JP5288363B2 - デンドロンとメソゲンとを有する化合物、液晶組成物及び光素子 - Google Patents
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大きな電気複屈折を利用した光素子の実用化には、大きな電気複屈折を示す温度範囲が広いことが求められるが、ピッチが概ね700nm以下の液晶組成物において、キラルネマチック相と等方相の間に発現するブルー相の温度範囲は、通常1〜2℃程度と非常に狭い。
[2] 下記式(1)で表される化合物。
[3] 下記式(2)で表される化合物。
[4] 下記式(3)で表される化合物。
[5] 下記式(4)で表される化合物。
[6] アキラルな液晶化合物、キラル剤および[1]〜[5]のいずれか1つに記載の化合物からなる液晶組成物において、[1]〜[5]のいずれか1つに記載の化合物の含有率が5〜70%であり、昇温条件下、4.5℃以上のブルー相を発現する液晶組成物。
[7] 一方または両方の面に電極が配置され、基板間に配置された液晶組成物、および、電極を介して液晶組成物に電界を印加する電界印加手段を備えた光素子であって、
前記液晶組成物が、[6]に記載の液晶組成物である光素子。
[8] 一方または両方の面に電極が配置され、少なくとも一方が透明な一組の基板、
基板間に配置された液晶組成物、および
基板の外側に配置された偏光板、
を有し、電極を介して液晶組成物に電界を印加する電界印加手段を備えた光素子であって、
前記液晶組成物が、[6]に記載の液晶組成物である光素子。
[9] 一組の基板の少なくとも一方の基板上において、少なくとも2方向に電界を印加できるように電極が構成されている[8]に記載の光素子。
[10] 互いに平行に配置された一組の基板の一方または両方に、少なくとも2方向に電界を印加できるように電極が構成されている[9]に記載の光素子。
[11] 電極がマトリックス状に配置されて、画素電極を構成し、各画素がアクティブ素子を備え、このアクティブ素子が薄膜トランジスター(TFT)である[7]〜[10]のいずれか1つに記載の光素子。
また、本発明の好ましい態様に係る化合物を、たとえば、液晶組成物に添加することによって、光学的に等方性の液晶相は電気複屈折を発現できる。
前述のように、広い温度範囲にわたって光学的に等方性の液晶相を示す液晶組成物が求められていた。
本発明者は、検討の結果、分岐の次数が2〜5のいずれかのデンドロンと棒状メソゲンがフォーカルポイントにおいて連結した新規化合物を見出した。
このうち、本発明の好ましい態様に係る新規化合物を、たとえば、母液晶組成物に添加することで、光学的に等方性の液晶相の温度範囲を大きく広げることができる。
2.1 デンドロンと棒状メソゲンを有する化合物
本発明の化合物は、前述のように分岐の次数が2〜5のいずれかのデンドロンと棒状メソゲンとを有する化合物である。
ここで、棒状構造のメソゲンとしては、棒状構造を有するメソゲンであれば特に限定されない。例えば、トランス−1,4−シクロへキシレン、1−シクロヘキセン−1,4−ジイル、1,4−フェニレン、ナフタレン環、ジオキサン環、ピリジン環、ピリミジン環またはテトラヒドロピラン環のうち複数個が、連結基を介してあるいは単結合で連結した基が挙げられる。
また、棒状メソゲンとしては、たとえば、コレステロール誘導体エステル等も挙げられる。
分岐の次数が2のデンドロンと棒状メソゲンとを有する本発明の化合物としては、たとえば、前述の式(1)で表される化合物をあげることができる。式(1)の化合物においては、環D1から左側の分子構築部品がデンドロンである。式(1)中のデンドロンは、環D1と環D2において2回分岐しており、分岐の次数が2である、すなわち、第3世代のデンドロンである。
式(1)の化合物では、L1から右側の分子構築部品が棒状のメソゲンである。
このように、式(1)の化合物は、分岐の次数が2(第3世代)のデンドロンと棒状メソゲンとが、L1と環D1間の結合をフォーカルポイントとして連結した化合物である。
式(1)中、m1とm2はそれぞれ独立して0〜3の整数を表す。好ましくは、m1=0、m2=0である。
分岐の次数が3のデンドロンと棒状メソゲンとを有する本発明の化合物としてはたとえば、前述の式(2)で表される化合物をあげることができる。式(2)の化合物においては、環D1から左側の分子構築部品がデンドロンである。式(2)中のデンドロンは、分岐の次数が3であるから、第4世代のデンドロンである。式(2)の化合物では、L1から右側の分子構築部品が棒状のメソゲンである。
すなわち、式(2)の化合物は、分岐の次数が3(第4世代)のデンドロンと棒状メソゲンとが、L1と環D1間の結合をフォーカルポイントとして連結した化合物である。
また、環D4は、式(1)の環D1〜D3で説明したのと同様である。
また、m3は、式(1)のm1とm2で説明したのと同様である。
さらに、X3は、式(1)のX1、X2で説明したのと同様である。
尚、R1〜R4、RD1、RD2、環A〜C、環D1〜D3、n1、n2、m1、m2、L1〜L3、X1、X2は、式(1)で説明したのと同様である。
分岐の次数が4のデンドロンと棒状メソゲンとを有する本発明の化合物としては、たとえば、前述の式(3)で表される化合物をあげることができる。式(3)の化合物においては、環D1から左側の分子構築部品がデンドロンである。式(3)中のデンドロンは、分岐の次数が4であるから、第5世代のデンドロンである。式(3)の化合物では、L1から右側の分子構築部品が棒状のメソゲンである。
すなわち、式(3)の化合物は、分岐の次数が4(第5世代)のデンドロンと棒状メソゲンとが、L1と環D1間の結合をフォーカルポイントとして連結した化合物である。
また、環D5は、式(1)、式(2)の環D1〜D4で説明したのと同様である。
また、m4は、式(1)、式(2)のm1〜m3で説明したのと同様である。
さらに、X4は、式(1)、式(2)のX1〜X3で説明したのと同様である。
尚、R1〜R4、RD1〜RD3、環A〜C、環D1〜D4、n1、n2、m1〜m3、L1〜L3、X1〜X3は、式(1)、式(2)で説明したのと同様である。
分岐の次数が5のデンドロンと棒状メソゲンとを有する本発明の化合物としては、たとえば、前述の式(4)で表される化合物をあげることができる。式(4)の化合物においては、環D1から左側の分子構築部品がデンドロンである。式(4)中のデンドロンは、分岐の次数が5であるから、第6世代のデンドロンである。式(4)の化合物では、L1から右側の分子構築部品が棒状のメソゲンである。
すなわち、式(4)の化合物は、分岐の次数が5(第6世代)のデンドロンと棒状メソゲンとが、L1と環D1間の結合をフォーカルポイントとして連結した化合物である。
また、環D6は、式(1)〜式(3)の環D1〜D5で説明したのと同様である。
また、m5は、式(1)〜式(3)のm1〜m4で説明したのと同様である。
さらに、X5は、式(1)〜式(3)のX1〜X4で説明したのと同様である。
尚、R1〜R4、RD1〜RD4、環A〜C、環D1〜D5、n1、n2、m1〜m4、L1〜L3、X1〜X4は、式(1)〜式(3)で説明したのと同様である。
本発明の化合物の合成法は、特に限定されないが、本発明の化合物は、たとえば、デンドロンと、棒状メソゲンを別々に合成してから、デンドロンとメソゲンをフォーカルポイントにおいて連結するようにして合成することができる。
より具体的には、たとえば、次のようにして、合成することができる。
先ず、第2世代(分岐の次数が1)のデンドロンを合成する。
第2世代のデンドロン、たとえば、3,5-bis (benzyloxy) benzoic acidは、炭酸カリウムと1-Methyl-2-pyrrolidone (NMP) の存在下、3,5-benzyl chloride を3,5-dihydroxy benzyl alcoholと反応させることで合成することができる。この時、反応温度は、たとえば、60〜150℃とするのが好ましい。また、3,5-bis (benzyloxy) benzoic acidのカルボキシルを、水素化リチウムアルミニウムなどにより還元して、ヒドロキシとして、(3,5-bis (benzyloxy) phenyl)methanolを合成しておいても良い。
次に、第3世代(分岐の次数が2)のデンドロンを合成する。
第3世代のデンドロン、たとえば(3,5-bis (3,5-bis(benzyloxy) benzyloxy )phenyl) methanolは、合成した第2世代のデンドロン(3,5-bis(benzyloxy)phenyl) methanol)を3,5 - dihydroxy benzyl alcoholと反応させることで合成することができる。この時、先ず、第2世代のデンドロンのヒドロキシ基を、NMP、DMF、ピリジンの存在下、塩化チオニルで処理するなどしてハロゲン化し、次いで、炭酸カリウムと1-Methyl-2-pyrrolidone (NMP) の存在下、3,5-dihydroxy benzyl alcoholと反応させるようにするのが好ましい。塩化チオニルでの塩素化は、0℃〜還流する温度で行うのが好ましい。また、ハロゲン化された第2世代のデンドロンと3,5-dihydroxy benzyl alcoholの反応は、80〜120℃で行うのが好ましい。
第4世代〜第6世代(分岐の次数が3〜5)のデンドロンは、上記第3世代のデンドロンで説明したのと同様の過程を繰り返すことで、世代数をのばして合成することができる。尚、この時、世代に応じて、反応時間、反応温度、反応試薬量等を適宜選択すれば良い。
より具体的には、たとえば、第3世代のデンドロンと棒状メソゲンの連結は、水素化ナトリウムとDMF(N,N-ジメチルホルムアミド)の存在下、第3世代のデンドロンと棒状メソゲンを反応させることで連結することができる。この時、反応温度は、80〜120℃とするのが好ましい。
さらに、本発明は、前記新規化合物を含有する、液晶組成物を提供する。本発明の好ましい態様においては、液晶組成物は、アキラルな液晶化合物及びキラル剤を含有し、前記新規化合物の含有率が液晶組成物の全量に対して、5〜70重量%である。前記新規化合物の含有量は、より好ましくは、8〜70重量%であり、さらに好ましくは、15〜70重量%である。
本発明に用いることのできる母液晶組成物の成分であるアキラルな液晶性組成物の誘電率異方性の正負に関しては、特別の制限はないが、正のものが好ましい。液晶材料の誘電率異方性値(Δε)の絶対値と屈折率異方性値(Δn)はそれぞれ大きいほど、電気複屈折は大きくなるため、いずれも大きいほど好ましい。液晶材料は二色性色素、フォトクロミック化合物を含有していてもよい。
本発明に用いられるアキラルな液晶化合物としてはたとえば下記式(5)であらわされる化合物を挙げることができる。
本発明において用いることのできるキラル剤としては、特に限定されないが、ねじり力(Helical Twisting Power)が大きい化合物が好ましい。ねじり力が大きい化合物は所望のピッチを得るために必要な添加量が少なくできるので、駆動電圧の上昇を抑えられ、実用上有利である。具体的には、下記式(K1)〜(K5)で表される化合物が好ましい。
電界印加時の格子ひずみの抑制、あるいは光学的等方性の液晶相の一種であるブルー層の温度範囲をさらに拡大することを目的として、本発明の液晶組成物は高分子を含有していてもよい。
高分子は特に限定されないが、高分子の原料としては、低分子量化合物から成るモノマーまたはマクロモノマーの他、オリゴマーを使用することもでき、本発明において高分子の原料モノマーとはこれらを包含する意味で用いている。また、二以上の重合性官能基を有する多官能性モノマーを用いることによる三次元架橋構造を有するものが好ましい。また重合は等方相またはブルー相で行われることが好ましい。
本発明の液晶組成物は、光変調や光スイッチングなどの機能を奏する各種の光素子として利用することができる。すなわち、本発明の液晶組成物は、表示装置、光プリンター、光交換機、光演算装置、光記憶装置などの広い分野で用いることができる。これらの各装置は、それぞれの用途に応じて適宜工夫して構成され、特に限定されるものではないが、好ましい態様の例を以下に説明する。
光交換機においては、光の進行方向を制御する液晶ホログラム素子として本発明の液晶組成物が用いられ、光学系、液晶ホログラム素子、光デバイスアレイを順次配設し、機能素子間の光接続を切り替えるための部品として機能する。
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、クロスニコルの状態で、まず試料が等方相になる温度まで昇温した後、1℃/分の速度で冷却し、完全にキラルネマチック相または光学的異方性の相が出現させた。その過程での相転移温度を測定し、次いで1℃/分の速度で加熱し、その過程における相転移温度を測定した。光学的等方相においてクロスニコル下では暗視野で相転移点の判別が困難な場合は、偏光板をクロスニコルの状態から1〜10°ずらして相転移温度を測定した。
ネマチック相を呈する母液晶85重量%と1以上の液晶性化合物を含む組成物15重量%からなるネマチック液晶組成物を調製する。母液晶の液晶相−等方相転移点と後者の液晶相−等方相転移点から直線外挿し、1以上の液晶性化合物を含む組成物の液晶相−等方相転移点を求めた。
ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、0℃、−10℃、−20℃、−30℃、および−40℃のフリーザー中に10日間保管したあと、液晶相を観察した。たとえば、試料が−20℃ではネマチック相のままであり、−30℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、TC≦−20℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
粘度の測定にはE型粘度計を用いた。
測定は、波長589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行った。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率n‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率n⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。Δn=n‖−n⊥、の式から計算した。
1)誘電率異方性が正である液晶材料:2枚のガラス基板の間隔(ギャップ)が約9μm、ツイスト角が80度のTNセルに試料を入れた。このセルにサイン波(10V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率(ε‖)を測定した。このセルにサイン波(0.5V、1kHz)を印加し、2秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率(ε⊥)を測定した。誘電率異方性の値は、Δε=ε‖−ε⊥、の式から計算した。
3,5-dihydroxybenzoic acid(13.8 g, 89.7 mmol)および塩基として炭酸カリウム(41.5 g, 300 mmol)を三口フラスコにいれN2雰囲気下で脱水1-Methyl-2-pyrrolidone(120 ml)に溶かした。そこへbenzyl Chloride(28.4 g, 224 mmol)を滴下し、120 ℃で1.5時間撹拌させた。その後140 ℃で8時間撹拌した。室温にまで冷却した後、水中に注ぎ、酸性になるまで12 NのHClを加え、ろ過することで固体が得られた。この固体をtoluene/heptaneの混合溶液で再結晶し乾燥させ3,5-bis(benzyloxy)benzoic acidを得た。得られた量は粗収量で約13 gであった。
その後、3,5-bis(benzyloxy)benzoic acidを三口フラスコへ入れ窒素雰囲気下で脱水Tetrahydrofuran (100 ml)に溶かし0 ℃で撹拌した。そこへ、水素化リチウムアルミニウム(3.00 g, 78.9 mmol)を投入した。0℃で3時間撹拌し、水、15%NaOH水を少量加えろ過した。ろ液をジクロロメタンで抽出し、有機層を濃縮し茶色の結晶を得た。その後真空乾燥機(70 ℃, 10 h)で乾燥し、1.58 gの(3,5-bis(benzyloxy)phenyl)methanol(G2)の結晶が得られた。
下記に示すような、第1世代(分岐の次数が0)のデンドロンを有する化合物(G1−6−LC1)と、第2世代のデンドロンを有する化合物(G2−6−LC1)を合成した。ここで、G1−6−LC1のK−I点は56.3℃、G2−6−LC1のK−I点は76.8℃であった。
実施例2の結果とこの比較例1の結果から、分岐の次数が2(第3世代)以上のデンドロンと棒状メソゲンが結合した化合物が不連続的に顕著なBP温度範囲拡大効果を有することがわかる。
Claims (20)
- 下記式(1)で表される化合物。
- X 1 、X 2 は、−CH 2 −O−である、
請求項1に記載の化合物。 - 下記式(2)で表される化合物。
- X 1 〜X 3 は−CH 2 −O−である、
請求項3の化合物。 - 下記式(3)で表される化合物。
- X 1 〜X 4 は−CH 2 −O−である、
請求項5に記載の化合物。 - 下記式(4)で表される化合物。
- X 1 〜X 5 は−CH 2 −O−である、
請求項7に記載の化合物。 - アキラルな液晶化合物、キラル剤および請求項1〜8のいずれか1項に記載の化合物からなる液晶組成物において、請求項1〜8のいずれか1項に記載の化合物の含有率が5〜70%であり、昇温条件下、4.5℃以上のブルー相を発現する液晶組成物。
- アキラルな液晶化合物、キラル剤および
下記式(1)で表される化合物
からなる液晶組成物において、式(1)の化合物の含有率が5〜70%であり、昇温条件下、4.5℃以上のブルー相を発現する液晶組成物。 - X 1 、X 2 は−CH 2 −O−である、
請求項10に記載の液晶組成物。 - アキラルな液晶化合物、キラル剤および
下記式(2)で表される化合物
からなる液晶組成物において、式(2)の化合物の含有率が5〜70%であり、昇温条件下、4.5℃以上のブルー相を発現する液晶組成物。 - X 1 〜X 3 は−CH 2 −O−である、
請求項12に記載の液晶組成物。 - アキラルな液晶化合物、キラル剤および
下記式(3)で表される化合物
からなる液晶組成物において、式(3)の化合物の含有率が5〜70%であり、昇温条件下、4.5℃以上のブルー相を発現する液晶組成物。 - X 1 〜X 4 は−CH 2 −O−である、
請求項14に記載の液晶組成物。 - 一方または両方の面に電極が配置され、基板間に配置された液晶組成物、および、電極を介して液晶組成物に電界を印加する電界印加手段を備えた光素子であって、
前記液晶組成物が、請求項9〜15のいずれか1項に記載の液晶組成物である光素子。 - 一方または両方の面に電極が配置され、少なくとも一方が透明な一組の基板、
基板間に配置された液晶組成物、および
基板の外側に配置された偏光板、
を有し、電極を介して液晶組成物に電界を印加する電界印加手段を備えた光素子であって、
前記液晶組成物が、請求項9〜15のいずれか1項に記載の液晶組成物である光素子。 - 一組の基板の少なくとも一方の基板上において、少なくとも2方向に電界を印加できるように電極が構成されている請求項17に記載の光素子。
- 互いに平行に配置された一組の基板の一方または両方に、少なくとも2方向に電界を印加できるように電極が構成されている請求項18に記載の光素子。
- 電極がマトリックス状に配置されて、画素電極を構成し、各画素がアクティブ素子を備え、このアクティブ素子が薄膜トランジスター(TFT)である請求項16〜19のいずれか1項に記載の光素子。
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