JP5343274B2 - 窒化物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
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Description
11 インジウム
12 活性窒素種
14,16 インジウムナイトライド層(InN)
37 ヘテロ接合構造
38 量子井戸構造
S ストイキオメトリ条件
Claims (6)
- 基板上に取り込まれ量の異なる2種類以上の元素から組成される金属と活性窒素種とを供給して反応させることにより、前記基板上に組成の異なる窒化物半導体が互いに接合したヘテロ接合構造を有する窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、
前記金属をストイキオメトリ条件を越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、
該金属過剰供給工程で前記基板上に析出した前記金属からなるドロップレットを、前記活性窒素種をストイキオメトリ条件に達するまで供給することによって窒化物半導体に転換するドロップレット転換工程と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体薄膜の製造方法。 - 基板上に取り込まれ量の異なる2種類以上の元素から組成される金属と活性窒素種とを供給して反応させることにより、前記基板上にバンドギャップの狭い窒化物半導体をバンドギャップの広い窒化物半導体で挟んだ量子井戸構造を有する窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、
前記金属をストイキオメトリ条件を越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、
該金属過剰供給工程で前記基板上に析出した前記金属からなるドロップレットを、前記活性窒素種をストイキオメトリ条件に達するまで供給することによって窒化物半導体に転換するドロップレット転換工程と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体薄膜の製造方法。 - 前記金属過剰供給工程で前記金属のみが供給されることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記基板の温度が、前記金属の脱離温度以下に設定されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の窒化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記金属と前記活性窒素種との供給比率が、エピタキシャル成長した窒化物半導体薄膜の表面形状を反射高速電子線回析を用いて調べることによって制御されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の窒化物半導体薄膜の製造方法。
- 前記活性窒素種の供給を開始してから前記ドロップレットが全て消えるまでの回復時間を測定することにより、前記活性窒素種の供給量を継続監視することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の窒化物半導体薄膜の製造方法。
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