JP5370808B2 - 耐摩耗性TiN膜およびその形成体 - Google Patents

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この発明は、耐摩耗性の改善されたTiN(窒化チタン)膜およびそれを表面に設けた耐摩耗性TiN膜形成体、並びに耐摩耗性TiN膜形成体の製造方法に関するものである。
一般に、TiN膜を金属表面にコーティングすることにより、金属の耐摩耗性や耐食性が向上することが知られており、この技術は工具や金型または摺動部品の長寿命化を図るために広く用いられている。
その際に利用されるTiN膜は、チタン金属を窒素と化学反応させることにより形成される膜状の窒化チタンであり、真空槽内で処理する物理的蒸着法(PVD)または化学的蒸着法(CVD)によって処理対象物の表面に直接に形成されるものである。
そして、コーティングされるTiN膜の耐摩耗性を高めるために、結晶の配向制御について種々の研究がなされている。
例えば、TiN膜の耐ざらつき摩耗性が、X線回折分析で得られる(111)面強度比と(200)面強度比の比率と関係があることを見出し、(111)面強度比/(200)面強度比が75以上であれば、優れた耐摩耗性を示すことが開示されている(特許文献1)。
また、イオンビームデポジション法により、特定のイオンエネルギの範囲で成膜することにより、(111)面強度比を高めることができ、これにより優れた耐摩耗性を示すことが記載されている(特許文献2)。
特許第2742896号公報 特許第2671350号公報
しかし、上記した従来のTiN膜は、耐摩耗性の特性について安定した特性が得られるものではなく、特許文献1に示される(111)面強度比/(200)面強度比が75以上であっても必ずしも充分な耐摩耗性が得られない場合があるという問題点がある。
また、特許文献2に示されるように、(111)面のみの強度比を高めても上記同様に充分な耐摩耗性が得られない場合があるという問題点もある。
そこで、この発明の課題は、上記した問題点を解決して、TiN膜について耐摩耗性が確実に高い物性であるものを選択的に得ることができ、またはそのような好ましい物性のTiN膜が形成された耐摩耗性TiN膜形成体とし、またはそのような耐摩耗性TiN膜形成体を効率よく製造することである。
本願の発明者らは、鋭意実験を重ねた結果、TiN膜の耐摩耗性については、(111)面強度比の他に(220)面強度比が重要であることを発見し、すなわち(111)面強度比を大きくすると共に、(220)面強度比は可及的に小さくするほど耐摩耗性に優れることを見出すことにより本願の発明を完成したものである。
すなわち、前記の課題を解決するために、この発明においては、TiN膜についてX線回折分析で測定される結晶方位の(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面および(400)面の合計ピーク強度(ピーク強度の高さ)を100%とした場合における(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%以下である耐摩耗性TiN膜としたのである。
このように(111)面強度比が所定割合以上であり、かつ(220)面強度比が所定割合未満であれば耐摩耗性が向上する理由は、充分には明確ではないが、結晶方位の異方性によって影響を受けているものと考えられる。
すなわち、上記したように構成されるこの発明の耐摩耗性TiN膜は、(111)面強度比が80%以上であるから、耐摩耗性はおよそ高いものであるといえるが、その中には耐摩耗性が充分に改善されていないものも含まれている可能性があると考えられる。
そのようなTiN膜は、(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%を超えるものと予想され、このようなものを除外する条件として(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%以下である条件を採用することにより、確実に耐摩耗性の優れたTiN膜を得ることができる。
このような耐摩耗性TiN膜は、金属製基材の表面に形成してTiN膜形成体とすることができ、すなわち、TiN膜はX線回折分析で測定される結晶方位の(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面および(400)面の合計ピーク強度を100%とした場合における(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%以下である耐摩耗性TiN膜形成体とすることが好ましいものである。
このようなTiN膜の膜厚が、0.5〜10μmであるTiN膜形成体は、耐摩耗性に優れていると共に、基材の残留応力があっても表面にあって剥離に対して充分に耐えるものになる。
基材とTiN膜の間での応力を分散させて剥離を充分に防止するためには、上記構成の耐摩耗性TiN膜形成体において、基材とTiN膜との間にTi金属の中間層を設けることがさらに好ましい。TiN膜に対して比較的軟質のTi金属は、上記構成の耐摩耗性TiN膜形成体において応力を緩和することができ、剥離を抑制する。
このような点でより好ましくは、中間層が、TiN膜に近いほどTiN含有量の多い傾斜組織からなる中間層である上記の耐摩耗性TiN膜形成体とすることである。TiN膜に近いほど徐々に柔らかい傾斜組織からなる中間層は、さらに応力を緩和することができる。
また、TiN膜の基材に対する密着性を高めるために、表面に窒化層を有する基材であることが好ましく、プラズマを利用した窒化処理によって窒化層を形成すれば、表面に密着性を妨げる酸化層が生じ難く、そのために窒化層はプラズマ窒化処理層であることが好ましい。
また、表面に窒化層を有する基材が、ビッカース硬さHv1000以上であれば、TiN膜の基材に対する密着性が特に優れた耐摩耗性TiN膜形成体になる。
上述したような耐摩耗性TiN膜形成体は、金属製基材に対し、アークプラズマ方式イオンプレーティングまたはホロカソード方式イオンプレーティングによる成膜処理によりTiN膜を形成し、その際TiN膜を、X線回折分析で測定される結晶方位の(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面および(400)面の合計ピーク強度を100%とした場合における(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%以下であるように形成することによって効率よく製造することができる。
この発明は、金属製基材の表面にTiN膜を形成する際に、TiN膜はX線回折分析で測定される(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%以下であるように調整されているので、耐摩耗性が確実に高い物性であるTiN膜が得られる利点がある。
また、このように耐摩耗性に優れたTiN膜を金属製基材の表面に形成したものは、摺動材、工具、金型などに汎用の耐摩耗性に優れた耐摩耗性TiN膜形成体になるという利点がある。
TiN膜の膜厚を所定の範囲に調整し、TiN膜と基材との間にTi金属の中間層を設けておき、さらにそれを傾斜組織とすることにより、耐摩耗性と共に耐剥離性にも優れた耐摩耗性TiN膜形成体になる。
基材が、表面にプラズマ窒化処理層などによって窒化層を有し、好適にはビッカース硬さHv1000以上の窒化層を有する基材であれば、TiN膜と基材との密着性が向上した耐摩耗性TiN膜形成体になる。
また、上記のような利点のある耐摩耗性TiN膜形成体は、アークプラズマ方式イオンプレーティングまたはホロカソード方式イオンプレーティングによる成膜処理により効率よく製造することができる。
この発明の実施形態を以下に、添付図面を参照しながら説明する。
この発明に用いるTiN膜は、結晶構造についてX線回折分析により得られた(111)面強度比が80%以上であり、且つ220面強度比が3%以下であることを特徴とするものである。
この発明に係る強度比とは、X線回折分析で得られた回折パターンにおいて、2θ:10〜100°の範囲で検出され、ミラー指数で示される6つの結晶方位の(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面、(400)面のピーク強度(すなわち、ピーク強度の高さ)の合計を100%とした場合における前記各ピーク強度を百分率で表した割合(%)である。
例えば、図1に示すように(111)面強度比が80%以上であり、かつ220面強度比が3%以下であれば、耐摩耗性は常に優れたものになる。
図2に示すように、(220)面強度比が3%以下であっても(111)面強度比が80%以上でなければ、耐摩耗性は充分に向上しない。これらは後述する試験結果からも明らかである。
上記のように(111)面強度比を高めると共に(220)面強度比を低く制御するには、後述の実施例のように、例えばアークイオンプレーティング法によってバイアス電圧を例えば80〜300Vの範囲程度で絶対値を大きくすると共に、バイアス電圧とのバランスを考慮して成膜圧を、例えば1〜8Paのように低く調整するなどの手法が採用でき、その他の手法も適宜に選択して調整可能である。
このように耐摩耗性に優れ硬度の高いTiN膜は、膜厚が0.5〜10μmであることが好ましい。
TiN膜は、厚み方向に組織が大きく変わることはないため、使用環境で摩耗条件が支配的な場合は、単純に厚い膜厚であるほど摺動部材、工具、金型などの製品としての寿命は長くなって好ましい。しかし、TiN膜厚が上記範囲を超えて過剰になると、成膜中に膜内に発生する応力が過大となり、成膜中にクラックが生じる可能性が高まる。また、クラックが生じなくとも厚過ぎるTiN膜では、残留応力が高いために剥離し易い傾向がある。
このような傾向からみて、摺動材などの製品の長寿命に少なくとも効果が確認できると共に、しかも高い残留応力があっても剥離することのない膜厚の範囲は、0.5〜10μmであるといえる。また、膜厚が5μmを超えると大型部品のエッジ部では剥離し易くなる場合があって好ましくなく、より好ましいTiN膜厚は0.5〜5μmである。
また、TiN膜は、基材とTiN膜との間にTiの中間層を備えることができる。
図3に示すように、実施形態のTiN膜形成体は、金属製基材1の表面に上記所定の面強度比であるようにTiN膜2を形成したものである。
金属製基材1としては、特に限定されることなく汎用または周知の金属を採用できるものであり、工具鋼、金型鋼、ステンレス鋼などの鋼材やチタン金属、チタン合金などが代表例として挙げられる。
また図4に示すように、TiN膜形成体の他の実施形態として、基材1とTiN膜2との間にTi金属の中間層3を設けることもできる。このような中間層3は、蒸着(PVDまたはCVD)、イオンプレーティング、イオン注入、スパッタリングなどの周知の手法によって形成することができる。
Ti製の中間層3は、TiN膜2側に近づくに従ってTiNが多い組成となるように窒化処理によって傾斜組織とすることは、基材1からTiN膜2に至る硬度等の各層の物性を穏やかに変化させるために好ましい。
工具のように、エッジ部にTiN膜が成膜され、使用中に局所的な高い応力を受ける製品の場合には、皮膜剥離への耐性が重要になる。この発明では、比較的軟質であるTiの層を基材とTiN膜との間に形成することで、応力集中を緩和し密着性を向上させることができる。また、特に密着性の弱い成膜方法であるスパッタリング法などでは、この中間層の効果は非常に高い。
また、基材に窒化処理を施すことによって形成し、TiN膜と基材との密着性を向上させることができる。この窒化処理については、表面に密着性を妨げる酸化層が生じ難いように、プラズマを利用した窒化処理を採用することが好ましい。また、基材のビッカース硬さは、1000以上であると密着性に対し特に有効である。
実施形態のTiN膜の成膜方法としては、特に限定されるものではないが、結晶面の配向を制御し易く、また密着性を比較的高くできるように、アークプラズマ方式イオンプレーティングまたはホロカソード方式イオンプレーティングを採用することが特に好ましい。
[実施例1〜7、比較例1〜4]
基材として、ステンレス鋼(材質:SUS440C、硬さ:HV780、表面粗さ:0.005μmRa)を使用し、表1に示す条件でプラズマ窒化処理を行ない、耐摩耗性TiN膜形成体を製造した。
表1中に示す成膜法のAIPは、アークプラズマ方式イオンプレーティングを示し、HCDはホロカソード方式イオンプレーティングを示している。また、中間層は、Tiであり、TiN層に近づくに従ってTiN成分が多くなる厚さ0.5μmの傾斜層である。
また、表1に示すように実施例1〜6のアークプラズマ方式イオンプレーティングの条件については、原料ガスである窒素の成膜圧を4〜8Pa、アーク電流150〜200A、バイアス電圧80〜200Vとしたまた比較例1〜3についても表1に示す条件に従った。
実施例7および比較例4は、表1に示すようにホロカソード方式イオンプレーティング法により成膜粒子の照射角度を調整して作製した。
Figure 0005370808
上記のようにして得られた実施例および比較例の摩擦摩耗特性を調べるために以下の試験条件にて摩擦摩耗試験を行ない、その結果を表1中に併記した。
[摩擦摩耗試験]
図5(a)、(b)に試験機の概略構成を示すように、錘4の加減により調整される荷重を試験片5に負荷すると共に、ロードセル8によって試験片5と相手材6との接触面圧を測定可能な摩擦摩耗試験機を用い、試験片5を回転軸7と一体に回転するリング状の相手材6に常温での無潤滑状態で押し付け、試験時間3分での摩耗量として比摩耗量(×10-10mm3/(N・m)を測定した。その他の試験条件としては、ヘルツの最大接触面圧:0.5GPa(50N)、速度:0.05m/s、相手材寸法:φ40mm(外周面曲率R60mm)、相手材材質:SUJ2焼入鋼、相手材表面粗さ:0.01μmRaである。
表1に示した試験結果からも明らかなように、比較例1は(111)面強度比が小さいために耐摩耗性は低かった。比較例2は、特許文献1(特許第2742896号)に記載の(111)面強度比/(200)面強度比の値が75以上であるにも関わらず、(220)面強度比が大きいため耐摩耗性は低い結果となった。比較例3は、(111)面強度比が80%未満、(220)面強度比が3%を超えており、本願の請求項に係る発明の所期した値の範囲外であるため、低い耐摩耗性を示した。
また比較例4は、アークプラズマ方式イオンプレーティング法に比べて成膜条件によっては密着性が低くなるホロカソード方式イオンプレーティング法で成膜したものであるが、(111)面強度比が小さく、また中間層がないために基材から部分的に剥離していた。
これに対して、実施例1〜7のTiN膜形成体は、TiN膜の(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%以下であり、比較例に比べて比摩耗量は約1/3以下という高い耐摩耗性を示した。また、ホロカソード方式イオンプレーティング法による実施例7でも中間層(TiN傾斜層)によって耐摩耗性の良いTiN膜の基材に対する剥離が抑制され、使用に充分耐えるTiN膜形成体が得られたことがわかる。
実施形態のTiN膜のX線回折スペクトルを示す図表 比較例のTiN膜のX線回折スペクトルを示す図表 実施形態の表面の層構成を示すTiN膜形成体の要部拡大断面図 他の実施形態の表面の層構成を示すTiN膜形成体の要部拡大断面図 (a)摩擦摩耗試験機の概略構成を示す正面図、(b)摩擦摩耗試験機の概略構成を示す側面図
符号の説明
1 基材
2 TiN膜
3 中間層
4 錘
5 試験片
6 相手材
7 回転軸
8 ロードセル

Claims (9)

  1. TiN膜についてX線回折分析で測定される結晶方位の(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面および(400)面の合計ピーク強度を100%とした場合における(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%以下である耐摩耗性TiN膜。
  2. 金属製基材の表面にTiN膜を形成したTiN膜形成体において、
    前記TiN膜はX線回折分析で測定される結晶方位の(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面および(400)面の合計ピーク強度を100%とした場合における(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%以下である耐摩耗性TiN膜形成体。
  3. TiN膜の膜厚が、0.5〜10μmである請求項2に記載の耐摩耗性TiN膜形成体。
  4. 基材とTiN膜との間にTi金属の中間層を設けた請求項2または3に記載の耐摩耗性TiN膜形成体。
  5. 中間層が、TiN膜に近いほどTiN含有量の多い傾斜組織からなる中間層である請求項4に記載の耐摩耗性TiN膜形成体。
  6. 基材が、表面に窒化層を有する基材である請求項2〜5のいずれかに記載の耐摩耗性TiN膜形成体。
  7. 窒化層が、プラズマ窒化処理により形成された窒化層である請求項6に記載の耐摩耗性TiN膜形成体。
  8. 表面に窒化層を有する基材が、ビッカース硬さHv1000以上の基材である請求項6または7に記載の耐摩耗性TiN膜形成体。
  9. 金属製基材に対し、アークプラズマ方式イオンプレーティングまたはホロカソード方式イオンプレーティングによる成膜処理によりTiN膜を形成し、その際TiN膜が、X線回折分析で測定される結晶方位の(111)面、(200)面、(220)面、(311)面、(222)面および(400)面の合計ピーク強度を100%とした場合における(111)面強度比が80%以上であり、かつ(220)面強度比が3%以下であるように形成する耐摩耗性TiN膜形成体の製造方法。
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