JP5297227B2 - フィルタ - Google Patents

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本発明は、インターディジタル型のフィルタに関するものである。
図11は、従来のフィルタの構成を示しており、このフィルタは、表面に接地導体2aを載置した誘電体基板1aの裏面に薄膜状の導体部310を形成し、誘電体基板1bが、その裏面を誘電体基板1aの裏面に対向させて導体部310上に載置され、誘電体基板1bの表面に接地導体2bを載置したストリップ線路構造を有する。ここで、誘電体基板1a,1bで誘電体基板1を構成しており、導体部310は、誘電体基板1内で接地導体2a,2bに対して平行に形成されている。
薄膜状の導体部310は、誘電体基板1a,1bの間で接地導体2a,2bの面に対して平行な面上に形成された矩形状の導体片301〜304で構成され、導体片301〜304は、導体片の幅方向で所定の間隔毎に並設されている。並設方向で隣り合う導体片301〜304は互いに電磁結合によって結合し、並設方向の一端の導体片301からは給電部4が延設され、並設方向の他端の導体片304からは出力部5が延設されている。
そして、導体片301〜304は、その並設方向に直交する導体片の長さ方向のいずれかの端部に接地用スルーホール6を設けており、導体片301〜304は接地用スルーホール6を介して接地導体2a,2bに電気的に接続している。導体片301〜304は、隣り合う導体片とは逆の端部に接地用スルーホール6を形成しており、例えば、導体片301が一方の端部に接地用スルーホール6を形成すれば、導体片302は他方の端部に接地用スルーホール6を形成し、導体片303は一方の端部に接地用スルーホール6を形成し、導体片304は他方の端部に接地用スルーホール6を形成する。また、導体片301〜304の接地用スルーホール6を設けていない端部は開放されている。
この導体片301〜304は共振器として動作し、隣り合う導体片とインターディジタル型に配置されて互いに電磁結合させることにより、給電部4の入力に対する出力部5の出力が所定の周波数帯域のみ通過するバンドパスフィルタを構成している(例えば、特許文献1参照)。
上記従来技術によるバンドパスフィルタの通過特性を図12に示す。図12の横軸は周波数、縦軸は減衰量であり、中心周波数f0=4GHzの周辺を本来の通過帯域B11とするバンドパスフィルタの特性を示している。なお、減衰量が中心周波数におけるピーク値から3dB低下するまでの範囲を通過帯域とする。
そして、図13は導体片300(以後、導体片301〜304を区別しない場合は導体片300と称す)の詳細図を示しており、導体片300の各寸法とバンドパスフィルタの特性との関係は、矩形状の導体片300の長さ、幅、隣り合う導体片とのギャップをそれぞれL,W,Gとすると、導体片300の長さLを1/4波長とする周波数がバンドパスフィルタの中心周波数f0となり、導体片300の幅WとギャップG(以降、水平ギャップGと称す)が通過帯域B11を決定する。
特公昭61−19122号公報
上記従来技術によるバンドパスフィルタでは、水平ギャップGを狭くして、導体片300間の結合度を強くするほど、その通過特性Y11は図14に示すように、通過帯域B11がB11a〜B11bまで広がる。しかしながら、一般的な電子回路基板や、LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)基板等を誘電体基板1に用いた場合、製造上の制約によって水平ギャップGの最小値は0.05mm程度が限界であり、通過帯域のさらなる広帯域化を図ることが困難であった。
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造上の制約を受けることなく通過帯域の広帯域化を図ることができるフィルタを提供することにある。
請求項1の発明は、厚み方向の両面に接地導体を備えた誘電体板と、誘電体板内で接地導体に対して平行な方向に並設されて、互いに電磁結合によって結合した複数の導体片と、複数の導体片のうち並設方向の一端の導体片に形成された給電部と、複数の導体片のうち並設方向の他端の導体片に形成された出力部と、各導体片の前記並設方向に対する直交方向の両端部のうち、並設方向に隣り合う導体片とは逆の端部に形成されて、各導体片を誘電体板の両面の接地導体に接続する接地用スルーホールとを備え、誘電体板内で厚み方向の位置が互いに異なり且つ接地導体に対して平行な複数の面上に各導体片が配置され、各導体片が配置される面は、並設方向に隣り合う導体片が形成された面に対して厚み方向に隣接する面であり、各導体片は、当該導体片の接地用スルーホールを形成した端部が、並設方向に隣り合う導体片の接地用スルーホールを形成していない端部から離れるように、各面上において並設方向に対する直交方向へずらして配置され、並設方向に隣り合う各導体片は、厚み方向からみて互いの一部が重なることを特徴とする。
この発明によれば、導体片間の水平ギャップを「正」の値だけでなく、「0」や「負」の値にまで狭めることも可能であり、製造上の制約を受けることなく導体片間の結合度をより強くして通過帯域の広帯域化を図ることができる。また、隣り合う導体片が互いに重なり合う領域を大きくしていっても、導体片の端部の接地結合部が、隣接する導体片の端部と干渉することはなく、隣り合う導体片間の電磁結合をさらに強力にして、通過帯域の大幅な広帯域化を図ることができる。さらに、導体片間の結合度をより強くして通過帯域の広帯域化を図ることができる。
以上説明したように、本発明では、製造上の制約を受けることなく通過帯域の広帯域化を図ることができるという効果がある。また、隣り合う導体片が互いに重なり合う領域を大きくしていっても、導体片の端部の接地結合部が、隣接する導体片の端部と干渉することはなく、隣り合う導体片間の電磁結合をさらに強力にして、通過帯域の大幅な広帯域化を図ることができる。さらに、導体片間の結合度をより強くして通過帯域の広帯域化を図ることができる。
実施形態1のフィルタの構成を示す一部分解斜視図である。 同上の構成を示す側面断面図である。 同上の導体片の構成を示す平面図である。 同上の導体片の構成を示す側面図である。 (a)(b)同上の導体片間の水平ギャップが「0」「負」の場合を示す平面図である。 同上の減衰特性の変化を示す図である。 (a)(b)隣り合う導体片間の水平ギャップが大きい状態を示す斜視図である。 (a)(b)隣り合う導体片間の水平ギャップを狭めた状態を示す斜視図である。 実施形態2のフィルタの一部構成を示す斜視図である。 同上の導体片の構成を示す平面図である。 従来のフィルタの構成を示す一部分解斜視図である。 同上の減衰特性を示す図である。 同上の導体片の構成を示す平面図である。 同上の減衰特性の変化を示す図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
(実施形態1)
図1、図2は、本実施形態のフィルタの構成を示しており、このフィルタは、一面に接地導体2aを載置し、他面に接地導体2bを載置した誘電体基板1内に薄膜状の導体部30を形成したストリップ線路構造を有し、導体部30は、誘電体基板1内で接地導体2a,2bに対して平行に形成されている。ここで図1は、誘電体基板1をその面方向に切断した状態を示しており、誘電体基板1は、その一面側および他面側を一体に形成した1枚構造、または複数枚を重ね合わせた積層構造のいずれでもよい。
薄膜状の導体部30は、誘電体基板1内に形成された矩形状の導体片31〜36で構成され、導体片31〜36は、誘電体基板1の厚み方向(誘電体基板1の面に対する法線方向)からみて、導体片の幅方向で所定の間隔毎に並設されている。並設方向で隣り合う導体片31〜36は互いに電磁結合によって結合し、並設方向の一端の導体片31からは給電部4が延設され、並設方向の他端の導体片36からは出力部5が延設されている。
さらに、誘電体基板1内には、接地導体2a,2bの面に対して平行で、且つ誘電体基板1内での厚み方向の位置(レベル)が互いに異なる2つの面S1,S2(図2参照)が仮想的に設けられている。2つの面S1,S2は、誘電体基板1内で厚み方向にギャップD(以降、垂直ギャップDと称す)だけ離れており、導体片32,34,36は、接地導体2aを載置した誘電体基板1の一面側に位置する面S1上に配置され、導体片31,33,35は、接地導体2bを載置した誘電体基板1の他面側に位置する面S2上に配置されている。すなわち、導体片31〜36は、誘電体基板1内において、基板の厚み方向に垂直ギャップD間隔で交互にずれながら面方向に並設されているのである。
そして、導体片31〜36は、その並設方向に直交する導体片の長さ方向のいずれかの端部に接地用スルーホール6(接地結合部)を設けており、接地用スルーホール6は、誘電体基板1内をその厚み方向に挿通して接地導体2a,2bに接続し、導体片31〜36は接地用スルーホール6を介して接地導体2a,2bに電気的に接続している。導体片31〜36は、隣り合う導体片とは逆の端部に接地用スルーホール6を形成しており、例えば、導体片31が一方の端部に接地用スルーホール6を形成すれば、導体片32は他方の端部に接地用スルーホール6を形成し、導体片33は一方の端部に接地用スルーホール6を形成し、導体片34は他方の端部に接地用スルーホール6を形成し、導体片35は一方の端部に接地用スルーホール6を形成し、導体片36は他方の端部に接地用スルーホール6を形成する。また、導体片31〜36の接地用スルーホール6を設けていない端部は開放されている。
この導体片31〜36は共振器として動作し、隣り合う導体片とインターディジタル型に配置されて互いに電磁結合させることにより、給電部4の入力に対する出力部5の出力が所定の周波数帯域のみ通過するバンドパスフィルタを構成している。
図3は導体片3(以後、導体片31〜36を区別しない場合は導体片3と称す)の詳細図を示しており、導体片3の各寸法とバンドパスフィルタの特性との関係は、矩形状の導体片3の長さ、幅、隣り合う導体片とのギャップをそれぞれL,W,Gとすると、導体片3の長さLを1/4波長とする周波数がバンドパスフィルタの中心周波数f0となり、導体片3の幅WとギャップG(以降、水平ギャップGと称す)が通過帯域B1を決定する。
そして、水平ギャップGを狭くして、導体片3間の結合度を強くするほど、通過帯域B1が広がる。しかしながら、一般的な電子回路基板や、LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)基板等を誘電体基板1に用いた場合、製造上の制約によって水平ギャップGの最小値は0.05mm程度が限界であり、この水平ギャップGの限界が従来における通過帯域の広帯域化の限界となっていた。
しかし、本実施形態では図4に示すように、誘電体基板1の面方向からみた場合の導体片3の配置が、誘電体基板1の厚み方向に垂直ギャップD間隔で交互にずれながら面方向に並設されており、この構成によって、隣り合う導体片3間の電磁結合をより強力にしている。
具体的には、図5(a)(b)に示すように、導体片3間の水平ギャップGは「正」の値だけでなく、「0」や「負」の値にまで狭めることも可能である。導体片3間の水平ギャップGが負方向に設定されて、誘電体基板1の厚み方向からみて隣り合う導体片3が互いに重なり合えば、この重なり領域が大きいほど電磁結合がより強力になって、通過帯域B1をより広帯域とすることができる。図6は、水平ギャップGを「0」から「負」の値にまで変化させたときの本実施形態のバンドパスフィルタの通過特性Y1を示しており、水平ギャップGが負方向へ変化して誘電体基板1の厚み方向からみて隣り合う導体片3が互いに重なり合う領域が大きいほど結合度が大きくなり、通過帯域B1がB1a〜B1bまで広がって、より広帯域となる。なお、従来のバンドパスフィルタが導体片3間の水平ギャップGを狭めることで得られる通過特性Y11も図6中に示しているが、本実施形態の通過特性Y1に比べて狭帯域となっている。
このように、本実施形態のフィルタでは、隣り合う導体片3間の水平ギャップGを、製造上の制約を受けることなく従来に比べて狭くでき、導体片3間の結合度をより強くして通過帯域の広帯域化を図っている。
(実施形態2)
実施形態1のフィルタでは、隣り合う導体片3間の水平ギャップGが負方向に設定されて、誘電体基板1の厚み方向からみて隣り合う導体片3が互いに重なり合う領域が大きいほど通過帯域B1が広くなる。しかし、隣り合う導体片3が互いに重なり合う領域を大きくしていくと、ある時点で導体片3の端部の接地用スルーホール6が、隣接する導体片3の端部と干渉するという課題が発生する。
例えば、図7(a)(b)に示すように、隣り合う導体片3間の水平ギャップGが大きく、導体片3の重なり領域が小さい場合には、導体片3の端部の接地用スルーホール6が、隣接する導体片3の端部に干渉する虞はない。しかし、図8(a)(b)に示すように、隣り合う導体片3間の水平ギャップGを狭めていって導体片3の重なり領域が大きくなると、導体片3の端部の接地用スルーホール6が、隣接する導体片3の端部に干渉してしまう。
そこで、本実施形態では、図9、図10に示すように、各導体片3は、当該導体片の接地用スルーホール6を形成した端部が、隣り合う導体片3の接地用スルーホール6を形成していない端部から離れるように、並設方向に対する直交方向(導体片3の長さ方向)へずらして配置されている。
具体的には、導体片31,33,35は、面S2上で接地用スルーホール6を形成した一方の端部側にずれて配置され、導体片32,34,36は、面S1上で接地用スルーホール6を形成した他方の端部側にずれて配置されており、導体片31,33,35の接地用スルーホール6と導体片32,34,36の接地用スルーホール6とが互いに離れる方向へ、導体片31〜36がずれて配置されるのである。
したがって、隣り合う導体片3が互いに重なり合う領域を大きくしていっても、導体片3の端部の接地用スルーホール6が、隣接する導体片3の端部と干渉することはなく、隣り合う導体片3間の電磁結合をさらに強力にして、通過帯域の大幅な広帯域化を図ることができる。
また本実施形態では、隣り合う導体片3が互いに重なり合う長さL’が、バンドパスフィルタの中心周波数f0を決定しており、この長さL’を1/4波長とする周波数がバンドパスフィルタの中心周波数f0となる。なお、導体片3の幅Wと水平ギャップGとが通過帯域B1を決定することは、実施形態1と同様である。
1 誘電体基板
2a,2b 接地導体
3(31〜36) 導体片
4 給電部
5 出力部
6 接地用スルーホール

Claims (1)

  1. 厚み方向の両面に接地導体を備えた誘電体板と、
    誘電体板内で接地導体に対して平行な方向に並設されて、互いに電磁結合によって結合した複数の導体片と、
    複数の導体片のうち並設方向の一端の導体片に形成された給電部と、
    複数の導体片のうち並設方向の他端の導体片に形成された出力部と、
    各導体片の前記並設方向に対する直交方向の両端部のうち、並設方向に隣り合う導体片とは逆の端部に形成されて、各導体片を誘電体板の両面の接地導体に接続する接地用スルーホール
    を備え、
    誘電体板内で厚み方向の位置が互いに異なり且つ接地導体に対して平行な複数の面上に各導体片が配置され、各導体片が配置される面は、並設方向に隣り合う導体片が形成された面に対して厚み方向に隣接する面であり、
    各導体片は、当該導体片の接地用スルーホールを形成した端部が、並設方向に隣り合う導体片の接地用スルーホールを形成していない端部から離れるように、各面上において並設方向に対する直交方向へずらして配置され
    並設方向に隣り合う各導体片は、厚み方向からみて互いの一部が重なる
    ことを特徴とするフィルタ。
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