JP5391003B2

JP5391003B2 - 光反射性回路基板

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Publication number: JP5391003B2
Application number: JP2009207762A
Authority: JP
Inventors: 貴文今野; 稔小野寺
Original assignee: Kuraray Co Ltd
Current assignee: Kuraray Co Ltd
Priority date: 2009-09-09
Filing date: 2009-09-09
Publication date: 2014-01-15
Anticipated expiration: 2029-09-09
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Description

本発明は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、そのフィルムの一方の面に配設された回路層と、前記フィルムの他方の面に熱圧着された光反射層とで構成され、光反射性に優れる回路基板に関し、特に、光反射性と放熱性との双方に優れている回路基板に関する。

ＬＥＤなどの発光素子は、低消費電力、長寿命、小型であるため数多くの電子機器に利用されている。しかしながら、近年、輝度向上のニーズや、発光装置の大型化に対応させるために、発光素子を実装する配線基板には、発光素子で発生する熱を効果的に放熱するパスの形成が必要となっている。

このようなパスを形成する観点から、特許文献１（特開２００８−１６９５１３号公報）には、特定の光反射性熱伝導性フィラーと、バインダ樹脂とを含む光反射性熱伝導性樹脂組成物で形成された光反射性熱伝導樹脂層を、電気絶縁層およびまたは電気絶縁性接着層を介して、電子実装基板の配線パターン上に積層した電子実装基板が開示されている。

この電子実装基板では、デバイス実装面の金属配線パターン上に電気絶縁層を介して積層する事により、デバイス実装面内にデバイスの発熱を効率的に放熱する放熱パス（熱拡散、熱輸送）を形成し、また同時にヒートシンク（気相への熱放出機構）としても機能させる事ができる。更には、実装基板表面の光反射性を高める事ができるので、発光素子の出射光をより効率的に外部空間に取り出す事も可能になる。

特開２００８−１６９５１３号公報（特許請求の範囲、段落番号［００７７］）

しかしながら、特許文献１の電子実装基板では、光反射性熱伝導性フィラーを用いているため、光反射性が散乱反射となり十分ではない。また、このような散乱反射により、発光素子から発せられた光の一部は基板内部にとどまってしまうため、光エネルギーに由来する電子実装基板を構成するバインダ樹脂の劣化を十分抑制することはできない。

従って本発明の目的は、回路基板に入射した光を主として正反射により反射でき、光反射性に優れる回路基板を提供することにある。
本発明の別の目的は、光反射性および放熱性に優れ、回路基板に入射する光の量を低減して光エネルギーの侵入を抑制するだけでなく、回路基板に入射した光に由来して発生する熱を速やかに外部へと放出することが可能な回路基板を提供することにある。

本発明のさらに別の目的は、高周波を含む幅広い範囲の周波数における誘電特性に優れ、比誘電率が小さいだけでなく誘電正接も低い回路基板を提供することにある。

本発明の他の目的は、一体性に優れ、反りの発生を抑制することができる回路基板を提供することにある。

本発明者等は上記した従来技術の問題点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、光の波長の中でも、特にＨＥＶ（High Energy Visible Light）に注目し、熱可塑性液晶ポリマーシートにおいて、回路層が設けられた面の反対側の面に、光反射層を熱圧着させると、（ｉ）この波長の光に対して反射率が高くなり、回路基板を構成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムへの光エネルギーによる劣化を有効に防止できるだけでなく、（ｉｉ）回路基板に取り付けられた発光体から発生する光の利用効率を向上できること、そして、（ｉｉｉ）粘着層を介することなく、光反射層が熱可塑性液晶ポリマーシートが融着されるため、熱伝導阻害も生じず、光反射層と熱可塑性液晶ポリマーフィルムとの一体性にも優れる回路基板を得られることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明は、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、
前記の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成された回路層と、
前記の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの他方の面に熱圧着された光反射層と、
を少なくとも含み、４００〜５００ｎｍの波長領域において、平均光反射率が５０％以上である回路基板である。

本発明の回路基板は、さらに可視光線領域の光反射率に優れていてもよく、例えば、前記回路基板は、３８０〜７７０ｎｍの範囲の波長領域において、その平均光反射率が５０％以上であってもよい。

前記回路基板では、放熱性に優れ、たとえば、平面方向の熱伝導率が３．０Ｗ／ｍＫ以上であってもよい。

また、前記回路基板では、高周波領域における誘電特性にも優れ、たとえば、１ＧＨｚにおける比誘電率が４．０未満であってもよく、および／または、１ＧＨｚにおける誘電正接が０．００５未満であってもよい。

前記回路基板では、光反射層が、鏡面反射性を有する金属、例えば、銀、アルミニウム、金、ニッケル、およびステンレスから選択された少なくとも一種の金属で構成されていてもよい。

さらにまた、前記回路基板では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数（ＣＴＥｐ）と、光反射層および／または回路層を構成する金属との熱膨張係数（ＣＴＥｍ）との比（ＣＴＥｐ／ＣＴＥｍ）が、０．５〜２の範囲内であってもよい。

前記回路基板は、光反射性に優れるとともに、放熱性にも優れるため、熱による悪影響を受けやすいＬＥＤなどの発光素子に対して有用に用いることができ、例えば、前記回路基板は、発光素子を実装するための基板として、用いてもよい。

本発明の回路基板は、特にエネルギーの高い可視光線であるＨＥＶに対する光反射性に優れるため、この光を反射して、光の利用効率を高めるだけでなく、この光に由来して発生する回路基板の光劣化を抑制することができる。

また、本発明の回路基板では、接着剤層を介することなく、光反射層が熱可塑性液晶ポリマーフィルムと熱圧着により一体されているため、回路基板としての一体性に優れるとともに、接着剤層に由来する熱伝導阻害も発生しない。

さらにまた、本発明の回路基板では、高い光反射率とともに高い熱伝導率を有することにより、光エネルギーに由来する基板への熱の発生を有効に抑制できるだけでなく、発生した熱を放熱することにより、回路基板に実装されている電子部品への熱の影響を低減することができる。

特に、本発明の回路基板は、幅広い周波数帯（特に、１ＧＨｚ以上の高周波帯）における誘電特性にも優れているため、電子機器における信号伝送速度を高めることができるだけでなく、発熱量自体を抑制することができる。

本発明の一実施形態に係る回路基板を示す概略断面図である。

本発明の回路基板は、図１に示すように、熱可塑性液晶ポリマーフィルム１１と、前記フィルム１１の一方の面に形成された回路層１２と、前記フィルム１１の他方の面に形成された光反射層１３とを含む回路基板である。

なお、図示はしていないが、本発明の回路基板は、所定の光反射性を有する限り、１以上の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、１以上の回路層と、１以上の光反射層とが、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルム１１と、前記フィルム１１の一方の面に形成された回路層１２と、前記フィルム１１の他方の面に形成された光反射層１３とを含む回路基板を基本構成単位として積層されている多層回路基板であってもよい。

（熱可塑性液晶ポリマーフィルム）
熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、溶融成形できる液晶性ポリマーから形成され、この熱可塑性液晶ポリマーは、溶融成形できる液晶性ポリマーであれば特にその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入された熱可塑性液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。

また熱可塑性液晶ポリマーは、芳香族ポリエステルまたは芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カーボネート結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。

本発明に用いられる熱可塑性液晶ポリマーの具体例としては、以下に例示する（１）から（４）に分類される化合物およびその誘導体から導かれる公知の熱可塑性液晶ポリエステルおよび熱可塑性液晶ポリエステルアミドを挙げることができる。ただし、高分子液晶を形成するためには、種々の原料化合物の組合せには適当な範囲があることは言うまでもない。

（１）芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物（代表例は表１参照）

（２）芳香族または脂肪族ジカルボン酸（代表例は表２参照）

（３）芳香族または脂肪族ヒドロキシカルボン酸（代表例は表３参照）

（４）芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸（代表例は表４参照）

これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として表５および６に示す構造単位を有する共重合体を挙げることができる。

これらの共重合体のうち、ｐ―ヒドロキシ安息香酸および／または６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸を少なくとも繰り返し単位として含む重合体が好ましく、特に、（ｉ）ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む重合体、（ｉｉ）６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む重合体、が最も好ましい実施形態である。

例えば、熱可塑性液晶ポリマーが、少なくともｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸との繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位（Ａ）のｐ−ヒドロキシ安息香酸と、繰り返し単位（Ｂ）の６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸とのモル比（Ａ）／（Ｂ）は、液晶ポリマー中、（Ａ）／（Ｂ）＝１０／９０〜９０／１０程度であるのが望ましく、より好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝５０／５０〜８５／１５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝６０／４０〜８０／２０程度であってもよい。

また、熱可塑性液晶ポリマーが、６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸と、４，４’−ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む場合、液晶ポリマーにおける各繰り返し単位のモル比は、６−ヒドロシキ−２−ナフトエ酸の繰り返し単位（Ｃ）：前記芳香族ジオール（Ｄ）：前記芳香族ジカルボン酸（Ｅ）＝３０〜８０：３５〜１０：３５〜１０程度であってもよく、より好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝３５〜７５：３２．５〜１２．５：３２．５〜１２．５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝４０〜７０：３０〜１５：３０〜１５程度であってもよい。

また、芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位と芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位とのモル比は、（Ｄ）／（Ｅ）＝９５／１００〜１００／９５であることが好ましい。この範囲をはずれると、重合度が上がらず機械強度が低下する傾向がある。

なお、本発明にいう溶融時における光学的異方性とは、例えば試料をホットステージにのせ、窒素雰囲気下で昇温加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。

熱可塑性液晶ポリマーとして好ましいものは、融点（以下、Ｍｐと称す）が２６０〜３６０℃の範囲のものであり、さらに好ましくはＭｐが２７０〜３５０℃のものである。なお、Ｍｐは示差走査熱量計（（株）島津製作所ＤＳＣ）により主吸熱ピークが現れる温度を測定することにより求められる。

前記熱可塑性液晶ポリマーには、本発明の効果を損なわない範囲内で、ポリエチレンテレフタレート、変性ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエステルエーテルケトン、フッ素樹脂等の熱可塑性ポリマーを添加してもよい。

本発明に使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して得られる。任意の押出成形法が適用できるが、周知のＴダイ法、ラミネート体延伸法、インフレーション法などが工業的に有利である。特にインフレーション法やラミネート体延伸法では、フィルムの機械軸方向（以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）にも応力が加えられるため、ＭＤ方向とＴＤ方向における機械的性質および熱的性質のバランスのとれたフィルムが得られる。

押出成形では、延伸処理を伴っていてもよく、例えば、Ｔダイ法による押出成形では、Ｔダイから押出した溶融体シートを、フィルムの機械軸方向（以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）の双方に対して同時に延伸してもよいし、またはＴダイから押出した溶融体シートを一旦ＭＤ方向に延伸し、ついでＴＤ方向に延伸してもよい。

また、インフレーション法による押出成形では、リングダイから溶融押出された円筒状シートに対して、所定のドロー比（ＭＤ方向の延伸倍率に相当する）およびブロー比（ＴＤ方向の延伸倍率に相当する）で延伸してもよい。

このような押出成形の延伸倍率は、ＭＤ方向の延伸倍率（またはドロー比）として、例えば、１．０〜１０程度であってもよく、好ましくは１．２〜７程度、さらに好ましくは１．３〜５程度であってもよい。また、ＴＤ方向の延伸倍率（またはブロー比）として、例えば、１．５〜２０程度であってもよく、好ましくは２〜１５程度、さらに好ましくは２．５〜１０程度であってもよい。

また、必要に応じて、押出成形された原反シートに対して、公知または慣用の熱処理（例えば、液晶ポリマーの融点（Ｍｐ）以上（例えば、Ｍｐ〜Ｍｐ＋３０℃程度、好ましくはＭｐ＋１０〜Ｍｐ＋２０℃程度）で熱処理を行い、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点や熱膨張係数を調整してもよい。

また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、押出成形した後に、必要に応じて延伸を行ってもよい。延伸方法自体は公知であり、二軸延伸、一軸延伸のいずれを採用してもよいが、分子配向度を制御することがより容易であることから、二軸延伸が好ましい。また、延伸は、公知の一軸延伸機、同時二軸延伸機、逐次二軸延伸機などが使用できる。

また、放熱性を向上させる観点から、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、平面方向の熱伝導率が１．０Ｗ／ｍＫ以上（例えば１〜３０Ｗ／ｍＫ程度）、好ましくは１．２Ｗ／ｍＫ以上であってもよい。

さらに、誘電特性を高める観点から、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの１ＧＨｚにおける比誘電率は、４．０以下（例えば、１．８〜３．６程度）、好ましくは２．５〜３．４程度であってもよい。このような比誘電率を有することにより、電気信号の電送損失を低減することができる。

さらにまた、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの１ＧＨｚにおける誘電正接は、０．００５以下（例えば、０．０００１〜０．００４程度）、好ましくは０．００１〜０．００３程度であってもよい。このような誘電正接を有することにより、低電力化や低ノイズ化が可能となり、それに伴って生じる発熱量を低減することができる。

熱可塑性液晶ポリマーフィルムの厚みは、例えば、１０〜２００μｍ程度であってもよく、より好ましくは２０〜１５０μｍ、特に好ましくは２５〜１００μｍである。

熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、回路基板の一体性を高めるとともに、反りなどの変形を抑制する観点から、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数（ＣＴＥｐ）と、回路層を構成する金属との熱膨張係数（ＣＴＥｍ１）との比（ＣＴＥｐ／ＣＴＥｍ１）は、０．５〜２程度であってもよく、より好ましくは０．８〜１．８程度であってもよい。

また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数（ＣＴＥｐ）と、光反射層を構成する金属との熱膨張係数（ＣＴＥｍ２）との比（ＣＴＥｐ／ＣＴＥｍ２）も、０．５〜２程度であってもよく、より好ましくは０．８〜１．８程度であってもよい。

ＣＴＥｍ１とＣＴＥｍ２のいずれかが、ＣＴＥｐと上述の関係を満たしているのが好ましく、ＣＴＥｍ１とＣＴＥｍ２の双方が、ＣＴＥｐと上述の関係を満たしているのがより好ましい。

このような熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、（株）クラレから、「ベクスタＦＡ」、「ベクスタＯＣ」、「ベクスタＣＴ」、「ベクスタＣＴＶ」などとして上市されている。

（回路層）
回路層は、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成され、所定のパターンの配線回路を構成している。回路層の形成は、公知又は慣用の方法により行なわれ、スパッタリング法、メッキ法などを用いてもよい。また、例えば、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、回路用導体シートを熱圧着などの公知又は慣用の方法により貼り付けた後、感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を経て、所定のパターンの配線回路を、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成してもよい。

回路層を形成する金属としては、導体回路を形成できる限り特に制限されないが、例えば、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウムまたはこれらの合金金属などが挙げられる。これらの金属のうち、銅が好ましく用いられる。

回路層の厚さは、例えば、５〜５０μｍ程度であってもよく、好ましくは８〜４０μｍ程度であってもよい。

（光反射層）
光反射層は、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムにおいて、回路層が形成された面の他方の面に形成され、回路層側から照射される光を光反射層によって回路層側へと反射させ、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して光エネルギーが吸収されるのを抑制している。

本発明では、このような光反射層を備えた回路基板において、４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域であるＨＥＶへの平均光反射率が、５０％以上であることが必要であり、このような光反射率を達成できる限り、光反射層の材質は特に制限されない。

例えば、光反射層としては、４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域における光反射率が７０％以上である鏡面反射性を有する金属から形成された鏡面性金属シートが挙げられ、具体的には、例えば、銀、アルミニウム、金、ニッケル、ステンレスなどの金属シートが挙げられる。なお、回路基板において、光反射層の外側には、必要に応じて、保護層などが形成されていてもよい。

例えば、回路層を形成する導体シートと、光反射層を形成する鏡面性金属シートとは、同種の金属から形成されていてもよいし、異なる種類の金属から形成されていてもよいが、好ましい組み合わせは、導体シートを構成する金属が銅またはアルミニウムであり、金属シートを構成する金属がアルミニウムまたはステンレスであり、特に好ましくは、導体シートを構成する金属が銅であり、鏡面性金属シートを構成する金属がアルミニウムである。

光反射層（または、鏡面性金属シート）の厚さは、例えば、５〜１００μｍ程度であってもよく、好ましくは８〜８０μｍ程度であってもよい。また、光反射層の厚さは、回路層の厚さの２倍以上（例えば、２〜５倍）、好ましくは３倍以上（例えば、３〜４倍）であってもよい。

光反射層は、回路層が形成される前の熱可塑性液晶ポリマーフィルム、または回路層が形成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、回路層とは反対側の面に熱圧着により貼り付けられてもよいし、または、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、回路層を形成する導体シートと光反射層を形成する鏡面性金属シートとの双方を同時に熱圧着により貼り付けてもよい。

例えば、フィルム送り出し用ロールから送り出された熱可塑性液晶ポリマーフィルムの上面には、回路用導体シート送り出し用ロールから送り出された導体シートが重ねられ、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの下面には、光反射層用金属シート送り出し用ロールから送り出された鏡面性金属シートが重ねられる。そして、導体シート、熱可塑性液晶ポリマーフィルム、および鏡面性金属シートが上から順に重ねられた積層体は、一対の加熱ロール間を通過し、圧着される。なお、加熱ロールは誘電加熱方式の金属ロールである。これにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの上面に導体シートが、下面には鏡面性金属シートが熱接合され、金属張積層体が形成されて積層体巻取ロールに巻き取られる。

その後、金属張積層体の導体シートに対して、感光性レジスト処理、露光、エッチング加工が行なわれ、所定のパターンの配線回路が施された本発明の回路基板を作製することができる。

（回路基板）
このようにして形成された回路基板は、光反射層を形成しているため、４００〜５００ｎｍの波長領域であるＨＥＶ（High Energy Visible Light）への平均光反射率が、５０％以上である。また、ＨＥＶへの平均光反射率は、好ましくは６０％以上、さらに好ましくは７０％以上であってもよい。なお、平均光反射率は、後述する実施例に記載された方法により測定された値を示す。

さらに好ましくは、本発明の回路基板は、３８０〜７７０ｎｍの範囲の波長領域である可視光線への平均光反射率が、５０％以上、好ましくは６０％以上、さらに好ましくは７０％以上であってもよい。

また、放熱性を向上させる観点から、回路基板は、平面方向の熱伝導率が３．０Ｗ／ｍＫ以上（例えば３．０〜３００Ｗ／ｍＫ程度）、好ましくは１０Ｗ／ｍＫ以上、さらに好ましくは５０Ｗ／ｍＫ以上であってもよい。

さらに、誘電特性を高める観点から、例えば、回路基板の１ＧＨｚにおける比誘電率は、４．０未満（例えば、１．８〜３．８程度）、好ましくは２．５〜３．６程度であってもよい。このような比誘電率を有することにより、電気信号の電送損失を低減することができる。

さらにまた、回路基板の１ＧＨｚにおける誘電正接は、０．００５未満（例えば、０．０００１〜０．００４程度）、好ましくは０．００１〜０．００３程度であってもよい。このような誘電正接を有することにより、低電力化や低ノイズ化が可能となり、それに伴って生じる発熱量を低減することができる。

本発明の回路基板は、このように高い光反射率を有するため、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対する光劣化を抑制することができる。そのため、本発明の回路基板は、各種の電子素子を実装する回路基板として有効に利用することができる。特に、高い光反射性と放熱性の双方を備える場合、本発明の回路基板は、熱に対する影響を受けやすいＬＥＤなどの発光素子を実装するための回路基板として、特に好適に用いることができる。

以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。

［平均光反射率］
分光光度計（日本分光（株）製、「Ｖ−５７０」）を用いて、３８０ｎｍ〜７７０ｎｍの波長領域における、回路基板の全反射率（鏡面反射率＋拡散反射率）を２ｎｍ毎に測定し、所定の波長領域における平均全反射率を計算により求めた。

［熱膨張係数（ｐｐｍ／℃）］
フィルムの熱膨張係数とは、室温からフィルムの熱変形温度付近まで一定昇温速度で加熱したときの膨張率を温度差で割った係数であり、以下のように算出される。

まず、周知の熱機械分析装置を用い、短冊状に切断したフィルムの一端を固定し、もう一端に引張の荷重を付与し、一定昇温速度で加熱した時の膨張量を計測する。例えば、フィルムの引張荷重方向の長さをＬ０（ｍｍ）、加熱時のフィルムの長さをＬ１（ｍｍ）、加熱温度をＴ２（℃）とし、室温をＴ１（℃）とすると、熱膨張係数αＬは以下の式で算出できる。
αＬ＝［（Ｌ１−Ｌ０）／（Ｔ２−Ｔ１）］／Ｌ０（×１０^−６ｃｍ／ｃｍ／℃）
本発明ではＬ０を２０ｍｍ、Ｔ２を１５０℃、Ｔ１を２５℃、引張荷重を１ｇとして採用している。

［熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）］
レーザーフラッシュ法熱定数測定装置（（株）リガク製、「ＬＦ／ＴＣＭＦＡ８５１０Ｂ」）を用い、測定温度２０℃にて測定した。

［シート厚み（μｍ）］
回路基板の厚みを、（株）ミツトヨ製デジマチックインジケータを用いて測定した。測定は、回路基板から試料断片（縦５０ｃｍ×横５０ｃｍ）を採取し、各試料について、ランダムに１００点を測定し、その平均値を用いて、シートの厚さとした。

［誘電特性］
誘電率測定は周波数１ＧＨｚで共振摂動法により実施した。ネットワークアナライザ（ＡｇｉｌｅｎｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製「Ｅ８３６２Ｂ」）に１ＧＨｚの空洞共振器（（株）関東電子応用開発）を接続し、空洞共振器に微小な材料（幅：２ｍｍ×長さ：９０ｍｍ）を挿入し、温度２０℃、湿度６５％ＲＨ環境下、９６時間の挿入前後の共振周波数の変化から材料の誘電率および誘電損失を測定した。

（実施例１）
熱可塑性液晶ポリマーフィルム（厚み２５μｍ、融点２８０℃、（株）クラレ製、「ベクスターＦＡ」）に対して、一方の面に厚さ１８μｍの電解銅箔（熱膨張係数１８×１０^−６ｃｍ／ｃｍ／℃）を、他方の面に厚さ５０μｍのアルミニウム箔（熱膨張係数２４×１０^−６ｃｍ／ｃｍ／℃）を重ねあわせ、これらを重ね合わせた状態で、連続熱ロールプレス装置に供給し、３００℃の加熱状態で圧着して、電解銅箔／熱可塑性液晶ポリマーフィルム／アルミニウム箔の構成の積層体を作製した。
次いで、２７０℃の窒素雰囲気下のオーブンに導入し３０秒間熱処理した。得られた積層体の電解銅箔に対して感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を行って回路配線をプリントし、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に回路層を、他方の面に光反射層を備える回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表７に示す。

（実施例２）
熱可塑性液晶ポリマーフィルム（厚み２５μｍ、融点３２８℃、（株）クラレ製、「ベクスターＣＴＶ」）に対して、一方の面に厚さ１８μｍの電解銅箔（熱膨張係数１８×１０^−６ｃｍ／ｃｍ／℃）を、他方の面に厚さ５０μｍのアルミニウム箔（熱膨張係数２３×１０^−６ｃｍ／ｃｍ／℃）を重ねあわせ、これらを重ね合わせた状態で、連続熱ロールプレス装置に供給し、３００℃の加熱状態で圧着して、電解銅箔／熱可塑性液晶ポリマーフィルム／アルミニウム箔の構成の積層体を作製した。次いで、２８０℃の窒素雰囲気下のオーブンに導入し３０秒間熱処理した。得られた積層体の電解銅箔に対して感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を行って回路配線をプリントし、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に回路層を、他方の面に光反射層を備える回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表７に示す。

（実施例３）
実施例１のフィルムの厚みを５０μｍにする以外は、実施例１と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表７に示す。

（実施例４）
実施例２のフィルムの厚みを５０μｍにする以外は、実施例２と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表７に示す。

（比較例１）
ポリイミドフィルム（厚み５０μｍ、融点なし、東レ・デュポン（株）製、「カプトン」）に対して、一方の面に厚さ１８μｍの電解銅箔（熱膨張係数１８×１０^−６ｃｍ／ｃｍ／℃）を、他方の面に厚さ５０μｍのアルミニウム箔（熱膨張係数２３×１０^−６ｃｍ／ｃｍ／℃）を、これらの間にそれぞれ挿入した１２．５μｍの接着剤層を介して重ねあわせ、これらを重ね合わせた状態で、真空熱プレス装置に供給し、１８０℃の加熱状態で圧着して、電解銅箔／ポリイミドフィルム／アルミニウム箔の構成の積層体を作製した。得られた積層体の電解銅箔に対して感光性レジスト処理、露光、エッチング加工を行って回路配線をプリントし、ポリイミドフィルムの一方の面に回路層を、他方の面に光反射層を備える回路基板を作製した。得られた回路基板の物性を表７に示す。

表７に示すように、実施例１〜４の回路基板は、いずれも４００〜５００ｎｍの波長領域における平均光反射率が５０％以上であり、３８０〜７７０ｎｍの波長領域における平均光反射率についても５０％以上である。また、実施例１〜４の回路基板では、ポリマー基材層の熱膨張係数と、回路層および光反射層の熱膨張係数が、それぞれ特定の範囲にあるため、回路としての一体性に優れると共に、反りなどを生じにくい。さらに、実施例１〜４の回路基板は熱伝導率も高く、放熱性に優れている。さらにまた、実施例１〜４の回路基板は、誘電特性にも優れ、特に１ＧＨｚの高周波領域における誘電性能に優れている。

一方、熱可塑性液晶ポリマーに代えて、ポリイミドを用いた比較例１では、実施例と同じ光反射層を用いても、平均光反射率はきわめて低く、３８０〜７７０ｎｍの波長領域における平均光反射率についても３０％しか示していない。特に、４００〜５００ｎｍの波長領域における平均光反射率は極めて低く、１０％以下にすぎない。
また、誘電率および誘電正接についても、実施例１〜４と比較すると大きな値である。

本発明の回路基板は、上述するような電気・電子製品の回路基板材料として利用することも可能であり、特に薄型化、小型化が進んでいるＬＥＤ用のプリント配線回路基板材料などとして、有効に利用することができる。

以上のとおり、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、変更または削除が可能であり、そのようなものも本発明の範囲内に含まれる。

Claims

光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、
前記の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一方の面に形成された回路層と、
前記の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの他方の面に熱圧着された光反射層と、
を少なくとも含む回路基板であって、
前記回路基板の平面方向の熱伝導率が３．０〜３００Ｗ／ｍＫであり、
前記光反射層が、４００〜５００ｎｍの波長領域における光反射率が７０％以上である鏡面性金属シートで形成されるとともに、光反射層の厚さが５〜１００μｍであり、
４００〜５００ｎｍの波長領域において、回路層の面から測定した平均光反射率が５０％以上である回路基板。
請求項１において、３８０〜７７０ｎｍの範囲の波長領域において、平均光反射率が５０％以上である回路基板。
請求項１または２において、光反射層の厚さが、回路層の厚さの２倍以上である回路基板。
請求項１から３のいずれか一項において、１ＧＨｚにおける比誘電率が４．０未満である回路基板。
請求項１から４のいずれか一項において、１ＧＨｚにおける誘電正接が０．００５未満である回路基板。
請求項１から５のいずれか一項において、光反射層が、銀、アルミニウム、ロジウム、金、ニッケルおよびステンレスから選択された少なくとも一種の金属で構成されている回路基板。
請求項１から６のいずれか一項において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数（ＣＴＥｐ）と、光反射層および／または回路層を構成する金属との熱膨張係数（ＣＴＥｍ）との比（ＣＴＥｐ／ＣＴＥｍ）が、０．５〜２の範囲内である回路基板。
請求項１から７のいずれか一項において、発光素子を実装するための回路基板。