JP5283829B2 - 集積回路製造方法 - Google Patents
集積回路製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5283829B2 JP5283829B2 JP2006122520A JP2006122520A JP5283829B2 JP 5283829 B2 JP5283829 B2 JP 5283829B2 JP 2006122520 A JP2006122520 A JP 2006122520A JP 2006122520 A JP2006122520 A JP 2006122520A JP 5283829 B2 JP5283829 B2 JP 5283829B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- etching
- receiving portion
- layer
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 133
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 SOG Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Description
受光部パッドとして開口部のエッチバックが行われる。受光部パッドを用いることで、エッチングの深さを開口部面内にて一様にするのに一定の効果がある。
透過可能に構成されている。そのため、フォトレジスト膜130は受光部52に対応する領域を露光され、当該領域を現像処理にて除去される。これにより、受光部52に対応する位置に開口136を有するフォトレジスト膜130’が形成される(図3(g))。
56 PINフォトダイオード、58 CMOS、60 半導体基板、
70 P-sub層、72 エピタキシャル層、74 分離領域、76,104 配線、78
カソード領域、80,84,112 シリコン酸化膜、82 ゲート電極、86 開口部、90 配線構造層、92 第1層間絶縁膜、94 第1Al層、
96 第2層間絶縁膜、98 第2Al層、100 第3層間絶縁膜、
102,106 平坦化パッド、110 遮光Al層、114 拡張部分、
116 シリコン窒化膜、120 ポリシリコン膜、
122,130 フォトレジスト膜、124 フォトマスク、
126 受光部パッド、128 上部構造層、132 フォトマスク、
136 開口、140,160 反応室、142 永久磁石、
144,162 上部電極、146,164 下部電極、
148,166 高周波電源、150 基板。
Claims (7)
- 半導体層上に複数の層間絶縁膜と複数の金属層からなる多層配線構造が形成された周辺回路部を形成する工程と、
受光部における前記半導体層の表面にカソード領域を形成する工程と、
前記カソード領域上に下地層と前記カソード領域の外側まで延在する受光部パッドと前記複数の層間絶縁膜からなる上部構造層を形成する工程と、
前記下地層、前記受光部パッド、前記上部構造層に開口部を形成する開口部形成工程とを有し、
前記開口部形成工程は、前記上部構造層と前記受光部パッドとの選択比が高いエッチング条件により、前記上部構造層及び前記受光部パッドをエッチングする受光部パッドエッチング工程と、
前記受光部パッドエッチング工程後に、前記受光部パッドと前記下地層との選択比が高いエッチング条件に切り替え、前記受光部パッドを前記カソード領域の端部の外側で貫通し前記下地層の一部を残しエッチングする下地層エッチング工程と、
前記下地層エッチング工程後に、前記開口部の側壁面及び底面にシリコン窒化膜を堆積する工程と、を有することを特徴とする集積回路製造方法。 - 前記受光部パッドエッチング工程前に、前記受光部パッドエッチング工程のエッチング条件より上部構造層のエッチング速度が速い条件で、前記上部構造層をエッチングする上部構造層エッチング工程を有することを特徴とする請求項1に記載の集積回路製造方法。
- 前記受光部パッドエッチング工程は、異方性エッチングであり、前記下地層エッチング工程は、等方性エッチング法であることを特徴とする請求項1に記載の集積回路製造方法。
- 前記上部構造層エッチング工程と前記受光部パッドエッチング工程は、異方性エッチング法であり、前記下地層エッチング工程は、等方性エッチング法であることを特徴とする請求項2に記載の集積回路製造方法。
- 前記下地層はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の集積回路製造方法。
- 前記受光部パッドはポリシリコンであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の集積回路製造方法。
- 前記上部構造層はシリコン酸化膜を含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の集積回路製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006122520A JP5283829B2 (ja) | 2006-04-26 | 2006-04-26 | 集積回路製造方法 |
CNB2007100917909A CN100492613C (zh) | 2006-04-26 | 2007-04-11 | 集成电路制造方法 |
TW096114373A TW200802915A (en) | 2006-04-26 | 2007-04-24 | Manufacturing method of integrated circuit |
US11/790,230 US7462567B2 (en) | 2006-04-26 | 2007-04-24 | Method for manufacturing integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006122520A JP5283829B2 (ja) | 2006-04-26 | 2006-04-26 | 集積回路製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007294760A JP2007294760A (ja) | 2007-11-08 |
JP5283829B2 true JP5283829B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=38648803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006122520A Active JP5283829B2 (ja) | 2006-04-26 | 2006-04-26 | 集積回路製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7462567B2 (ja) |
JP (1) | JP5283829B2 (ja) |
CN (1) | CN100492613C (ja) |
TW (1) | TW200802915A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8018014B2 (en) * | 2008-05-29 | 2011-09-13 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device |
IT1392502B1 (it) * | 2008-12-31 | 2012-03-09 | St Microelectronics Srl | Sensore comprendente almeno un fotodiodo a doppia giunzione verticale integrato su substrato semiconduttore e relativo processo di integrazione |
JP6024103B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2016-11-09 | ソニー株式会社 | 撮像素子、撮像素子の駆動方法、撮像素子の製造方法、および電子機器 |
JP6007694B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-10-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3506314B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2004-03-15 | 日本ビクター株式会社 | 集積化受光素子の製造方法 |
JP3625258B2 (ja) * | 1999-07-06 | 2005-03-02 | 松下電器産業株式会社 | 受光素子およびその製造方法 |
JP3370298B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2003-01-27 | シャープ株式会社 | 回路内蔵受光素子 |
JP3628936B2 (ja) * | 2000-05-11 | 2005-03-16 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | フォトダイオードの製造方法 |
JP4208172B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2009-01-14 | シャープ株式会社 | フォトダイオードおよびそれを用いた回路内蔵受光素子 |
JP2004012803A (ja) * | 2002-06-06 | 2004-01-15 | Fujitsu Ltd | 光伝送用プリント板ユニット及び実装方法 |
JP2005109047A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP4338490B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2009-10-07 | 三洋電機株式会社 | 光半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2005303258A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-10-27 | Fujikura Ltd | デバイス及びその製造方法 |
US7642711B2 (en) * | 2004-07-06 | 2010-01-05 | Fujifilm Corporation | Functional layer having wiring connected to electrode and barrier metal between electrode and wiring |
JP4641820B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2011-03-02 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-04-26 JP JP2006122520A patent/JP5283829B2/ja active Active
-
2007
- 2007-04-11 CN CNB2007100917909A patent/CN100492613C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-24 TW TW096114373A patent/TW200802915A/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-04-24 US US11/790,230 patent/US7462567B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7462567B2 (en) | 2008-12-09 |
JP2007294760A (ja) | 2007-11-08 |
CN101064278A (zh) | 2007-10-31 |
CN100492613C (zh) | 2009-05-27 |
TWI347014B (ja) | 2011-08-11 |
TW200802915A (en) | 2008-01-01 |
US20070254400A1 (en) | 2007-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9478581B2 (en) | Grids in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same | |
JP5543992B2 (ja) | 集積回路構造及び裏面照射型イメージセンサデバイス | |
TWI447903B (zh) | 製造光導管之方法 | |
JP5283829B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
JP5049036B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR100892013B1 (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
CN1971929A (zh) | 半导体装置 | |
JP2008210868A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
JP4800125B2 (ja) | 半導体集積回路装置とその製造方法 | |
JP2007242676A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
JP2005353996A (ja) | 固体撮像素子とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法 | |
JP2008028123A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP4969871B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
JP2007329323A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008041845A (ja) | 集積回路製造方法 | |
JP2007242675A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US7943054B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device | |
JP2007227521A (ja) | 集積回路製造方法 | |
JP5339576B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090402 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100727 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110526 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120229 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130125 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130215 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5283829 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |