JPH0383878A - セラミックス装飾方法 - Google Patents
セラミックス装飾方法Info
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- JPH0383878A JPH0383878A JP1217559A JP21755989A JPH0383878A JP H0383878 A JPH0383878 A JP H0383878A JP 1217559 A JP1217559 A JP 1217559A JP 21755989 A JP21755989 A JP 21755989A JP H0383878 A JPH0383878 A JP H0383878A
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Links
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、レーザ加工を利用したセラミックスの装飾方
法に関する。
法に関する。
(従来の技術)
従来、セラミックスに文字や模様を描くセラミックスの
装飾方法として、レーザを用いるものが知られている。
装飾方法として、レーザを用いるものが知られている。
この方法においては、セラミックス表面にレーザを照射
し、この照射部位を溶融、蒸発させている。すなわち、
溶融、蒸発により照射部分を除去することで、文字や模
様を描くものである。
し、この照射部位を溶融、蒸発させている。すなわち、
溶融、蒸発により照射部分を除去することで、文字や模
様を描くものである。
この方法で装飾されたセラミックスにおいて6よ、除去
された部分からクラックが発生し易いこともあり、強度
的に弱くなるという不都合が生じていた。また、平面な
ど連続した面を要求されるセラミックスには、適用でき
なかった。
された部分からクラックが発生し易いこともあり、強度
的に弱くなるという不都合が生じていた。また、平面な
ど連続した面を要求されるセラミックスには、適用でき
なかった。
(発明が解決しようとする課題)
このように、従来、レーザによるセラミックスの装飾方
法にあっては、装飾部分を除去するものであったため、
強度低下を招くことや適用範囲を限定されることなどの
m’+uがあった。
法にあっては、装飾部分を除去するものであったため、
強度低下を招くことや適用範囲を限定されることなどの
m’+uがあった。
本発明の目的は従来のかかる問題点を解決することであ
り、強度の低下を招かずまた適用範囲を限定されずに装
飾を行えるセラミックスの装飾方法を提供することにあ
る。
り、強度の低下を招かずまた適用範囲を限定されずに装
飾を行えるセラミックスの装飾方法を提供することにあ
る。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段および作用〉上記目的を達
成するために、本発明にかかるセラミックスの装飾方法
は、レーザをセラミックス表面に照射し、該セラミック
ス表面を選択的に変色させることを特徴としている。
成するために、本発明にかかるセラミックスの装飾方法
は、レーザをセラミックス表面に照射し、該セラミック
ス表面を選択的に変色させることを特徴としている。
本発明にかかる装飾方法が適用され得るセラミックスと
しては、元来、レーザを比較的良好に吸収するチタニア
(Tie、)、窒化ケイ素〈515N4〉など有色のセ
ラミックスより、元来、レーザの多くを反射してしまう
アルミナ(Als。
しては、元来、レーザを比較的良好に吸収するチタニア
(Tie、)、窒化ケイ素〈515N4〉など有色のセ
ラミックスより、元来、レーザの多くを反射してしまう
アルミナ(Als。
、)、ジルコニア(ZrOx)や、ムライト、スピネル
構造を有するセラミ・ノクスなど、白色系のセラミック
スにおいて、より変色の程度が顕著となる。
構造を有するセラミ・ノクスなど、白色系のセラミック
スにおいて、より変色の程度が顕著となる。
また1本発明にかかるセラミックスを変色させ得るレー
ザのエネルギ密度としては、セラミックスの種類により
異なるが、10J/−〜10000J/−が望ましい0
例えば、セラミックスがアルミナであれば、50〜50
0J/aJ程度が望ましく、安定化ジルコニアであれば
、1000〜80O0J/aJ程度が望ましく、sic
であれば、1000〜4000J/aIi程度が望まし
い。
ザのエネルギ密度としては、セラミックスの種類により
異なるが、10J/−〜10000J/−が望ましい0
例えば、セラミックスがアルミナであれば、50〜50
0J/aJ程度が望ましく、安定化ジルコニアであれば
、1000〜80O0J/aJ程度が望ましく、sic
であれば、1000〜4000J/aIi程度が望まし
い。
また、上述のようなエネルギ密度のレーザ照射を行うに
際しては、エネルギ密度の大きさ等にもよるが、例えば
CO2レーザなどでIKW出力する際、焦点での照射で
、10 m / Sec以上のビーム移動が好ましく、
50 wm / Sec以上のビーム移動がより好まし
い。
際しては、エネルギ密度の大きさ等にもよるが、例えば
CO2レーザなどでIKW出力する際、焦点での照射で
、10 m / Sec以上のビーム移動が好ましく、
50 wm / Sec以上のビーム移動がより好まし
い。
そして、上述のようなエネルギ密度のレーザを発生する
レーザ照射装置としては、炭酸ガス(COx)レーザ加
工機など高出力装置として汎用されているレーザ装置が
好ましいものであるが、必要なエネルギ密度を満たすも
のであれば、YAGレーザ装置や、その池のレーザ装置
であっても用いることができる。
レーザ照射装置としては、炭酸ガス(COx)レーザ加
工機など高出力装置として汎用されているレーザ装置が
好ましいものであるが、必要なエネルギ密度を満たすも
のであれば、YAGレーザ装置や、その池のレーザ装置
であっても用いることができる。
また、レーザ照射の環境としては、セラミックスが酸化
物の場合には、後述するように、酸素欠陥による変色を
図って、大気中より、比較的酸素分圧の低い不活性ガス
雰囲気あるいは還元雰囲気中が望ましく、セラミックス
が非酸化物の場合には、大気中あるいは酸化雰囲気中が
望ましい。
物の場合には、後述するように、酸素欠陥による変色を
図って、大気中より、比較的酸素分圧の低い不活性ガス
雰囲気あるいは還元雰囲気中が望ましく、セラミックス
が非酸化物の場合には、大気中あるいは酸化雰囲気中が
望ましい。
また、本発明にかかる装飾としては、セラミックスはさ
み、ナイフ等積々のセラミックス製品や一枚板ステンド
グラス等装飾製品に対するマーキングを含めた装飾に限
るものでなく、放熱特性の改善を目的とした電子部品基
板の着色などにも適用できる。
み、ナイフ等積々のセラミックス製品や一枚板ステンド
グラス等装飾製品に対するマーキングを含めた装飾に限
るものでなく、放熱特性の改善を目的とした電子部品基
板の着色などにも適用できる。
また、本発明にかかるセラミックスとしては、板状物等
任意の形状をとるセラミックス単体であってもよいし、
レーザ照射される表面部分のみがセラミックスで、基材
がセラミックスと別の単体ないし化合物であってもよい
。
任意の形状をとるセラミックス単体であってもよいし、
レーザ照射される表面部分のみがセラミックスで、基材
がセラミックスと別の単体ないし化合物であってもよい
。
このように、セラミックスを変色させ得るエネルギ密度
のレーザをセラミックス表面に照射すると、照射部分が
急速に加熱および冷却され、非化学量論組成となり、セ
ラミックスが変色すると考えられる。すなわち、セラミ
ックスが酸化物の場合には、酸素の欠陥が生じて非化学
量論組成となると考えられるもので、この場合には、黒
色化(暗色化)が起きることが多い、そして、セラミッ
クスが非酸化物の場合には、酸素の侵入により非化学量
論組成が生成されると考えられる。
のレーザをセラミックス表面に照射すると、照射部分が
急速に加熱および冷却され、非化学量論組成となり、セ
ラミックスが変色すると考えられる。すなわち、セラミ
ックスが酸化物の場合には、酸素の欠陥が生じて非化学
量論組成となると考えられるもので、この場合には、黒
色化(暗色化)が起きることが多い、そして、セラミッ
クスが非酸化物の場合には、酸素の侵入により非化学量
論組成が生成されると考えられる。
したがって、上述のような適当量のエネルギ密度のレー
ザ照射で変色を行い、一部を除去することなくセラミッ
クスの装飾を行えるため、セラミックスの強度の低下を
招かず、また、平面など連続した面を要求される際にも
適用できるなど適用範囲が限定されない。
ザ照射で変色を行い、一部を除去することなくセラミッ
クスの装飾を行えるため、セラミックスの強度の低下を
招かず、また、平面など連続した面を要求される際にも
適用できるなど適用範囲が限定されない。
(実施例)
実施例I
A1.O,の焼結板(直径30−厚さ3閣)を、アルゴ
ン雰囲気中でレーザ照射した。レーザ条件は、CO,レ
ーザで、■ 700W、オシレーションモード、 25
00 was/ Win移動(エネルギ密度110J/
り、■ 400W、オシレーションモード、 120
0nm/Win移動(エネルギ密度130J/−)であ
った。
ン雰囲気中でレーザ照射した。レーザ条件は、CO,レ
ーザで、■ 700W、オシレーションモード、 25
00 was/ Win移動(エネルギ密度110J/
り、■ 400W、オシレーションモード、 120
0nm/Win移動(エネルギ密度130J/−)であ
った。
結果は、■、■両条件においても、はとんど同様に、乳
白色から黒色へと変化した。
白色から黒色へと変化した。
実施例2
CeOx 、Zro、、Y* 05が混在する焼結[(
35−X35謹×2−)を、大気中でレーザ照射した。
35−X35謹×2−)を、大気中でレーザ照射した。
レーザ条件は、CO2レーザで、■650W、オシレー
ションモード、100m/醜111移動くエネルギ密度
1800J/cJ)、■ 650W、オシレーションモ
ード、 25mm/Win(エネルギ密度7200J/
csl)であった。
ションモード、100m/醜111移動くエネルギ密度
1800J/cJ)、■ 650W、オシレーションモ
ード、 25mm/Win(エネルギ密度7200J/
csl)であった。
結果は、薄黄色から、■条件では、黒色、濃黄色の混在
となり、■条件では、濃黄色、茶色の混在となった。
となり、■条件では、濃黄色、茶色の混在となった。
実施例3
SiC焼結板(20w+X20■×3−)を、大気中で
レーザ照射した。レーザ条件は、CO,レーザで、85
0W、オシレージリンモード、200 = / l i
n移動(エネルギ密度1160J/aJ>であった。
レーザ照射した。レーザ条件は、CO,レーザで、85
0W、オシレージリンモード、200 = / l i
n移動(エネルギ密度1160J/aJ>であった。
結果としてセラミックスは、黒に近い濃緑色から淡白色
となった。
となった。
以上の結果から明らかなように、セラミ・フクスの表面
を所定範囲内エネルギ密度でレーザ照射すると、一部が
除去されるなどの損傷を受けることなく、照射された部
分が顕著に変色するという結果が得られた。
を所定範囲内エネルギ密度でレーザ照射すると、一部が
除去されるなどの損傷を受けることなく、照射された部
分が顕著に変色するという結果が得られた。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明のセラミックス
の装飾方法においては、セラミックス表面に対して適当
量のレーザを照射することで、任意の部分を容易に変色
でき、しかも、照射部分を除去するものでないため強度
の低下を招いたり適用範囲を限定されることがなく、そ
の工業的価値は極めて大きい。
の装飾方法においては、セラミックス表面に対して適当
量のレーザを照射することで、任意の部分を容易に変色
でき、しかも、照射部分を除去するものでないため強度
の低下を招いたり適用範囲を限定されることがなく、そ
の工業的価値は極めて大きい。
Claims (1)
- レーザをセラミックス表面に照射し、該セラミックス表
面を変色させることを特徴とするセラミックスの装飾方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1217559A JPH0383878A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | セラミックス装飾方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1217559A JPH0383878A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | セラミックス装飾方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0383878A true JPH0383878A (ja) | 1991-04-09 |
Family
ID=16706158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1217559A Pending JPH0383878A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | セラミックス装飾方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0383878A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001097786A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-04-10 | Kyocera Corp | セラミック部材のマーキング方法とマーキングされたセラミック部材 |
JP2007030378A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス製品及びその製造方法 |
JP2009081235A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Osaka Univ | n型酸化物半導体の特性制御方法 |
US9746153B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-08-29 | Philips Lighting Holding B.V. | Light emitting diode module with improved light characteristics |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1217559A patent/JPH0383878A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001097786A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-04-10 | Kyocera Corp | セラミック部材のマーキング方法とマーキングされたセラミック部材 |
JP4653291B2 (ja) * | 1999-07-29 | 2011-03-16 | 京セラ株式会社 | セラミック部材のマーキング方法とマーキングされたセラミック部材 |
JP2007030378A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス製品及びその製造方法 |
JP2009081235A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Osaka Univ | n型酸化物半導体の特性制御方法 |
US9746153B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-08-29 | Philips Lighting Holding B.V. | Light emitting diode module with improved light characteristics |
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