JP5382864B2 - エッチング処理装置 - Google Patents
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Description
しかしながら、上記特許文献1のように、フォトマスクパターンを形成してエッチング処理する場合、(1)レジスト塗布、(2)露光、(3)現像、(4)エッチング、(5)レジスト除去、といった多くの工程が必要であり、時間と手間が生じていた。また、これらの各工程(1)〜(5)を実施するための装置が必要であり、設備コストの負担が問題となっていた。
以下、被処理物として半導体ウエハWを例とし、本実施の形態の処理装置S1について詳細に説明する。処理装置S1は、供給する処理液又は処理ガスに応じて洗浄、エッチング、メッキ、研磨などの様々な処理が可能なものであるが、本発明は、その中のエッチング処理に有効な機能であるため、以下、処理装置S1をエッチング処理装置S1と言う。
本実施の形態のエッチング処理装置S1は、次の通り動作する。図3(a)〜(d)は、エッチング処理装置S1の動作を説明する概略説明図である。なお、以下の各動作は図示しない制御部によりコンピュータ制御されている。
図3(a)は半導体ウエハセット工程を説明する説明図である。昇降機構13にて保持テーブル11aを上昇させて筐体21の開口部23aから筐体21外に位置させた状態とし、保持テーブル11aに半導体ウエハWをセットする。図4は、半導体ウエハWが保持テーブル11aにセットされた状態を示す上面図である。半導体ウエハWは、保持テーブル11aの上面に設けられるセット部11c,,,11cの内側に嵌め込まれる。
図3(b)(c)(d)は被覆手段セット工程を説明する説明図である。図3(b)に示されるように、位置決め手段33の回転モータ駆動部33bによりアーム32の垂直部32bを回転軸として水平部32aを水平回転させ、保持部32cに保持された被覆手段14を半導体ウエハWの上方に位置させる。
図3(e)はエッチング処理工程を説明する説明図である。保持ユニットU1は、昇降機構13により半導体ウエハWの位置決めを行う。ここでは、昇降機構13により保持テーブル11aを下降させ、エッチング処理に割り当てられている処理空間24bの近傍に半導体ウエハWを位置決めする。その後、回転手段12を駆動することにより半導体ウエハWを水平回転させ、その状態にて供給手段15からエッチング用の処理液又は処理ガスを供給する。なお、このとき、供給手段15の供給口は図示しない昇降機構13により下降されて筐体21内部に配される。半導体ウエハWの被処理面Waは、被覆手段14の開口部14aにて露出された領域に処理液又は処理ガスが供給され、被覆手段14の接触面14dに被覆された領域は処理液又は処理ガスから遮断された状態となる。これにより、開口部14aにより露出された領域のみが腐食し、接触面14dに被覆された領域は腐食せずに厚みが維持される。
エッチング処理が完了すると、半導体ウエハWの回転と処理液又は処理ガスの供給を停止し、供給手段15の供給口を上昇させ、昇降機構13により半導体ウエハWを筐体21外まで移動させることで、図3(d)と同様の状態とする。その後に、着脱ユニットU3のアーム32を回転させて保持部32cを被覆手段14まで水平移動させ、保持部32cにて被覆手段14を保持することで、図3(c)と同様の状態とする。その状態にて、昇降シリンダー33aにてアーム32の垂直部32bを伸長させ、被覆手段14を上方に持ち上げて半導体ウエハWから脱離させ、図3(b)と同様の状態とする。そして、アーム32を回転させて被覆手段14を半導体ウエハWの上方から退避させ、半導体ウエハ搬送ロボットU4にて半導体ウエハWを保持手段11から回収する(図3(a))。
本実施の形態の他の例1は、上記第一の実施の形態と被覆手段が異なるものである。なお、上記第一の実施の形態と同一の部分については同一の符号にて説明を省略する。図6は、本実施の形態の被覆手段141を示す図であり、(a)その上面図であり、(b)その下面図であり、(c)はその断面図であり、(d)は各部材14f、14gを離脱させた状態の断面図である。被覆手段141は、第一部材14fと、第一部材14fを着脱自在に保持可能な第二部材14gを備える。第一部材14fはリング形状であり、中央に開口部14aを有する。第二部材14gはリング形状を呈し、中央に開口部14h(図6(d)参照)を有する。第二部材14gの開口部14hには第一部材14fを挿入可能となっており、第二部材14gの開口部14hの周縁端部に設けられた切り欠き14iと第一部材14fの外周側に設けられた切り欠き14jとが嵌合することで、第一部材14fが第二部材14gに着脱自在に係止される。取り付け状態において、第一部材14fと第二部材14gとにより形成される半導体ウエハWとの接触面14dは平坦面となっており、半導体ウエハWとの密着が阻害されることは無い。
本実施の形態の他の例2は、上記実施の形態と被覆手段が異なるものであり、開口部14aの外周端部14kが傾斜面となっているものである。なお、上記実施の形態と同一の部分については同一の符号にて説明を省略する。図7は、上記第一の実施の形態の応用例を示す図であり、(a)は被覆手段142の上面図、(b)はその断面図である。図8は、上記第一の実施の形態の他の例1の応用例を示す図であり、(a)は被覆手段143の上面図、(b)はその断面図である。被覆手段142,143は、開口部14aの周縁端部14kが半導体ウエハWの被処理面Waとの接触面14dの側から外側に向かって広がる方向に傾斜している。
図9は、本実施の形態のエッチング処理装置S2の内部構造を示す概略断面図である。なお、上記第一の実施の形態と同一部分は同一の符号を用いて説明を省略する。
本実施の形態のエッチング処理装置S2は、次の通り動作する。図12(a)〜(c)は、エッチング処理装置S2の動作を説明する概略説明図である。なお、以下の各動作は図示しない制御部によりコンピュータ制御されている。また、上記実施の形態と同様の動作については簡略に説明する。
図12(a)は半導体ウエハセット工程を説明する説明図である。保持テーブル11aを開口部23aから筐体21外に位置させた状態にて、半導体ウエハ搬送ロボットU4により半導体ウエハWを被覆手段144にセットする。これにより、被覆手段114に半導体ウエハWが装着された状態となり、半導体ウエハWの被処理面Waの所定領域が被覆手段144の接触面14dにより被覆される。なお、半導体搬送ロボットU4のアームは、被覆手段144との衝突を回避するために、先端部において下方に屈曲した形状となっており、半導体ウエハWを吸着等により保持可能となっている。
図12(b)は半導体ウエハ固定工程を説明する説明図である。半導体ウエハWを被覆手段144にセットした状態にて、着脱ユニットU3により固定手段16を被覆手段144に嵌合させる。その後、着脱ユニットU3のアーム32から固定手段16を脱離させ、アーム32を半導体ウエハWの上方から退避させる。これにより、半導体ウエハWは、固定手段16と被覆手段144の間に挟持されて固定される。
図12(c)はエッチング処理工程を説明する説明図である。保持テーブル11aを下降させ、半導体ウエハWをエッチング処理に割り当てられている処理空間24b付近に位置させる。その後に、半導体ウエハWを回転させながら、供給手段15からエッチング用の処理液又は処理ガスを供給する。処理液又は処理ガスは、保持テーブル11aの側から半導体ウエハWの被処理面Waに供給される。被処理面Waは、被覆手段144に被覆されずに露出している領域(開口部14aに相当する領域)が腐食し、被覆手段144にて被覆される領域(すなわち、接触面14dと接触している領域)は、処理液又は処理ガスの接触が遮断されて腐食せず、被処理面Waが所定のパターンにてエッチングされる。
エッチング処理が完了すると、半導体ウエハWの回転及び処理液又は処理ガスの供給を停止し、保持テーブル11aを上昇させて半導体ウエハWを筐体21外まで移動させ、着脱ユニットU3により固定手段16を保持して脱離させ(図12(b)参照)、ウエハWの上方から退避させる。その後、半導体ウエハ搬送ロボットU4により半導体ウエハWを回収する(図12(a)参照)。
図13は本実施の形態の他の例1を示す図であり、(a)は保持テーブル11aの上面図、(b)はその断面図である。本実施の形態の他の例1は、上記第二の実施の形態と被覆手段が異なるものである。被覆手段145は、第一部材14fと、第一部材14fに着脱自在な第二部材14gを備える。第一部材14fと第二部財14gはリング形状を呈し、第一部材14fの内周側に第二部材14gが嵌合するように取り付けられる。第二部材14gは着脱自在であるが、半導体ウエハWとともに固定手段16にて保持テーブル11cに固定される。第二部材14gの取り付け状態において、ウエハWと接触する接触面14dは平坦面になっている。形状の異なる第二部材14gを複数種類用意しておくことにより、第二部材14gを適宜交換することで所望のパターンにてエッチングが可能となる。なお、第一部材14fと第二部材14gには連通する排出路14nが設けられており、処理液又は処理ガスの排出が阻害されないようになっている。
本実施の形態の他の例2は、上記実施の形態と被覆手段が異なるものである。図14は本実施の形態の他の例2の被覆手段146,147,148が設けられた保持テーブル11aの断面図であり、(a)は上記第二の実施の形態の応用例であり、(b)(c)は上記第二の実施の形態の他の例1の応用例である。被覆手段146,147,148は、開口部14aの周縁端部14kが接触面14d側から外側に向かって広がる方向に傾斜している。これにより、処理液や処理ガスが傾斜面14kに誘導されて排出路14nから速やかに排出される。なお、他の構成は上記実施の形態と同様であるため、同一符号を用いて説明を省略する。
本実施の形態は、上記第一の実施の形態にロック機構40を設けたものである。図15は、ロック機構40を説明する説明図である。図16はロック機構40の一部を構成する被覆手段149を示す図であり、(a)はその上面図、(b)はその下面図、(c)はその断面図である。図17(a)はロック機構40の一部を構成する保持テーブル11aを示す図であり、(a)はその一部拡大斜視図であり、(b)はその断面図である。なお、同一部分は同一符号を用いて説明を省略し、また、チャンバユニットU2や着脱ユニットU3やその他詳細な部分は図面においても省略し、説明に必要な部分のみを抜粋して説明する。
本実施の形態は、上記第一の実施の形態に、処理液の浸入を防止する給気手段50を備えるものである。半導体ウエハWと被覆手段14との間は基本的に密着状態であるが、場合によっては微小な間隙が形成され、毛細管現象により処理液が浸入する恐れがある。そこで、本実施の形態では、給気手段50を設けることにより、この毛細管現象による処理液の浸入を確実に防止する。
U1 保持ユニット
U2 チャンバユニット
U3 着脱ユニット
U4 半導体ウエハ搬送ロボット
W 半導体ウエハ
Wa 被処理面
11 保持手段
12 回転手段
13 昇降機構
14,141〜149 被覆手段
15 供給手段
21 筐体
22 仕切り部
23 移動空間
24 処理空間
25 排出口
31 基台
32 アーム
33 位置決め機構
40 ロック機構
50 給気手段
Claims (2)
- 被処理物を保持する保持手段と、被処理物の被処理面にエッチング用の処理液又は処理ガスを供給する供給手段と、前記保持手段を回転させる回転手段とを備えるエッチング処理装置において、
前記被処理物に着脱自在であり、当該被処理物に装着された状態にて当該被処理物の被処理面の所定領域を被覆し、当該所定領域における前記処理液又は処理ガスの接触を遮断する被覆手段を備え、
前記被覆手段は、第一部材と、当該第一部材に着脱可能な第二部材とを備え、当該第二部材は前記被処理物の所定領域の少なくとも一部を被覆することを特徴とするエッチング処理装置。 - 前記保持手段に保持された被処理物に前記被覆手段が当該被処理物に接触するように装着された状態において、当該被処理物の被処理面と当該被覆手段との間に生じる微小間隙に気体を供給可能な給気手段を備えることを特徴とする請求項1記載のエッチング処理装置。
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