JP5252742B2 - ガスセンサ - Google Patents
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Description
好ましくは、前記4本の脚は折れ曲がっており、脚の周囲で前記キャビティが架橋部とは反対側へ広がっている。このようにすると、キャビティが広がった部分から架橋部の底部へ潜り込む気流が生じるので、架橋部の周縁から上昇する気流と衝突しなくなり、架橋部の底面へより多くの雰囲気を供給できる。従ってガス感度を向上できる。また折れ曲がった脚が変形することにより、架橋部に働く熱応力を吸収できる。そして脚の周囲でキャビティを拡げることにより、脚に付着した感ガス材料と基板との接触を防止できる。
好ましくは、感ガス膜はSnO2,In2O3等の金属酸化物半導体の厚膜で、金属酸化物半導体膜と前記ヒータとの間に架橋部を覆う絶縁膜があり、絶縁膜上に一対の電極がホールの4方の各々で互いに向き合うように設けられている。このようにするとホールの4方の金属酸化物半導体膜を全てガスの検出に利用できる。
1) 感ガス膜が雰囲気に接触する面積が増す。また厚い感ガス膜を用いる場合にも、感ガス膜とヒータとの距離を短くできるので、感ガス膜全体を適切な温度に加熱する。
2) 架橋部4,34の裏面で加熱された雰囲気がホール内6,36を上昇し、ガスの供給を促進できる。
3) ホール6、36は架橋部4,34の中央部付近にあり、ヒータ20,40はホール6,36の4方を取り巻くので、架橋部4,34を均一に加熱できる。
4) 4本の脚18,38,39で架橋部4,34を安定に支持でき、ヒータ20,40がホール6,36の両側を通るので架橋部はさらに均一に加熱される。
5) 拡張キャビティ10から架橋部の底部へ潜り込む気流が生じるので、架橋部の周縁から上昇する気流と衝突しなくなり、架橋部の底面へより多くの雰囲気を供給できる。また脚18,38,39に付着した感ガス材料と基板との接触を防止できる。
6) 折れ曲がった4本の脚18,38,39が変形することにより、架橋部4,34に働く熱応力を吸収できる。
7) 半導体ガスセンサとする場合、電極16,16がホール6の4方の各々で互いに対向するので、ホール6の4方の金属酸化物半導体を全てガスの検出に利用できる。
4,34 架橋部
5,45 絶縁膜
6,36 ホール
8,32 キャビティ
10 拡張キャビティ
12,14 パッド
16 電極
18 脚
20,40 ヒータパターン
22〜24 感ガス膜
26 貫通孔
38,39 脚
41,42 パッド
Claims (5)
- Si基板に設けたキャビティ上に、絶縁膜からなる架橋部と脚とを設けて、前記架橋部を前記脚でSi基板上の絶縁膜に接続し、該架橋部にヒータと感ガス膜とを設けたガスセンサにおいて、
前記架橋部の中央部付近に架橋部を貫通するホールを設けると共に、前記感ガス膜が架橋部の表面と該ホールの少なくとも一部及び架橋部の周縁を覆い、かつ前記ヒータがホールを取り巻いていることを特徴とする、ガスセンサ。 - 前記脚は前記架橋部の4点からキャビティ上へ突き出す4本の脚からなり、
前記4点により構成される4角形の対角2頂点を結ぶように、前記ヒータがホールの両側に配置され、前記ヒータは、前記対角2頂点から突き出す2本の脚を介して、Si基板側へ接続されていることを特徴とする、請求項1のガスセンサ。 - 前記4本の脚は折れ曲がっており、脚の周囲で前記キャビティが架橋部とは反対側へ広がっていることを特徴とする、請求項2のガスセンサ。
- 前記架橋の底部で、前記キャビティが前記基板を貫通していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかのガスセンサ。
- 前記感ガス膜はガスとの接触で抵抗値が変化する金属酸化物半導体膜で、
該金属酸化物半導体膜と前記ヒータとの間に前記架橋部を覆う絶縁膜があり、
該絶縁膜上に、一対の電極が前記ホールの4方の各々で互いに向き合うように設けられていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかのガスセンサ。
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