JP5263528B2 - キャパシタ構造体及びその製造方法 - Google Patents
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△V=R×i−L×di/dt・・・・・・(1)
図10に示す工程により図4のキャパシタ構造体300を製造した。
次に、他の実施例について説明する。図11に示す工程により図9のキャパシタ構造体400を製造した。インターポーザ基板90として厚み200μmのアルカリフリーガラスを使用した。RIEでφ50μmの半導体素子の端子位置に対応した貫通孔を半導体素子が複数とれるように形成した。
次に、他の実施例について説明する。
2 貫通電極
3 キャビティー
4 キャパシタ
4a 下部電極
4b 誘電体
4c 上部電極
5 保護絶縁膜
6 半導体素子接合パッド
6a 下部電極接続パッド
6b 上部電極接続パッド
6c 非接続パッド
7a 下部電極接続ビア
7b 上部電極接続ビア
8 絶縁膜
9 裏面絶縁膜
61 電源パッド
62 グランドパッド
63 信号パッド
50 半導体素子
51 実装基板
90 絶縁性インターポーザ基板
110 段差構造
120 貫通孔
Claims (16)
- 基板と、
基板の内部を貫通する貫通電極と、
貫通電極の上部に設けられたキャビティー部と、
基板の上部であって、キャビティー部に隣接して設けられたキャパシタとを有し、前記キャビティー部の底部の幅は、前記貫通電極の表面の幅よりも大きいことを特徴とするキャパシタ構造体。 - 前記貫通電極は、前記基板の内部に複数設けられており、
前記複数の貫通電極は、前記基板の表面に露出した複数の接続パッドとそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項1に記載のキャパシタ構造体。 - 前記接続パッドは、少なくとも第1、第2及び第3の接続パッドを有し、
前記キャパシタは、下部電極と誘電体と上部電極とを有し、
前記第1の接続パッドは前記下部電極と接続されており、
前記第2の接続パッドは前記上部電極と接続されており、
前記第3の接続パッドは前記キャパシタとは接続されていないことを特徴とする請求項2に記載のキャパシタ構造体。 - 前記キャパシタの上部には、保護絶縁膜が設けられており、
前記第1の接続パッドは、前記保護絶縁膜に設けられた第1のビアを介して前記下部電極と接続されており、
前記第2の接続パッドは、前記保護絶縁膜に設けられた第2のビアを介して前記上部電極と接続されていることを特徴とする請求項3に記載のキャパシタ構造体。 - 前記下部電極は、前記キャビティー部の内部に一体的に形成されており、
前記第1の接続パッドは、前記キャビティー部の内部に一体的に形成された下部電極と直接接続されていることを特徴とする請求項3に記載のキャパシタ構造体。 - 前記基板は導電性であり、
前記基板は、基板表面、前記貫通電極との界面及び前記キャビティー部の内部に絶縁膜がそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のキャパシタ構造体。 - 前記基板は、シリコン基板であり、
前記絶縁膜は、シリコンの熱酸化膜であることを特徴とする請求項6に記載のキャパシタ構造体。 - 前記基板は絶縁性であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のキャパシタ構造体。
- 前記基板は、ガラス基板又はセラミックス基板であることを特徴とする請求項8に記載のキャパシタ構造体。
- 前記キャビティー部の表面開口が底面よりも小さいことを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のキャパシタ構造体。
- 前記キャビティー部の垂直断面形状が樽型であることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のキャパシタ構造体。
- 前記貫通電極の表面と前記キャビティー部の底面とが一致していることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載のキャパシタ構造体。
- 前記基板の表面及び裏面には、カバー樹脂が設けられており、
前記基板の裏面には、裏面パッドが設けられていることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載のキャパシタ構造体。 - 前記キャビティー部は、前記貫通電極の変形により前記キャパシタが破壊するのを防止することを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載のキャパシタ構造体。
- 実装基板と、
前記実装基板の上部に搭載された請求項2から14のいずれか1項に記載のキャパシタ構造体と、
前記キャパシタ構造体の上部に搭載された半導体素子とを有することを特徴とする電子装置。 - 前記キャパシタ構造体の前記複数の接続パッドは、前記半導体素子の入出力端子に対応していることを特徴とする請求項15に記載の電子装置。
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