JP7216387B2 - 電流狭窄型高出力縦型ヘテロ接合fetを製造する方法および装置 - Google Patents
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Description
p型不純物がドープされたn-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体をp型活性化してp型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法であって、
前記n-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体に、強度がアブレーション閾値未満のレーザ光を照射することにより、前記n-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体をp型活性化することを特徴とする方法。
〔項2〕
前記レーザ光の強度は、10~100W/cm2である、項1に記載の方法。
〔項3〕
前記レーザ光は、紫外レーザ光である、項1または2に記載の方法。
〔項4〕
前記レーザ光は、ArFエキシマレーザ光、または、F2エキシマレーザ光である、項3に記載の方法。
〔項5〕
前記レーザ光は、可視レーザ光である、項1または2に記載の方法。
〔項6〕
前記p型不純物は、マグネシウムである、項1~5のいずれか一項に記載の方法。
〔項7〕
半導体素子を製造する方法であって、
p型不純物がドープされたn-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体の層を形成する形成工程と、
項1~6のいずれか一項に記載の方法によって、前記層をp型活性化する活性化工程と、
を含む、方法。
〔項8〕
前記半導体素子は電流狭窄型高出力縦型ヘテロ接合FETである、項7に記載の方法。
〔項9〕
p型不純物がドープされたn-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体の層をp型活性化してp型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する装置であって、
前記層に、強度がアブレーション閾値未満のレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記層と前記レーザ光源との相対位置を制御する位置制御手段と、
を備え、
前記n-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体は、前記レーザ光が照射されることによりp型活性化することを特徴とする装置。
〔項10〕
前記層からの散乱光を検知することにより、p型活性化しているか否かを観測する観測手段をさらに備える、項9に記載の装置。
図1は、本発明の一実施形態に係るp型GaNを製造する装置1の概略構成図である。装置1は、本発明に係るp型GaNを製造する方法を実施するために用いられる。本発明に係る方法は、p型不純物がドープされたn-またはn型GaNをp型活性化してp型GaNを製造する方法であって、前記n-またはn型GaNに、強度がアブレーション閾値未満のレーザ光を照射することによりp型活性化することを特徴とする。
本発明に係るp型GaNの製造方法は、n-またはn型GaN型GaNを局所的にp型活性化する必要のある半導体素子の製造に好適である。以下では、そのような半導体素子として電流狭窄型高出力縦型ヘテロ接合FETを製造する方法について説明する。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、種々の変更が可能である。
実施例1では、強度の異なるレーザ光をn-型GaNに照射した後、GaN結晶の表面の状態を観察した。図5(a)は、強度が135W/cm2(1.8mJ)のArFエキシマレーザ光を照射パルス数50Hzでn-型GaNに照射した後における表面の画像である。上記の強度は、アブレーション閾値以上であるため、照射部分(左右に平行に延びる2つの線状領域)が損傷していることが分かる。
実施例2では、Mgドープn-型GaNをレーザ光照射によってp型活性化させたp型GaN、および従来の熱処理によってp型活性化させたp型GaNの物性を比較した。具体的には、MOCVD法によって3つのMgドープGaNの結晶を成長させた。Mgドーピング濃度は5.2×1019cm-であった。2つのMgドープGaNにはそれぞれ、強度が225W/cm2(3.0mJ、アブレーション閾値以上)および82.5W/cm2(1.1mJ、アブレーション閾値未満)のArFエキシマレーザ光を150Hzで照射することによりp型活性化させた。比較例として、3つ目のMgドープGaNは、950℃の窒素雰囲気で20分間アニーリングすることによりp型活性化させた。これにより作製されたp型GaNの正孔濃度および正孔移動度をホール効果測定した。その結果を表1に示す。
実施例3では、マスクを用いてn-型GaNの局所的なp型活性化を行った。具体的には、図6(a)に示すように、n型Si基板12、導電性AlNバッファ層13、高濃度n型GaN層14およびn-型のMgドープGaN層15を順に積層した積層体を作製し、MgドープGaN層15上の一部に幅が3mmのマスク層18を形成した。MgドープGaN層15は、厚さが1.1μmであり、Mgドーピング濃度が5.2×1019cm-であった。そして、MgドープGaN層15およびマスク層18の一部に、ArFエキシマレーザ光L1を照射した。レーザ光L1の強度は75W/cm2(1.0mJ)、照射パルス数は150Hzであった。これにより、MgドープGaN層15のマスク層18に被覆されていなかった領域のみp型のGaN層15aとなった。
実施例4では、熱拡散によりn-型GaNの表面だけでなく、内部もp型活性化できることを検証した。具体的には、図7(a)に示すように、n型Si基板12、導電性AlNバッファ層13、高濃度n型GaN層14およびn-型のMgドープGaN層15を順に積層した積層体を作製し、MgドープGaN層15上の一部に幅が4μmの2つのマスク層18を形成した。マスク層18の間隔は8μmであった。そして、MgドープGaN層15の全面およびマスク層18の一部に、ArFエキシマレーザ光L1を照射した。レーザ光L1の強度は75W/cm2(1.0mJ)、照射パルス数は150Hzであった。これにより、図7(b)に示すように、MgドープGaN層15のマスク層18に被覆されていなかった領域のみp型のGaN層15aとなった。
2 レーザ光源
3 可動ステージ(位置制御手段)
4 制御コンピュータ(位置制御手段)
5 光スペクトラムアナライザ(観測手段)
10 電流狭窄型高出力縦型ヘテロ接合FET
15 MgドープGaN層(n-型窒化ガリウム系化合物半導体)
15a p型GaN層(p型窒化ガリウム系化合物半導体)
L1 レーザ光
Claims (9)
- 電流狭窄型高出力縦型ヘテロ接合FETを製造する方法であって、
p型不純物がドープされたn-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体の層を形成する形成工程と、
前記n-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体に、強度がアブレーション閾値未満のレーザ光を照射することにより、前記n-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体の層をp型活性化する活性化工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記レーザ光の強度は、10~100W/cm2である、請求項1に記載の方法。
- 前記レーザ光は、紫外レーザ光である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記レーザ光は、ArFエキシマレーザ光、または、F2エキシマレーザ光である、請求項3に記載の方法。
- 前記レーザ光は、可視レーザ光である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記レーザ光は、ヘムト秒レーザである、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記p型不純物は、マグネシウムである、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 電流狭窄型高出力縦型ヘテロ接合FETを製造する装置であって、
p型不純物がドープされたn - またはn型窒化ガリウム系化合物半導体の層を形成する形成装置と、
前記p型不純物がドープされたn-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体の層をp型活性化してp型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する活性化装置であって、
前記層に、強度がアブレーション閾値未満のレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記層と前記レーザ光源との相対位置を制御する位置制御手段と、
を備え、
前記n-またはn型窒化ガリウム系化合物半導体は、前記レーザ光が照射されることによりp型活性化することを特徴とする活性化装置と、
を備える、装置。 - 前記活性化装置は、前記層からの散乱光を検知することにより、p型活性化しているか否かを観測する観測手段をさらに備える、請求項8に記載の装置。
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