JP5290054B2 - 半導体集積回路の試験システム - Google Patents
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Description
更に、選択スイッチ回路SW101〜SW104のうち1つだけでなく複数の選択スイッチ回路をオン状態として、高速I/Oの特性テストを行ってもよい。但し、この場合、終端抵抗R101〜R104の抵抗値を、複数の選択スイッチ回路がオン状態となる場合の伝送線路特性に応じて調整する必要がある。
110、120、210、220、310 テストボード
LSI101、LSI102、LSI201、LSI202、LSI301、LSI302 半導体集積回路
LPB101、LPB102、LPB201、LPB202、LPB301、LPB302 ループバックパス
TX101〜TX104、TX201〜TX204 高速出力装置
RX101〜RX104、RX201〜RX204 高速入力装置
TPG101〜TPG104、TPG201〜TPG204 テストパタン発生装置
TPC101〜TPC104、TPC201〜TPC204、TPC301〜TPC304 テストパタンチェック装置
R101〜R104、RV101〜RV104 終端抵抗
Claims (7)
- 出力装置と入力装置を備える半導体集積回路の前記出力装置と前記入力装置の入出力特性試験を前記半導体集積回路内で行う試験システムであって、
前記半導体集積回路がセットされたテストボードが備える伝送線路により、前記出力装置もしくは前記入力装置のいずれか一方の1回路の外部端子に対して、前記出力装置もしくは前記入力装置の他方の複数回路の外部端子がワイヤード接続される
試験システム。 - 前記伝送線路は、
前記出力装置もしくは前記入力装置のいずれか一方の1回路の外部端子と、前記出力装置もしくは前記入力装置の他方の複数回路のそれぞれの外部端子との間に接続され、少なくとも1つがオン状態となる場合、その他がオフ状態となるよう制御される複数の選択スイッチ回路を備える
請求項1に記載の試験システム。 - 前記出力装置もしくは前記入力装置の他方の複数回路は、信号出力もしくは信号入力の駆動能力をオンまたはオフ状態とする機能を有し、前記出力装置もしくは前記入力装置の他方の複数回路のうちの少なくとも1つが駆動能力をオン状態となる場合、その他が駆動能力をオフ状態となるよう制御される
請求項1に記載の試験システム。 - 前記伝送線路は、前記出力装置もしくは前記入力装置のいずれか一方の1回路の外部端子と、前記出力装置もしくは前記入力装置の他方の複数回路の外部端子との間に接続される、第1のカップリングコンデンサを有する
請求項1に記載の試験システム。 - 前記入力装置の複数回路は、それぞれの外部端子に接続される終端抵抗を備え、前記終端抵抗は、それぞれ抵抗としてオンまたはオフ状態となる機能を有し、少なくとも1つがオン状態となる場合、その他がオフ状態となるよう制御される
請求項4に記載の試験システム。 - 前記半導体集積回路は、
前記入出力特性試験のため、前記出力装置の1回路が送信する送信信号のテストパタンを生成するテストパタン生成回路と、
前記出力装置からの送信信号に応じ、前記入力装置の複数回路が再生したテストパタンをチェックするチェック回路と、を有し、
前記チェック回路は、前記入力装置の複数回路のうち、オン状態となった前記終端抵抗を備える入力装置の再生するテストパタンをチェックする
請求項5に記載の試験システム。 - 前記終端抵抗は、可変抵抗であり、オン状態のとき、前記伝送線路の特性に応じた抵抗値に調整することができる
請求項5または請求項6に記載の試験システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009133162A JP5290054B2 (ja) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | 半導体集積回路の試験システム |
US12/801,207 US8390310B2 (en) | 2009-06-02 | 2010-05-27 | Test system and test method of semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009133162A JP5290054B2 (ja) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | 半導体集積回路の試験システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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JP2010281599A JP2010281599A (ja) | 2010-12-16 |
JP2010281599A5 JP2010281599A5 (ja) | 2012-04-05 |
JP5290054B2 true JP5290054B2 (ja) | 2013-09-18 |
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ID=43219506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009133162A Expired - Fee Related JP5290054B2 (ja) | 2009-06-02 | 2009-06-02 | 半導体集積回路の試験システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8390310B2 (ja) |
JP (1) | JP5290054B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DK3158345T3 (da) * | 2014-06-20 | 2024-02-19 | Xcerra Corp | Teststikanordning og relaterede fremgangsmåder |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3565326B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2004-09-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびそれを搭載して成る回路モジュール |
JP4846128B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2011-12-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびそのテスト方法 |
JP3446124B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2003-09-16 | 科学技術振興事業団 | 高速入出力装置を備えた半導体集積回路装置の試験方法及び試験装置 |
US7675309B2 (en) * | 2005-08-12 | 2010-03-09 | National Tsing Hua University | Probing system for integrated circuit device |
US7795895B2 (en) * | 2007-11-28 | 2010-09-14 | Mstar Semiconductor, Inc. | Loop-back testing method and apparatus for IC |
-
2009
- 2009-06-02 JP JP2009133162A patent/JP5290054B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2010
- 2010-05-27 US US12/801,207 patent/US8390310B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010281599A (ja) | 2010-12-16 |
US20100301895A1 (en) | 2010-12-02 |
US8390310B2 (en) | 2013-03-05 |
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