JP5268840B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

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Description

本発明は、有機電界発光素子に関する。
近年、平面光源などの用途に有機電界発光素子が注目されている。特にりん光を利用する有機電界発光素子はその発光効率が高いことから、活発な研究が行われている。
このような有機電界発光素子の製造方法には真空蒸着プロセスを用いる方法と塗布プロセスを用いる2通りの方法がある。このうち塗布プロセスを用いる方法は大面積化、低コストが可能であるが、発光効率の向上が強く望まれている。
従来、たとえば非特許文献1に、塗布プロセスを用いて作製した有機電界発光素子における発光効率について記載されている。たとえば、ガラス基板上に、ITOからなる陽極、PEDOT:PSSからなる正孔注入層、ホスト材料としてポリビニルカルバゾール(PVK)、りん光性青色発光材料としてFIrpic、および電子輸送材料としてOXD−7を含む発光層、ならびにCsF/Alからなる陰極が順次形成された構造を有する有機電界発光素子が開示されている。この有機電界発光素子は、りん光性青色発光材料であるFIrpicの三重項励起状態を閉じ込めるために、塗布プロセスに使えるホスト材料のうち高い三重項エネルギーを有するPVKを用いて高い発光効率を得ようとするものであるが、その発光効率はまだ十分ではない。
J. Appl. Phys., 102, 091101(2007)
本発明の目的は、塗布プロセスを用いて作製され、高い発光効率を示す有機電界発光素子を提供することにある。
本発明の一実施形態によれば、互いに離間して設けられた陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた、ポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)からなるホスト材料と、青色のりん光材料と、電子輸送材料とを含む発光層と、前記発光層に隣接して前記陽極側に設けられた、ポリビニルカルバゾールからなる正孔輸送層とを有することを特徴とする有機電界発光素子が提供される。
本発明の他の実施形態によれば、互いに離間して設けられた陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた、ポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)からなるホスト材料と、青色のりん光材料と、電子輸送材料とを含む発光層と、前記発光層に隣接して前記陽極側に設けられた、ポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)を除くフッ素化ポリビニルカルバゾールからなる正孔輸送層とを有することを特徴とする有機電界発光素子が提供される。
本発明の実施形態によれば、塗布プロセスを用いて作製され、高い発光効率を示す有機電界発光素子を提供することができる。
第1の実施形態に係る有機電界発光素子の断面図およびエネルギーバンド図。 第2の実施形態に係る有機電界発光素子の断面図。 低分子のフッ素化カルバゾールの特性を示すグラフ。
本発明者らは、塗布プロセスを用いて作製される有機電界発光素子の発光効率を高めるにはPVKよりも高い三重項エネルギーを有するホスト材料を用いることを考え、そのようなホスト材料としてポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)(以下、F−PVKと略記する)を見出した。
一方、F−PVKはHOMO準位が深く正孔を注入しにくいため、発光効率を高めるためには、発光層に隣接して陽極側に、HOMO準位が発光層と陽極(または正孔注入層)の中間に位置する正孔輸送層を挿入することが好ましい。このような正孔輸送層は、ポリビニルカルバゾール(PVK)、またはポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)を除くフッ素化ポリビニルカルバゾールで形成される。
たとえば、PVKのHOMO準位は、塗布プロセスを用いて作製される有機電界発光素子の正孔注入層に一般的に用いられているPEDOT:PSSのHOMO準位とF−PVKのHOMO準位との中間にあるので、PEDOT:PSSからなる正孔注入層よりPVKからなる正孔輸送層を介して、発光層のホスト材料であるF−PVKに効率よく正孔を注入できる。また、PVKのLUMO準位はF−PVKのLUMO準位よりも浅いので、電子が発光することなく発光層のホスト材料(F−PVK)を通り抜けることを防止できる。しかも、PVKは三重項エネルギーが高いため、励起子が発光層から陽極側へ移動することも阻止できる。
正孔輸送層として、PVK以外にも、ポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)を除くフッ素化ポリビニルカルバゾールを用いた場合にも、PVKと同様の効果を売ることができる。
したがって、本発明の実施形態に係る有機電界発光素子は、塗布プロセスを用いて作製でき、かつ発光効率を向上することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態をより詳細に説明する。
(第1の実施形態)
図1(a)は第1の実施形態に係る有機電界素子の断面図、図1(b)はそのエネルギーバンド図である。
ガラス基板11上にITOからなる陽極12が形成されている。陽極12上に、ポリ(エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸)[PEDOT:PSS]の水溶液を塗布し、乾燥することにより正孔注入層13が形成されている。正孔注入層13上にポリビニルカルバゾール[PVK]を有機溶媒(たとえばキシレン)に溶解した溶液を塗布し、乾燥することにより正孔輸送層14が形成されている。正孔輸送層14上に、たとえばホスト材料として60重量%のポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)[F−PVK]、りん光性青色発光材料(ゲスト材料または発光ドーパントともいう)として10重量%のイリジウム(III)ビス(4,6−ジ−フルオロフェニル)−ピリジネート−N,C2’]ピコリネート[FIrpic]、および電子輸送材料として30重量%の1,3−ビス[(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール]フェニレン[OXD−7]を有機溶媒(たとえばトルエン)に溶解した溶液を塗布し、乾燥することにより発光層15が形成されている。発光層15上にCsF/Alからなる陰極16が形成されている。
下記化学式に、正孔輸送層14を形成する正孔輸送材料であるPVK、ならびに発光層15に含まれるホスト材料であるF−PVK、りん光性青色発光材料であるFIrpic、および電子輸送材料であるOXD−7を示す。
Figure 0005268840
電圧を印加すると、陽極12から正孔注入層13および正孔輸送層14を介して正孔が、陰極16から電子が、発光層15のホスト材料であるF−PVKに注入され、正孔と電子が再結合して励起子が形成され、次にゲスト材料であるFIrpicにエネルギー移動して青色の光を発光する。あるいはゲスト材料であるFIrpicで直接的に正孔と電子が再結合して励起子が形成されて青色の光を発光する。
図1(b)に示すように発光層15のホスト材料[F−PVK]のバンドギャップは正孔輸送層14[PVK]のバンドギャップよりも大きい。そして、F−PVKはPVKよりも高い三重項エネルギーを有することが確認されている。このため発光層15のホスト材料にF−PVKを用いることにより、ゲスト材料であるFIrpicの三重項励起状態を効率よく閉じ込めることができ、高い発光効率を得るのに有利である。
また、正孔輸送層14のPVKのHOMO準位(5.8eV)は、塗布プロセスを用いて作製される有機電界発光素子の正孔注入層に一般的に用いられているPEDOT:PSSのHOMO準位(5.3eV)と発光層15のホスト材料であるF−PVKのHOMO準位(6.22eV)の中間の値を有するので、正孔注入層13[PEDOT:PSS]より正孔輸送層14[PVK]を介して、発光層15のホスト材料[F−PVK]に効率よく正孔を注入できる。
さらに、正孔輸送層14[PVK]のLUMO準位(2.2eV)は発光層15のホスト材料であるF−PVKのLUMO準位(2.57eV)よりも浅いので、電子が発光することなく発光層15のホスト材料[F−PVK]を通り抜けることを防止できる。しかも、正孔輸送層14のPVKは三重項エネルギーが高いため、励起子が発光層15から陽極12側へ移動することも阻止できる。特に、本発明者らは、発光層15においてFIrpicとOXD−7を混合した場合には電子と正孔の再結合が主に発光層15の陽極12側で起きることを確認している。このため発光層15の陽極12側に励起子の移動を阻止できる正孔輸送層14を有する本実施形態の構造は高い発光効率を得るのに有利になる。
以上のように、第1の実施形態に係る有機電界発光素子は、塗布プロセスを用いて作製でき、かつ発光効率を向上することができる。
(第2の実施形態)
図2は第2の実施形態に係る有機電界発光素子の断面図である。図1(a)に示した第1の実施形態の有機電界発光素子に対応する部材には同一の符号を付して説明を省略する。
第2の実施形態に係る有機電界発光素子は、第1の実施形態におけるPVKからなる正孔輸送層14に代わり、F−PVKを除くフッ素化ポリビニルカルバゾールからなる正孔輸送層14’を用いたものである。
図3を参照して、低分子のフッ素化カルバゾールの特性について説明する。なお、図3に示したフッ素化カルバゾールを有するフッ素化ビニルカルバゾールを重合させたフッ素化ポリビニルカルバゾールも、低分子のフッ素化カルバゾールと同様の傾向を示す。図3の横軸であるΔHOMO(eV)は無置換のカルバゾールに対しフッ素化カルバゾールのHOMO準位がどれだけ深くなるかを示す。図3の縦軸であるΔ(HOMO−LUMO)は無置換のカルバゾールに対しフッ素化カルバゾールのバンドギャップ(HOMO−LUMO)がどれだけ大きくなるかを示す。
上述したように、正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料は以下の3つの特性を有することが望ましい。
(1)正孔が注入されやすいように、正孔輸送材料のHOMO準位が正孔注入層13[PEDOT:PSS]のHOMO準位と発光層15のホスト材料[F−PVK]のHOMO準位の中間の値を有する。
(2)電子が発光層15のホスト材料[F−PVK]を通り抜けるのを防止できるように、正孔輸送材料のLUMO準位がホスト材料[F−PVK]のLUMO準位より浅い。
(3)励起子が発光層15から陽極12側へ移動するのを阻止できるように、正孔輸送材料の三重項エネルギーが高い(一般に、三重項エネルギーが高いことは、バンドギャップが大きいことに対応する)。
図3においてΔ(HOMO−LUMO)<0であるフッ素化カルバゾールは、無置換のカルバゾールと比較して(3)の条件が不利になるので望ましくない。これに対して、図3においてΔ(HOMO−LUMO)>0であるフッ素化カルバゾールE1〜E3(ただし、2,7−ジフルオロカルバゾールを除く)は(1)〜(3)の条件を満たすので望ましい。これらのフッ素化カルバゾールは、[E1]4,5−ジフルオロカルバゾール、[E2]1−フルオロカルバゾール、[E3]4−フルオロカルバゾールである。
上述したように、対応するフッ素化ポリビニルカルバゾールも図3と同様の傾向を示す。したがって、正孔輸送材料として好適に用いることができるフッ素化ポリビニルカルバゾールとしては、ポリビニル(4,5−ジフルオロカルバゾール)、ポリビニル(1−フルオロカルバゾール)、およびポリビニル(4−フルオロカルバゾール)が挙げられる。正孔輸送材料として(1)〜(3)の条件を満たすこれらのフッ素化ポリビニルカルバゾールを用いた有機電界発光素子は、塗布プロセスを用いて作製でき、かつ発光効率を向上することができる。
(他の実施形態)
上記の実施形態では、りん光性青色発光材料としてFIrpicを用いた場合について説明したが、これに限定されない。りん光性青色発光材料として、下記化学式で示す材料を用いることもできる。
Figure 0005268840
上記の実施形態では、電子輸送材料としてOXD−7を用いた場合について説明したが、これに限定されない。電子輸送材料として、下記化学式で示す材料を用いることもできる。
Figure 0005268840
上記の実施形態では、発光層はゲスト材料としてFIrpicのみを含み青色の光を発光する場合について説明したが、これに限定されない。たとえばホスト材料として60重量%のF−PVK、電子輸送材料として30重量%のOXD−7、りん光性青色発光材料として10重量%のFIrpic、およびりん光性黄色発光材料として0.2重量%の下記化学式で示すビス(2−(9,9−ジヘキシルフルオレニル)−1−ピリジン)(アセチルアセトナト)イリジウム(III)を含み、白色の光を発光する発光層を形成してもよい。
Figure 0005268840
11…ガラス基板、12…陽極、13…正孔注入層、14…正孔輸送層、14’…正孔輸送層、15…発光層、16…陰極。

Claims (2)

  1. 互いに離間して設けられた陽極および陰極と、
    前記陽極と前記陰極との間に設けられた、ポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)からなるホスト材料と、青色のりん光材料と、電子輸送材料とを含む発光層と、
    前記発光層に隣接して前記陽極側に設けられた、ポリビニルカルバゾールからなる正孔輸送層と
    を有することを特徴とする有機電界発光素子。
  2. 互いに離間して設けられた陽極および陰極と、
    前記陽極と前記陰極との間に設けられた、ポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)からなるホスト材料と、青色のりん光材料と、電子輸送材料とを含む発光層と、
    前記発光層に隣接して前記陽極側に設けられた、ポリビニル(2,7−ジフルオロカルバゾール)を除くフッ素化ポリビニルカルバゾールからなる正孔輸送層と
    を有することを特徴とする有機電界発光素子。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5481057B2 (ja) * 2008-11-19 2014-04-23 株式会社東芝 有機電界発光素子
JP5857754B2 (ja) * 2012-01-23 2016-02-10 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置
WO2013157494A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2014102958A (ja) 2012-11-19 2014-06-05 Toshiba Corp 表示装置及び表示システム
KR102280686B1 (ko) * 2014-02-11 2021-07-22 삼성전자주식회사 카바졸계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
TWI571296B (zh) * 2015-01-08 2017-02-21 中興保全股份有限公司 可調姿勢之玩偶
KR102664389B1 (ko) * 2018-03-26 2024-05-08 삼성전자주식회사 유기 발광 소자

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6034206A (en) * 1997-05-09 2000-03-07 Tosoh Corporation Polyaryleneamines and a process for their production
TWI238183B (en) * 2000-01-12 2005-08-21 Sumitomo Chemical Co Polymeric fluorescent substance and polymer light-emitting device
JP4153694B2 (ja) * 2000-12-28 2008-09-24 株式会社東芝 有機el素子および表示装置
JP4018447B2 (ja) * 2001-06-15 2007-12-05 キヤノン株式会社 発光素子
AU2002329813A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-18 The Trustees Of Princeton University Organic light emitting devices having carrier blocking layers comprising metal complexes
US7250226B2 (en) * 2001-08-31 2007-07-31 Nippon Hoso Kyokai Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device
WO2003077609A1 (fr) * 2002-03-08 2003-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Dispositif electroluminescent organique
JP2004067970A (ja) 2002-08-09 2004-03-04 Tosoh Corp 新規トリアリールアミンポリマー、その製造方法及びその用途
JP4506086B2 (ja) * 2003-03-19 2010-07-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070069197A1 (en) * 2003-08-15 2007-03-29 Universite Laval Monomers, oligomers and polymers of 2-functionalized and 2,7-difunctionalized carbzoles
EP1675931A1 (en) 2003-10-24 2006-07-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with anthracene derivative host
US7067841B2 (en) * 2004-04-22 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic devices
US7247394B2 (en) * 2004-05-04 2007-07-24 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
JP2006128636A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
KR101030008B1 (ko) 2004-12-31 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 소자
US20060246315A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 Begley William J Phosphorescent oled with mixed electron transport materials
EP2505582A1 (en) * 2005-12-12 2012-10-03 Hodogaya Chemical Co., Ltd. M-carbazolylphenyl compound
US20090309094A1 (en) 2006-02-27 2009-12-17 Technion Research And Development Foundation Ltd. Color controlled electroluminescent devices
CN110724124A (zh) * 2007-05-17 2020-01-24 株式会社半导体能源研究所 三唑衍生物
JP5481057B2 (ja) * 2008-11-19 2014-04-23 株式会社東芝 有機電界発光素子
JP5349105B2 (ja) * 2009-03-25 2013-11-20 株式会社東芝 有機電界発光素子

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