JP5357291B2 - 距離センサ及び距離画像センサ - Google Patents
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- 入射光に応じて電荷が発生する電荷発生領域と、
前記電荷発生領域に配置され、前記電荷発生領域からの電荷を収集する電荷収集領域と、
前記電荷発生領域上において前記電荷収集領域の周囲に設けられ、電荷転送信号が与えられ、前記電荷収集領域を囲む転送電極と、
前記電荷発生領域から前記電荷収集領域へ向かうポテンシャル勾配を急にするポテンシャル調整手段と、
を備え、
前記転送電極の外側に位置する前記電荷発生領域にて発生した電荷を、前記転送電極の全方向から前記転送電極に囲まれる前記荷収集領域に転送することを特徴とする距離センサ。 - 前記ポテンシャル調整手段は、前記電荷収集領域とは異なる導電型であり、周囲よりも不純物濃度が高い半導体領域からなることを特徴とする請求項1に記載の距離センサ。
- 前記ポテンシャル調整手段は、所定の電位が与えられる電極であることを特徴とする請求項1に記載の距離センサ。
- 複数の前記ポテンシャル調整手段を備え、
複数の前記ポテンシャル調整手段は、互いに直交する対角線を有し且つ該対角線の交点に前記電荷収集領域が位置する四角形の角部に配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の距離センサ。 - 複数の前記電荷収集領域を備え、
複数の前記電荷収集領域間を結ぶ方向で見て複数の前記電荷収集領域間に位置する前記ポテンシャル調整手段は、複数の前記電荷収集領域に対して共用されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の距離センサ。 - 前記転送電極の形状は、環状であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の距離センサ。
- 二次元状に配置された複数のユニットからなる撮像領域を半導体基板上に備え、前記ユニットから出力される電荷量に基づいて、距離画像を得る距離画像センサにおいて、
1つの前記ユニットは、請求項1〜6のいずれか一項に記載の距離センサであることを特徴とする距離画像センサ。
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