JP2005353996A - 固体撮像素子とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 SOI基板を用いずに半導体基板の薄膜化を可能にした、裏面照射型の固体撮像素子を含む半導体装置提供する。
【解決手段】 半導体基板22に、この半導体基板22と異なる材料の埋め込み層43からなる終点検出部42が形成され、半導体基板22が裏面から終点検出部42が臨む位置まで薄膜化され、半導体基板22の表面側及び裏面側に固体撮像素子等の半導体素子の構成要素が形成され、半導体基板22の表面側に支持基板34が貼り合せされて成る。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体基板22に、この半導体基板22と異なる材料の埋め込み層43からなる終点検出部42が形成され、半導体基板22が裏面から終点検出部42が臨む位置まで薄膜化され、半導体基板22の表面側及び裏面側に固体撮像素子等の半導体素子の構成要素が形成され、半導体基板22の表面側に支持基板34が貼り合せされて成る。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体基板の薄膜化を必要とした、固体撮像素子とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法に関する。
固体撮像素子としては、X−Yアドレスを指定して読み出すCMOS固体撮像素子(いわゆるCMOSイメージセンサ)と、電荷転送型であるCCD固体撮像素子(いわゆるCCDイメージセンサ)が代表的である。これら何れの固体撮像素子も2次元に配置されたフォトダイオードに入射した光を光電変換し、そのうちの一方の電荷(例えば電子)を信号電荷としている。
CMOS固体撮像素子は、半導体基板の配線層が形成された表面側より光を照射し、半導体基板に形成されたフォトダイオードで光を検知する表面照射型のCMOS固体撮像素子が一般的である。しかし、この表面照射型のCMOS固体撮像素子では、照射される光の経路、特に有効画素領域の周辺部における斜め光の光路に多層配線が存在し、この多層配線により光が蹴られるために、光の利用効率が落ち感度が低下することが知られている。このため、表面側に多層配線が形成された半導体基板の裏面側から光を照射する裏面照射型のCMOS固体撮像素子が有望である(特許文献1参照)。
また、CCD固体撮像素子においても、素子上の層間絶縁膜に光が吸収されて感度が低下することが知られており、基板裏面側から光を入射して光電変換する構造が提案されている(特許文献2参照)。
ところで、例えばCMOS固体撮像素子においては、光を基板裏面より照射する場合、通常シリコン基板の厚さが数百μmと厚く、光が透過することができないため、シリコン基板を数μmまで薄膜化する必要がある。薄膜化の際に、シリコン層の膜厚がばらつくと光の入射強度にばらつきが生じ、色むらとして不具合が生じる。
一方、シリコン層の膜厚のばらつきを防ぐために、SOI(silicon on insulator)基板を用いる方法が考えられている。すなわち、SOI基板を用いてエッチングレートの早い機械研磨、その後のCMP(化学的機械的研磨)処理、その後のウェットエッチングを行い、SiO2 層で薄膜化を止めることにより、シリコン層の膜厚のばらつきを抑えているようにしている。
図7〜図10を参照して、SOI基板を用いて裏面照射型のCMOS固体撮像素子を製造した製造方法を説明する。
先ず、図7Aに示すように、シリコン基板1上にシリコン酸化膜(SiO2膜)2を介して薄膜のシリコン層3が形成されたSOI基板4を用意する。
次に、図7Bに示すように、シリコン層3に、その表面側から撮像領域の画素分離領域(図示せず)、半導体ウェル領域(図示せず)及びフォトセンサとなるフォトダイオードPDを形成する。
先ず、図7Aに示すように、シリコン基板1上にシリコン酸化膜(SiO2膜)2を介して薄膜のシリコン層3が形成されたSOI基板4を用意する。
次に、図7Bに示すように、シリコン層3に、その表面側から撮像領域の画素分離領域(図示せず)、半導体ウェル領域(図示せず)及びフォトセンサとなるフォトダイオードPDを形成する。
次に、図8Cに示すように、シリコン層3の各単位画素セルに信号電荷を読み出すための複数のMOSトランジスタTr1を構成するソース・ドレイン領域5を形成し、ゲート絶縁膜を介してゲート電極6を形成する。周辺回路部にCMOSトランジスタTr2を構成するソース・ドレイン領域17を形成し、ゲート絶縁膜を介してゲート電極18を形成する。さらに、シリコン層3上に層間絶縁膜7を介して多層の配線8を形成した所謂多層配線層9を形成する。
次に、図8Dに示すように、多層配線層9上に例えばシリコン基板による支持基板11を接合する。
次に、図8Dに示すように、多層配線層9上に例えばシリコン基板による支持基板11を接合する。
次に、図9Eに示すように、SOI基板4を反転して、シリコン酸化膜2をストッパ膜としてシリコン基板1をBGR(バックグラインド:機械的な粗削り)及びウェットエッチングにより研磨除去し、さらにシリコン酸化膜2をウェットエッチングで除去して、シリコン層3の裏面が露出するように薄膜化する。
次に、図9Fに示すように、シリコン層3の裏面上にパシベーション膜となる例えばシリコン窒化膜12、シリコン酸化膜13を形成する。
次に、図9Fに示すように、シリコン層3の裏面上にパシベーション膜となる例えばシリコン窒化膜12、シリコン酸化膜13を形成する。
次に、シリコン層3の所要位置にパッド開口を形成し開口内のを含んで配線8と接続する端子部を形成し(図示せず)、また、図10に示すように、各画素のフォトダイオードPDに対応した位置にカラーフィルタ14及びオンチップレンズ15を形成して、裏面照射型のCMOS固体撮像素子16を得る。
しかし、このようにSOI基板を用いて裏面照射型のCMOS固体撮像素子を製造する場合、SOI基板が通常のシリコン基板の10倍と価格が高いために、製造コストが高くなるという問題がある。
このような問題は、裏面照射型のCCD固体撮像素子にも起こり、さらに固体撮像素子に限らず、例えば半導体基板の表裏両面に半導体素子又は/及び多層配線を形成するようにした半導体集積回路装置においても起こり得る。
本発明は、上述の点に鑑み、SOI基板を用いずに半導体基板の薄膜化を可能にした、固体撮像素子とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法を提供するものである。
本発明に係る固体撮像素子は、半導体基板に、この半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部が形成され、半導体基板が裏面から終点検出部が臨む位置まで薄膜化され、半導体基板の表面側及び裏面側に固体撮像素子の構成要素が形成され、半導体基板の表面側に支持基板が貼り合せされて成ることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、半導体基板に、この半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部を形成する工程と、半導体基板の表面側に固体撮像素子の半導体装置の構成要素の一部を形成する工程と、半導体基板の表面側に支持基板を貼り合わせる工程と、半導体基板を裏面から前記終点検出部が臨む位置まで薄膜化する工程と、半導体基板の裏面側に固体撮像素子の構成要素の他部を形成する工程とを有することを特徴とする。
薄膜化する工程においては、ドライエッチング法を用いて波長の発光強度の変化により前記終点検出部を検出する。
本発明に係る半導体装置は、半導体基板に、この半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部が形成され、半導体基板が裏面から終点検出部が臨む位置まで薄膜化され、半導体基板の表面側及び裏面側に半導体装置の構成要素が形成され、半導体基板の表面側に支持基板が貼り合せされて成ることを特徴とする。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板に、この半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部を形成する工程と、半導体基板の表面側に半導体装置の構成要素の一部を形成する工程と、半導体基板の表面側に支持基板を貼り合わせる工程と、半導体基板を裏面から終点検出部が臨む位置まで薄膜化する工程と、半導体基板の裏面側に半導体装置の構成要素の他部を形成する工程とを有することを特徴とする。
薄膜化する工程においては、ドライエッチング法を用いて波長の発光強度の変化により前記終点検出部を検出する。
本発明に係る固体撮像素子によれば、SOI基板を用いずに、半導体基板に設けた終点検出部により薄膜化した半導体基板を用いて、各構成要素を形成して構成されるので、安価にしかも精度の良い裏面照射型の固体撮像素子を提供することができる。
本発明に係る固体撮像素子の製造方法によれば、半導体基板に半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部を形成し、半導体基板の裏面カラー終点検出部が臨む位置まで薄膜化することにより、SOI基板を用いることなく、ばらつきを少なくした半導体基板の薄膜化が可能になる。また、薄膜化する工程において、ドライエッチング法を用いてプラズマの発光強度変化により終点検出部を検出ことにより、均一な膜厚で薄膜化が可能になり、正確に薄膜の膜厚を設定することができる。従って、より安価に裏面照射型の固体撮像素子を製造することができる。
本発明に係る半導体装置によれば、SOI基板を用いずに、半導体基板に設けた終点検出部により薄膜化した半導体基板を用いて、各構成要素を形成して構成されるので、安価にしかも精度の良い半導体装置を提供することができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体基板に半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部を形成し、半導体基板の裏面カラー終点検出部が臨む位置まで薄膜化することにより、SOI基板を用いることなく、ばらつきを少なくした半導体基板の薄膜化が可能になる。また、薄膜化する工程において、ドライエッチング法を用いてプラズマの発光強度変化により終点検出部を検出ことにより、均一な膜厚で薄膜化が可能になり、正確に薄膜の膜厚を設定することができる。従って、より安価に半導体装置を製造することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1に、本発明に係る固体撮像素子を、裏面照射型のCMOS固体撮像素子に適用した場合の一実施の形態を示す。なお、図1は、画素がマトリックス状に配列された撮像領域とその周辺に形成された周辺回路とを含む要部の概略構成を示している。
本実施の形態に係る裏面照射型のCMOS固体撮像素子21は、後述する薄膜化された半導体基板、例えばシリコン半導体基板22の撮像領域23に1つの受光部となるフォトダイオードPDとこのフォトダイオードPDの信号電荷を読み出す手段となる複数のMOSトランジスタTr1で構成された単位画素25がマトリックス状に複数形成され、周辺領域24に複数のCMOSトランジスタTr2からなる周辺回路部26が形成されて成る。
本実施の形態に係る裏面照射型のCMOS固体撮像素子21は、後述する薄膜化された半導体基板、例えばシリコン半導体基板22の撮像領域23に1つの受光部となるフォトダイオードPDとこのフォトダイオードPDの信号電荷を読み出す手段となる複数のMOSトランジスタTr1で構成された単位画素25がマトリックス状に複数形成され、周辺領域24に複数のCMOSトランジスタTr2からなる周辺回路部26が形成されて成る。
フォトダイオードPDは半導体基板22の表面側から裏面側に至るように形成される。単位画素のMOSトランジスタTr1は、半導体基板22に形成した対のソース・ドレイン領域27間上にゲート絶縁膜を介してゲート電極28を形成して構成される。また、周辺回路部26のCMOSトランジスタTr2も、それぞれ半導体基板22に形成した対のソース・ドレイン領域29間上にゲート絶縁膜を介してゲート電極30を形成して構成される。半導体基板22の撮像領域23及び周辺領域24の表面上には、層間絶縁膜31を介して多層の配線32を有する多層配線層33が形成される。さらに、多層配線32は、フォトダイオードPD上に重なるように形成されも良い。さらに、配線層33上には固体撮像素子の機械的強度を保持するために、例えばシリコン基板などによる支持基板34が貼り合わされる。一方、半導体基板22の裏面側には、例えばシリコン窒化膜36とシリコン酸化膜37からなるパシベーション膜(反射防止膜防止膜も兼ねる)38を介してカラーフィルタ39及びその上に各画素25に対応したオンチップレンズ40が形成される。このCMOS固体撮像素子21においては、基板裏面側からオンチップレンズ40を通じてフォトダイオードPDに対して光が照射されるようになされる。
更に、本実施の形態においては、半導体基板22に、この半導体基板22の薄膜化の際の研磨位置を検出する目印となる終点検出部42が形成される。この終点検出部42は、半導体基板22の表面から薄膜化する厚みに相当した深さに半導体基板22と異なる材料の埋込み層43で形成される。例えば、シリコン基板22ではシリコン酸化膜などの埋め込み層43により終点検出部42が形成される。この終点検出部42の検出は、半導体基板22を裏面側からプラスマエッチングにより研磨して行ったときに、材料の違いによりプラズマ発光の特定波長の発光強度が変化するのを検出する、EPD(エンド・ポイント・ディテクタ)法を用いてなされる。図1の半導体基板22は、この終点検出部42を検出して薄膜化された状態を示している。薄膜された半導体基板22の厚みは、10μm以下、例えば5μm程度に設定される。
終点検出部42は、固体撮像素子内のいずれの部分に形成してもよいが、好ましくは撮像領域23及び周辺回路部26から離れた周辺のフィールド領域44に形成される。さらに終点検出部42は、ウェハのスクライブラインに形成することもできる。この終点検出部42は、基板表面側に形成されるフォトダイオードPD、MOSトランジスタTr1、CMOSトランジスタTr2、多層配線32、及び基板裏面側に形成するカラーフィルタ39、オンチップレンズ40の形成の際のアライメントマークとしても用いることができる。
図2に、裏面照射型のCMOS固体撮像素子21の単位画素25の具体的一例を示す。この例では、薄膜化された第1導電型、例えばn型のシリコン基板22に各画素領域25を区画するように第2導電型であるp型の半導体領域からなる素子分離領域52が形成される。画素領域51のn型半導体基板22は比較的に低不純物濃度で形成される。画素領域51のn型半導体基板22には、その表面にp型素子分離領域52に接続して一部画素領域51内に延在するようにp型半導体ウェル領域53が形成される。光電変換部となるフォトダイオードPDは、p型素子分離領域52及びp型半導体ウェル領域53により囲まれたn型半導体基板22で形成される。すなわち、フォトダイオードPDは、n型半導体領域22Aとその表面側の高不純物濃度のn+半導体領域22Bとn+半導体領域22Bの界面に形成した暗電流発生を抑制するためのp+アキュミュレーション層54とにより形成される。このフォトダイオードPDは、いわゆるHAD(Hole Accumulation Diode)センサとして構成される。フォトダイオードPDは、n半導体領域22Aがp型半導体ウェル領域53の下方に延在するので、画素領域の全体にわたるように大面積で形成される。
一方、MOSトランジスタTr1は、p型半導体ウェル領域53に形成される。すなわち、1画素を例えば1つのフォトダイオードPDと4つのMOSトランジスタで構成するとき、MOSトランジスタTr1は、読出しトランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタ及び垂直選択トランジスタを有する。図2では、p型半導体ウェル領域53内にフォトダイオードPDに近接して一方のn+ソース・ドレイン領域57が形成され、この一方のn+ソース・ドレイン領域57と他方のソース・ドレイン領域を兼ねるフォトダイオードPDのn+半導体領域22B間のp型半導体ウェル領域53上にゲート絶縁膜を介してゲート電極27が形成されて読出しトランジスタTr11が形成される。p型半導体ウェル領域53の他部には、各対応したn+ソース・ドレイン領域58、59が形成され、両n+ソース・ドレイン領域58及び59間のp型半導体ウェル領域53上にゲート絶縁膜を介してゲート電極27が形成されて、他のMOSトランジスタ、すなわちリセットトランジスタTr12、アンプトランジスタTr13、垂直選択トランジスタTr14が形成される。
そして、半導体基板22の表面には、例えばシリコン酸化膜等による層間絶縁膜31を介して多層配線32が形成され、多層配線層33上に例えばシリコン基板による支持基板34が接合される。半導体基板22の裏面の光照射面には、パシベーション膜38が形成され、このパシベーション膜38の上にカラーフィルタ39を介してオンチップレンズ40が形成される。
次に、図3〜図5を用いて上述した裏面照射型のCMOS固体撮像素子21の製造方法の一実施の形態を説明する。
本実施の形態においては、先ず、図3Aに示すように、シリコン基板22の表面(一主面)に絶縁膜61を堆積し、レジストマスク(図示せず)を用いて絶縁膜61をパターニングし、この絶縁膜61をマスクにシリコン基板22に所要の幅及び所要の深さの溝62を形成する。本例では、シリコン基板22として厚さ725μmの8インチシリコンウェハを用いる。このシリコン基板22上に絶縁膜61として膜厚220nm程度のシリコン窒化膜63と膜厚1μm程度のシリコン酸化膜64を積層する。シリコン基板22の固体撮像素子の形成領域の外周部にレジストマスクを介してドライエッチングにより幅10μm程度の開口を絶縁膜61に形成する。レジストマスクを除去した後、この絶縁膜61をマスクにシリコン基板22に幅10μm程度で、深さがシリコン基板22を薄膜化する厚さである10μm以下に相当する深さ、本例では6μm程度の複数の溝62をドライエッチングにより形成する。
本実施の形態においては、先ず、図3Aに示すように、シリコン基板22の表面(一主面)に絶縁膜61を堆積し、レジストマスク(図示せず)を用いて絶縁膜61をパターニングし、この絶縁膜61をマスクにシリコン基板22に所要の幅及び所要の深さの溝62を形成する。本例では、シリコン基板22として厚さ725μmの8インチシリコンウェハを用いる。このシリコン基板22上に絶縁膜61として膜厚220nm程度のシリコン窒化膜63と膜厚1μm程度のシリコン酸化膜64を積層する。シリコン基板22の固体撮像素子の形成領域の外周部にレジストマスクを介してドライエッチングにより幅10μm程度の開口を絶縁膜61に形成する。レジストマスクを除去した後、この絶縁膜61をマスクにシリコン基板22に幅10μm程度で、深さがシリコン基板22を薄膜化する厚さである10μm以下に相当する深さ、本例では6μm程度の複数の溝62をドライエッチングにより形成する。
次に、図3Bに示すように、溝62内に埋め込むようにシリコンと異なる材料、本例ではシリコン酸化膜43を堆積し、CMP(化学的機械的研磨)法により表面を平滑にする。その後、図示せざるも素子分離領域を形成、さらにマスクとなったシリコン窒化膜63を除去する。これによって、溝62内にシリコン酸化膜43を埋め込んでなる終点検出部42を形成する。
次に、図4Cに示すように、シリコン基板2の表面側に、通常の半導体プロセスを用いて固体撮像素子の一部を構成する構成要素を形成する。すなわち、シリコン基板22の撮像領域に各画素領域に対応してフォトダイオードPDと複数のMOSトランジスタTr1を形成し、周辺領域の周辺回路部にCMOSトランジスタTr2(図示せず)を形成する。さらに、シリコン基板22上に層間絶縁膜31を介して多層配線32を配置した多層配線層33を形成する。
次に、図4Dに示すように、多層配線層33上に例えばシリコン基板による支持基板34を貼り合わせる。
次に、図5Eに示すように、シリコン基板22を反転させて、シリコン基板22の裏面側(他方の主面側)を研磨して薄膜化する。本例では、最初に機械的研磨(例えばBGR法)もしくはCMP法との組み合わせによりシリコン基板22を10μmの厚さまで薄膜化する。最終的にドライエッチング、例えばSF6/O2ガス系を用いたドライエッチング(いわゆるプラズマエッチング)により、更なる薄膜化を行う。このとき、例えばEPD(エンド・ポイント・ディテクタ)を用いて、図3Bで形成した終点検出部42の埋め込みシリコン酸化膜43が露出する際の発光強度変化により薄膜化の終点を検出する。この場合、発光強度変化を検出した時点でドライエッチングを停止して、シリコン基板22の薄膜化を終了するか、あるいは発光強度変化を検出して終点検出部42の埋め込みシリコン酸化膜43が露出したことを検出した後、続くドライエッチングの時間を制御してシリコン基板22を所要の厚さに薄膜化するようにしても良い。
薄膜化の際のシリコン基板2のドライエッチング条件は、例えば次のような条件でドライエッチングできる。
圧力 250mTorr
RFパワー 1500W
ガス SF6/O2 400/75sccm
温度 −10℃
圧力 250mTorr
RFパワー 1500W
ガス SF6/O2 400/75sccm
温度 −10℃
次に、図5Fに示すように、薄膜化したシリコン基板22の裏面にパシベーション膜38となる例えばシリコン窒化膜36、シリコン酸化膜37をプラズマCVD法により形成する。
次に、図示せざるも、シリコン基板22の固体撮像素子形成領域の所要の部分に、配線32と接続するためのパッド(端子)導出用の開口を形成し、この開口を通じてパッドを形成する。
次に、図1に示すように、各フォトダイオードPDに対応した位置に対応する色のカラーフィルタ39を形成し、さらにその上にオンチップレンズ40を形成して目的の裏面照射型のCMOS固体撮像素子21を得る。
なお、終点検出部42のシリコン酸化膜43はシリコン基板22と識別可能であるので、この終点検出部42をアライメントマークとして利用し、この終点検出部42を基準にフォトダイオードPD、MOSトランジスタTr1、CMOSトランジスタTr2を形成することができる。また、薄膜化した後の終点検出部42も平坦化しているので、塗布膜の膜厚のばらつきもなく、終点検出部42を基準にカラーフィルタ39、オンチップレンズ等を形成することができる。
上述した本実施の形態に係る裏面照射型のCMOS固体撮像素子21によれば、SOI基板を用いずに、シリコン基板22に設けた終点検出部42によって薄膜化したシリコン基板を用いて、各構成要素を形成して構成されるので、安価にしかも精度の良いCMOS固体撮像素子を提供することができる。
また、本実施の形態に係る裏面照射型のCMOS固体撮像素子の製造方法によれば、シリコン基板22にシリコンと異なる材料を埋め込んだ終点検出部42を形成し、ドライエッチングにより薄膜化して行ったときの終点検出部42におけるプラズマの発光強度変化を検出してシリコン基板の膜厚を設定することにより、SOI基板を用いることなく、膜厚のばらつきを少なくしたシリコン基板22の薄膜化が可能になる。終点検出を化学研磨で行うときは、密集素子の外周部のシリコン膜厚が薄くなるエロージョンという問題が起こるが、本実施の形態のようにドライエッチングで行い、プラズマの発光強度変化で終点を検出ときは、全域にわたり均一な膜厚で薄膜化できる。従って、より安価に裏面照射型のCMOS固体撮像素子21を製造することができる。
上述の実施の形態では、裏面照射型のCMOS固体撮像素子に適用したが、その他の固体撮像素子、例えば裏面照射型のCCD固体撮像素子に適用することもできる。
図6に、本発明を半導体装置、すなわち半導体集積回路装置に適用した場合の実施の形態を示す。本実施の形態に係る半導体集積回路装置71は、前述したと同様にして設けた終点検出部42を用いて薄膜化されたシリコン基板72の表面側に、ゲート電極74を有するMOSトランジスタ群Tr31及び層間絶縁膜75を介して多層配線76を配置した多層配線層77を形成し、この多層配線層77上に例えばシリコン基板による支持基板34を接合し、また、シリコン基板72の裏面側にゲート電極78を有するMOSトランジスタ群Tr32及び層間絶縁膜79を介して多層配線80を配置した多層配線層81を形成して構成される。82はパシベーション膜である。
図6の例では、シリコン基板72の両面のそれぞれにMOSトランジスタ群Tr31、Tr32及び多層配線層77、78を形成した構成の半導体集積回路装置に適用したが、その他、シリコン基板72の一方の面側にMOSトランジスタあるいは他の半導体素子を形成し、他方の面側に配線層を形成するなど、種々の形態の半導体集積回路装置にも適用できる。
かかる半導体集積回路装置及びその製造方法においても、前述した固体撮像素子の場合と同様の作用・効果を奏するものである。
21・・裏面照射型のCMOS固体撮像素子、22・・シリコン基板、23・・撮像領域、23・・周辺領域、44・・フィールド領域、25・・単位画素、26・・周辺回路部、PD・・フォトダイオード、27、29・・ソース・ドレイン領域、28、30・・ゲート電極、Tr1・・MOSトランジスタ、Tr2・・CMOSトランジスタ、31・・層間絶縁膜、32・・多層配線、33・・多層配線層、34・・支持基板、39・・カラーフィルタ、40・・オンチップレンズ、42・・終点検出部、43・・埋め込み層
Claims (6)
- 半導体基板に、該半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部が形成され、
前記半導体基板が裏面から前記終点検出部が臨む位置まで薄膜化され、
前記半導体基板の表面側及び裏面側に固体撮像素子の構成要素が形成され、
前記半導体基板の表面側に支持基板が貼り合せされて成る
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 半導体基板に、該半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部が形成され、
前記半導体基板が裏面から前記終点検出部が臨む位置まで薄膜化され、
前記半導体基板の表面側及び裏面側に半導体装置の構成要素が形成され、
前記半導体基板の表面側に支持基板が貼り合せされて成る
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板に、該半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部を形成する工程と、
前記半導体基板の表面側に固体撮像素子の半導体装置の構成要素の一部を形成する工程と、
前記半導体基板の表面側に支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体基板を裏面から前記終点検出部が臨む位置まで薄膜化する工程と、
前記半導体基板の裏面側に固体撮像素子の構成要素の他部を形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記薄膜化する工程において、ドライエッチング法を用いて波長の発光強度の変化により前記終点検出部を検出する
ことを特徴とする請求項3記載の固体撮像素子の製造方法。 - 半導体基板に、該半導体基板と異なる材料の埋め込み層からなる終点検出部を形成する工程と、
前記半導体基板の表面側に半導体装置の構成要素の一部を形成する工程と、
前記半導体基板の表面側に支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体基板を裏面から前記終点検出部が臨む位置まで薄膜化する工程と、
前記半導体基板の裏面側に半導体装置の構成要素の他部を形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記薄膜化する工程において、ドライエッチング法を用いて波長の発光強度の変化により前記終点検出部を検出する
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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