JP5029073B2 - 半導体装置および半導体装置のテスト方法 - Google Patents
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Description
図1は、パッケージ内部に複数の半導体チップが設けられたマルチチップパッケージの半導体装置の構成について本発明の要旨に係る部分のみ示している。図1における半導体装置1は、パッケージ内部に2つの半導体チップ2および3(第1および第2の半導体チップに相当)が設けられている。図示しないが、半導体チップ2は、例えば、基本構成としてCPU、ROM、RAM等を備えたマイクロコンピュータを備えている。半導体チップ3は、例えばSOI基板をトレンチ分離して形成するTD(Trench Dielectric isolation)構造のドライバとして構成されている。
なお、上記テストを行う場合、マイクロコンピュータである半導体チップ2は、外部端子を介してテスト装置(いずれも図示せず)からテスト用のプログラムが与えられ、このプログラムに基づいて動作する、いわゆるテストモードで動作するものとする。また、テスト装置と外部端子4〜6とが接続されているものとする。これにより、使用者は、テスト装置を用いて、外部端子4〜6に対し信号を入力すること、および外部端子4、5における信号をモニタすることが可能となっている。
半導体チップ3のLEDドライバ44をテストする場合、アナログスイッチ36〜43のオンオフ状態を切り換えるとともに、入出力回路56の入出力動作機能を有効化し、外部端子4、5からLEDドライバ44までの接続経路を形成する。このような設定が行われることにより、半導体チップ2に設けられた外部端子4、5を介して半導体チップ3のLEDドライバ44についてチップ単体の場合と同等のテストを行うことができる。
半導体チップ3のLEDドライバ44をテストする場合、半導体チップ2のLED制御部26が正常に動作することを確認済みであれば、LED制御部26を動作させた状態でテストを行ってもよい。この場合、LED制御部26からLEDドライバ44に対し、テスト用の信号を与え、外部端子4、5を介してその信号をモニタしながら、LEDの動作状態を確認するとよい。
モニタ用信号端子は、チップ間配線がなされた内部接続用信号端子の数やパッケージのサイズ等に応じて設ければよく、1つであってもよいし、3つ以上設けてもよい。また、アナログスイッチについても同様に、その数を適宜変更してもよい。
半導体チップ2は、例えばPLD等を基本構成として備えていてもよい。半導体チップ3は、例えばEEPROM等のメモリであってもよい。また、これら半導体チップ2および半導体チップ3をパッケージ内部で接続するチップ間配線は、5本以上であってもよいし、3本以下であってもよい。半導体装置1は、パッケージ内部に半導体チップが3つ以上搭載されていてもよい。
Claims (6)
- パッケージ内部に少なくとも第1および第2の半導体チップを備えこれらの間がチップ間配線を介して接続された構成の半導体装置において、
前記第1の半導体チップは、
第1のテスト対象回路と、
前記パッケージの外部に導出されるモニタ用信号端子と、
前記第1のテスト対象回路に接続されるとともに前記第2の半導体チップに前記チップ間配線を介して接続される第1の内部接続用信号端子と、
前記モニタ用信号端子を前記内部接続用信号端子に接続する第1の状態と同モニタ用信号端子を前記内部接続用信号端子から遮断する第2の状態とを切り換え設定可能なスイッチ手段とを備え、
前記第2の半導体チップは、
第2のテスト対象回路と、
前記第1の半導体チップと前記チップ間配線を介して接続される第2の内部接続用信号端子と、
前記第2のテスト対象回路と前記第2の内部接続用信号端子との間に介在され、入出力動作機能を有するとともに入出力動作機能を無効化する手段を有する入出力回路とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップは、前記第1の内部接続用信号端子を複数備え、
前記スイッチ手段は、前記モニタ用信号端子を前記複数の第1の内部接続用信号端子に選択的に接続可能に構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2記載の半導体装置において、
前記スイッチ手段は、アナログスイッチを有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置において、
前記入出力回路は、前記第2の内部接続用信号端子と電源端子との間に接続される抵抗を備えており、
前記入出力動作機能を無効化する手段は、前記抵抗の接続経路を遮断状態にする手段であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置において、
前記入出力回路は、CMOS回路で構成された出力回路を備えており、
前記入出力動作機能を無効化する手段は、前記CMOS回路のpチャネルおよびnチャネルの両方のトランジスタを遮断状態にする手段であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置のテスト方法であって、
前記第1のテスト対象回路のテストを行う場合、
前記スイッチ手段により前記第1の状態に設定する工程と、前記入出力動作機能を無効化する手段により前記入出力回路の入出力動作機能を無効化する工程とを行った後、前記第1のテスト対象回路のテストを実行し、
前記第2のテスト対象回路のテストを行う場合、
前記スイッチ手段により前記第1の状態に設定する工程と、前記入出力回路の入出力動作機能を有効化する工程とを行った後、前記第2のテスト対象回路のテストを実行することを特徴とする半導体装置のテスト方法。
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