JP5630821B2 - ガスセンサ - Google Patents
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Description
前記絶縁膜は平面視での中心に孔を1個のみ備え、
前記孔から見た絶縁膜の一端とその反対側の端部との間に、孔の周囲の略全周を取り巻きかつ折り返すように薄膜ヒータが配置され、薄膜ヒータの各部は互いに直列に接続され、さらに孔の一方で他方に比べて薄膜ヒータの配線が1本少なく、また薄膜ヒータの配線は孔の周囲に複数本ずつ、絶縁膜上に配置され、
前記孔の一方に、前記薄膜ヒータと同材質でかつヒータ電流が流れないダミーの配線が少なくとも1本設けられていることを特徴とする。
4 半導体基板
5 ベース
6,7 絶縁膜
8 キャビティ
9,10 脚
11 孔
12 ヒータ配線
14 パッド
16,17 ダミーパターン
18 折り返し
19 保護膜
20 酸化触媒
22 貫通孔
32 ヒータ配線
35 ベース
36 ダミーパターン
41 孔
42,52 ヒータ配線
45,55 ベース
46,56 ダミーパターン
60,62 電極
64 金属酸化物半導体
70,72 電極
Claims (2)
- 半導体基板のキャビティに薄膜ヒータを有する絶縁膜を配置したガスセンサにおいて、
前記絶縁膜は平面視での中心に孔を1個のみ備え、
前記孔から見た絶縁膜の一端とその反対側の端部との間に、孔の周囲の略全周を取り巻きかつ折り返すように薄膜ヒータが配置され、薄膜ヒータの各部は互いに直列に接続され、さらに孔の一方で他方に比べて薄膜ヒータの配線が1本少なく、また薄膜ヒータの配線は孔の周囲に複数本ずつ、絶縁膜上に配置され、
前記孔の一方に、前記薄膜ヒータと同材質でかつヒータ電流が流れないダミーの配線が少なくとも1本設けられていることを特徴とするガスセンサ。 - 前記絶縁膜が可燃性ガスの酸化触媒で被覆され、前記薄膜ヒータの抵抗値の変化から可燃性ガスを検出するセンサであることを特徴とする、請求項1のガスセンサ。
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JP2815125B2 (ja) * | 1991-07-31 | 1998-10-27 | 新コスモス電機株式会社 | 接触燃焼式ガス検知素子 |
JP3115669B2 (ja) * | 1991-12-27 | 2000-12-11 | リコーエレメックス株式会社 | センサ |
JP3086314B2 (ja) * | 1991-12-27 | 2000-09-11 | リコーエレメックス株式会社 | 雰囲気センサの構造 |
JPH08313471A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Fuji Electric Co Ltd | 接触燃焼式不完全燃焼ガスセンサおよびその製造方法 |
JP3956702B2 (ja) * | 2002-01-07 | 2007-08-08 | 株式会社デンソー | 薄膜構造センサ |
JP3724443B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2005-12-07 | 富士電機機器制御株式会社 | 薄膜ガスセンサ |
JP2005181016A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Denso Corp | 熱式センサ |
JP2005233742A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ素子の製造方法 |
JP2007132762A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Nippon Ceramic Co Ltd | ガスセンサの構造 |
JP4501942B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2010-07-14 | 株式会社デンソー | 薄膜構造センサ |
JP5419336B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2014-02-19 | 北陸電気工業株式会社 | 感応センサ及びその製造方法 |
JP2009079907A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Citizen Holdings Co Ltd | 接触燃焼式ガスセンサ |
JP5318467B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-10-16 | 矢崎総業株式会社 | ガスセンサ |
JP5086195B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2012-11-28 | 矢崎総業株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサ |
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---|---|---|---|---|
KR101902366B1 (ko) * | 2016-07-01 | 2018-10-01 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 멀티어레이 히터 및 마이크로 멀티어레이 센서 |
US10433370B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-10-01 | Point Engineering Co., Ltd. | Micro multi-array heater and micro multi-array sensor |
US20210262967A1 (en) * | 2018-06-08 | 2021-08-26 | Omron Corporation | Micro-hotplate and mems gas sensor |
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