JPH01262639A - 半導体ウエハ治具 - Google Patents

半導体ウエハ治具

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Publication number
JPH01262639A
JPH01262639A JP63092159A JP9215988A JPH01262639A JP H01262639 A JPH01262639 A JP H01262639A JP 63092159 A JP63092159 A JP 63092159A JP 9215988 A JP9215988 A JP 9215988A JP H01262639 A JPH01262639 A JP H01262639A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
wafer
chemical
jig
chemical solution
Prior art date
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Pending
Application number
JP63092159A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoji Yano
昭二 矢野
Hiroshi Tanaka
博司 田中
Masakazu Yashiro
正和 八代
Koji Aono
青野 浩二
Kazuaki Segawa
和明 瀬川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH01262639A publication Critical patent/JPH01262639A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造において半導体ウェハを
薬液で処理する際に用いる半導体ウェハ治具に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第6図は従来の半導体ウェハ治具であるカセットを示す
斜視図であり、図において、(1)は上面が開口した箱
形のカセットで、両側面および底面の内側に図示しない
多数の細い溝が設けられている。
(2)は上記溝にはめ込まれてカセット(1)に収納さ
れた多数の半導体ウェハである。第7図はこのカセット
(1)を用いた半導体ウェハ(2)の薬液処理状態を示
す断面図であり、薬液処理槽(3)に薬液(4)が満さ
れており、その中に半導体ウェハ(2)をカセット(1
)ごと侵潰して薬液処理する。終ればそのカセット(1
)を薬液(4)の中から引き上げ、半導体ウェハ(2)
を収納したまま次工程に送り、次の、半導体ウェハ(2
)の入ったカセット(1)を同様に薬液(4)に侵潰し
て薬液処理する。ξれを次々と繰り返して半導体つ・エ
バ(2)を薬液処理していく。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体ウェハ治具は以上のように、半導体ウェハ
を多数収納するカセットを用いているので、薬液処理槽
が必要であり、各半導体ウェハ毎の薬液処理状態の監視
ができず、また、半導体ウェハと一緒にカセットも薬液
に浸し、これを繰り返すので薬液質の変化や薬液量の減
少が起るが、−回の処理で薬液処理槽の大量の薬液を入
れ替えるのは不経済であり、同じ薬液を何回も使用する
ために薬液の質、量を管理する必要があるなどの問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、薬液処理槽が不要で、半導体ウェハ毎の薬液
処理状態の監視ができるとともに、薬液処理中の薬液質
や薬液量の管理が要らない半導体ウェハ治具を得ること
を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体ウェハ治具は、半導体ウェハを間
に挾んで、第1のブロックと第2のブロックを結合し、
第2のブロックと半導体ウェハで薬液を収容する凹部を
形成するようにしたものである。
〔作用〕
この発明における半導体ウェハ治具は、その第2のブロ
ックと半導体ウェハで形成した凹部に薬液を収容し、こ
の薬液により半導体ウェハが薬液処理される。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による半導体ウェハ治具を示す
斜視図、第2図はその分解図、第3図はその使用状態を
示す断面図である。図において、(5)は第1の円管で
薬液処理される半導体ウェハ(2)の直径よりも大きい
内径の雌ねじ軒υが内面に設けられ、一端には内側に延
びた第1のつば闘が設けられている。(6)は半導体ウ
ェハ(2)よりも直径かや−大きい円板状のウェハ位置
決め固定用基板で、直径が第1の円管(5)の雌ねじI
nの内径よりも小さくて第1のっぽ−の内径よりも太き
(なっており、また、その一つの面の外周部には段部悴
りが設けられて半導体ウェハ(2)よりも大きい部分が
厚さ方向に高(なっている。第1の円管(5)とウェハ
位置決め固定用基板(6)で第1のブロックを形成して
いる。(7)は第2のブロックとしての第2の円管で、
半導体ウェハ(2)の直径よりも内径が小さく、外面に
は第1の円管(5)の雌ねじ@日に合う雄ねじff1l
が設けられ、一端には外側に延びた第2のっぽff2が
設けられ、他の一端の内側にはウェハ位置決め固定用基
板(6)と嵌合する切欠部−が設けられている。(8)
は半導体ウェハ(2)よりも直径がやミルさいリング状
の弾性シール材である。
次に動作iζついて、第3図で説明する。半・導体ウェ
ハ(2)をウェハ位置決め固定基板(6)の段部1には
めて載置し、半導体ウェハ(2)上にそこからはみ出さ
ないように弾性シール材(8)を置き、ウェハ位置決め
固定基板(6)を第1の円管(5)に入れて第1のつば
静上に載置する。続いて、第1の円管(5)の雌ねじI
llを第2の円管(7)の雄ねじ便りに合せてねじ込み
、半導体ウェハ(2)を間に挾んで、第1の円管(5)
と第2.の円管(7)を結合する。第2の円管(7)と
半導体ウェハ(2)で凹部(9)が形成されるが、こ\
に処理用の薬液(4)を1枚の半導体ウェハ(2)の処
理に必要な量だけ注入し、収容する。弾性シール材(8
)で薬液(4)の漏れが防止されている。半導体ウェハ
(2)の一方の面が薬液(4)にさらされ処理される。
薬液処理が終れば薬液(4)を廃棄し、別の種類の薬液
処理が行われるか、または両円管(5) # (7)の
結合をはずし、半導体ウェハ(2)をとり出して次工程
へ送る。
使用される薬液(4)は少量ですむので、半導体ウェハ
(2)1枚の処理毎に薬液(4)は新しいものと入れ替
える。
なお、上記実施例では、第1のブロックと第2のブロッ
クの結付を、2つの円管(5) # (7)に設けられ
たねじia 、 uυで行ったが、第4図の断面図に示
すようにボルト顛で行ってもよいし、あるいは第5図の
断面図に示すように、一方にピンaυを、他方に孔(2
)を設け、その嵌合によって行ってもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、半導体ウェハ治具に
形成した凹部に薬液を収容して処理するので薬液処理槽
が不要であり、半導体ウェハ1枚づ\処理するので半導
体ウェハ毎の薬液処理状態の監視ができ、また、薬液に
カセットを一緒に浸して同じ薬液を何度も繰返して使用
するような仁となく、半導体ウェハ1枚の処理毎に新し
い薬液を使用できるの4で処理中の薬液の質、量を管理
する必要がないという効果が、ある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体ウェハ治具を
示す斜視図、第2図はその分解図、第3図はその使用状
態を示す断面図、第4図、第5図はそれぞれこの発明の
他の実施例による半導体ウェハ治具の使用状態を示す断
面図、第6図は従来の半導体ウェハ治具を示す斜視図、
第7図は従来の半導体ウェハ治具を用いた薬液処理状態
を示す断面図である。 図において、(2)は半導体ウェハ、(4)は薬液、(
6)は第1の円管、(6)はウェハ位置決め固定基板、
(7)は第2の円管、(9)は凹部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体ウェハの薬液処理に用いる半導体ウェハ治具に
    おいて、半導体ウェハが載置される第1のブロックと、
    上記半導体ウェハを間に挾んで上記第1のブロックと結
    合される第2のブロックとから成り、この第2のブロッ
    クと半導体ウェハとで薬液を収容する凹部を形成するよ
    うにしたことを特徴とする半導体ウェハ治具。
JP63092159A 1988-04-13 1988-04-13 半導体ウエハ治具 Pending JPH01262639A (ja)

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JP63092159A JPH01262639A (ja) 1988-04-13 1988-04-13 半導体ウエハ治具

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1691406A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method
JP2011044495A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Mtk:Kk エッチング処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1691406A1 (en) * 2004-09-27 2006-08-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method
US7994067B2 (en) 2004-09-27 2011-08-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing equipment with an open-topped cassette apparatus
EP1691406B1 (en) * 2004-09-27 2013-11-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor manufacturing method
JP2011044495A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Mtk:Kk エッチング処理装置

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