JP5327377B2 - 発光素子、発光素子アレイ、光書込みヘッドおよび画像形成装置 - Google Patents
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Description
本発明は、発光素子、発光素子アレイ、光書込みヘッドおよび画像形成装置に関する。
密着型イメージセンサやプリンタなどの書込みヘッドに、面発光素子アレイが利用されている。典型的な面発光素子アレイは、1つの基板上に線形に配列された複数の発光素子を集積して構成される。面発光素子の代表的なものとして、発光ダイオード(LED)、発光サイリスタ、レーザダイオードが知られている。その中で発光サイリスタは、GaAsやAlGaAsなどの化合物半導体層をpnpn構造に積層し、ゲートに駆動電流を印加することで、アノード・カソード間に電流を流し発光させるものである。こうした発光サイリスタを基板上に集積し、各発光サイリスタを順次点灯させる自己走査型の発光素子アレイが特許文献1に開示されている。
本発明は、発光部サイリスタの高出力化とシフト部サイリスタのオン抵抗の抑制の両立を図る自己走査型発光素子アレイ、光書込みヘッドおよび画像形成装置を提供することを目的とする。
請求項1は、電流狭窄層を有する自己走査型発光素子アレイであって、電流狭窄層に到達しない深さの第1の側面を有する第1の積層構造と、前記電流狭窄層に到達する深さの第2の側面を有する第2の積層構造と、前記第1の積層構造内に形成されたシフト部サイリスタと、前記第2の積層構造内に形成され、前記第2の側面から前記電流狭窄層が酸化され形成された電流狭窄構造を有する発光部サイリスタと、を備える自己走査型発光素子アレイ。
請求項2は、前記第1の側面は、ウエットエッチングにより形成された面であり、前記第2の側面は、ドライエッチングにより形成された面である、請求項1に記載の自己走査型発光素子アレイ。
請求項3は、前記第1の積層構造及び前記第2の積層構造は、基板上に、基板側から順に、第1のアノード層、前記電流狭窄層、第2のアノード層、n型のゲート層、p型のゲート層、及びカソード層が順に積層された構造である請求項1または2に記載の自己走査型発光素子アレイ。
請求項4は、前記第1の積層構造及び前記第2の積層構造は、基板上に、基板側から順に、アノード層、前記電流狭窄層、n型のゲート層、p型のゲート層、及びカソード層が順に積層された構造である請求項1または2に記載の自己走査型発光素子アレイ。
請求項5は、請求項1ないし4いずれか1つに記載の自己走査型発光素子アレイを用いた光書込みヘッド。
請求項6は、請求項5に記載の光書込みヘッドを備えた画像形成装置。
請求項2は、前記第1の側面は、ウエットエッチングにより形成された面であり、前記第2の側面は、ドライエッチングにより形成された面である、請求項1に記載の自己走査型発光素子アレイ。
請求項3は、前記第1の積層構造及び前記第2の積層構造は、基板上に、基板側から順に、第1のアノード層、前記電流狭窄層、第2のアノード層、n型のゲート層、p型のゲート層、及びカソード層が順に積層された構造である請求項1または2に記載の自己走査型発光素子アレイ。
請求項4は、前記第1の積層構造及び前記第2の積層構造は、基板上に、基板側から順に、アノード層、前記電流狭窄層、n型のゲート層、p型のゲート層、及びカソード層が順に積層された構造である請求項1または2に記載の自己走査型発光素子アレイ。
請求項5は、請求項1ないし4いずれか1つに記載の自己走査型発光素子アレイを用いた光書込みヘッド。
請求項6は、請求項5に記載の光書込みヘッドを備えた画像形成装置。
請求項1によれば、発光部サイリスタの高出力化とシフト部サイリスタのオン抵抗の増加を抑制することができる。
請求項2によれば、エッチングに伴う、シフト部サイリスタのしきい値低下と積層構造側面の起伏を抑制できる。
請求項3、4によれば、発光部サイリスタの高出力化を図ることができる。
請求項2によれば、エッチングに伴う、シフト部サイリスタのしきい値低下と積層構造側面の起伏を抑制できる。
請求項3、4によれば、発光部サイリスタの高出力化を図ることができる。
多数の発光素子を同一基板上に集積した発光素子アレイは、その駆動用回路等と組み合わせてLEDプリンタ用のプリントヘッドに用いられる光源に利用されている。発光素子としては、例えば発光ダイオード(LED)を1次元的に配列した発光素子アレイでは、外部駆動用回路から画像信号に対応した信号を、一つ一つのLEDに供給しなければならないため、各LEDに給電するためのボンディングパッドがLEDと同数だけ基板上に必要となる。ところが、ボンドパッドは、通常、面積が大きいため、発光素子アレイチップの面積が必然的に大きくなってしまう。チップ面積が大きくなると、1つのウェハから取得できるチップ数は減少するため、コスト低減化に限界が生じてしまう。
例えば、A3対応のプリンタの1200dpiプリントヘッドでは、1次元配列されたLEDの数は14,000個以上となり、これと同数のワイヤーをボンドパッドにボンディングする必要がある。ワイヤーボンディングの数が増える程、発光素子アレイの作製にかかるコストが大きくなる。さらに、印刷画像の品質を高めるために、高解像度の発光素子アレイを作成する場合には、ボンドパッド数が増えることによりワイヤボンド数が増加し、チップ面積がさらに大きくなることによりコストが増加し、これに加え、チップ上のボンドパッドのレイアウト自体に限界が見えてくる。
発光サイリスタを順次点弧させる自己走査型発光素子アレイでは、基板をアノード、最上層のn層をカソードとし、カソード層の直下のp層をゲートとするとき、しきい値以上の電流がゲートに流れないと、アノード・カソード間に電流が流れない。自己走査型発光素子アレイ(以下、SLED(Self-scanning Light Emitting Device)と呼ぶ)は、このような性質をもつサイリスタを1次元的にアレイ化し、外部からのクロック(転送信号)により順次オン状態が転送されるように構成したものである。例えば、点灯信号に基づき発光点として機能するサイリスタ(発光部サイリスタ)と、この発光部サイリスタを外部からのクロックに基づき順次点灯対象として指定するサイリスタ(シフト部サイリスタ)を備えることで、画像形成装置におけるプリントヘッドとして利用できるものである。
本発明の実施の形態におけるSLEDでは、1つ1つの発光サイリスタに対応したボンドパッドを設ける必要はなく、チップの片側もしくは両側に配置されたボンドパッドに、矩形電圧を給電することにより、発光部サイリスタを端から順次点弧(自己走査)させることができる。従って、本発明の実施の形態におけるSLEDにおいては、解像度を上げても、ボンドパッドをチップの端に寄せることができ、ボンドパッド数の増加とそれによるチップ面積の拡大、ワイヤボンド数の増加によるコストアップを回避することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。本実施の態様では、pnpn構造の発光サイリスタを有するSLEDを例示する。pnpnを構成する半導体層は、III−V族化合物半導体によって構成されるが、本実施の形態は、化合物半導体として、GaAs、AlGaAs、AlAsを例示する。なお、図面のスケールは、発明の特徴を分かり易くするために強調しており、必ずしも実際のデバイスのスケールと同一ではないことに留意すべきである。
図1は、本発明の実施例に係るSLEDの一部の平面図、図2は、図1に示すSLEDの1つの島のA1−A1線、A2−A2線およびA3−A3線断面図、図3は、B−B線断面図、図4は、第1および第2の積層構造であるメサM1、M2を有する島を説明する平面図、図5は、図1に示すSLEDの等価回路である。
図5を参照すると、ここには、SLED10の一部として、4つの発光素子に関する等価回路が示されている。Ln-1、Ln、Ln+1、Ln+2は発光部サイリスタ、Tn-1、Tn、Tn+1、Tn+2はシフト部サイリスタ、Gn-1、Gn、Gn+1、Gn+2は発光部サイリスタおよびシフト部サイリスタの共通のゲート、RGはゲート負荷抵抗、Dn-2、Dn-1、Dn、Dn+1は結合ダイオード、PTn-1、PTn、PTn+1、PTn+2は結合ダイオードのカソード電極直下に形成される寄生サイリスタ、Φ1は奇数ビット転送ライン、Φ2は偶数ビット転送ライン、ΦIは発光信号ライン、VGAはゲートラインである。ここで、nは、正の整数である。以下の説明において、発光部サイリスタ、シフト部サイリスタ、寄生サイリスタを総称するときは、発光部サイリスタLi、シフト部サイリスタTi、寄生サイリスタPTiと称する。
SLEDの転送機能について説明する。今、シフト部サイリスタTnがオン状態にあるとする。このときのシフト部サイリスタTnのゲートGnの電位は、-0.2V程度まで引き上げられ、結合ダイオードDnの両端には、拡散電位分の約1.5Vの電位差が発生する。このため、Gn+1=Gn−1.5V=−1.7V、Gn+2=Gn+1−1.5V=−3.2Vとなる。
シフト部サイリスタTnが点弧しているときのゲートの電位分布を図5に示す。また、図6に、ゲートに供給されるゲートラインVGAの電圧波形と、奇数ビット転送ラインΦ1、偶数ビット転送ラインΦ2、および発光信号ラインΦIに供給される周期Tの矩形電圧を示す。奇数ビット転送ラインΦ1と偶数ビット転送ラインΦ2がともにローレベルになっている時間を重なり時間と呼び、これをtaで表わしている。
ゲートラインVGAの電圧と、転送ラインΦ1、Φ2、ΦIに供給される電圧を−3.3Vとすると、シフト部サイリスタTn+2のゲート・カソード間には、0.1V程度しか印加されない。サイリスタをオンさせるためには、少なくともゲート・カソード間に拡散電位以上の電圧が印加され、かつカソード・アノード間に保持電流以上の電流が流される必要がある。このため、シフト部サイリスタTn+2は点弧できない。一方、ゲートGnよりも左側にあるダイオードDn-1には、逆バイアスがかかるので、ゲートGn-1の電位はゲートラインVGAの電圧程度(約−3.3V)となり、シフト部サイリスタTn-1はオンすることはできない。こうして、奇数ビット転送ラインΦ1が−3.3Vで、シフト部サイリスタTnがオンしている際に、偶数ビット転送ラインΦ2を0Vから−3.3Vに下げると、隣のシフト部サイリスタTn+1のみが点弧する。その後、奇数ビット転送ラインΦ1を0Vに上昇させると、シフト部サイリスタTnはオフされ、シフト部サイリスタTnからTn+1へのオン状態の転送が可能となる。
シフト部サイリスタTnがオンしているとき、ゲート電位Gnが最も高い電圧に引き上げられている。従って、奇数ビット転送ラインΦ1を0Vから-3.3Vに下げると、発光部サイリスタLnのみがオンして発光する。こうして、シフト部サイリスタの列が左から右側へ順次点弧状態が転送され、シフト部サイリスタがオン状態であるビットの発光部サイリスタのみ、外部からの発光信号ラインΦIに入力された0、1データにしたがって、オンするか否かが決まる。これによって、0、1データが発光または非発光の情報に変換される。
図1には、図5に示す4ビットの素子に対応する素子アレイの平面図が示されている。SLEDは、p型のGaAs半導体基板上に、これと格子整合するようにエピタキシャル成長されたpnpn構造の半導体層を含んで構成される。半導体基板上には、半導体層をエッチングすることで、各素子に対応する島すなわちメサが形成される。図1には、図5の回路に対応して、4つの島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2が形成され、これらの島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2が線形に配列されている。1つの島には、発光部サイリスタLiと、シフト部サイリスタTiと、結合ダイオードDiとが形成される。また、結合ダイオードDiの直下にはpn層が存在するため、結合ダイオードDiを構成するpn層とともにpnpn構造が形成されることにより、ここに寄生サイリスタPTiが形成される。
奇数ビットの島Sn、Sn+2のシフト部サイリスタのカソード電極32Tには、奇数ビット転送ラインΦ1が接続され、偶数ビットの島Sn-1、Sn+1のシフト部サイリスタのカソード電極32Tには、偶数ビット転送ラインΦ2が接続される。発光部サイリスタのカソード電極32Lには、発光信号ラインΦIが接続される。また、基板上には、ゲートラインVGAに接続する島SRが形成される。ゲートラインVGAは、この島SRのp型のゲート層26にコンタクト電極CTを介して電気的に接続され、ゲート負荷抵抗RGは、p型のゲート層26を利用して形成される。ゲート負荷抵抗RGの出力端は、コンタクトCT1を介して共通のゲート電極に接続されるとともに、隣接する結合ダイオードのカソード電極32PTに接続される。
図2および図3は、代表的な島Sn+1に形成された発光部サイリスタLn+1、シフト部サイリスタTn+1、結合ダイオードDn+1、寄生サイリスタPTn+2の断面をそれぞれ示している。p型のGaAs基板20上には、Al組成を異にするp型のAlGaAs層の対を複数積層した分布ブラッグ型反射鏡(Distributed Bragg Reflector:以下、DBRという)21、所定の膜厚、所定のドーパント濃度を有するp型のAlGaAsを含むアノード層22、所定の膜厚、所定のドーパント濃度を有するn型のAlGaAsからなるnゲート層24、所定の膜厚、所定のドーパント濃度を有するp型のAlGaAsからなるpゲート層26、および所定の膜厚、所定のドーパント濃度を有するn型のGaAsまたはAlGaAsからなる発光部サイリスタLn+1のカソード層28L、シフト部サイリスタTn+1のカソード層28T、結合ダイオードDn+1のカソード層28PTが形成される。また、各カソード層28L、28T、28PT上には、これと電気的に接続されるカソード電極32L、32T、32PTが形成され、基板20の裏面には、グランド電位を供給する共通のアノード電極40が形成される。なお、それぞれの島は、基板上にエピタキシャル成長によって形成された半導体層にエッチング等の加工処理を施すことで形成される。
アノード層22の一部には、AlAs(またはAl組成比が例えば98%以上のAlGaAs)から成る電流狭窄層30が挿入される。電流狭窄層30はp型が好ましいが、サイリスタの動作上障害がなく、また所望の発光光量が確保できるのであればノンドープまたはn型の層であってもよい。また、電流狭窄層30は、アノード層22内において、相対的にAl組成が小さいAlGaAs層によって挟まれている。言い換えると、アノード層22は第1のアノード層と第2のアノード層とに分かれており、電流狭窄層30は第1のアノード層と第2のアノード層との間に挿入されている。さらに電流狭窄層30を構成するAlAs(またはAlGaAsの)Al組成は、他の半導体層24、26、28LのAl組成よりも著しく大きい。
発光サイリスタにおいて電流狭窄層30を挿入する位置について更に詳しく説明する。電流狭窄層30を挿入する位置としては、カソード層28L内、カソード層28Lとpゲート層26の境界面、pゲート層26内、pゲート層26とnゲート層24の境界面、nゲート層24内、nゲート層24とアノード層22の境界面、及びアノード層22内というように様々な位置がある。ここで、電流狭窄層30を、カソード層28L内、またはカソード層28Lとpゲート層26の境界面に挿入する場合、サイリスタがターンオンする前にカソード層28Lとゲート電極を有するpゲート層26との間を流れるしきい電流が、電流狭窄による抵抗値の増加の影響を受け、ターンオン特性に悪影響を与えることが考えられる。また、電流狭窄層をnゲート層24内やpゲート層26内、またはpゲート層26とnゲート層24の境界面に挿入する場合、発光径を小さくする効果は期待できると考えられるが、一方で、酸化により形成された電流狭窄層30の界面で非発光再結合を誘発し十分な光量が得られないことが考えられる。以上から本実施例においては、ターンオン特性に与える影響及び非発光再結合の影響が小さい、nゲート層24とアノード層22の境界面、またはアノード層22内に電流狭窄層30を挿入し、電流狭窄構造を形成している。なお、実験結果に基づくと、nゲート層24とアノード層22の境界面に電流狭窄層30を設けるよりも、アノード層22内に設けた方が約1.15倍〜約1.25倍程度の高い光量を得られる結果となっている。これは、アノード層22内に電流狭窄層30をもうけた方が、非発光再結合による発光量の影響が少ないためと考えられる。
以上のように、電流狭窄層30は、アノード層22とnゲート層24との境界面、またアノード層22内に設ける構成がより好ましく、発光光量の観点からは、特に、アノード層22内に設ける構成がより好ましい。なお、電流狭窄構造を設けない構成に比べ、発光光量が向上し、動作上の不具合がないのであれば、アノード層22とnゲート層24との境界面やアノード層22内以外に電流狭窄層30を設けてもよい。
最上層であるn型のカソード層は、フォトリソ工程により矩形状等のパターンに加工され、発光部サイリスタLn+1、シフト部サイリスタTn+1、および結合ダイオードDn+1のカソード層28L、28T、28PTを形成する。好ましくは、カソード電極32Lは、カソード層28Lに対して相対的に小さく形成され、発光部サイリスタLn+1から出射される光は、カソード電極32Lによって大きく遮蔽されない。また、シフト部サイリスタTn+1のカソード層28Tは、大部分がカソード電極32Tによって覆われているため、その表面から光は出射されない。カソード層28L、28T、28PTのエッチングにより露出されたpゲート層26には、図3に示すようにゲート電極34が形成される。このゲート電極34は、発光部サイリスタLn+1およびシフト部サイリスタTn+1に共通である。
基板上に積層された半導体層をエッチングすることで、矩形状の島Sn+1が形成されるが、本実施例では、当該エッチングは2段階で行われ、島Sn+1は、側面の深さを異にする2つの積層構造のメサM1及びメサM2により形成されることに留意すべきである。第1のメサM1は、シフト部サイリスタTn+1および結合ダイオードDn+1が形成される領域に形成され、第1のメサM1の側面は、図2(B)、(C)に示すように、少なくともアノード層22の電流狭窄層30に到達しない深さを有する。また、第2のメサM2は、発光部サイリスタLn+1が形成される領域に形成され、第2のメサM2の側面は、図2(A)に示すように、少なくともアノード層22の電流狭窄層30に到達する深さを有する。本実施の形態においては、エッチングによって電流狭窄層30の側面が全て露出する深さを有しているが、電流狭窄層30の側面の一部のみが露出する深さであってもよい。更には、電流狭窄層30の上面にちょうど到達する深さであってもよい。すなわち、電流狭窄層30に到達する深さを有することにより、露出した電流狭窄層30の一部から発光部サイリスタの中心部に向けて酸化が進行する構成であればよい。
図4は、第1および第2のメサM1、M2を説明するための島Sn+1の平面図である。発光部サイリスタLn+1が形成される領域は、島Sn+1の底部側であり、シフト部サイリスタTn+1、および結合ダイオードDn+1が形成される領域は、島Sn+1の中央部および上部側である。発光部サイリスタLn+1、およびシフト部サイリスタTn+1の機能は、カソード層28L、28Tによって分離されるため、発光部サイリスタLn+1、およびシフト部サイリスタTn+1が形成される領域は、少なくともカソード層28L、28Tを有する領域とすることもできる。
島Sn+1は、4つの側面50、52、54、56によって囲まれた矩形状を有し、シフト部サイリスタTn+1、および結合ダイオードDn+1が形成される領域は、側面50およびこれに連続する側面52の一部52aと側面56の一部56aである。これらの側面50、52a、56aは、第1のメサM1によって構成され、従って、側面50、52a、56aは、電流狭窄層30に到達しない深さでエッチングされる。他方、発光部サイリスタLn+1が形成される領域は、側面54およびこれに連続する側面52の一部52bと側面56の一部56bである。これらの側面54、52b、56bは、第2のメサM2によって構成され、従って、側面54、52b、56bは、少なくとも電流狭窄層30に到達する深さでエッチングされる。
このような島Sn+1が構成された基板が酸化処理されると、発光部サイリスタLn+1が形成された領域の電流狭窄層30は、側面52b、54、56bから選択的に酸化され、そこに酸化領域(Al2O3)30Aが形成される。酸化は、3つの側面52b、54、56bから内部に向けて一定距離だけ進行するため、島Sn+1には、略コ字状の酸化領域30Aが形成される。図1の破線Kは、酸化領域30Aと非酸化領域(導電領域)30Bとの境界を示している。発光部サイリスタLn+1のカソード層28Lの直下には、酸化領域30Aおよび非酸化領域30Bとを有する電流狭窄層30が存在する。酸化領域30Aは、電気的に高抵抗領域であり、非酸化領域30Bは導電領域であるため、アノード電極40から注入された、電子より移動度の低いキャリア(正孔)が非酸化領域30B内に閉じ込められ、高密度な状態でnゲート層24に注入される。図2(A)に示すように、第2のメサM2の外周に酸化領域30Aを形成することで、キャリアがメサ側面の表面準位にトラップされることが抑制され、リーク電流が抑制される。この結果、nゲート層24およびpゲート層26における正孔と電子との再結合確率が増加され、発光効率が改善され高出力化が可能になる。
これに対し、シフト部サイリスタTn+1、および結合ダイオードDn+1が形成された第1のメサM1では、図2(B)および(C)に示すように、側面の深さが電流狭窄層30に到達していない、言い換えれば電流狭窄層30が第1のメサM1の側面により露出されていないため、電流狭窄層30は酸化されず、その全体が導電領域のままである。シフト部サイリスタTn+1は、発光部サイリスタLn+1と半導体層22、24、26を共通にし、最上のカソード層28Tが発光部サイリスタLn+1のカソード層28Lから分離されている。ここでは、カソード層28Tは、島Sn+1のほぼ中央に矩形状に形成され、カソード層28T上には、矩形状のカソード電極32Tが形成される。カソード層28Tの直下には、酸化領域が形成されていない電流狭窄層30が存在し、電流狭窄層30の導電領域の面積は小さくならない。このため、シフト部サイリスタTn+1のオン抵抗は何ら影響を受けない。このように、シフト部サイリスタは、発光部サイリスタLn+1のアノードとカソード間に位置する電流狭窄層の領域が酸化され電流狭窄構造が形成される場合に、シフト部サイリスタのアノードとカソード間に位置する電流狭窄層の領域が酸化されない位置に形成されている。
次に、本実施例の島Sn+1と、1回のエッチングで島Sn+1を形成した比較例と対比する。図8(A)、(B)は、島Sn+1を1回のエッチングにより形成したときの比較例であり、図8(A)の断面図は、本実施例の図2(B)のA2−A2線断面に対応し、図8(B)の断面図は、本実施例の図3のB−B線断面に対応する。図8の比較例に示す島Sn+1は、1回のエッチングにより形成され、その側面は基板20に到達する深さを有する。従って、島Sn+1が酸化処理されたとき、電流狭窄層30は、島Sn+1の4つの側面から同時に酸化される。このような構造は、発光部サイリスタLn+1においては、キャリア密度を高めることで発光光量を増加させるという利点があるが、シフト部サイリスタTn+1においては、図8(A)に示すように酸化狭窄30Aによって電流経路が狭くなるため、アノード・カソード間のオン抵抗が増加し、転送動作可能な電圧範囲が狭められてしまう。これに対し、本実施例では、シフト部サイリスタTn+1において酸化狭窄30Aが形成されないので、オン抵抗の増加を防止することができる。
次に、本実施例のSLEDの製造方法について図9および図10を参照して説明する。図9および図10に示す断面図は、図3に示した島のB−B線断面に対応するものである。先ず、図9(A)に示すように、p型のGaAs基板20上に、p型のDBR21、p型のAlAsの電流狭窄層30が挿入されたp型のAlGaAsからなるアノード層22、n型のAlGaAsからなるnゲート層24、p型のAlGaAsからなるpゲート層26、およびn型のGaAsまたはAlGaAsからなるカソード層28がMOCVDにより積層される。
次に、図9(B)に示すように、公知のフォトリソ工程により最上層のカソード層をパターンニングし、発光部サイリスタのカソード層28Lおよびシフト部サイリスタのカソード層28Tを形成する。次に、図9(C)に示すように、フォトリソ工程によりマスクパターン60を形成し、マスクパターン60を用いて第1のメサM1を形成するべく、半導体層をウエットエッチングする。このときのエッチングの深さは、pゲート層26およびnゲート層24を超えるが、アノード層22の電流狭窄層30に到達する手前である。こうして、第1のメサM1の側面を有する島が形成されるが、この段階では、島を取り囲む4つの側面50、52、54、56(図4を参照)が同一の深さを有している。なお、このウエットエッチングには、例えば、硫酸過酸化水素水混合液などが用いられる。
マスクパターン60を除去した後、図10(A)に示すように、発光部サイリスタが形成される領域の側面52b、54、56b(図4を参照)を露出するようなマスクパターン62を形成する。次に、マスクパターン62を用いて異方性ドライエッチングが行われ、発光部サイリスタが形成される領域の側面52b、54、56bが除去され、第2のメサM2の側面が形成される。これにより、発光部サイリスタが形成される領域の側面52b、54、56bにおいて電流狭窄層30が露出されるが、シフト部サイリスタが形成される領域の側面50、52a、56aにおいては電流狭窄層30は露出されない。このエッチャントには、例えば塩化ホウ素が用いられる。次に、基板は、水蒸気酸化アニールにより酸化され、第2のメサM2の側面で露出された電流狭窄層30が選択酸化され、Al2O3からなる酸化領域30Aが形成される。次に、マスクパターン62が除去され、カソード電極、アノード電極、ゲート電極がリフトオフ工程により形成される。なお、カソード電極およびゲート電極は、メサM1を形成する前に形成するようにしてもよい。
次に、本実施例のSLEDの他の製造工程について説明する。図9(B)に示すように、カソード層28L、28Tをパターンニングした後、図11(A)に示すように、シフト部サイリスタが形成される領域を露出させるようなマスクパターン60Aを形成し、当該マスクパターン60Aを用いてウエットエッチングを行う。これにより、シフト部サイリスタが形成される領域の側面50、52a、56aをもつ第1のメサM1が形成される。エッチャントは、例えば、硫酸過酸化水素水混合液などが用いられる。
マスクパターン60Aを除去した後、図11(B)に示すように、シフト部サイリスタが形成される領域を覆い、発光部サイリスタが形成される領域を露出するマスクパターン62Aを形成し、異方性ドライエッチングを行う。これにより、発光部サイリスタが形成される領域の側面52b、54、56bをもつ第2のメサM2が形成される。エッチャントには、例えば塩化ホウ素が用いられる。
図12に示す製造工程は、図11のエッチング工程の順序を入れ替えたものである。図12(A)に示すように、発光部サイリスタが形成される領域を露出させるマスクパターン60Bを形成し、このマスクパターン60Bを用いて半導体層を異方性ドライエッチングする。これにより、発光部サイリスタが形成される領域の側面52b、54、56bをもつ第2のメサM2が形成される。エッチャントには、例えば塩化ホウ素が用いられる。
マスクパターン60Bを除去した後、シフト部サイリスタが形成される領域を露出するようなマスクパターン62Bが形成され、当該マスクパターン62Bを用いてウエットエッチングが行われる。これにより、シフト部サイリスタが形成される領域の側面50、52a、56aをもつ第1のメサM1が形成される。エッチャントは、例えば、硫酸過酸化水素水混合液などが用いられる。
このように本実施例では、シフト部サイリスタの領域を形成する第1のメサM1はウエットエッチングを用い、発光部サイリスタの領域を形成する第2のメサM2はドライエッチングを用いて行われる。このようなエッチングの組み合わせの利点を以下に説明する。
サイリスタの活性層(つまり、nゲート層24およびpゲート層26)が露出するメサ面をドライエッチングにより形成した場合には、適切な表面処理を行わなければ、図13(A)に示すように、活性層24、26のメサ面に表面電流が流れやすくなる。このために、pnpn構造におけるサイリスタのオンに必要なしきい電流値は、図13(B)に示すように、ウエットエッチングにより活性層のメサ面を形成したときよりも、ドライエッチングにより活性層のメサ面を形成したときの方が低くなり、サイリスタがオンし易くなる。
サイリスタがオンし易いことは、発光部サイリスタLiにとっては良いが、シフト部サイリスタTiにおいては必ずしも良いとは言えない。なぜなら、SLED回路において、各ビットのゲート電位を決めている結合ダイオードDiの直下に寄生するサイリスタPTiがオンし易くなると、結合ダイオードDiによって決められる階段型のゲート電位分布が崩れ、正常な転送動作ができなくなるからである。図14は、ドライエッチングにより活性層のメサ面を形成したときのゲート電位(破線で示す)と、ウエットエッチングにより活性層のメサ面を形成したときのゲート電位(実線で示す)を表している。
例えば、図16に示すように、発光部サイリスタLnおよびシフト部サイリスタTnがオンしているとき、結合ダイオードDnによって、隣のビットのゲート電位Gn+1は、−1.7V程度である。ここでもし、寄生サイリスタPTn+1がオンしていると、そのカソードGn+1は、−1.5V程度に上昇する。このとき、さらに隣のビットの寄生サイリスタPTn+2のゲート電位は−1.5Vとなり、さらにそのカソード電位は、−3.0Vとなる。ドライエッチングによって活性層のメサ面が形成され、しきい電流値が低いと、図16の矢印In+2で示した電流経路(閉回路)で考えると、寄生サイリスタPTn+2の動作点は、図15のように、OFF状態ではなく、ON状態に遷移してしまう。したがって、寄生サイリスタPTn+2は、オンし、同時にシフト部サイリスタTn+2も、そのゲート電位が−1.5V程度なので点弧してしまい、順次転送動作が成立しなくなってしまう。
このように、島内のシフト部サイリスタと発光部サイリスタが形成される領域をそれぞれ二段階エッチングする場合に、シフト部サイリスタの形成にウエットエッチングを用いるのは、このためである。
他方、AlAs層(電流狭窄層)やDBRのメサ出しのためのエッチングは、ドライで行うのが良い。なぜなら、Al濃度が大きいと、硫酸・過酸化水素混合溶液などのエッチャントでは、エッチレートが非常に大きくなり、メサ側面に起伏(オーバーハング形状やクビレ形状)が生じ、そこに絶縁膜などの層を成膜すると、カバレッジが悪化し、信頼性の低下が懸念されるからである。
このような点から、本実施例では、シフト部サイリスタのオン抵抗を低く保ち、転送動作電圧範囲を狭めないことだけでなく、活性層に表面電流が流れることによる転送動作の異常を抑制するために、シフト部サイリスタの活性層はウエットエッチングでメサ出しを行い、かつ、AlAs層とDBRをドライエッチングによってメサ出しすることを可能にしている。
なお上記の実施例では、電流狭窄層30をアノード層22内に形成する例を示したが、電流狭窄層30は、これと異なる位置に形成されるものであってもよい。例えば、n型のゲート層24とアノード層22との境界等に形成するようにしてもよい。
また、上記の実施例では、基板として半導体基板を用いて基板の裏面にアノード電極を設ける例を示したが、絶縁基板を用いて、アノード電極とカソード電極の両方を基板に対して光の出射面側に設けてもよい。
また、アノードとカソードの位置を入れ替えてもよい。すなわち、基板側から、カソード層、ゲート電極を有するゲート層、及びアノード電極を有するアノード層の順で積層されたpnpn積層構造に対して、電流狭窄層30を設けてもよい。
また、ゲート電極は、アノード層とカソード層の間の層であれば、p層、n層のいずれに設けてもよい。
また、アノード層、ゲート層、カソード層が順に積層されたpnpn積層構造であれば、各層の間や各層内に他の層が挿入されていてもよい。
また、上記の実施例では、ウェットエッチングとドライエッチングを用いて積層構造を形成する例を示したが、ウェットエッチングのみまたはドライエッチングのみを使用して深さの異なる積層構造を形成してもよい。また、発光部サイリスタ、シフト部サイリスタ、及び結合ダイオードの各素子は、それぞれが連続する共通の半導体層(共通の島構造)を有さずに分離されていてもよく、また、2つの素子間で連続する共通の半導体層(共通の島構造)を有するとともに、1つの素子のみが共通の半導体層を有さずに分離された構造であってもよい。さらに本実施例では、島の平面形状を矩形状としたが、これは一例であって、他の形状、例えば、円形状、楕円状、台形状、他の多角形状であってもよく、更には、長さや幅が異なる島が複数組み合わされて1つの島を形成してもよい。
また、上記の実施例では、三端子のサイリスタを一例として示したが、しきい電流またはしきい電圧によって制御されるpnpn構造のスイッチ素子(すなわち、サイリスタ)であれば、四端子など、三端子を超える数の端子を備えたものであってもよい。
また、上記の実施例では、基板として半導体基板を用いて基板の裏面にアノード電極を設ける例を示したが、絶縁基板を用いて、アノード電極とカソード電極の両方を基板に対して光の出射面側に設けてもよい。
また、アノードとカソードの位置を入れ替えてもよい。すなわち、基板側から、カソード層、ゲート電極を有するゲート層、及びアノード電極を有するアノード層の順で積層されたpnpn積層構造に対して、電流狭窄層30を設けてもよい。
また、ゲート電極は、アノード層とカソード層の間の層であれば、p層、n層のいずれに設けてもよい。
また、アノード層、ゲート層、カソード層が順に積層されたpnpn積層構造であれば、各層の間や各層内に他の層が挿入されていてもよい。
また、上記の実施例では、ウェットエッチングとドライエッチングを用いて積層構造を形成する例を示したが、ウェットエッチングのみまたはドライエッチングのみを使用して深さの異なる積層構造を形成してもよい。また、発光部サイリスタ、シフト部サイリスタ、及び結合ダイオードの各素子は、それぞれが連続する共通の半導体層(共通の島構造)を有さずに分離されていてもよく、また、2つの素子間で連続する共通の半導体層(共通の島構造)を有するとともに、1つの素子のみが共通の半導体層を有さずに分離された構造であってもよい。さらに本実施例では、島の平面形状を矩形状としたが、これは一例であって、他の形状、例えば、円形状、楕円状、台形状、他の多角形状であってもよく、更には、長さや幅が異なる島が複数組み合わされて1つの島を形成してもよい。
また、上記の実施例では、三端子のサイリスタを一例として示したが、しきい電流またはしきい電圧によって制御されるpnpn構造のスイッチ素子(すなわち、サイリスタ)であれば、四端子など、三端子を超える数の端子を備えたものであってもよい。
以上のような自己走査型発光素子アレイは、例えば、光プリンタの光書込みヘッドに用いられる。図17に、自己走査型発光素子アレイを用いた光書込みヘッドの一例を示す。チップ実装基板70上に、発光サイリスタを列状に配置した複数個の発光素子アレイチップ71が、主走査方向に実装され、発光素子アレイチップ71の発光素子が発光する光の光路上には、主走査方向に長尺な正立等倍のロッドレンズアレイ72が、樹脂ハウジング73により固定されている。ロッドレンズアレイ72の光軸上には、感光ドラム74が設けられる。また、チップ実装基板70の下地には発光素子アレイチップ71の熱を放出するためのヒートシンク75が設けられ、ハウジング73とヒートシンク75は、チップ実装基板70を間に挟んで止め金具76により固定されている。
図17に示す光書込みヘッドを用いた光プリンタを図18に示す。光プリンタには、光書込みヘッド100が設置される。円筒形の感光ドラム102の表面に、アモルファスSi等の光導電性を持つ材料(感光体)が作られている。このドラムはプリントの速度で回転している。回転しているドラムの感光体表面を、帯電器104で一様に帯電させる。そして、光書込みヘッド100で、印字するドットイメージの光を感光体上に照射し、光の当たったところの帯電を中和し、潜像を形成する。続いて、現像器106で感光体上の帯電状態にしたがって、トナーを感光体上につける。そして、転写器108でカセット110中から送られてきた用紙112上に、トナーを転写する。用紙は、定着器114にて熱等を加えられ定着され、スタッカ116に送られる。一方、転写の終了したドラムは、消去ランプ118で帯電が全面にわたって中和され、清掃器120で残ったトナーが除去される。このような光書込みヘッドは、プリンタのみならずファクシミリ,複写機などの画像形成装置にも利用することができる。
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。例えば、本実施例に開示した積層構造の発光サイリスタは、自己走査型発光素子アレイ以外の発光素子アレイに適用してもよく、更には、アレイではなく単体の発光素子として、画像形成装置以外の電子機器に適用してもよい。
例えば、基板上に、基板側から順に、アノード層、n型層、ゲート電極が設けられたp型のゲート層、及びカソード電極が設けられたカソード層が積層された積層構造と、前記アノード層と前記n型のゲート層との境界、または前記アノード層内に設けられたAlを含む電流狭窄層と、前記積層構造の側面から前記電流狭窄層が酸化されて形成された電流狭窄構造と、を備える発光サイリスタを、自己走査型発光素子アレイ以外の発光素子アレイに適用してもよく、更には、アレイではなく単体の発光素子として、画像形成装置以外の電子機器に適用してもよい。
10:SLED
20:半導体基板
21:DBR
22:アノード層
24:nゲート層
26:pゲート層
28L、28T、28PT:カソード層
30:電流狭窄層
30A:酸化領域
30B:非酸化領域
32L、32T、32PT:カソード電極
34:ゲート電極
40:アノード電極
50、52、52a、52b、54、56、56a、56b:側面
Li:発光部サイリスタ
Ti:シフト部サイリスタ
PTi:寄生サイリスタ
Di:結合ダイオード
K:酸化領域と非酸化領域との境界
20:半導体基板
21:DBR
22:アノード層
24:nゲート層
26:pゲート層
28L、28T、28PT:カソード層
30:電流狭窄層
30A:酸化領域
30B:非酸化領域
32L、32T、32PT:カソード電極
34:ゲート電極
40:アノード電極
50、52、52a、52b、54、56、56a、56b:側面
Li:発光部サイリスタ
Ti:シフト部サイリスタ
PTi:寄生サイリスタ
Di:結合ダイオード
K:酸化領域と非酸化領域との境界
Claims (6)
- 電流狭窄層に到達しない深さの第1のメサ構造と、
前記電流狭窄層に到達する深さの第2のメサ構造と、
前記第1のメサ構造内に形成されたシフト部サイリスタと、
前記第2のメサ構造内に形成され、前記第2のメサ構造の側面から前記電流狭窄層が酸化され形成された電流狭窄構造を有する発光部サイリスタと、
を備える自己走査型発光素子アレイ。 - 前記第1のメサ構造は、ウエットエッチングにより形成された構造であり、前記第2のメサ構造は、ドライエッチングにより形成された構造である、請求項1に記載の自己走査型発光素子アレイ。
- 前記第1のメサ構造は、ウエットエッチングにより形成された構造であり、前記第2のメサ構造は、前記第1のメサ構造の深さまではウエットエッチングにより形成され、前記第1のメサ構造よりも深い部分はドライエッチングにより形成された構造である、請求項1に記載の自己走査型発光素子アレイ。
- 前記第1のメサ構造及び前記第2のメサ構造は、基板上に、基板側から順に、アノード層、前記電流狭窄層、n型のゲート層、p型のゲート層、及びカソード層が順に積層された積層構造に形成されている請求項1または2に記載の自己走査型発光素子アレイ。
- 請求項1ないし4いずれか1つに記載の自己走査型発光素子アレイを用いた光書込みヘッド。
- 請求項5に記載の光書込みヘッドを備えた画像形成装置。
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