JP2658141B2 - 薬液を用いた試料の処理方法 - Google Patents

薬液を用いた試料の処理方法

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JP2658141B2
JP2658141B2 JP63062182A JP6218288A JP2658141B2 JP 2658141 B2 JP2658141 B2 JP 2658141B2 JP 63062182 A JP63062182 A JP 63062182A JP 6218288 A JP6218288 A JP 6218288A JP 2658141 B2 JP2658141 B2 JP 2658141B2
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    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/14Production of inert gas mixtures; Use of inert gases in general

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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体ウエハ等の試料を薬液により処理する処理方法
に関し、 薬液の処理能力を安定化することを目的とし、 薬液が貯蔵される薬液槽と、 該薬液槽を収容し、かつ該薬液槽よりあふれた薬液を
清浄化して該薬液槽にもどす循環機能を備えた薬液循環
槽と、 該薬液循環槽を収容し、かつ導入された不活性ガスに
より該薬液槽および薬液循環槽内の薬液表面を覆うため
のガス充填槽を備えた処理装置を用いて、 該薬液槽中に貯蔵される薬液により行なう試料の処理
方法によって構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体処理プロセスにおける各薬液ディッ
プ処理に使用する処理槽に関する。
ICの高集積化が進みサブミクロンパターンの安定形成
が要求されている。
このため枚葉式のディップ処理が見直され、サブミク
ロンパターンを安定して形成させるにはディップ処理で
なければならないとも言われている。
サブミクロンパターンになると薬液性能の変化が大き
く影響し、薬液の性能安定化が必要となる。
〔従来の技術〕
従来の薬液を用いた処理装置は、第2図に示す構造の
ものが用いられていた。
即ち、薬液10が貯蔵され、かつ、その中でウェハ等の
試料が処理される薬液槽1とこの薬液槽1を収容し、薬
液槽1からあふれ出た薬液を受け、循環加圧ポンプ5お
よびフィルタ4を介して薬液槽1へ薬液をもどす循環機
能を備えた薬液循環槽2から成っている。
ところが、このシステムでは、薬液の液面は常に大気
と接触しているため薬液の蒸発、大気から不純物のとけ
込み等があり、薬液の処理能力が不安定となる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従ってサブミクロンパターンの形成をおこなう一定の
処理時間であっても同一のパターン形状を得ることが出
来ず、サブミクロンパターンプロセスの大きな問題とな
っていた。
本発明は、この様な点から創作されたもので、半導体
処理プロセス(特にサブミクロンパターンプロセス)に
おいて、薬液性能の安定が実現出来る処理槽の提供を目
的とする。
〔課題を解決するための手段〕
薬液が貯蔵される薬液槽と、 該薬液槽を収容し、かつ該薬液槽よりあふれた薬液を
清浄化して該薬液槽にもどす循環機能を備えた薬液循環
槽と、 該薬液循環槽を収容し、かつ導入された不活性ガスに
より該薬液槽および薬液循環槽内の薬液表面を覆うため
のガス充填槽を備えた処理装置を用いて、 該薬液槽中に貯蔵される薬液により行なう試料の処理
方法。
〔作用〕 上記の方法において、ガス注入口から、大気より比重
が重く、不活性ガス(例えばチッ素ガス)を注入し、薬
液の液面と大気の間にチッ素ガスの層を作るようにして
いる。
従って薬液の液面はチッ素ガスにおおわれ大気中の不
純物が薬液中にとけ込むことはなくなる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して、本発明の一実施例を詳細に説
明する。
本発明の一実施例を示す第1図において、薬液は、薬
液槽(1)からフローし、薬液循環槽(2)でためら
れ、循環加圧ポンプ(5)で加圧され、薬液フィルター
(4)を通ってふたたび薬液槽(1)へもどる。
通常のシステムは上記の通りである。
ここでは、薬液循環槽(2)の外側にガス充填槽
(3)を追加し、以下のことをおこなう。
図示する通りガス充填槽(3)を設け、不活性ガス
(例えばチッ素)をガスフィルター(6)を通し、ガス
充填槽(3)内に排気のバランス(ガス充填槽からあふ
れ出ない様)ガス注入口(7)より注入する。
薬液槽(1)、薬液循環槽(2)はガス充填槽(3)
内に、設置されておりガス充填槽(3)内にチッ素ガス
が満ちて来ると薬液槽(1)、薬液循環槽(2)の薬液
々面は、チッ素ガスにより大気から遮断される。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明によれば、薬液を、不活性ガ
スにより保護出来るため、外部の影響から劣化すること
はなく性能の安定化が出来、サブミクロンパターンの安
定形成に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す図、 第2図は従来例を示す図である。 図において、1は薬液槽、2は薬液循環槽、3はガス充
填槽を示す。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】薬液が貯蔵される薬液槽と、 該薬液槽を収容し、かつ該薬液槽よりあふれた薬液を清
    浄化して該薬液槽にもどす循環機能を備えた薬液循環槽
    と、 該薬液循環槽を収容し、かつ導入された不活性ガスによ
    り該薬液槽および薬液循環槽内の薬液表面を覆うための
    ガス充填槽を備えた処理装置を用いて、 該薬液槽中に貯蔵される薬液により行なう試料の処理方
    法。
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JP2008091533A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Toshiba Corp 薬液の酸化防止装置及び薬液の酸化防止方法

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JPS6294939A (ja) * 1985-10-22 1987-05-01 Nec Corp 薬液の循環濾過システム
JPS62158325A (ja) * 1985-12-28 1987-07-14 Tadahiro Omi 薬液槽の収納ケ−ス

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