JP2010281599A - 半導体集積回路の試験システム及び試験方法 - Google Patents

半導体集積回路の試験システム及び試験方法 Download PDF

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Abstract

【課題】搭載される出力装置と入力装置の搭載数が異なる場合、試験することができなかった。
【解決手段】出力装置と入力装置を備える半導体集積回路の前記出力装置と前記入力装置の入出力特性試験を前記半導体集積回路内で行う試験システムであって、前記半導体集積回路がセットされたテストボードが備える伝送線路により、前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路の外部端子に対して、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路の外部端子とがワイヤード接続される
試験システムである。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体集積回路の試験システム及び試験方法に関する。
様々なシステムに使用されるLSIは、高機能化、高集積化とともに内部の動作および入出力が高速化されている。そのLSIの動作速度の高まりに対応した高速テスタが必要となっている。しかし、コストの観点から従来テスタを使用した低コストでの試験方法が望まれている。
高速入力装置、高速出力装置で構成される高速I/Oの低コストの試験方法として、高速入力装置の外部入力端子、高速出力装置の外部出力端子とを伝送線路で接続するループバック試験が使用されている。
図11に特許文献1で開示されている従来の高速入出力装置を備えた半導体集積回路のループバック試験の試験システム1の模式図を示す。試験システム1は、テストボード2上に、測定対象である半導体集積回路LSI1をセットし、測定を行う。半導体集積回路LSI1は、高速入力装置RX1〜RX4と、高速出力装置TX1〜TX4と、テストパタン発生装置TPG1〜TPG4と、テストパタンチェック装置TPC1〜TPC4とを備える。
テストボード2には、ループバックパスLPB1〜LPB4を備えており、高速出力装置TX1〜TX4の外部出力端子と、高速入力装置RX1〜RX4の外部入力端子とを、それぞれループバックパスLPB1〜LPB4で接続する。
以下、試験システム1の動作を簡単に説明する。テストパタン発生装置TPG1〜TPG4が生成したテストパタンに応じた出力信号は、高速出力装置TX1〜TX4からそれぞれループバックパスLPB1〜LPB4に出力される。それら出力信号は、ループバックパスLPB1〜LPB4を経て、高速入力装置RX1〜RX4に入力される。そして、高速入力装置RX1〜RX4に入力された信号をテストパタンチェック装置TPC1〜TPC4がエラー等の発生をチェックする。
このように、ループバックパスLPB1〜LPB4を利用して、半導体集積回路LSI1自身が有するテストパタン発生装置TPG1〜TPG4、テストパタンチェック装置TPC1〜TPC4及び高速出力装置TX1〜TX4、テストパタンチェック装置TPC1〜TPC4により、半導体集積回路LSI1内部でセルフテストを行うことができる。このことにより、高速入出力装置を備えた高速テスタを用意する必要がなく、高速I/Oの特性テストを行うことができ、テストコストの削減が可能となる。
特開2003−167034号公報
しかし、図11の試験システム1では、高速出力装置TX1〜TX4と、高速入力装置RX1〜RX4とをそれぞれ1対1で接続する必要がある。このため、半導体集積回路に搭載される高速出力装置と高速入力装置との数が異なる場合、高速I/Oの特性テストを行うことができなかった。
本発明の一態様は、出力装置と入力装置を備える半導体集積回路の前記出力装置と前記入力装置の入出力特性試験を前記半導体集積回路内で行う試験システムであって、前記半導体集積回路がセットされたテストボードが備える伝送線路により、前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路の外部端子に対して、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路の外部端子とがワイヤード接続される試験システムである。
本発明の他の態様は、出力装置と入力装置を備える半導体集積回路の前記出力装置と前記入力装置の入出力特性試験を前記半導体集積回路内で行う半導体回路の試験方法であって、前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路に対して、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路とをワイヤード接続して、前記出力装置と入力装置の入出力特性試験を行う半導体回路の試験方法である。
本発明にかかる半導体集積回路の試験システムによれば、前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路と、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路との入出力特性試験を行うことができる。
本発明にかかる半導体集積回路の試験方法によれば、測定対象の半導体集積回路に搭載される高速出力装置と高速入力装置との数が異なる場合であっても、高速I/Oの特性テストを行うことができる。
実施の形態1にかかる試験システムの模式図である。 実施の形態1にかかる試験システムのテスト動作のフローチャートである。 実施の形態1にかかる他の試験システムの模式図である。 実施の形態2にかかる試験システムの模式図である。 実施の形態2にかかる試験システムのテスト動作のフローチャートである。 実施の形態2にかかる他の試験システムの模式図である。 実施の形態3にかかる試験システムの模式図である。 実施の形態3にかかる試験システムのテスト動作のフローチャートである。 実施の形態3にかかる他の試験システムの模式図である。 実施の形態3にかかる他の試験システムのテスト動作のフローチャートである。 従来の試験システムの模式図である。
発明の実施の形態1
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態1について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1に本実施の形態1にかかる半導体集積回路のループバック試験の試験システム100の模式図を示す。
試験システム100は、テストボード110上に、テスト対象である半導体集積回路LSI101をセットし、特性テストを行う。半導体集積回路LSI101は、高速入力装置RX101〜RX104と、高速出力装置TX101と、テストパタン発生装置TPG101と、テストパタンチェック装置TPC101〜TPC104とを備える。なお、高速入力装置RX101〜RX104の外部入力端子には終端抵抗R101〜R104の一端が接続されている。
テストパタン発生装置TPG101は、LSI101内部で行うBIST(built in self-test)を行うためのテストパタンを生成する。テストパタン発生装置TPG101では、線形帰還シフトレジスタ(LFSR)等で構成される擬似乱数パターン発生回路等を有し、その擬似乱数パターン発生回路によりテストパタンが生成される。
高速出力装置TX101は、テストパタン発生装置TPG101が生成したテストパタンに応じた送信信号(以下、テストパタン送信信号と称す)を外部出力端子に出力する。高速出力装置TX101は、シンクロナイザや出力ドライバ等を備える。シンクロナイザは、LSI101の内部クロックと送信クロックとのタイミング調整を行い、出力ドライバにより送信クロックに応じてテストパタン送信信号を外部出力端子に出力する。
高速入力装置RX101〜RX104は、それぞれ高速出力装置TX101が出力したテストパタン送信信号を、外部入力端子から入力する。高速入力装置RX101〜RX104は、それぞれ入力ドライバやシンクロナイザ等を備える。入力ドライバは、外部入力端子を経て入力したテストパタン送信信号を入力し、シンクロナイザはそのテストパタン送信信号を内部クロックと同期をとり、テストパタンを再生する。なお、高速出力装置TX101と高速入力装置RX101〜RX104とで高速I/Oを構成する。また、外部入力端子には、それぞれインピーダンスマッチング用の終端抵抗R101〜R104の一端が接続されている。また、この終端抵抗R101〜R104の他端には、接地電圧もしくは電源電圧が接続される。
テストパタンチェック装置TPC101〜TPC104は、それぞれ高速入力装置RX101〜RX104が再生したテストパタンをチェックして、チェック結果によりエラー発生の有無を判定する。なお、テストパタンチェック装置TPC101〜TPC104を1つのチェック装置として考えてもよい。また、テストパタン発生装置TPG101及びテストパタンチェック装置TPC101〜TPC104は、半導体集積回路LSI101の内部ロジック回路内に備えられるものとする。
テストボード110は、ループバックパスLPB101(伝送線路)を備える。このループバックパスLPB101により、高速出力装置TX1の外部出力端子と高速入力装置RX1〜RX4の外部入力端子とがワイヤード接続される。
また、ループバックパスLPB101は、選択スイッチ回路SW101〜SW104を備える。選択スイッチ回路SW101〜SW104は、それぞれ高速入力装置RX1〜RX4の外部入力端子とループバックパスLPB101のノードA1間に接続される。
以上のような試験システム100の試験動作を説明する。まず、半導体集積回路LSI101のBIST前に、選択スイッチ回路SW101をオン状態、選択スイッチ回路SW102〜SW104をオフ状態にする。次に、試験対象の半導体集積回路LSI101のBISTを開始する。テストパタン発生装置TPG101が生成したテストパタンを、高速出力装置TX101がテストパタン送信信号にして出力する。このテストパタン送信信号は、ループバックパスLPB101により高速入力装置RX101〜RX104に向けて伝達される。しかし、ここで、選択スイッチ回路SW102〜SW104がオフ状態となっているため、テストパタン送信信号は高速入力装置RX101にしか入力されない。
高速入力装置RX101は、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC101が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
次に、選択スイッチ回路SW102をオン状態、選択スイッチ回路SW101、SW103、SW104をオフ状態にする。選択スイッチ回路SW101をオン状態としたときと同様に、半導体集積回路LSI101のBISTを開始する。テストパタン発生装置TPG101が生成したテストパタンを、高速出力装置TX101がテストパタン送信信号にして出力する。この場合、選択スイッチ回路SW102だけがオン状態のため、テストパタン送信信号は高速入力装置RX102にしか入力されない。
高速入力装置RX102は、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC102が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
次に、選択スイッチ回路SW103をオン状態、選択スイッチ回路SW101、SW102、SW104をオフ状態にして、半導体集積回路LSI101のBISTを開始する。テストパタン発生装置TPG101が生成したテストパタンを、高速出力装置TX101がテストパタン送信信号にして出力する。この場合、選択スイッチ回路SW103だけがオン状態のため、テストパタン送信信号は高速入力装置RX103にしか入力されない。
高速入力装置RX103は、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC103が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
最後に、選択スイッチ回路SW104をオン状態、選択スイッチ回路SW101〜SW103をオフ状態にして、半導体集積回路LSI101のBISTを開始する。テストパタン発生装置TPG101が生成したテストパタンを、高速出力装置TX101がテストパタン送信信号にして出力する。この場合、選択スイッチ回路SW104だけがオン状態のため、テストパタン送信信号は高速入力装置RX104にしか入力されない。
高速入力装置RX104は、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC104が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
以上のような動作により、試験システム100は、試験対象の半導体集積回路LSI101が有する高速I/O(高速出力装置TX101、高速入力装置RX101〜RX104)の特性テストが行える。
図2に、上述した試験システム100のテスト動作のフローチャートを示す。まず、選択スイッチ回路SW101〜SW104のうち1つをオン状態にする(S101)。テストパタン発生装置TPG101がテストパタンを生成する(S102)。高速出力装置TX101からテストパタン送信信号を出力する(S103)。S101でオン状態となった選択スイッチ回路と接続されている高速入力装置がテストパタン送信信号を入力する(S104)。テストパタン送信信号を入力した高速入力装置に対応するテストパタンチェック装置がテストパタンをチェックして結果を判定する(S105)。全ての高速I/O(高速出力装置TX101と高速入力装置RX101〜RX104)の特性テストが行われた場合、テスト終了する(S106YES)。全ての高速I/Oの特性テストが行われていない場合、S101に戻り、他の高速入力装置と高速出力装置TX101で特性テストを行う(S106NO)。
ここで、図11の従来の試験システム1では、高速出力装置TX1〜TX4と、高速入力装置RX1〜RX4とをそれぞれ1対1で接続する必要があった。このため、半導体集積回路LSI1に搭載される高速出力装置と高速入力装置との数が異なる場合、これら高速出力装置と高速入力装置で構成される高速I/Oの特性テストを行うことができなかった。
しかし、本実施の形態1の試験システム100では、試験対象の半導体集積回路LSI101のように、1つの高速出力装置と複数の高速入力装置RX101〜RX104を備える場合であっても、選択スイッチ回路SW101〜SW104のオン状態、オフ状態を制御することで高速I/Oの特性テストを行うことができる。つまり、試験対象の半導体集積回路が異なる数の高速出力装置と高速入力装置を備える場合であっても高速I/Oの特性テストを行うことができる。
また、例えば、上述したように高速出力装置TX101と高速入力装置RX101による特性テスト場合、選択スイッチ回路SW101をオン状態とし、他の選択スイッチ回路をオフ状態にしている。この場合、選択スイッチ回路SW102〜SW104がオフ状態となっていることで、高速入力装置RX102〜RX104の付加容量と終端抵抗R2〜R4の影響が、高速出力装置TX101と高速入力装置RX101間のパスに対して遮断される。このため、試験システム1のように高速出力装置と高速入力装置とが1対1接続されている場合とほぼ同様のテスト条件で、特性テストを行うことができる。
更に、選択スイッチ回路SW101〜SW104のうち1つだけでなく複数の選択スイッチ回路をオン状態として、高速I/Oの特性テストを行ってもよい。但し、この場合、終端抵抗R101〜R104の抵抗値を、複数の選択スイッチ回路がオン状態となる場合の伝送線路特性に応じて調整する必要がある。
なお、試験システム100のテスト対象である半導体集積回路LSI101は、1つの高速出力装置に対して複数の高速入力装置を備える場合を例示した。ここで逆に、1つの高速入力装置に対して複数の高速出力装置を備える場合であってもよい。例えば図3に、このような場合の試験システム101を示す。図3に示すように、試験システム101は、ループバックパスLPB102を備えるテストボード120上に、テスト対象である半導体集積回路LSI102をセットし、特性テストを行う。半導体集積回路LSI102は、高速入力装置RX101と、高速出力装置TX101〜TX104と、テストパタン発生装置TPG101〜TPG104と、テストパタンチェック装置TPC101とを備える。なお、高速出力装置TX102〜TX104は、高速出力装置TX101と同様の構成である。また、テストパタン発生装置TPG102〜TPG104は、テストパタン発生装置TPG101と同様の構成である。ループバックパスLPB102は、選択スイッチ回路SW101〜SW104を備える。
この場合、高速入力装置RX101と複数の高速出力装置TX101〜TX104とがループバックパスによりワイヤード接続される。そして、上述したような選択スイッチ回路SW101〜SW104がノードA2と高速出力装置TX101〜TX104のそれぞれの外部出力端子との間に接続される。この場合でも高速出力装置TX101〜TX104に対応した選択スイッチ回路SW101〜SW104のオン状態、オフ状態を制御して、試験システム100と同様に高速I/Oの特性テストを行うことができる。以上により、上述した試験システム100と同様、試験システム101も異なる数の高速出力装置と高速入力装置を備えていても高速I/Oの特性テストを行うことができる。
発明の実施の形態2
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態2について、図面を参照しながら詳細に説明する。図4に本実施の形態2にかかる半導体集積回路のループバック試験の試験システム200の模式図を示す。
試験システム200は、テストボード210上に、テスト対象である半導体集積回路LSI201をセットし、高速I/Oの特性テストを行う。半導体集積回路LSI201は、高速入力装置RX101と、高速出力装置TX101〜TX104と、テストパタン発生装置TPG101〜TPG104と、テストパタンチェック装置TPC101とを備える。なお、高速入力装置RX101の外部入力端子には終端抵抗R1の一端が接続されている。この終端抵抗R1の他端には、接地電圧もしくは電源電圧が接続される。また、テストボード210は、ループバックパスLPB201を備える。
図4に示された符号のうち、図1または図3と同じ符号を付した構成は、図1または図3と同じか又は類似の構成を示している。試験システム200が、実施の形態1の試験システム100と異なる点は、テスト対象である半導体集積回路LSI201が1つの高速入力装置に対して、複数の高速出力装置を有している点である。よって、本実施の形態2では、その実施の形態1との相違部分を重点的に説明し、その他の同様の部分は説明を省略する。
テストパタン発生装置TPG201〜TPG204は、それぞれLSI201内部で行うBISTを行うためのテストパタンを生成する。また、テストパタン発生装置TPG201〜TPG204は、それぞれ駆動制御信号を高速出力装置TX201〜TX204に出力する。その他の機能は、基本的に実施の形態1のテストパタン発生装置TPG101と同様である。
高速出力装置TX201〜TX204は、それぞれテストパタン発生装置TPG201〜TPG204が生成したテストパタンに応じたテストパタン送信信号を外部出力端子に出力する。また、テストパタン発生装置TPG201〜TPG204が出力した駆動制御信号に応じて、テストパタン送信信号の駆動能力のオン、オフが制御される。
例えば、駆動能力をオフする場合は、自身の備える出力ドライバの電源電圧供給を遮断したり、出力段トランジスタをオフ状態とする等して、出力ドライバの出力をHi−Zとする。反対に駆動能力をオンする場合は、出力ドライバに電源電圧を供給する等により、テストパタン送信信号を出力させる。なお、テストパタン発生装置TPG201〜TPG204が出力した駆動制御信号により、高速出力装置TX201〜TX204のいずれか1つだけが駆動能力をオン状態となり、その他の3つはオフ状態となるようテストパタンが作成されているものとする。なお、テストパタン発生装置TPG201〜TPG204を1つのテストパタン発生装置として考えてもよい。
高速入力装置RX101、テストパタンチェック装置TPC101は、実施の形態1と同様の構成と機能を有する。
テストボード210は、ループバックパスLPB201を備える。ループバックパスLPB201は、高速出力装置TX201〜TX204と高速入力装置RX101とをワイヤード接続する。
以上のような試験システム200の試験動作を説明する。まず、半導体集積回路LSI201のBIST前に、テストパタン発生装置TPG201からの駆動制御信号により高速出力装置TX201の駆動能力がオン状態となる。それ以外の高速出力装置TX202〜TX204の駆動能力は、テストパタン発生装置TPG202〜TPG204からの駆動制御信号によりオフ状態となり、出力がHi−Zとなる。次に、試験対象の半導体集積回路LSI201のBISTを開始する。上述のように高速出力装置TX201のみが駆動能力をオンしているため、テストパタン発生装置TPG201が生成したテストパタンを、高速出力装置TX201がテストパタン送信信号にして出力する。このテストパタン送信信号は、ループバックパスLPB201により高速入力装置RX101に向けて伝達される。高速入力装置RX101は、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC101が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
次に、テストパタン発生装置TPG202からの駆動制御信号により高速出力装置TX202の駆動能力のみがオン状態となる。再び試験対象の半導体集積回路LSI201のBISTを開始する。テストパタン発生装置TPG202が生成したテストパタンを、高速出力装置TX202がテストパタン送信信号にして出力する。このテストパタン送信信号は、ループバックパスLPB201により高速入力装置RX101に向けて伝達される。高速入力装置RX101は、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC101が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
次に、テストパタン発生装置TPG203からの駆動制御信号により高速出力装置TX203の駆動能力のみがオン状態となる。再び試験対象の半導体集積回路LSI201のBISTを開始する。テストパタン発生装置TPG203が生成したテストパタンを、高速出力装置TX203がテストパタン送信信号にして出力する。このテストパタン送信信号は、ループバックパスLPB201により高速入力装置RX101に向けて伝達される。高速入力装置RX101は、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC101が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
最後に、テストパタン発生装置TPG204からの駆動制御信号により高速出力装置TX204の駆動能力のみがオン状態となる。再び試験対象の半導体集積回路LSI201のBISTを開始する。テストパタン発生装置TPG204が生成したテストパタンを、高速出力装置TX204がテストパタン送信信号にして出力する。このテストパタン送信信号は、ループバックパスLPB201により高速入力装置RX101に向けて伝達される。高速入力装置RX101は、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC101が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
以上のような動作により、試験システム200は、試験対象の半導体集積回路LSI201が有する高速I/O(高速出力装置TX201〜TX204、高速入力装置RX101)の特性テストが行える。
図5に、上述した試験システム200のテスト動作のフローチャートを示す。まず、駆動制御信号により高速出力装置TX201〜のTX204のうち1つの駆動能力がオン状態となる(S201)。次に、少なくとも、テストパタン発生装置TPG201〜TPG204のうちS201で駆動能力がオン状態となった高速出力装置に対応した1つがテストパタンを生成する(S202)。駆動能力がオン状態となった高速出力装置がテストパタン送信信号を出力する(S203)。テストパタン送信信号を入力した高速入力装置RX101がテストパタン送信信号を入力する(S204)。テストパタンチェック装置TPC101がテストパタンをチェックして結果を判定する(S205)。全ての高速I/O(高速出力装置TX201〜TX204と高速入力装置RX101)の特性テストが行われた場合、テスト終了する(S206YES)。全ての高速I/Oの特性テストが行われていない場合、S201に戻り、他の高速出力装置と高速入力装置RX101で特性テストを行う(S206NO)。
以上のような試験システム200では、テスト対象である半導体集積回路が1つの高速入力装置RX101に対して、複数の高速出力装置TX201〜のTX204を有している場合であっても高速出力装置の駆動能力のオン、オフを制御することで高速I/Oの特性テストを行うことができる。つまり、実施の形態1と同様、試験対象の半導体集積回路が異なる数の高速出力装置と高速入力装置を備える場合であっても高速I/Oの特性テストを行うことができる。
なお、試験システム200のテスト対象である半導体集積回路LSI201は、複数の高速出力装置に対して1つの高速入力装置を備える場合を例示した。ここで逆に、複数の高速入力装置に対して1つの高速出力装置を備える場合であってもよい。例えば図6に、このような場合の試験システム101を示す。図6に示すように、試験システム201は、ループバックパスLPB202を備えるテストボード220上に、テスト対象である半導体集積回路LSI202をセットし、特性テストを行う。半導体集積回路LSI202は、高速入力装置RX201〜RX204と、高速出力装置TX101と、テストパタン発生装置TPG101と、テストパタンチェック装置TPC201〜TPC204とを備える。
但し、この場合、試験システム200とは逆に高速入力装置RX201〜RX204側の駆動能力のオン、オフが制御される。例えば、駆動能力をオフする場合には、高速入力装置RX201〜RX204の入力ドライバの電源電圧供給を遮断、もしくは、入力段トランジスタをオフ状態とする等して、入力ドライバの入力をHi−Zとする。また、この高速入力装置RX201〜RX204側の駆動能力のオン、オフ制御は、テストパタンチェック装置TPC201〜TPC204が行うようにしてもよい。
また、この場合であっても、高速出力装置TX101と複数の高速入力装置RX201〜RX204とがループバックパスによりワイヤード接続される。以上により、上述した試験システム200と同様、試験システム201も異なる数の高速出力装置と高速入力装置を備えていても高速I/Oの特性テストを行うことができる。なお、この場合、上述したような高速入力装置RX201〜RX204のうち1つだけ駆動能力をオンとするだけでなく、複数の高速入力装置の駆動能力をオンとして、高速I/Oの特性テストを行ってもよい。但し、この場合、終端抵抗R101〜R104の抵抗値を、複数の高速入力装置の駆動能力をオンとなる場合の伝送線路特性に応じて調整する必要がある。
発明の実施の形態3
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態3について、図面を参照しながら詳細に説明する。図7に本実施の形態3にかかる半導体集積回路のループバック試験の試験システム300の模式図を示す。
試験システム300は、テストボード310上に、テスト対象である半導体集積回路LSI301をセットし、高速I/Oの特性テストを行う。半導体集積回路LSI301は、高速入力装置RX101〜RX104と、高速出力装置TX101と、テストパタン発生装置TPG101と、テストパタンチェック装置TPC101〜TPC104とを備える。また、テストボード310は、ループバックパスLPB301を備える。
図5に示された符号のうち、図1と同じ符号を付した構成は、図1と同じか又は類似の構成を示している。ここで、実施の形態1の高速入力装置RX101〜RX104の外部入力端子には、それぞれ終端抵抗R101〜R104が接続されているが、半導体集積回路LSI301は、終端抵抗R101〜R104を有していない。本実施の形態3では、実施の形態1との相違部分を重点的に説明し、その他の同様の部分は説明を省略する。
半導体集積回路LSI301は、終端抵抗R101〜R104を有していない以外は、半導体集積回路LSI101と同様の構成となっている。なお前提として、終端抵抗がなくても高速入力装置RX101〜RX104の入力インピーダンスと外部入力端子側からみたインピーダンスとの整合が十分とれているものとする。
ループバックパスLPB301は、カップリングキャパシタC301を有する。カップリングキャパシタC301は、高速出力装置TX101の外部出力端子とノードB間に接続される。このカップリングキャパシタC301は、例えば、高速出力装置TX101のオフセット電流やオフセット電圧が、高速入力装置RX101〜RX104に影響を与えないよう、逆に高速入力装置RX101〜RX104のオフセット電流やオフセット電圧が、高速出力装置TX101に影響を与えないよう、ACカップリングとして用いられる。
以上のような試験システム300の試験動作を説明する。試験対象の半導体集積回路LSI301のBISTを開始する。テストパタン発生装置TPG101が生成したテストパタンを、高速出力装置TX101がテストパタン送信信号にして出力する。このテストパタン送信信号は、ループバックパスLPB301により高速入力装置RX101〜RX104に向けて伝達される。高速入力装置RX101〜RX104は、それぞれテストパタン送信信号を入力し、テストパタンを再生する。テストパタンチェック装置TPC101〜TPC104は、それぞれ高速入力装置RX101〜RX104が再生したテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
以上のような動作により、試験システム300は、試験対象の半導体集積回路LSI301が有する高速I/O(高速出力装置TX101、高速入力装置RX101〜RX104)の特性テストが行える。
図8に、上述した試験システム300のテスト動作のフローチャートを示す。テストパタン発生装置TPG101がテストパタンを生成する(S301)。高速出力装置TX101からテストパタン送信信号を出力する(S302)。高速入力装置RX101〜RX104が、それぞれテストパタン送信信号を入力する(S303)。テストパタンチェック装置TPC101〜TPC104がテストパタンをチェックして結果を判定する(S304)。
以上のような試験システム300では、実施の形態1と同様、テスト対象である半導体集積回路が複数の高速入力装置RX101〜RX104に対して、1つの高速出力装置TX101を有している場合であっても高速I/Oの特性テストを行うことができる。また、実施の形態1と比較して、1度のBISTで同時に高速出力装置TX101と高速入力装置RX101〜RX104との高速I/Oの特性テストを行うことができる。このため、1つの半導体集積回路あたりのテスト期間の短縮ができ、結果としてテストコストの削減が可能となる。
また、テスト対象の半導体集積回路が備える複数の高速入力装置のインピーダンス整合をとる必要がある場合の試験システム301を図9に示す。図9に示すように、試験システム301でテスト対象となる半導体集積回路LSI302は、高速入力装置RX101〜RX104と、高速出力装置TX101と、テストパタン発生装置TPG101と、テストパタンチェック装置TPC301〜TPC304とを備え、高速入力装置RX101〜RX104の外部入力端子に終端抵抗である可変抵抗RV301〜RV304が接続される。可変抵抗RV301〜RV304は、それぞれ一端が外部入力端子、他端が接地電圧もしくは電源電圧に接続される。なお、符号が同じものは、試験システム300と同様の構成となっている。
可変抵抗RV301〜RV304は、ゲートに所定の電圧値となるバイアス電圧が印加されるMOSトランジスタ等で構成されるようにしてもよい。そして、抵抗値はそのバイアス電圧の電圧値により調整される。また、複数のMOSトランジスタを並列接続する構成であってもよい。この場合、抵抗値はオンまたはオフとなるトランジスタの合成抵抗により算出される。また、このような可変抵抗RV301〜RV304のオン、オフ及び抵抗値の設定をテストパタンチェック装置TPC301〜TPC304が行うようにしてもよい。なお、これらテストパタンチェック装置TPC301〜TPC304を1つのチェック装置として考えてもよい。
以上のような試験システム301の試験動作を説明する。なお、本例では可変抵抗RV301〜RV304のオン、オフをテストパタンチェック装置TPC301〜TPC304が行う場合を想定する。
まず、半導体集積回路LSI302のBIST前に、テストパタンチェック装置TPC301により可変抵抗RV301がオン状態、テストパタンチェック装置TPC302〜TPC304により可変抵抗RV302〜RV304がオフ状態となる。次に、試験対象の半導体集積回路LSI302のBISTを開始する。テストパタン発生装置TPG101が生成したテストパタンを、高速出力装置TX101がテストパタン送信信号にして出力する。このテストパタン送信信号は、ループバックパスLPB301により高速入力装置RX301〜RX304に向けて伝達される。
ここで、上述のように可変抵抗RV301のみがオン状態となっているため、テストパタン発生装置TPG101が生成したテストパタンを正確に入力可能なのが高速入力装置RX301となる。このため、高速入力装置RX301のみ、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC301が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
なお、高速入力装置RX301〜RX304全てが、テストパタン送信信号からテストパタンを再生しもよいが、そのような場合であってもテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定するのは、テストパタンチェック装置TPC301のみとする。
次に、テストパタンチェック装置TPC302により可変抵抗RV302のみをオン状態としてBISTを行う。そして、高速入力装置RX302のみ、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC302が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
次に、テストパタンチェック装置TPC303により可変抵抗RV303のみをオン状態としてBISTを行う。そして、高速入力装置RX303のみ、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC303が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
最後に、テストパタンチェック装置TPC304により可変抵抗RV304のみをオン状態としてBISTを行う。そして、高速入力装置RX304のみ、テストパタン送信信号からテストパタンを再生し、テストパタンチェック装置TPC304が、そのテストパタンをチェックしてエラー発生の結果を判定する。
以上のような動作により、試験システム301は、試験対象の半導体集積回路LSI302が有する高速I/O(高速出力装置TX101、高速入力装置RX301〜RX304)の特性テストが行える。
図8に、上述した試験システム301のテスト動作のフローチャートを示す。まず、対応するテストパタンチェック装置により可変抵抗のうち1つがオン状態となる(S401)。テストパタン発生装置TPG101がテストパタンを生成する(S402)。高速出力装置TX101からテストパタン送信信号を出力する(S403)。S401でオン状態となった可変抵抗に対応する高速入力装置が、テストパタン送信信号を入力する(S404)。そして、その高速入力装置に対応したテストパタンチェック装置がテストパタンをチェックして結果を判定する(S405)。全ての高速I/O(高速出力装置TX101と高速入力装置RX301〜RX304)の特性テストが行われた場合、テスト終了する(S406YES)。全ての高速I/Oの特性テストが行われていない場合、S401に戻り、高速出力装置TX101と他の高速入力装置で特性テストを行う(S406NO)。
以上のような試験システム301では、実施の形態1の試験システム100と比較してテストボード上に選択スイッチ回路が必要ないため、テストボードの製造コストを削減することができる。また、この場合、上述したような可変抵抗RV301〜RV304のうち1つをオンとするだけでなく、複数の可変抵抗をオンとして、高速I/Oの特性テストを行ってもよい。但し、この場合、オンとなる可変抵抗の数に合わせて抵抗値を調整させる必要がある。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものでなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上記実施の形態1〜3では、終端抵抗を半導体集積回路内に備えているが、テストボード側に備えていてもよい。また、実施の形態1〜3で、複数の高速出力装置もしくは複数の高速入力装置の数がそれぞれ4つの例を示したが、更に複数もしくは2つまたは3つであってもよい。
100、101、200、201、300、301 試験システム
110、120、210、220、310 テストボード
LSI101、LSI102、LSI201、LSI202、LSI301、LSI302 半導体集積回路
LPB101、LPB102、LPB201、LPB202、LPB301、LPB302 ループバックパス
TX101〜TX104、TX201〜TX204 高速出力装置
RX101〜RX104、RX201〜RX204 高速入力装置
TPG101〜TPG104、TPG201〜TPG204 テストパタン発生装置
TPC101〜TPC104、TPC201〜TPC204、TPC301〜TPC304 テストパタンチェック装置
R101〜R104、RV101〜RV104 終端抵抗

Claims (12)

  1. 出力装置と入力装置を備える半導体集積回路の前記出力装置と前記入力装置の入出力特性試験を前記半導体集積回路内で行う試験システムであって、
    前記半導体集積回路がセットされたテストボードが備える伝送線路により、前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路の外部端子に対して、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路の外部端子とがワイヤード接続される
    試験システム。
  2. 前記伝送線路は、
    前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路の外部端子と、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路のそれぞれの外部端子との間に接続され、少なくとも1つがオン状態となる場合、その他がオフ状態となるよう制御される複数の選択スイッチ回路を備える
    請求項1に記載の試験システム。
  3. 前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路は、信号出力もしくは信号入力の駆動能力をオンまたはオフ状態とする機能を有し、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路のうちの少なくとも1つが駆動能力をオン状態となる場合、その他が駆動能力をオフ状態となるよう制御される
    請求項1に記載の試験システム。
  4. 前記伝送線路は、前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路の外部端子と、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路の外部端子との間に接続される、第1のカップリングコンデンサを有する
    請求項1に記載の試験システム。
  5. 前記入力装置の複数回路は、それぞれの外部端子に接続される終端抵抗を備え、前記終端抵抗は、それぞれ抵抗としてオンまたはオフ状態となる機能を有し、少なくとも1つがオン状態となる場合、その他がオフ状態となるよう制御される
    請求項4に記載の試験システム。
  6. 前記半導体集積回路は、
    前記入出力特性試験のため、前記出力装置の1回路が送信する送信信号のテストパタンを生成するテストパタン生成回路と、
    前記出力装置からの送信信号に応じ、前記入力装置の複数回路が再生したテストパタンをチェックするチェック回路と、を有し、
    前記チェック回路は、前記入力装置の複数回路のうち、オン状態となった前記終端抵抗を備える入力装置の再生するテストパタンをチェックする
    請求項5に記載の試験システム。
  7. 前記終端抵抗は、可変抵抗であり、オン状態のとき、前記伝送線路の特性に応じた抵抗値に調整することができる
    請求項5または請求項6に記載の試験システム。
  8. 出力装置と入力装置を備える半導体集積回路の前記出力装置と前記入力装置の入出力特性試験を前記半導体集積回路内で行う半導体回路の試験方法であって、
    前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路に対して、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路とをワイヤード接続して、前記出力装置と入力装置の入出力特性試験を行う
    半導体回路の試験方法。
  9. 前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路と、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路とをワイヤード接続する伝送線路が備える選択スイッチ回路を制御し、前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路と前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路のうち少なくとも1つと入出力特性試験を行う
    請求項8に記載の半導体回路の試験方法。
  10. 前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路は、信号出力もしくは信号入力の駆動能力をオンまたはオフ状態とする機能を有し、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路のうちの少なくとも1つの駆動能力をオン状態とする場合、その他の駆動能力をオフ状態となるよう制御する
    請求項8に記載の半導体回路の試験方法。
  11. 前記出力装置もしくは入力装置のいずれか一方の1回路と、前記出力装置もしくは入力装置の他方の複数回路とをワイヤード接続する伝送線路がカップリングコンデンサを有する
    請求項8に記載の半導体回路の試験方法。
  12. 前記入力装置の複数回路は、それぞれの外部端子に接続される終端抵抗を備え、前記終端抵抗は、それぞれ抵抗としてオンまたはオフ状態となる機能を有し、1つをオン状態とする場合、その他をオフ状態とするよう制御する
    請求項11に記載の半導体回路の試験方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017518505A (ja) * 2014-06-20 2017-07-06 エクセラ・コーポレーションXcerra Corp. テストソケットアセンブリおよび関連する方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332691A (ja) * 2000-05-25 2001-11-30 Sharp Corp 半導体装置およびそれを搭載して成る回路モジュール
JP2003028928A (ja) * 2001-07-12 2003-01-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびそのテスト方式
JP2003167034A (ja) * 2001-12-04 2003-06-13 Japan Science & Technology Corp 高速入出力装置を備えた半導体集積回路装置の試験方法及び試験装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7675309B2 (en) * 2005-08-12 2010-03-09 National Tsing Hua University Probing system for integrated circuit device
US7795895B2 (en) * 2007-11-28 2010-09-14 Mstar Semiconductor, Inc. Loop-back testing method and apparatus for IC

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332691A (ja) * 2000-05-25 2001-11-30 Sharp Corp 半導体装置およびそれを搭載して成る回路モジュール
JP2003028928A (ja) * 2001-07-12 2003-01-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびそのテスト方式
JP2003167034A (ja) * 2001-12-04 2003-06-13 Japan Science & Technology Corp 高速入出力装置を備えた半導体集積回路装置の試験方法及び試験装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017518505A (ja) * 2014-06-20 2017-07-06 エクセラ・コーポレーションXcerra Corp. テストソケットアセンブリおよび関連する方法

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