JP5386788B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
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Description
上記の本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の上に、半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクにチャネル領域及びゲート電極形成領域に対応した開口を形成する工程と、第2の絶縁膜を前記開口を埋めるように形成する工程と、前記開口を埋めるように形成された前記第2の絶縁膜を介して第1の導電型の不純物を前記半導体層に導入して前記チャネル領域を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、前記チャネル領域の両側の前記半導体層に、第2の導電型の不純物を導入してソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、を具備したことを特徴とする。
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に、半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクに前記チャネル領域及びゲート電極形成領域に対応した開口を形成する工程と、前記ハードマスクの開口を介してソース領域又はドレイン領域とは逆導電型の不純物を前記半導体層に導入してチャネル領域を形成する工程と、前記ハードマスクの開口領域にゲート電極を形成する工程と、前記チャネル領域の両側の前記半導体層に、不純物を導入してソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを具備したことを特徴とする。
図1は本発明の第1の実施の形態に係る電気光学装置の製造方法を示すフローチャートである。本実施の形態は電気光学装置としてTFT基板を用いた液晶装置に適用したものである。図2は本実施の形態における電気光学装置である液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図である。図3は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図2のH−H'線の位置で切断して示す断面図である。図4は図2及び図3の液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図5は本実施の形態に係る電気光学装置において採用されるTFT素子の構造を示す説明図である。また、図6乃至図8はTFT素子の製造工程を工程順に示す工程図である。なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
液晶装置は、図3及び図4に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるTFT基板10と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板20との間に液晶50を封入して構成される。対向配置されたTFT基板10と対向基板20とは、シール材52によって貼り合わされている。
次に、本実施の形態に係る電気光学装置のTFT素子の製造方法を図1及び図6乃至図8を参照して説明する。図6乃至図8において矢印は不純物注入、例えば、イオン注入することを示している。
図9は本発明の第2の実施の形態を示す説明図である。本実施の形態はPチャネルトランジスタに適用したものである。
次に、本実施の形態におけるTFT素子の製造方法を図10及び図11を参照して説明する。図10及び図11はTFT素子の製造方法を工程順に示す工程図である。Pチャネルトランジスタ製造方法では、不純物の導電型がNチャネルトランジスタと異なると共に、LDD領域を形成するための不純物導入工程が省略されている。
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置についてその全体構成を説明する。ここに、図12は投射型カラー表示装置の説明図である。
Claims (4)
- 基板の上に、半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上にハードマスクを形成する工程と、
前記ハードマスクにチャネル領域及びゲート電極形成領域に対応した開口を形成する工程と、
第2の絶縁膜を前記開口を埋めるように形成する工程と、
前記開口を埋めるように形成された前記第2の絶縁膜を介して第1の導電型の不純物を前記半導体層に導入して前記チャネル領域を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、
前記チャネル領域の両側の前記半導体層に、第2の導電型の不純物を導入してソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、
を具備し、
前記第2の絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程は、
ゲート電極材料を前記ハードマスクの前記開口を埋めるように形成する工程と、
前記ゲート電極材料を研磨して、前記ゲート電極材料を前記開口の部分のみに残し、前記第2の絶縁膜を露出させる工程と、
を具備したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記ゲート電極材料を前記開口の部分のみに残し、前記第2の絶縁膜を露出させる工程以降において、前記半導体層の不純物を熱拡散させる工程を具備したことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記ハードマスクは、酸化膜によって構成されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記ソース領域及びドレイン領域を形成する工程は、
前記第2の絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程の後に、前記ゲート電極及び前記開口の部分に配置される第2の絶縁膜をマスクとして、前記ソース領域及びドレイン領域の不純物濃度よりも低濃度の不純物濃度を有する前記第2の導電型の不純物を前記半導体層に導入して低濃度不純物領域を形成する工程と、
前記ゲート電極の形成領域よりも広い領域を覆うマスクを用いて、前記第2の導電型の不純物を前記半導体層に導入して前記ソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、
を具備したことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
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