレベルの動作信号Compoutと昇圧開始信号とに応じて、一定周期のパルス信号Tosを出力する。昇圧回路931aでは、発振回路20から出力されたパルス信号Tosにより昇圧が行われて、チャージポンプ回路900の出力電圧Voutが上昇する。また、出力電圧Voutの上昇に伴い、検出電圧Vaも上昇する。
時刻t1において、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vloadより高くなると、検出回路912から出力される検出電圧Vaが基準電圧Vrefより高くなる。コンパレータ回路913は、検出電圧Vaが基準電圧Vrefより高いことを検出して、時刻t1に遅れて時刻t2において、Lレベルの動作信号Compoutを発振回路20に出力する。発振回路20は、Lレベルの動作信号Compoutが入力されると、Lレベルのパルス信号Tosを昇圧回路931aに出力する。昇圧回路931aは、入力されるパルス信号TosのLレベルの状態が維持されると、昇圧動作を停止する。
すなわち、出力電圧Voutは、検出電圧Vaが基準電圧Vrefより高くなる時刻t1以降も図中Tripの期間上昇を続け、時刻t2になって昇圧規定電圧VloadよりVripだけ高い電圧で上昇をストップする。この理由は、次の通りである。検出回路912の分圧ノードの検出電圧Vaが基準電圧Vrefと同じ電圧になってもすぐ発振回路20は停止せず、その間に検出電圧VaはΔV1上昇する。発振回路20は、コンパレータ回路913の応答時間経過後発振を停止するが、検出電圧Vaは、その間も更にΔV2だけ上昇する。すなわち、検出電圧VaがTripの間に(ΔV1+ΔV2)上昇してしまったことにより、出力電圧Voutは、Vrip=(ΔV1+ΔV2)×(Rx+Ry)/Rx分、昇圧規定電圧Vloadより高くなる。以下の説明において、このVripを出力振幅電圧という。なお、時刻t2以降においては、昇圧は停止されるので、負荷容量Cloadに蓄積された電荷がリークして、出力電圧Voutが徐々に低下する。
また、時刻t0から時刻t1までのチャージポンプ回路900の状態を昇圧動作状態という。チャージポンプ回路900は、昇圧動作状態の期間、すなわち、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vloadに到達するまでに要する時間は、昇圧時間として定められ、一般的に短いことが要求される。一方、上述の出力振幅電圧Vripの値は、チャージポンプ回路900が供給する電圧により動作する記憶セルなどの回路特性により規定され、一般的に、小さいことが要求される。
出力振幅電圧Vripの値を低減するチャージポンプ回路としては、昇圧回路セット数を切り替えるチャージポンプ回路(以下、セット数切替回路という)、昇圧回路に供給されるパルス信号ckの周期を切り替えるチャージポンプ回路(以下、周期切替回路という)が、知られている。
図14は、従来例に係るセット数切替回路700の構成を示す概略ブロック図である。この図において、図11の各部と対応する部分には同一の符号を付し、当該部分の説明を省略する。図示するように、セット数切替回路700は、制御部71と発振回路20と昇圧部93とを具備している。また、制御部71は、基準回路11、検出回路712、コンパレータ回路713、AND回路731〜734を備えている。検出回路712は、抵抗751〜755により構成され、各分圧ノードから検出電圧Va1〜Va4をコンパレータ回路713a〜713dに対して出力する。
コンパレータ回路713a〜713dは、各々に入力される検出電圧Va1〜Va4と、基準回路11から出力される基準電圧Vrefを比較し、検出電圧が基準電圧より高いことを検出し、Lレベルの動作信号Compout1〜4を、AND回路731〜734に対して出力する。AND回路731〜734は、発振回路20から入力されるパルス信号Tosと、動作信号Compout1〜4が入力され、入力される動作信号の論理レベルがLになると、昇圧信号Cont1〜4をLレベルにし、昇圧回路931a1〜931a4の昇圧動作を停止させる。
ここで、昇圧信号Cont1〜4は、出力電圧Voutの電圧レベルに応じて、Cont4、Cont3、Cont2、Cont1の電圧レベルがHレベルとLレベルの間で遷移するように設定されている。かかる設定は、昇圧規定電圧Vload(規定電圧)に対して低い、昇圧規定電圧Vload2、Vload3、Vload4を設けることにより、可能となる。なお、Vload4<Vload3<Vload2<Vloadである。すなわち、出力電圧VoutがVload4より高くなると、昇圧回路931a4の昇圧動作が停止し、Vload3より高くなると昇圧回路931a3の昇圧動作も停止し、Vload2より高くなると昇圧回路931a2の昇圧動作も停止し、Vloadより高くなると昇圧回路931a1の昇圧動作も停止し、昇圧部93からの電荷供給は停止する。
ところで、セット数切り替え回路における出力振幅電圧Vripは、次式により決定させる。
Vrip=n×ΔQ/Cload…(1)
ここで、ΔQは、セット数切り替え回路の電流駆動能力I、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload4を超える時刻から、昇圧規定電圧Vload+Vripになるまでの時間tを用いて、ΔQ=I×tで表わされる電荷量である。また、Cloadは、セット数切り替え回路の負荷容量(図14におけるCloadの容量値)を、nは昇圧回路のセット数(図14においてはn=4)を示している。この式(1)を用いて、セット数切替有り/無しの場合の出力振幅電圧Vripを算出すると次のようになる。
セット数切替無しの場合、I=1mA,n=4,t=100ns,Cload=1000pFとすると、これらの値を式(1)に代入して、Vrip=0.4Vとなる。
一方、セット数切替有りの場合、切替無しと同じく、I=1mA,n=4,t=100ns,Cload=1000pFとし、t=100nsのうち25ns間隔でセット数が4,3,2,1と減るとすると、25nsの期間の上昇量ΔVmはΔVm=(4−m)×C×ΔQ/n(m=0〜3)で表わされる。従って、出力振幅電圧Vripは、Vrip=ΔV1+ΔV2+ΔV3+ΔV4となり、ΔVmをそれぞれ式(1)で算出し、合計するとVrip=0.25Vとなる。すなわち、セット数切替無しの場合と比べて、出力振幅電圧Vripは37.5%減少する。
図15は、従来例に係る周期切替回路800の構成を示す概略ブロック図である。この図において、図14の各部と対応する部分には同一の符号を付し、当該部分の説明を省略する。図示するように、セット数切替回路800は、制御部81と発振回路20aと昇圧部93とを具備している。また、制御部81は、基準回路11、検出回路712、コンパレータ回路713、バッファ回路822〜824及びAND回路831を備えている。
バッファ回路822〜824は、動作信号Compout2〜4が入力され、入力される動作信号の論理レベルがLになると、スイッチ信号SWC2〜4をLレベルにし、発振回路20aにおけるスイッチをオフしてパルス信号Tosの周波数を低くさせる。また、AND回路831は、動作信号Compout1及びパルス信号Tosが入力され、入力される動作信号Compout1の論理レベルがLになると、昇圧回路931a1〜931a4の昇圧動作を停止させる。
ここで、スイッチ信号SWC2〜4は、出力電圧Voutの電圧レベルに応じて、SWC4、SWC3、SWC2の電圧レベルがHレベルとLレベルの間で遷移するように設定されている。かかる設定は、昇圧規定電圧Vload(規定電圧)に対して低い、昇圧規定電圧Vload2、Vload3、Vload4(Vload4<Vload3<Vload2<Vload)を設けることにより可能となる。すなわち、出力電圧VoutがVload4より高くなると、発振回路20aの周波数が低くなり、その後、Vload3、Vload2を越えると周波数が低くなる。そして、Vloadより高くなると、昇圧部93からの電荷供給は停止する。なお、発振回路20aの構成については、後述する実施形態において詳述する。
ところで、周期切替回路における単位時間あたりの供給電荷量Qbは、次式により決定させる。
Qb=n×Cb/T…(2)
ここで、Cbは、周期切替回路における昇圧回路931aがブートストラップに用いる容量値であり、Tは昇圧回路931aに入力されるパルス信号ckの周期である。この式(2)を用いて、周期切替切替有り/無しの場合の時間T’におけるQbを算出すると次のようになる。
周期切替無しの場合、n=4,T=50ns,Cb=10pFとすると、これらの値を式(2)に代入して、時間T’における供給電荷量Qは、Q=Qb×t=8×10−4×T’となる。
一方、周期切替有りの場合、切替無しと同じく、n=4,T=50ns,Cb=10pFとし、時間T’のうち時間(T’/4)経つ毎に75ns、100ns、200nsと周期が伸びていくとする。各(T’/4)時間におけるQb1〜Qb4をそれぞれ式(2)で算出し、合計すると、時間T’における供給電荷量Qは、Q=Qb1+Qb2+Qb3+Qb4=1.933×10−4×T’となる。すなわち、周期切替無しの場合と比べて、供給電荷量Qは39.6%減少する。また、上述のセット数切替回路の比較に用いた式(1)を考慮すると、昇圧回路の供給電荷量と出力振幅電圧Vripは比例するから、上述のような周期切替を行なうことで、出力振幅電圧Vripも39.6%改善することとなる。
このようにように、チャージポンプ回路をセット数切替回路、周期切替回路とすることで、出力電圧振幅Vripを抑えることができる。
特開2001−250381号公報
しかし、チャージポンプ回路を、上述のセット数切替回路、周期切替回路とすることは次のような問題がある。
(1)複数の検出電圧と、基準電圧を比較し、検出電圧が基準電圧より高いことを検出する必要があるため、コンパレータが検出電圧の数と同数必要になる。そのため、チャージポンプ回路のレイアウト面積が増加し、チャージポンプ回路を搭載する半導体チップの面積増大を招く問題がある。
(2)また、図14及び図15において示したように、検出回路(分圧回路)において分圧電圧を複数設定するため、抵抗を複数設ける必要があるので、レイアウト面積が増加し、チャージポンプ回路を搭載する半導体チップの面積増大を招く問題がある。レイアウト面積が増大する具体例を次に述べる。図14及び図15の直列された抵抗751〜755の経路を流れる電流値、すなわち出力電圧Voutと接地電圧の間に流れる電流値は、消費電流を低減するため、例えば10μA程度にする必要がある。例えば、出力電圧Voutの電圧値を10Vとすると、上記経路の直列抵抗の合計値は1メガΩ必要となる。一方、昇圧動作状態において、昇圧時間を規定時間内に収めるには昇圧規定電圧Vload4、Vload3、Vload2、Vloadの各電圧差を10mVに設定する必要がある。すなわち、抵抗752、753、754の抵抗値を、1キロΩ(10mV/10μA)に設定する必要がある。電圧差10mVを精度良く実現するためには、抵抗751〜抵抗755の相対ばらつきを抑える必要があるが、そのためには抵抗751及び755もレイアウト上抵抗752〜754と同等のレイアウト構成をとって製造ばらつき等の影響を抑える必要がある。具体的には、1キロΩの抵抗値を単位抵抗として、例えば1000個横並びにレイアウトし、各単位抵抗間を接続し、接続点を分圧ノードとする必要がある。これは接続点を各単位抵抗から取り出す必要があることから、単位抵抗を用いず抵抗をレイアウトするのに比べてレイアウト面積が大きくなるという問題がある。
本発明は、上記問題を解決すべくなされたもので、その目的は、昇圧動作状態において出力電圧振幅Vripを抑え、かつ、レイアウト面積の小さいチャージポンプ回路を提供することにある。
上記問題を解決するために、本発明は、予め定められた周期のパルス信号を出力する発振回路と、
電圧を昇圧するn(n≧1)個の並列に接続された昇圧回路を備え、前記パルス信号に応じて電荷量を出力する昇圧部と、
前記昇圧部の出力電圧と、予め定められた規定電圧とを比較し、比較結果に応じて前記昇圧部からの前記電荷量を制御する制御部と、を有することを特徴とするチャージポンプ回路である。
また、本発明は、上記に記載の発明において、前記制御部は、前記昇圧部の出力電圧を分圧し、1以上の分圧ノードから分圧電圧を出力する分圧回路と、前記分圧電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、比較結果に応じて第1〜第nの比較結果信号を発生するコンパレータと、を有し、前記第1〜第nの比較結果信号に基づいて前記昇圧部に備えられた前記n個の昇圧回路への前記パルス信号の供給を制御することを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の発明において、前記制御部は、前記昇圧部の出力電圧を分圧し、1以上の分圧ノードから分圧電圧を出力する分圧回路と、前記分圧電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、比較結果に応じて第1〜第nの比較結果信号を発生するコンパレータと、を有し、前記第1〜第nの比較結果信号に基づいて前記パルス信号の発振周波数を制御することを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の発明において、前記分圧回路は、n個の分圧ノードからn個の分圧電圧を出力し、前記コンパレータは、予め設定された基準電圧に応じて定電流を発生する定電流発生部と、前記定電流発生部とカレントミラー接続されたn個の第1導電型トランジスタと、前記n個の第1導電型トランジスタの各々に共通ノードを介して直列接続され、前記n個の分圧電圧各々により制御されるn個の第2導電型トランジスタと、を有し、前記n個の分圧電圧の各々が前記基準電圧に達すると、第1〜第nの比較結果信号を、前記分圧回路の分圧比の大きい前記分圧ノードに対応する前記共通ノードから発生することを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の発明において、前記分圧回路は、1個の分圧ノードから分圧電圧を出力し、前記コンパレータは、前記分圧電圧が前記基準電圧に達すると第1の比較結果信号を発生し、前記制御部は、D型フリップフロップを(n−1)段配列したシフトレジスタを有し、前記シフトレジスタの初段のデータ入力端子には前記第1の比較結果信号が入力され、前記シフトレジスタのクロック入力端子には前記パルス信号が入力され、シフト動作において1段目〜(n−1)段目のD型フリップフロップのデータ出力端子から第2〜第nの比較結果信号を発生することを特徴とする。
この発明によれば、昇圧動作状態において、昇圧部が供給する電荷量をチャージポンプ回路に要求される昇圧時間を満たすように出力電圧振幅Vripを抑えることができ、レイアウト面積の小さいチャージポンプ回路を提供することができる。
第1実施形態に係るチャージポンプ回路の構成を示すブロック図である。 第1実施形態に係る昇圧回路の構成を示した概略図である。 第1実施形態に係るチャージポンプ回路の動作を示した波形図である。 第2実施形態に係るチャージポンプ回路の構成を示すブロック図である。 第2実施形態に係る発振回路の構成を示した概略図である。 第2実施形態に係る発振回路の動作を説明するための図である。 第2実施形態に係るチャージポンプ回路の動作を示した波形図である。 第3実施形態に係るチャージポンプ回路の構成を示すブロック図である。 第3実施形態に係るチャージポンプ回路の動作を示した波形図である。 第3実施形態に係るチャージポンプ回路の構成を示すブロック図である。 従来例に係るチャージポンプ回路の構成を示すブロック図である。 従来例に係る昇圧回路の構成を示した概略図である。 従来例に係るチャージポンプ回路の動作を示した波形図である。 従来例に係るチャージポンプ回路の構成を示すブロック図である。 従来例に係るチャージポンプ回路の構成を示すブロック図である。
(第1実施形態)
以下、本発明の実施形態によるチャージポンプ回路につき、図面を参照して説明する。
図1は、第1実施形態に係るチャージポンプ回路100の構成を示す概略ブロック図である。この図において、図14の各部と対応する部分には同一の符号を付し、当該部分の説明を省略する。図示するように、チャージポンプ回路100は、制御部10と発振回路20と昇圧部30とを具備している。負荷容量Cloadは、チャージポンプ回路100の負荷となる容量である。
制御部10は、昇圧部30が出力する出力電圧Voutを検出して、出力電圧Voutの電圧レベルに対応して、周期的なパルス信号である昇圧信号Cont1〜4各々を昇圧回路31a1〜31a4に対して出力して昇圧動作を行わせ、昇圧部31aに電荷供給を行わせる。また、制御部10は、昇圧信号Cont1〜4各々の電圧レベルをLレベルに維持することで、昇圧回路31a1〜31a4の昇圧動作を停止させ、昇圧部31aから供給される電荷量を減少させ、或いは供給を停止させる。すなわち、制御部10は、出力電圧Voutの電圧レベルに対応して、昇圧部からの電荷量を制御する。
発振回路20は、外部から入力される昇圧開始信号に基づいて、パルス信号Tosを制御部10に対して出力する。昇圧部30は、制御部10が出力する昇圧信号Cont1〜4を用いて昇圧した電圧を出力する。
制御部10は、基準回路11、検出回路12、コンパレータ回路13、バッファ回路121〜124及びAND回路131〜134を備えている。検出回路12は、抵抗151〜抵抗155が直列接続された分圧回路である。抵抗151の抵抗値をR1、抵抗152の抵抗値をR2、抵抗153の抵抗値をR3、抵抗154の抵抗値をR4、抵抗155の抵抗値をR5とすると、比較に用いる検出電圧Va1〜Va4は、出力電圧Vout及びRALL=R1+R2+R3+R4+R5を用いて次式で表わされる。Va1=Vout×R1/RALL、Va2=Vout×(R1+R2)/RALL、Va3=Vout×(R1+R2+R3)/RALL、Va4=Vout×(R1+R2+R3+R4)/RALLである。検出回路12は、これらの分圧電圧をコンパレータ回路13に対して出力する。すなわち、検出回路12は、出力電圧Voutに応じて、コンパレータ回路13が比較に用いる検出電圧Va1〜4を分圧ノードから出力する。また、基準電圧Vrefは、チャージポンプ回路100に求められる出力電圧である昇圧規定電圧Vload(規定電圧)に応じて定められ、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vloadと一致するときの検出電圧と同じ電圧となるように定められる。すなわち、Vref=Vload×R1/RALLと定められる。
コンパレータ回路13は、Pチャネル型トランジスタ101pとNチャネル型トランジスタ101nから構成される定電流回路と、定電流回路にカレントミラー接続されたPチャネル型トランジスタ111p、Pチャネル型トランジスタ112p、Pチャネル型トランジスタ113p、Pチャネル型トランジスタ114p、検出電圧Va1がゲート端子へ入力されるNチャネル型トランジスタ111n、検出電圧Va2がゲート端子へ入力されるNチャネル型トランジスタ112n、検出電圧Va3がゲート端子へ入力されるNチャネル型トランジスタ113n及び検出電圧Va4がゲート端子へ入力されるNチャネル型トランジスタ114nから構成される。Pチャネル型トランジスタ101pはゲート端子及びドレイン端子が共通接続され、これらの接続点J1とNチャネル型トランジスタ101nのドレイン端子が接続される。Nチャネル型トランジスタ101nはゲート端子に基準電圧Vrefが入力されるので、ゲート・ソース間電圧(VGS)は電源電圧によらず一定である。従って、Pチャネル型トランジスタ101p及びNチャネル型トランジスタ101nは、定電流回路を構成する。また、Pチャネル型トランジスタ111pとNチャネル型トランジスタ111nは、各ドレイン端子が共通接続され、共通接続点から動作信号Compout1を出力する。同様に、Nチャネル型トランジスタ112nとPチャネル型トランジスタ112p、Nチャネル型トランジスタ113nとPチャネル型トランジスタ113p、Nチャネル型トランジスタ114nとPチャネル型トランジスタ114pは、それぞれドレイン端子が共通接続され、共通接続点から動作信号Compout2〜4を出力する。また、Pチャネル型トランジスタ111p、112p、113p及び114pは、定電流回路とカレントミラー接続されているので、それぞれのPチャネル型トランジスタにおいて流れる電流は定電流回路を流れる電流と同じ値である。
以上の構成により、コンパレータ回路13は、基準回路11が出力する基準電圧Vrefと、検出回路12が検出した検出電圧Va1〜Va4とを比較して、動作信号Compout1〜4を出力する。ここで、検出電圧Va1〜Va4と、昇圧規定電圧Vloadの関係は次のようになる。昇圧規定電圧は、昇圧規定電圧Vload(規定電圧)と、この電圧値より低い、昇圧規定電圧Vload2、Vload3、Vload4(Vload4<Vload3<Vload2<Vload)が設けられている。出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload4になると、検出回路12の検出電圧Va4は、Va4=Vload4×(R1+R2+R3+R4)/RALLとなる。コンパレータ回路13は、検出電圧Va4と基準電圧Vrefを比較し、検出電圧Va4が基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout4をHレベルからLレベルへと変化させる。すなわち、出力電圧Voutが、Vload4=Vref×RALL/(R1+R2+R3+R4)より高くなると、動作信号Compout4をLレベルへと変化させる。同様に、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload3になると、検出回路12の検出電圧Va3は、Va3=Vload3×(R1+R2+R3)/RALLとなる。コンパレータ回路13は、検出電圧Va3と基準電圧Vrefを比較し、検出電圧Va3が基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout3をHレベルからLレベルへと変化させる。すなわち、出力電圧Voutが、Vload3=Vref×RALL/(R1+R2+R3)より高くなると、動作信号Compout3をLレベルへと変化させる。
また、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload2になると、検出回路12の検出電圧Va2は、Va2=Vload2×(R1+R2)/RALLとなる。コンパレータ回路13は、検出電圧Va2と基準電圧Vrefを比較し、検出電圧Va2が基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout2をHレベルからLレベルへと変化させる。すなわち、出力電圧Voutが、Vload2=Vref×RALL/(R1+R2)より高くなると、動作信号Compout2をLレベルへと変化させる。同様に、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vloadになると、検出回路12の検出電圧Va1は、Va1=Vload×R1/RALLとなる。コンパレータ回路13は、検出電圧Va1と基準電圧Vrefを比較し、検出電圧Va1が基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout1をHレベルからLレベルへと変化させる。すなわち、出力電圧Voutが、Vload=Vref×RALL/R1より高くなると、動作信号Compout1をLレベルへと変化させる。
以上をまとめると、コンパレータ回路13は、昇圧動作状態においては、出力電圧Voutが昇圧し、昇圧規定電圧Vload4、Vload3、Vload2、Vloadをそれぞれ超えると、動作信号Compout4、Compout3、Compout2、Compout1をLレベルへと変化させる。
制御部10は、動作信号Compout4〜1がLレベルになると、バッファ回路124及びAND回路134により昇圧信号Cont4を、バッファ回路123及びAND回路133により昇圧信号Cont3を、バッファ回路122及びAND回路132により昇圧信号Cont2を、バッファ回路121及びAND回路131により昇圧信号Cont1を、Lレベルへと変化させる。昇圧信号が入力される昇圧部30は、複数の昇圧回路31a1〜昇圧回路31a4を備えている。昇圧回路31a1〜31a4は、並列に接続され、それぞれに制御部10から出力される昇圧信号Cont1〜4(パルス信号ck)が入力される。昇圧回路31a4、31a3、31a2は、それぞれ昇圧信号Cont4,Cont3,Cont2のLレベルが維持されると、昇圧動作を停止し、昇圧部93は電荷供給を減少する。そして、昇圧信号Cont1のLレベルが維持されると、昇圧回路31a1は昇圧動作を停止し、昇圧部93は電荷供給を停止する。
なお、昇圧回路31a1〜31a4は、同じ構成を有しており、以下、昇圧回路31a1〜31a4のいずれか1個、あるいは、全てを代表して示すときには、昇圧回路31aという。また、本実施形態において、昇圧回路31aは4個並列に接続されているが、この個数に限られるものではない。
次に、図2は、第1実施形態に係る昇圧回路31aの構成を示した概略図である。昇圧回路31aは、図示するように、Dickson方式の電圧を昇圧する回路である。昇圧回路31aは、電源電圧Vddが供給される電源端子と出力端子Poutとの間に順方向に直列接続されたi個のNチャネル型トランジスタ311a1〜Nチャネル型トランジスタ311ai、Nチャネル型トランジスタ311a1〜311aiそれぞれの間の接続点に一端が接続されたコンデンサ312a1〜コンデンサ312ajから構成される。順方向に直列接続されたNチャネル型トランジスタ311a1〜311aiは、ソース及びドレインのいずれか一方とゲートとが接続されて、ダイオード素子として用いられている。
順方向に直列接続されたNチャネル型トランジスタ311a1〜311aiの初段のNチャネル型トランジスタ311a1は、アノードに電源電圧Vddが供給される。また、順方向に直列接続されたNチャネル型トランジスタ311a1〜311aiの最終段(Nチャネル型トランジスタ311ai)のカソードから昇圧された電圧が出力される。コンデンサ312a1〜312ajの他端それぞれには、インバータ313が出力するパルス信号ckを反転した信号と、インバータ313及びインバータ314を介したパルス信号ckと同相の信号とが交互に入力される。すなわち、コンデンサ312a1〜312ajの他端の電源電圧VDD側から数えて偶数番目と奇数番目には、位相が反転した信号が入力される。なお、以下において、Nチャネル型トランジスタ311a1〜311aiのいずれか1個、あるいは、全てを代表して示すときには、Nチャネル型トランジスタ311aという。また、コンデンサ312a1〜312ajのいずれか1個、あるいは、全てを代表して示すときには、コンデンサ312aという。
上述のように構成された昇圧回路31aにおいては、入力されるパルス信号ckの電圧が電源電圧Vddと接地電圧の間で変化するたびに、Nチャネル型トランジスタ311aを1つ介して隣接するコンデンサ312aの間で蓄積された電荷が移動する。また、電荷が移動するたびに、Nチャネル型トランジスタ311aの接続点の電圧は、流入される電荷により電源電圧Vdd分ずつ加算され昇圧される。
次に、チャージポンプ回路100の動作を説明する。図3は、第1実施形態に係るチャージポンプ回路100の動作を示した波形図である。横軸方向は、時間を示し、縦軸方向は、それぞれの信号の電圧(レベル)を示す。また、出力信号Voutを示す波形のうち、実線は本実施形態における出力電圧Voutの波形であり、破線は参考のために示した従来例の出力電圧Voutの波形である。
時刻t0において、昇圧開始信号がLレベルからHレベルへ変化すると、発振回路20は周期的なパルス信号Tosを出力する。このとき、検出回路12が出力する検出電圧Va1〜4は0Vであるので、コンパレータ回路13は、これらと基準回路11から出力される基準電圧Vrefとを比較することにより、検出電圧Va1〜4が基準電圧Vrefより低いことを検出して、Hレベルの動作信号Compout1〜4を出力する。また、AND回路131〜134は、パルス信号Tosと同一周波数の昇圧信号Cont1〜4を、昇圧部30へ出力する。これにより、昇圧部30に備えられた昇圧回路31aにおいては、制御部10から出力された昇圧信号Cont1〜4により昇圧が行われて、チャージポンプ回路100の出力電圧Voutが上昇する。ここで、昇圧回路31aでは、入力される昇圧信号Contの電圧が電源電圧Vddと接地電圧の間で変化するたびに、Nチャネル型トランジスタ311aを1つ介して隣接するコンデンサ312aの間で蓄積された電荷が移動する。また、電荷が移動するたびに、Nチャネル型トランジスタ311aの接続点の電圧は、流入される電荷により電源電圧Vdd分ずつ加算され昇圧される。そして、出力電圧Voutが上昇し、これに伴い検出回路12の検出電圧Va1〜Va4も上昇する。
時刻t1において、チャージポンプ回路100の出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload4より高くなると、検出回路12は基準電圧Vrefより高い検出電圧Va4を出力する。コンパレータ回路13は、検出電圧Va4が基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout4をHレベルからLレベルへと変化させ、昇圧信号のうち昇圧信号Cont4をLレベルへ変化させる。
また、昇圧回路31a4においては、入力される昇圧信号Cont4がLレベルとなるので、昇圧動作を停止する。これにより、出力電圧Voutの上昇は緩やかなものとなる。
時刻t1〜t2の間において、出力電圧Voutが、昇圧規定電圧Vload3、Vload2より高くなると、検出回路12は、検出電圧Va3、Va2を、基準電圧Vrefより高い電圧値とし、コンパレータ回路13は、動作信号Compout3、Compout2を、Lレベルへと変化させる。これにより、昇圧回路31a3、31a2においては、入力される昇圧信号Cont3、Cont2のLレベルが維持されるので、それぞれ昇圧動作を停止する。昇圧動作が停止されるたびに、出力電圧Voutの上昇は緩やかなものとなる。
時刻t2において、チャージポンプ回路100の出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vloadより高くなると、検出回路12は、基準電圧Vrefより高い検出電圧Va1を出力する。コンパレータ回路13は、検出電圧Vaが基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout1をHレベルからLレベルへと変化させる。このとき、昇圧回路31a1においては、入力される昇圧信号Cont1がLレベルとなるので、昇圧動作を停止する。これにより、昇圧回路31aが全て昇圧動作を停止するので、出力電圧Voutの上昇はさらにゆるやかになり、昇圧規定電圧Vloadに対して出力振幅電圧Vrip’高い電圧で停止する。この後は、負荷容量Cloadに蓄積された電荷がリークして、出力電圧Voutが徐々に低下し、昇圧規定電圧Vloadより低くなると、昇圧回路31a1が再び昇圧動作を開始する。
このような構成を用いることで、昇圧動作状態において、昇圧部30が供給する電荷量を、出力電圧Voutが各昇圧規定電圧を超えるたびに減少させることが可能となる。これにより、昇圧規定電圧Vloadを超えるリップル電圧を出力振幅電圧Vrip’と、従来に比べ減らすことができる。また、コンパレータ回路13は、複数の検出電圧と基準電圧を比較し、検出電圧が基準電圧より高いことを検出するが、少ないトランジスタで構成できるため、従来に比べコンパレータのレイアウト面積を小さくでき、チャージポンプ回路全体の半導体装置に占めるレイアウト面積を小さくできる。この効果は、より緩やかな出力電圧の上昇を目的として、検出電圧の数を更に増やす必要がある場合、従来に比べコンパレータの面積増大を抑制できるので、より顕著な効果となって現れると解される。
(第2実施形態)
図4は、第2実施形態に係るチャージポンプ回路200の構成を示す概略ブロック図である。この図において、図1の各部と対応する部分には同一の符号を付し、当該部分の説明を省略する。図示するように、チャージポンプ回路200は、制御部10aと発振回路20aと昇圧部30とを具備している。負荷容量Cloadは、チャージポンプ回路200の負荷となる容量である。
制御部10aは、基準回路11、検出回路12、コンパレータ回路13、バッファ回路221〜224及びAND回路231を備えている。
制御部10aは、昇圧部30が出力する出力電圧Voutを検出して、出力電圧Voutの電圧レベルに対応して、昇圧信号Contの周波数を高くして昇圧部31aから供給される電荷量を増大させ、昇圧信号Contの周波数を低くして昇圧部31aから供給される電荷量を減少させ、或いは昇圧信号Contの電圧レベルをLレベルに維持して、電荷供給を停止させる。すなわち、制御部10aは、出力電圧Voutの電圧レベルに対応して、昇圧部からの電荷量を制御する。
制御部10aは、第1実施形態において説明したように、昇圧動作状態において、昇圧部30が出力する出力電圧Voutを検出回路12から出力される検出電圧Va1〜4及び基準回路から出力される基準電圧Vrefを、コンパレータ回路13により比較・検出し、比較結果に応じて、動作信号Compout4〜1をLレベルへと変化させる。これにより、バッファ回路224はスイッチ信号SWC4を、バッファ回路223はスイッチ信号SWC3を、バッファ回路222はスイッチ信号SWC2を、Lレベルへと変化させ、発振回路20aの発振周波数を低くさせる。また、バッファ回路221及びAND回路231により、昇圧信号ContをLレベルへと変化させ、昇圧部30の昇圧動作を停止させる。すなわち、チャージポンプ回路200において、昇圧回路31a1〜31a4は、パルス信号ckとして入力される昇圧信号Contの周波数が低くなるたびに供給する電荷量を減少させていき、最終的にパルス信号ckがLレベルに固定されると、昇圧動作を停止して電荷の供給を停止する。
発振回路20aは、外部から入力される昇圧開始信号に基づいて、パルス信号Tosを制御部10に対して出力し、昇圧動作状態においては、パルス信号Tosの周波数を低くさせていく。
次に、図5は、第2実施形態に係る発振回路20aの構成を示した概略図である。発振回路20aは、図示するように、定電流回路260、スイッチ部270、定電流回路275及び発振部280より構成される。定電流回路260は、コンパレータ回路261、抵抗265及びPチャネル型トランジスタ265pを有している。コンパレータ回路261は、非反転入力端子に基準電圧Vref2が入力され、反転入力端子に抵抗265及びPチャネル型トランジスタ265pの間の接続点J265の電圧が入力される。Pチャネル型トランジスタ265pは、ソース端子に電源電圧Vdd、ドレイン端子に接続点J265の電圧、ゲート端子にコンパレータ回路261の出力電圧がそれぞれ入力される。すなわち、定電流回路260は、Pチャネル型トランジスタ265pのソース・ドレイン間及び抵抗265の両端間に、(基準電圧Vref2)/(抵抗265の抵抗値)で定まる定電流(以下、電流I1とする)を流す回路である。
スイッチ部270は、スイッチSW2〜4、Pチャネル型トランジスタ270p1、270p2、270p3、270p4及びNチャネル型トランジスタ270nから構成される。スイッチSW2〜SW4は、スイッチ信号SWC2〜SWC4によりオン/オフ制御され、スイッチ信号がHレベルのときオン、Lレベルのときオフするものとする。Pチャネル型トランジスタ270p1は、ソース端子が電源電圧Vddへ、ドレイン端子が接続点J270へ、ゲート端子が定電流回路260のコンパレータ回路261の出力端子へ接続される。また、Pチャネル型トランジスタ270p2は、ソース端子がスイッチSW2を介して電源電圧Vddへ、ドレイン端子が接続点J270へ、ゲート端子が定電流回路260のコンパレータ回路261の出力端子へ接続される。Pチャネル型トランジスタ270p3は、ソース端子がスイッチSW3を介して電源電圧Vddへ、ドレイン端子が接続点J270へ、ゲート端子が定電流回路260のコンパレータ回路261の出力端子へ接続される。Pチャネル型トランジスタ270p4は、ソース端子がスイッチSW4を介して電源電圧Vddへ、ドレイン端子が接続点J270へ、ゲート端子が定電流回路260のコンパレータ回路261の出力端子へ接続される。ここで、Pチャネル型トランジスタ270p1、270p2、270p3、270p4のW(チャネル幅)/L(チャネル長)は、Pチャネル型トランジスタ265pのW/Lの1/4の値とする。
また、Nチャネル型トランジスタ270nは、ゲート端子及びドレイン端子が接続点J270へ共通接続され、ソース端子は接地されている。Nチャネル型トランジスタ270nを流れる電流(以下、電流I2とする)は、スイッチSW2〜SW4のオン/オフにより変化する。
図6は、電流I1の電流値を1とした場合の電流I2の電流値の電流I1に対する比率を、スイッチSW2〜SW4のオン/オフによって分類した図である。
この図で示すように、SW2〜SW4が全てオンするとき、I2の電流値はI1の電流値と等しく、スイッチSW4〜SW2が一つずつオフするたびに、I1の電流値に対して3/4倍、2/4倍、1/4倍と減少する。
定電流回路275は、Pチャネル型トランジスタ275p及びNチャネル型トランジスタ275nより構成される。Pチャネル型トランジスタ275pは、ゲート端子及びドレイン端子が接続点J275へ共通接続され、ソース端子は電源電圧Vddへ接続される。また、Nチャネル型トランジスタ275nは、ドレイン端子が接続点J275へ接続され、ソース端子が接地され、ゲート端子がスイッチ部270とカレントミラー接続される。すなわち、Pチャネル型トランジスタ275p及びNチャネル型トランジスタ275nには、スイッチ部270と同じく電流I2が流れる。また、電流I2は上述の通り、電流I1に対して一定の比率の電流値であるから、定電流回路275は、Pチャネル型トランジスタ275p及びNチャネル型トランジスタ275nに定電流I2を流す回路である。
発振部280は、i(iは奇数)個のPチャネル型トランジスタ280p1〜280pi、i個のNチャネル型トランジスタ280n1〜280ni、(i−1)個のインバータ280I1〜280I(i−1)及びNAND回路281より構成される。
Pチャネル型トランジスタ280p1〜280piは、それぞれソース端子が電源電圧Vddと接続され、ゲート端子は定電流回路275とカレントミラー接続される。また、各ドレイン端子は、インバータ280I1〜280I(i−1)、NAND回路281へ接続される。Nチャネル型トランジスタ280n1〜280niは、それぞれソース端子が接地され、ゲート端子はスイッチ部270とカレントミラー接続される。また、各ドレイン端子は、インバータ280I1〜280I(i−1)、NAND回路281へ接続される。
この構成により、発振部280は、昇圧開始信号がHレベルになると、一定の周期で発振する。また、スイッチ部270におけるSW2〜SW4が全てオンするときの周波数をfとすると、スイッチSW2〜SW4が一つずつオフするたびに、周波数はf×3/4、f×2/4、f×1/4と低くなる。
次に、チャージポンプ回路200の動作を説明する。図7は、第2実施形態に係るチャージポンプ回路200の動作を示した波形図である。横軸方向は、時間を示し、縦軸方向は、それぞれの信号の電圧(レベル)を示す。また、出力信号Voutを示す波形のうち、実線は本実施形態における出力電圧Voutの波形であり、破線は参考のために示した従来例の出力電圧Voutの波形である。
時刻t0において、昇圧開始信号がLレベルからHレベルへ変化すると、発振回路20aは周期的なパルス信号Tosを出力する。このとき、検出回路12が出力する検出電圧Va1〜4は0Vであるので、コンパレータ回路13は、これらと基準回路11から出力される基準電圧Vrefとを比較することにより、検出電圧Va1〜4が基準電圧Vrefより低いことを検出して、Hレベルの動作信号Compout1〜4を出力する。従って、スイッチ信号SWC2〜4は、全てHレベルであり、発振回路20aのスイッチ部270におけるスイッチSW2〜4はオンしている。これにより、スイッチ部270に流れる電流I2は、定電流回路260に流れる電流I1と等しいので、発振部280は定電流I1に応じた周波数(当初の周波数)で発振し、パルス信号Tosを周期的に出力する。
制御部10aにおけるAND回路231は、発振部280から入力されるパルス信号Tosと同じ周波数で昇圧信号Contを昇圧部30に対して出力する。昇圧部30に備えられた昇圧回路31aにおいては、制御部10aから入力される昇圧信号Contにより昇圧が行われて、チャージポンプ回路200の出力電圧Voutを上昇させる。ここで、昇圧回路31aでは、入力される昇圧信号Contの電圧が電源電圧Vddと接地電圧の間で変化するたびに、Nチャネル型トランジスタ311aを1つ介して隣接するコンデンサ312aの間で蓄積された電荷が移動する。また、電荷が移動するたびに、Nチャネル型トランジスタ311aの接続点の電圧は、流入される電荷により電源電圧Vdd分ずつ加算され昇圧される。そして、出力電圧Voutが上昇し、これに伴い検出回路12の検出電圧Va1〜Va4も上昇する。
時刻t1において、チャージポンプ回路100の出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload4より高くなると、検出回路12は、基準電圧Vrefより高い検出電圧Va4を出力する。コンパレータ回路13は、検出電圧Va4が基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout4をHレベルからLレベルへと変化させ、バッファ回路224は、スイッチ信号SWC4をLレベルへと変化させる。これにより、発振回路20aのスイッチ部270におけるスイッチSW4がオフし、スイッチ部270に流れる電流I2は、定電流回路260に流れる電流I1の3/4倍になる。また、発振部280は、発振周波数が当初の3/4倍になり、パルス信号Tosの周期を4/3倍にして出力する。制御部10aにおけるAND回路231は、発振部280から入力されるパルス信号Tosに応じて、昇圧信号Contの周波数を低くして昇圧部30に対して出力する。また、昇圧部30においては、入力される昇圧信号Contの周波数が下がるので、出力電圧Voutの上昇を緩やかなものとする。
続いて、時刻t2、時刻t3において、出力電圧Voutが、昇圧規定電圧Vload3、Vload2より高くなると、検出回路12から出力される検出電圧Va3、Va2が基準電圧Vrefより高くなる。コンパレータ回路13は、時刻t2、時刻t3において、それぞれ動作信号Compout3、Compout2をLレベルへと変化させ、バッファ回路223及びバッファ回路223は、これに対応してそれぞれスイッチ信号SWC3、スイッチ信号SWC2をLレベルへと変化させる。これにより、発振回路20aのスイッチ部270におけるスイッチSW3が時刻t2において、SW2が時刻t3においてオフし、スイッチ部270に流れる電流I2は、それぞれの時刻において定電流回路260に流れる電流I1の2/4、1/4倍になる。また、発振部280は、発振周波数が当初の2/4、1/4倍になり、パルス信号Tosの周期を2倍、4倍にして出力する。制御部10aは、出力する昇圧信号Contの周波数を低くし、昇圧部30における出力電圧Voutの上昇を緩やかなものとする。
時刻t4において、チャージポンプ回路200の出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vloadより高くなると、検出回路12は、基準電圧Vrefより高い検出電圧Va1を出力する。コンパレータ回路13は、検出電圧Va1が基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout1をHレベルからLレベルへと変化させる。また、制御部10aは、AND回路231により昇圧信号ContをLレベルにして、昇圧部30の昇圧動作を停止させる。これにより、出力電圧Voutの上昇はさらにゆるやかになり、時刻t5において、昇圧規定電圧Vloadに対してVrip’高い電圧でストップする。この後は、負荷容量Cloadに蓄積された電荷がリークして、出力電圧Voutが徐々に低下し、昇圧規定電圧Vloadより低くなると、昇圧部30が再び昇圧動作を開始する。
このような構成を用いることで、昇圧動作状態においては、昇圧部30が供給する電荷量を、出力電圧Voutが各昇圧規定電圧を超えるたびに減少させることが可能となる。これにより、昇圧規定電圧Vloadを超える出力振幅電圧Vrip’を、従来に比べ減らすことができる。また、コンパレータ回路13は、複数の検出電圧と、基準電圧を比較し、検出電圧が基準電圧より高いことを検出するが、少ないトランジスタで構成できるため、従来に比べコンパレータのレイアウト面積を小さくでき、チャージポンプ回路全体の半導体装置に占めるレイアウト面積を小さくできる。この効果は、より緩やかな出力電圧の上昇を目的として、検出電圧の数を更に増やす必要がある場合、従来に比べコンパレータの面積増大を抑制できるので、より顕著な効果となって現れると解される。
(第3実施形態)
図8は、第3実施形態に係るチャージポンプ回路300の構成を示す概略ブロック図である。この図において、図1の各部と対応する部分には同一の符号を付し、当該部分の説明を省略する。図示するように、チャージポンプ回路300は、制御部10bと発振回路20と昇圧部30とを具備している。負荷容量Cloadは、チャージポンプ回路200の負荷となる容量である。
制御部10bは、昇圧部30が出力する出力電圧Voutを検出して、出力電圧Voutの電圧レベルに対応して、周期的なパルス信号である昇圧信号Cont1〜4各々を昇圧回路31a1〜31a4に対して出力して昇圧動作を行わせ、昇圧部31aに電荷供給を行わせる。また、制御部10bは、昇圧信号Cont1〜4各々の電圧レベルをLレベルに維持することで、昇圧回路31a1〜31a4の昇圧動作を停止させ、昇圧部31aから供給される電荷量を減少させ、或いは供給を停止させる。すなわち、制御部10bは、出力電圧Voutの電圧レベルに対応して、昇圧部からの電荷量を制御する。
制御部10bは、基準回路11、検出回路12a、コンパレータ回路13a、D型フリップフロップ341〜343、AND回路331〜334を備えている。検出回路12aは、抵抗351及び抵抗355が直列接続された分圧回路である。ここで、抵抗351の抵抗値は、第1の実施形態における抵抗151の抵抗値、抵抗152の抵抗値、抵抗153の抵抗値及び抵抗154の抵抗値を加算した値とほぼ等しい。すなわち、抵抗351の抵抗値は、(R1+R2+R3+R4)である。また、抵抗355の抵抗値は、抵抗155の抵抗値R5と等しい。すなわち、比較に用いる検出電圧Va4の電圧値も、出力電圧Vout及びRALL=R1+R2+R3+R4+R5を用いて、Va4=Vout×(R1+R2+R3+R4)/RALLとなる。また、コンパレータ回路13aは、基準電圧Vrefと検出電圧Va4を比較して、検出電圧Va4が基準電圧Vrefより高いことを検出し、動作信号Compout4をHレベルからLレベルへと変化させる。本実施形態においては、昇圧規定電圧として第1実施形態における昇圧規定電圧Vload4を用い、コンパレータ回路13aは、検出電圧Va4と基準電圧Vrefを比較・検出する。すなわち、コンパレータ回路13aは、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload4より高くなると、動作信号Compout4をLレベルへと変化させる。Vload4とVrefは、Vload4=Vref×RALL/(R1+R2+R3+R4)で表わされる。
D型フリップフロップ343は、D端子に動作信号Compout4が、CK端子に発振回路からパルス信号Tosが、それぞれ入力され、Q端子から動作信号Compout3を出力する。また、D型フリップフロップ342は、D端子に動作信号Compout3が、CK端子に発振回路からパルス信号Tosが、それぞれ入力され、Q端子から動作信号Compout2を出力する。D型フリップフロップ341は、D端子に動作信号Compout2が、CK端子に発振回路からパルス信号Tosが、それぞれ入力され、Q端子から動作信号Compout1を出力する。D型フリップフロップ341〜343の接続をこのようにシフトレジスタ構成とすることで、D型フリップフロップ341〜343は、動作信号Compout4がLレベルになった以降、パルス信号Tosの立ち上がりに同期して、最初の立ち上がりで動作信号Compout3を、次の立ち上がりでCompout2を、その次の立ち上がりでCompout1を、それぞれLレベルへと変化させる。また、制御部10bは、AND回路334により昇圧信号Cont4を、AND回路333により昇圧信号Cont3を、AND回路332により昇圧信号Cont2を、AND回路331により昇圧信号Cont1を、それぞれLレベルへと変化させる。昇圧部30における昇圧回路31a4、31a3、31a2、31a1は、それぞれ昇圧信号Cont4,Cont3,Cont2,Cont1のLレベルが維持されると、昇圧動作を停止する。
次に、チャージポンプ回路300の動作を説明する。図9は、第3実施形態に係るチャージポンプ回路300の動作を示した波形図である。横軸方向は、時間を示し、縦軸方向は、それぞれの信号の電圧(レベル)を示す。また、出力信号Voutを示す波形のうち、実線は本実施形態における出力電圧Voutの波形であり、破線は参考のために示した従来例の出力電圧Voutの波形である。
時刻t0において、昇圧開始信号がLレベルからHレベルへ変化すると、発振回路20は周期的なパルス信号Tosを出力する。このとき、検出回路12が出力する検出電圧Va4は0Vであるので、コンパレータ回路13aは、検出電圧Va4と基準回路11から出力される基準電圧Vrefとを比較することにより、検出電圧Va4が基準電圧Vrefより低いことを検出して、Hレベルの動作信号Compout4を出力する。これにより、D型フリップフロップ341〜343は、それぞれのQ端子からHレベルの動作信号Compout1、2、3を出力する。また、AND回路331〜334は、パルス信号Tosと同一周期の昇圧信号Cont1〜4を、昇圧部30へ出力する。昇圧部30に備えられた昇圧回路31aにおいては、制御部10bから出力された昇圧信号Cont1〜4により昇圧が行われて、チャージポンプ回路300の出力電圧Voutが上昇する。ここで、昇圧回路31aでは、入力される昇圧信号Cont1〜4の電圧が電源電圧Vddと接地電圧の間で変化するたびに、Nチャネル型トランジスタ311aを1つ介して隣接するコンデンサ312aの間で蓄積された電荷が移動する。また、電荷が移動するたびに、Nチャネル型トランジスタ311aの接続点の電圧は、流入される電荷により電源電圧Vdd分ずつ加算され昇圧される。そして、出力電圧Voutが上昇し、これに伴い検出回路12aの検出電圧Va4も上昇する。
時刻t1において、チャージポンプ回路300の出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload4より高くなると、検出回路12aは、基準電圧Vrefより高い検出電圧Va4を出力する。コンパレータ回路13aは、検出電圧Vaが基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout4をHレベルからLレベルへと変化させ、AND回路334は、昇圧信号Cont4をLレベルへ変化させる。
また、昇圧回路31a4においては、入力される昇圧信号Cont4がLレベルとなるので、昇圧動作を停止する。これにより、出力電圧Voutの上昇は緩やかなものとなる。
次に、時刻t2、t3、t4において、D型フリップフロップ343、342、342は、パルス信号TosのHレベルへの変化の立ち上がりに同期して、それぞれ動作信号Compout3,2,1をLレベルへと変化させる。制御部10bは、時刻t2、t3、t4において、AND回路333により昇圧信号Cont3を,AND回路332により昇圧信号Cont2を,AND回路331により昇圧信号Cont1を、Lレベルへと変化させる。これにより、昇圧回路31a3、31a2、31a1においては、時刻t2、t3、t4以降において、入力される昇圧信号Cont3、2、1のLレベルが維持されるので、昇圧動作を停止する。昇圧動作が停止されるたびに、出力電圧Voutの上昇は緩やかなものとなる。この後は、負荷容量Cloadに蓄積された電荷がリークして、出力電圧Voutが徐々に低下し、昇圧規定電圧Vloadより低くなると、昇圧回路31aが再び昇圧動作を開始する。
なお、時刻t4において、チャージポンプ回路300の出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vloadより高くなるようにするには、昇圧回路31aでのパルス信号Tosの1周期あたりにおける昇圧電圧を(昇圧規定電圧Vload−Vload4)/3とするように、昇圧回路31aのコンデンサ312aの容量値を設定することで実現可能である。また、1周期で上述の昇圧電圧を達成できない場合は、D型フリップフロップの構成を、例えばD型フリップフロップを2段直列に接続し、直列された2段を通過する毎に動作信号Compout3,2,1を発生することとしてもよい。
このような構成を用いることで、制御部10bは、昇圧動作状態において出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload4を超えた後、パルス信号Tosの立上りに同期して、昇圧部30が供給する電荷量を、減少させていくことが可能となる。これにより、昇圧規定電圧Vloadを超える出力振幅電圧Vrip’を、従来に比べ減らすことができる。また、コンパレータ回路13aは、検出電圧と基準電圧とを比較し、検出電圧が基準電圧より高いことを検出するが、コンパレータ1台で構成できるため、従来に比べ更にコンパレータのレイアウト面積を小さくでき、チャージポンプ回路全体の半導体装置に占めるレイアウト面積を小さくできる。また、検出回路12aにおいて、実施形態1における抵抗値R2、R3、R4を設定するために、単位抵抗を用いて並列配置する必要がないため、抵抗をレイアウトする際のレイアウト面積を更に小さいものとすることができる。
(第4実施形態)
図10は、第4実施形態に係るチャージポンプ回路400の構成を示す概略ブロック図である。この図において、図8の各部と対応する部分には同一の符号を付し、当該部分の説明を省略する。図示するように、チャージポンプ回路400は、制御部10cと発振回路20aと昇圧部30とを具備している。負荷容量Cloadは、チャージポンプ回路200の負荷となる容量である。
制御部10cは、基準回路11、検出回路12a、コンパレータ回路13a、D型フリップフロップ341〜343、AND回路431を備えている。検出回路12aは、第3実施形態と同じく、抵抗351及び抵抗355が直列接続された分圧回路である。
制御部10cは、昇圧部30が出力する出力電圧Voutを検出して、出力電圧Voutの電圧レベルに対応して、昇圧信号Contの周波数を高くして昇圧部31aから供給される電荷量を増大させ、昇圧信号Contの周波数を低くして昇圧部31aから供給される電荷量を減少させ、或いは昇圧信号Contの電圧レベルをLレベルに維持して、電荷供給を停止させる。すなわち、制御部10cは、出力電圧Voutの電圧レベルに対応して、昇圧部からの電荷量を制御する。
発振回路20aは、第2実施形態と同じく、定電流回路260、スイッチ部270、定電流回路275及び発振部280より構成される。
コンパレータ回路13aは、出力電圧Voutが昇圧規定電圧Vload4より高くなると、検出電圧Vaが基準電圧Vrefより高いことを検出して、動作信号Compout4(本実施形態においてスイッチ信号SWC4と同一の信号)をHレベルからLレベルへと変化させる。これにより、発振回路20aのスイッチ部270におけるスイッチSW4がオフし、スイッチ部270に流れる電流I2は、定電流回路260に流れる電流I1の3/4倍になる。また、発振部280は、発振周波数が当初の3/4倍になり、パルス信号Tosの周期を4/3倍にして出力する。制御部10aにおけるAND回路431は、発振部280から入力されるパルス信号Tosに応じて、昇圧信号Contの周波数を低くして昇圧部30に対して出力する。また、昇圧部30においては、入力される昇圧信号Contの周波数が下がるので、出力電圧Voutの上昇を緩やかなものとする。
D型フリップフロップ343、342は、パルス信号TosのHレベルへの変化の立ち上がりに同期して、それぞれ動作信号Compout3,2(本実施形態において、それぞれスイッチ信号SWC3,2と同一の信号)をLレベルへと変化させる。これにより、発振回路20aのスイッチ部270におけるスイッチSW3、SW2がオフし、発振部280の発振周波数が当初の2/4、1/4倍になる。また、制御部10cにおけるAND回路431は、発振部280から入力されるパルス信号Tosに応じて、昇圧信号Contの周波数を低くして昇圧部30に対して出力する。昇圧部30においては、入力される昇圧信号Contの周波数が下がるので、出力電圧Voutの上昇を更に緩やかなものとする。
D型フリップフロップ341は、次のパルス信号TosのHレベルへの変化の立ち上がりに同期して、動作信号Compout1をLレベルへと変化させる。これにより、制御部10cにおけるAND回路431は、昇圧信号ContをLレベルに変化させ、昇圧部30の昇圧動作を停止させる。
この後は、負荷容量Cloadに蓄積された電荷がリークして、出力電圧Voutが徐々に低下し、昇圧規定電圧Vloadより低くなると、昇圧回路31aが再び昇圧動作を開始する。
このような構成を用いることで、発振回路の周波数を低くしていく場合においても、コンパレータ回路13aは1台で構成できるため、従来に比べ更にコンパレータのレイアウト面積を小さくでき、チャージポンプ回路全体の半導体装置に占めるレイアウト面積を小さくできる。また、検出回路12aにおいて、実施形態2における抵抗値R2、R3、R4を設定するために、単位抵抗を用いて並列配置する必要がないため、抵抗をレイアウトする際のレイアウト面積を更に小さいものとすることができる。
100,200,300,400,900…チャージポンプ回路、
10,10a,10b,10c,71,81,91…制御部、
11…基準回路、12,12a,712,912…検出回路、13,13a,261,713,713a,913…コンパレータ回路、
20,20a…発振回路、260,275…定電流回路、270…スイッチ部、280…発振部、
30,93…昇圧部、
Compout,Compout1,Compout2,Compout3,Compout4…動作信号、
Cont,Cont1,Cont2,Cont3,Cont4…昇圧信号、
Tos…パルス信号、ck…パルス信号、
31a,31a1,31a3,31a4…昇圧回路、
312a,312a1,312aj…コンデンサ、
311a,311a1,311ai…Nチャネル型トランジスタ、
313,314,280I1,934…インバータ、
J1,J265,J270,J275…接続点、
SW2,SW3,SW4…スイッチ、SWC2,SWC3,SWC4…スイッチ信号、
131,132,133,134,231,331,332,333,334,431,731,831…AND回路、
281…NAND回路、
101p,111p,112p,113p,114p,265p,270p1,270p2,270p3,270p4,275p,280p1…Pチャネル型トランジスタ、
101n,111n,112n,113n,114n,270n,275n,280n1…Nチャネル型トランジスタ、
151,152,153,154,155,265,351,355,951,952,751,752,755…抵抗、
121,122,123,124,221,222,223,224,822…バッファ回路、
341,342,343…D型フリップフロップ、
931a,931a1,931a2,931a3,931a4…昇圧回路、
932a1,932ai…ダイオード、
933a1,933aj…コンデンサ、
94,Pout…出力端子、
Vload,Vload2,Vload3,Vload4…昇圧規定電圧、Va,Va1,Va2,Va3,Va4…検出電圧

Claims (4)

  1. 予め定められた周期のパルス信号を出力する発振回路と、
    電圧を昇圧するn(n≧)個の並列に接続された昇圧回路を備え、前記パルス信号に応じて電荷量を出力する昇圧部と、
    前記昇圧部の出力電圧と、予め定められた規定電圧とを比較し、比較結果に応じて前記昇圧部からの前記電荷量を制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記昇圧部の出力電圧を分圧し、1以上の分圧ノードから分圧電圧を出力する分圧回路と、
    前記分圧電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、比較結果に応じて第1〜第nの比較結果信号を発生するコンパレータと、を有し、
    前記第1〜第nの比較結果信号に基づいて前記昇圧部に備えられた前記n個の昇圧回路への前記パルス信号の供給を制御し、
    前記分圧回路は、n個の分圧ノードからn個の分圧電圧を出力し、
    前記コンパレータは、
    予め設定された基準電圧に応じて定電流を発生する定電流発生部と、
    前記定電流発生部とカレントミラー接続されたn個の第1導電型トランジスタと、
    前記n個の第1導電型トランジスタの各々に共通ノードを介して直列接続され、前記n個の分圧電圧各々により制御されるn個の第2導電型トランジスタと、を有し、
    前記n個の分圧電圧の各々が前記基準電圧に達すると、第1〜第nの比較結果信号を、前記分圧回路の分圧比の大きい前記分圧ノードに対応する前記共通ノードから発生することを特徴とするチャージポンプ回路。
  2. 予め定められた周期のパルス信号を出力する発振回路と、
    電圧を昇圧するn(n≧)個の並列に接続された昇圧回路を備え、前記パルス信号に応じて電荷量を出力する昇圧部と、
    前記昇圧部の出力電圧と、予め定められた規定電圧とを比較し、比較結果に応じて前記昇圧部からの前記電荷量を制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記昇圧部の出力電圧を分圧し、1以上の分圧ノードから分圧電圧を出力する分圧回路と、
    前記分圧電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、比較結果に応じて第1〜第nの比較結果信号を発生するコンパレータと、を有し、
    前記第1〜第nの比較結果信号に基づいて前記昇圧部に備えられた前記n個の昇圧回路への前記パルス信号の供給を制御し、
    前記分圧回路は、1個の分圧ノードから分圧電圧を出力し、
    前記コンパレータは、前記分圧電圧が前記基準電圧に達すると第1の比較結果信号を発生し、
    前記制御部は、D型フリップフロップを(n−1)段配列したシフトレジスタを有し、
    前記シフトレジスタの初段のデータ入力端子には前記第1の比較結果信号が入力され、前記シフトレジスタのクロック入力端子には前記パルス信号が入力され、シフト動作において1段目〜(n−1)段目のD型フリップフロップのデータ出力端子から第2〜第nの比較結果信号を発生することを特徴とするチャージポンプ回路。
  3. 予め定められた周期のパルス信号を出力する発振回路と、
    電圧を昇圧するn(n≧)個の並列に接続された昇圧回路を備え、前記パルス信号に応じて電荷量を出力する昇圧部と、
    前記昇圧部の出力電圧と、予め定められた規定電圧とを比較し、比較結果に応じて前記昇圧部からの前記電荷量を制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記昇圧部の出力電圧を分圧し、1以上の分圧ノードから分圧電圧を出力する分圧回路と、
    前記分圧電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、比較結果に応じて第1〜第nの比較結果信号を発生するコンパレータと、を有し、
    前記第1〜第nの比較結果信号に基づいて前記パルス信号の発振周波数を制御し、
    前記分圧回路は、n個の分圧ノードからn個の分圧電圧を出力し、
    前記コンパレータは、
    予め設定された基準電圧に応じて定電流を発生する定電流発生部と、
    前記定電流発生部とカレントミラー接続されたn個の第1導電型トランジスタと、
    前記n個の第1導電型トランジスタの各々に共通ノードを介して直列接続され、前記n個の分圧電圧各々により制御されるn個の第2導電型トランジスタと、を有し、
    前記n個の分圧電圧の各々が前記基準電圧に達すると、第1〜第nの比較結果信号を、前記分圧回路の分圧比の大きい前記分圧ノードに対応する前記共通ノードから発生することを特徴とするチャージポンプ回路。
  4. 予め定められた周期のパルス信号を出力する発振回路と、
    電圧を昇圧するn(n≧)個の並列に接続された昇圧回路を備え、前記パルス信号に応じて電荷量を出力する昇圧部と、
    前記昇圧部の出力電圧と、予め定められた規定電圧とを比較し、比較結果に応じて前記昇圧部からの前記電荷量を制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、
    前記昇圧部の出力電圧を分圧し、1以上の分圧ノードから分圧電圧を出力する分圧回路と、
    前記分圧電圧と予め設定された基準電圧とを比較し、比較結果に応じて第1〜第nの比較結果信号を発生するコンパレータと、を有し、
    前記第1〜第nの比較結果信号に基づいて前記パルス信号の発振周波数を制御し、
    前記分圧回路は、1個の分圧ノードから分圧電圧を出力し、
    前記コンパレータは、前記分圧電圧が前記基準電圧に達すると第1の比較結果信号を発生し、
    前記制御部は、D型フリップフロップを(n−1)段配列したシフトレジスタを有し、
    前記シフトレジスタの初段のデータ入力端子には前記第1の比較結果信号が入力され、前記シフトレジスタのクロック入力端子には前記パルス信号が入力され、シフト動作において1段目〜(n−1)段目のD型フリップフロップのデータ出力端子から第2〜第nの比較結果信号を発生することを特徴とするチャージポンプ回路。
JP2009221879A 2009-09-28 2009-09-28 チャージポンプ回路 Active JP5418112B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009221879A JP5418112B2 (ja) 2009-09-28 2009-09-28 チャージポンプ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009221879A JP5418112B2 (ja) 2009-09-28 2009-09-28 チャージポンプ回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011071791A JP2011071791A (ja) 2011-04-07
JP5418112B2 true JP5418112B2 (ja) 2014-02-19

Family

ID=44016619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009221879A Active JP5418112B2 (ja) 2009-09-28 2009-09-28 チャージポンプ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5418112B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017054574A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 株式会社東芝 電圧発生回路及び半導体記憶装置
WO2019009087A1 (ja) * 2017-07-06 2019-01-10 株式会社村田製作所 電圧供給回路および高周波回路モジュール
TWI829536B (zh) * 2023-02-20 2024-01-11 華碩電腦股份有限公司 充電控制電路

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2917914B2 (ja) * 1996-05-17 1999-07-12 日本電気株式会社 昇圧回路
JPH1050088A (ja) * 1996-08-05 1998-02-20 Ricoh Co Ltd 半導体装置
JP2000173266A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp 昇圧回路

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011071791A (ja) 2011-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8879312B2 (en) Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same
JP2004274861A (ja) 昇圧回路
JP2007020247A (ja) 電源回路
EP2166655A1 (en) Controlled charge pump arrangement and method for controlling a clocked charge pump
JP2006136134A (ja) チャージポンプ回路
CN111211682A (zh) 具有改善放电的电荷泵电路和对应的放电方法
JP5418112B2 (ja) チャージポンプ回路
US20150214837A1 (en) Charge pump circuit
JP6756590B2 (ja) 昇圧回路及びそれを備えた不揮発性メモリ
JP5426357B2 (ja) 昇圧回路、昇圧方法、半導体装置
KR102454863B1 (ko) 차지 펌프 회로 및 이를 포함하는 내부 전압 생성 회로
US7659787B2 (en) Circuit for generating clock of semiconductor memory apparatus
JP5336770B2 (ja) 昇圧回路
JP2006345611A (ja) チャージポンプ回路
JP5760784B2 (ja) 電圧生成回路、半導体装置及び電圧生成回路の制御方法
JP3713267B2 (ja) チャージポンプ回路
JP2010288185A (ja) チャージポンプ回路
JP2009027919A (ja) チャージポンプ回路
JP6184179B2 (ja) 電源の制御回路、電源装置及び電源の制御方法
JP6783879B2 (ja) チャージポンプ回路
JP2010050825A (ja) チャージポンプ回路
JP2007141445A (ja) 昇圧電位発生ユニット
KR101378512B1 (ko) 동기형 dc-dc 컨버터
JP2005078141A (ja) 電源装置
JP2013013221A (ja) 半導体装置およびそれを用いたdc/dcコンバータ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120823

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20131001

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131022

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131104

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5418112

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250