JP5311789B2 - 酸化チタンの特性制御方法 - Google Patents
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- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003821 2-(trimethylsilyl)ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si](C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C(OC([H])([H])[*])([H])[H] 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
電気化学および工業物理化学(電気化学会発行)、69 [5]、p.324〜328(2001)
1. 酸化チタンの粉末から形成される皮膜に対してフルーエンス0.05〜0.2J/cm2、パルス幅50〜1000fs、波長200〜1600nmのフェムト秒レーザを照射することを特徴とする酸化チタンの特性制御方法であって、フェムト秒レーザの照射によって、照射部分の酸化チタンの皮膜の表面又は内部の電気抵抗値が低下する酸化チタンの特性制御方法。
2. 前記酸化チタンの粉末から形成される皮膜が、酸化チタンの粉末とHeガスとからなるエアロゾルビームを基板に照射することによって基板上に形成された皮膜であることを特徴とする上記項1に記載の酸化チタンの特性制御方法。
3. 上記項1又は2の方法によって酸化チタンの皮膜にフェムト秒レーザを照射した後、照射部分に、連続波レーザを照射して、フェムト秒レーザの照射前の電気伝導性に戻すことを特徴とする酸化チタンの特性制御方法。
4. 酸化チタンの皮膜に対してフェムト秒レーザを照射した後、照射部分に、連続波レーザを照射して、フェムト秒レーザの照射前の電気伝導性に戻すことを特徴とする酸化チタンの特性制御方法。
(1)酸化チタン皮膜の形成
被処理物とする酸化チタン皮膜は、酸化チタン粉末とHeガスからなるエアロゾルビームをガラス基板に吹き付けることによって形成した。エアロゾルビームによる酸化チタン膜形成システムの概略図を図2に示す。
上記した方法で形成した酸化チタン皮膜に対して、波長800 nm、パルス幅100 fs、繰り返し周波数1 kHz、フルーエンス0.28 J/cm2、強度2.8×1012 W/cm2の条件でフェムト秒レーザを照射した。レーザ照射スポットは、ステージに取り付けた皮膜の位置を制御することにより1 mm/sの速度で掃引させた。図3の上段は、フェムト秒レーザの照射によって酸化チタン膜を黒色化する工程を模式的に示す図面である。この操作によりレーザ照射部分については、酸化チタン皮膜の表面が黒色に変色した。
図4は、レーザフルーエンスを変化させてフェムト秒レーザを照射した場合の酸化チタン膜の表面状態を示す写真である。フェムト秒レーザの照射条件は、レーザフルーエンス値以外は、上記(2)項に記載した照射条件と同一である。
Claims (4)
- 酸化チタンの粉末から形成される皮膜に対してフルーエンス0.05〜0.2J/cm2、パルス幅50〜1000fs、波長200〜1600nmのフェムト秒レーザを照射することを特徴とする酸化チタンの特性制御方法であって、フェムト秒レーザの照射によって、照射部分の酸化チタンの皮膜の表面又は内部の電気抵抗値が低下する酸化チタンの特性制御方法。
- 前記酸化チタンの粉末から形成される皮膜が、酸化チタンの粉末とHeガスとからなるエアロゾルビームを基板に照射することによって基板上に形成された皮膜であることを特徴とする請求項1に記載の酸化チタンの特性制御方法。
- 請求項1又は2の方法によって酸化チタンの皮膜にフェムト秒レーザを照射した後、照射部分に、連続波レーザを照射して、フェムト秒レーザの照射前の電気伝導性に戻すことを特徴とする酸化チタンの特性制御方法。
- 酸化チタンの皮膜に対してフェムト秒レーザを照射した後、照射部分に、連続波レーザを照射して、フェムト秒レーザの照射前の電気伝導性に戻すことを特徴とする酸化チタンの特性制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007248660A JP5311789B2 (ja) | 2007-09-26 | 2007-09-26 | 酸化チタンの特性制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007248660A JP5311789B2 (ja) | 2007-09-26 | 2007-09-26 | 酸化チタンの特性制御方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009081235A JP2009081235A (ja) | 2009-04-16 |
JP2009081235A5 JP2009081235A5 (ja) | 2010-11-04 |
JP5311789B2 true JP5311789B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=40655781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007248660A Active JP5311789B2 (ja) | 2007-09-26 | 2007-09-26 | 酸化チタンの特性制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5311789B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6346947B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2018-06-20 | 日東電工株式会社 | 汚染物質を分解するためのフィルタエレメント、汚染物質を分解するためのシステムおよび該システムを使用する方法 |
JP5865303B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2016-02-17 | アイシン精機株式会社 | レーザ処理装置、およびレーザ処理方法 |
JP7216387B2 (ja) * | 2018-01-09 | 2023-02-01 | 学校法人立命館 | 電流狭窄型高出力縦型ヘテロ接合fetを製造する方法および装置 |
JP7190889B2 (ja) * | 2018-12-07 | 2022-12-16 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置モジュール |
JP7182450B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2022-12-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
CN110230084B (zh) * | 2019-04-15 | 2020-09-11 | 清华大学 | 基于飞秒激光退火处理的钛表面多晶结构形成方法及系统 |
JP7277276B2 (ja) * | 2019-06-18 | 2023-05-18 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
KR102299658B1 (ko) * | 2020-05-18 | 2021-09-10 | 충북대학교 산학협력단 | 펨토초 레이저 표면처리에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 산화물 박막 트랜지스터 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0383878A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-09 | Toshiba Corp | セラミックス装飾方法 |
JP2002283729A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Mitsubishi Materials Corp | マーキング基材及びそれを用いた積層基材 |
-
2007
- 2007-09-26 JP JP2007248660A patent/JP5311789B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009081235A (ja) | 2009-04-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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