JPH04158263A - 流速センサ - Google Patents
流速センサInfo
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- JPH04158263A JPH04158263A JP28349190A JP28349190A JPH04158263A JP H04158263 A JPH04158263 A JP H04158263A JP 28349190 A JP28349190 A JP 28349190A JP 28349190 A JP28349190 A JP 28349190A JP H04158263 A JPH04158263 A JP H04158263A
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Landscapes
- Measuring Volume Flow (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、気体の流速を測定する流速センサに係わり、
特にダイアフラム構造の流速センサに関するものである
。
特にダイアフラム構造の流速センサに関するものである
。
[従来の技術]
一般に気体の流速測定には、各種の構造の流速センサが
提案されており、その1つとして例えば特開昭60−1
42268号公報には、半導体製造技術を用いて製作さ
れた熱式流速センサが提案されている。この熱式流速セ
ンサは、第5図に要部拡大平面図で示すように半導体基
板1にこの半導体基板1と熱的に絶縁する空隙部2を介
して薄膜状のブリッジ部3が形成されており、このブリ
ッジ部3上の表面中央部にはヒータエレメント4および
このヒータエレメント4の両側に熱感知用の測温抵抗エ
レメント5,6が形成されて構成されている。なお、7
は空隙部2に連通された開口である。
提案されており、その1つとして例えば特開昭60−1
42268号公報には、半導体製造技術を用いて製作さ
れた熱式流速センサが提案されている。この熱式流速セ
ンサは、第5図に要部拡大平面図で示すように半導体基
板1にこの半導体基板1と熱的に絶縁する空隙部2を介
して薄膜状のブリッジ部3が形成されており、このブリ
ッジ部3上の表面中央部にはヒータエレメント4および
このヒータエレメント4の両側に熱感知用の測温抵抗エ
レメント5,6が形成されて構成されている。なお、7
は空隙部2に連通された開口である。
このように構成される流速センサは、ヒータエレメント
4に電流を流して加熱し、気体の流れの中に置いたとき
に矢印方向8から気体が移動すると、上流側の測温抵抗
エレメント5は気体の流れよって冷却されて降温し、一
方、下流側の測温抵抗エレメント6は温度が上昇する。
4に電流を流して加熱し、気体の流れの中に置いたとき
に矢印方向8から気体が移動すると、上流側の測温抵抗
エレメント5は気体の流れよって冷却されて降温し、一
方、下流側の測温抵抗エレメント6は温度が上昇する。
この結果、上流側の測温抵抗エレメント5と下流側の測
温抵抗エレメント6との間に温度差が生じ、抵抗値が変
化する。このなめ、上流側の測温抵抗エレメント5と下
流側の測温抵抗エレメント6とをホイートストンブリッ
ジ回路に組み込み、その抵抗値の変化を電圧に変換する
ことにより、気体の流速に応じた電圧出力が得られ、そ
の結果、気体の流速を検出することができる。
温抵抗エレメント6との間に温度差が生じ、抵抗値が変
化する。このなめ、上流側の測温抵抗エレメント5と下
流側の測温抵抗エレメント6とをホイートストンブリッ
ジ回路に組み込み、その抵抗値の変化を電圧に変換する
ことにより、気体の流速に応じた電圧出力が得られ、そ
の結果、気体の流速を検出することができる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来の流速センサにおいて、ブリッジ部
3上の表面に形成されたヒータエレメント4は、その抵
抗体パターンのパターン形状がその長さ方向に垂直な中
心線に対して対称となって形成されていなかったので、
発熱時にその温度分布に片寄りが生じ、さらに測温抵抗
エレメント5.6上でも同様にその長さ方向に垂直な中
心線の両側で温度差が生じ、これに矢印方向8から気体
の流れが加わると、温度分布状態が複雑となって安定し
た流量検出ができないという問題があった。
3上の表面に形成されたヒータエレメント4は、その抵
抗体パターンのパターン形状がその長さ方向に垂直な中
心線に対して対称となって形成されていなかったので、
発熱時にその温度分布に片寄りが生じ、さらに測温抵抗
エレメント5.6上でも同様にその長さ方向に垂直な中
心線の両側で温度差が生じ、これに矢印方向8から気体
の流れが加わると、温度分布状態が複雑となって安定し
た流量検出ができないという問題があった。
[課題を解決するための手段]
このような課題を解決するために本発明による流速セン
サは、発熱体部の抵抗体パターンをその長さ方向と垂直
となる中心線に対して対称となるように配置したもので
ある。
サは、発熱体部の抵抗体パターンをその長さ方向と垂直
となる中心線に対して対称となるように配置したもので
ある。
本発明による第2の流速センサは、第1の流速センサに
おいて、抵抗体パターンは一部にダミー抵抗を用いて対
称となるように配置したものである。
おいて、抵抗体パターンは一部にダミー抵抗を用いて対
称となるように配置したものである。
本発明による第3の流速センサは、測温抵抗体部の抵抗
体パターンをその長さ方向と垂直となる中心線に対して
対称となるように配置したしたものである。
体パターンをその長さ方向と垂直となる中心線に対して
対称となるように配置したしたものである。
本発明による第4の流速センサは、第3の流速センサに
おいて、抵抗体パターンは一部にダミー抵抗を用いて対
称となるように配置したものである。
おいて、抵抗体パターンは一部にダミー抵抗を用いて対
称となるように配置したものである。
[作用コ
本発明による流速センサにおいては、発熱体部の形成す
る温度分布状態がその抵抗体パターンの長さ方向に垂直
な中心線に対して対称に形成される。
る温度分布状態がその抵抗体パターンの長さ方向に垂直
な中心線に対して対称に形成される。
本発明による他の流速センサにおいては、測温抵抗体部
の温度分布状態がその抵抗体パターンの長さ方向に垂直
な中心線に対して対称に形成される。
の温度分布状態がその抵抗体パターンの長さ方向に垂直
な中心線に対して対称に形成される。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明による流速センサの一実施例による概略
構成を説明する平面図であり、前述の図と同一または相
当部分には同一符号を付しその説明は省略する。同図に
おいて、半導体基板1の表面中央部分には、この半導体
基板1に対して空隙部2を介して熱的に絶縁された薄肉
状のダイアフラム部3aが形成されており、このダイア
プラム部3aの中央部分には、ヒータエレメント4が形
成され、さらにこのヒータエレメント4の両側にはそれ
ぞれ独立した測温抵抗エレメント5,6が形成されてい
る。また、この半導体基板1上の表面には、この半導体
基板1のエツチングのための多数のスリット11が開設
され、ヒータエレメント4および測温抵抗エレメント5
.6の周辺部を、その半導体基板1の表面に開設された
多数の細かいスリット11を介して例えば異方性エツチ
ングを行うことにより、内側に逆台形状の空気スペース
を有する空隙部2が形成されている。これによってこの
空隙部2の上部には、半導体基板1からダイアフラム状
に空間的に隔離され、この半導体基板lからヒータエレ
メント4および両側の測温抵抗エレメント5,6が熱的
に絶縁されて支持されたダイアフラム部3aが形成され
る構造となっている。なお、11□、112,113,
114.115はダイアフラム部3aにおいて、風上側
から風下側に向かって各測温抵抗エレメント5、ヒータ
エレメント4.測温抵抗エレメント6の配列前後に空隙
部2と連通して連続的に開設されたスリット部である。
構成を説明する平面図であり、前述の図と同一または相
当部分には同一符号を付しその説明は省略する。同図に
おいて、半導体基板1の表面中央部分には、この半導体
基板1に対して空隙部2を介して熱的に絶縁された薄肉
状のダイアフラム部3aが形成されており、このダイア
プラム部3aの中央部分には、ヒータエレメント4が形
成され、さらにこのヒータエレメント4の両側にはそれ
ぞれ独立した測温抵抗エレメント5,6が形成されてい
る。また、この半導体基板1上の表面には、この半導体
基板1のエツチングのための多数のスリット11が開設
され、ヒータエレメント4および測温抵抗エレメント5
.6の周辺部を、その半導体基板1の表面に開設された
多数の細かいスリット11を介して例えば異方性エツチ
ングを行うことにより、内側に逆台形状の空気スペース
を有する空隙部2が形成されている。これによってこの
空隙部2の上部には、半導体基板1からダイアフラム状
に空間的に隔離され、この半導体基板lからヒータエレ
メント4および両側の測温抵抗エレメント5,6が熱的
に絶縁されて支持されたダイアフラム部3aが形成され
る構造となっている。なお、11□、112,113,
114.115はダイアフラム部3aにおいて、風上側
から風下側に向かって各測温抵抗エレメント5、ヒータ
エレメント4.測温抵抗エレメント6の配列前後に空隙
部2と連通して連続的に開設されたスリット部である。
また、このダイアフラム部3aに設けられた上流側の測
温抵抗エレメント5は、気体の流れる矢印方向8と交差
する長手方向の抵抗体パターン長が風上側から風下方向
に向かって順次長くなるように形成され、さらに上記同
様に下流側の測温抵抗エレメント6は、その長手方向の
抵抗体パターン長が風上側から風下方向に向かって順次
短くなるように形成されている。
温抵抗エレメント5は、気体の流れる矢印方向8と交差
する長手方向の抵抗体パターン長が風上側から風下方向
に向かって順次長くなるように形成され、さらに上記同
様に下流側の測温抵抗エレメント6は、その長手方向の
抵抗体パターン長が風上側から風下方向に向かって順次
短くなるように形成されている。
つまり第2図に要部拡大平面図で示すように上流側の測
温抵抗エレメント5および下流側の測温抵抗エレメント
6の全体の外形形状がヒータエレメント4を中心として
左右対称にほぼ台形状を有して形成されている。さらに
これらの測温抵抗エレメント5および測温抵抗エレメン
ト6は、その抵抗体パターンがヒータエレメント4と近
接する側の中央部には抵抗体パターンが形成されておら
ず、さらに抵抗体パターンがヒータエレメント4から一
定の距離難問されて形成されている。つまり上流側の測
温抵抗エレメント5は風上側に寄せて形成配置され、下
流側の測温抵抗エレメント6は風下側に寄せて形成配置
されてヒータエレメント4の両側に比較的広い平面領域
12が形成されている。この場合、測温抵抗エレメント
5,6は例えば半導体基板1の寸法を1400μm角、
ダイアフラム部3aの長手方向を1200μm2幅60
0μmとしたとき、ヒータエレメント4のエツジからの
長さで80〜300μmの範囲内に形成されることが好
ましい。さらにこれらの上流側測温抵抗エレメント5お
よび下流[測温抵抗エレメント6のその長さ方向両端部
には、その長さ方向に沿って電気的に接続されない複数
本の棒状パターンの集合体からなるダミー抵抗体パター
ン14が形成配置されている。これらの抵抗体パターン
14は、測温抵抗エレメント5.6の形成と同一工程で
例えばパーマロイや白金などの金属膜により形成され、
表面に部分的に例えば金薄膜などが形成されている。そ
して、これらの上流側測温抵抗エレメント5.下流側測
温抵抗エレメント6およびこれらの外側の抵抗体パター
ン14もそれらの抵抗体パターンの長さ方向に垂直な中
心線c−c’ に対して線対称となるように形成配置さ
れている。
温抵抗エレメント5および下流側の測温抵抗エレメント
6の全体の外形形状がヒータエレメント4を中心として
左右対称にほぼ台形状を有して形成されている。さらに
これらの測温抵抗エレメント5および測温抵抗エレメン
ト6は、その抵抗体パターンがヒータエレメント4と近
接する側の中央部には抵抗体パターンが形成されておら
ず、さらに抵抗体パターンがヒータエレメント4から一
定の距離難問されて形成されている。つまり上流側の測
温抵抗エレメント5は風上側に寄せて形成配置され、下
流側の測温抵抗エレメント6は風下側に寄せて形成配置
されてヒータエレメント4の両側に比較的広い平面領域
12が形成されている。この場合、測温抵抗エレメント
5,6は例えば半導体基板1の寸法を1400μm角、
ダイアフラム部3aの長手方向を1200μm2幅60
0μmとしたとき、ヒータエレメント4のエツジからの
長さで80〜300μmの範囲内に形成されることが好
ましい。さらにこれらの上流側測温抵抗エレメント5お
よび下流[測温抵抗エレメント6のその長さ方向両端部
には、その長さ方向に沿って電気的に接続されない複数
本の棒状パターンの集合体からなるダミー抵抗体パター
ン14が形成配置されている。これらの抵抗体パターン
14は、測温抵抗エレメント5.6の形成と同一工程で
例えばパーマロイや白金などの金属膜により形成され、
表面に部分的に例えば金薄膜などが形成されている。そ
して、これらの上流側測温抵抗エレメント5.下流側測
温抵抗エレメント6およびこれらの外側の抵抗体パター
ン14もそれらの抵抗体パターンの長さ方向に垂直な中
心線c−c’ に対して線対称となるように形成配置さ
れている。
このような構成によると、ヒータエレメント4は、その
抵抗体パターン4□、42のエツジ部から各上流側測温
抵抗エレメント5.下流側測温抵抗エレメント6の中心
部までの距離1.、 、1,2は、第3図(a>に示す
ように第3図(b)の従来構成に対してほぼ等しくなる
。したがってヒータエレメント4の加熱による温度分布
状態が中心線C−C’ に対して対称となるとともにヒ
ータエレメント4から上流側測温抵抗エレメント5およ
び下流側測温抵抗エレメント6への熱伝導がそれぞれ中
心線c−c’に対して均一となるので、上流側測温抵抗
エレメント5.下流側測温抵抗エレメント6上での温度
分布状態もその中心線C−C′に対して対称となり、上
流側測温抵抗エレメント5および下流側測温抵抗エレメ
ント6内に余計な温度勾配が形成されなくなることにな
る。また、第4図に示すようなヒータエレメント4およ
び測温抵抗エレメント5,6の構成において、ヒータエ
レメント4の電源入力端子側と反対側にヒータエレメン
ト4の長さ方向と垂直な中心線C−C′に対して線対称
となるダミー抵抗パターン13が形成配置されてもヒー
タエレメント4が対称に熱拡散できるとともにダイアフ
ラム部3aの機械的強度を保持することができる。さら
に第3図(C)に示すように構成しても同様の効果が得
られることはいうまでもない。
抵抗体パターン4□、42のエツジ部から各上流側測温
抵抗エレメント5.下流側測温抵抗エレメント6の中心
部までの距離1.、 、1,2は、第3図(a>に示す
ように第3図(b)の従来構成に対してほぼ等しくなる
。したがってヒータエレメント4の加熱による温度分布
状態が中心線C−C’ に対して対称となるとともにヒ
ータエレメント4から上流側測温抵抗エレメント5およ
び下流側測温抵抗エレメント6への熱伝導がそれぞれ中
心線c−c’に対して均一となるので、上流側測温抵抗
エレメント5.下流側測温抵抗エレメント6上での温度
分布状態もその中心線C−C′に対して対称となり、上
流側測温抵抗エレメント5および下流側測温抵抗エレメ
ント6内に余計な温度勾配が形成されなくなることにな
る。また、第4図に示すようなヒータエレメント4およ
び測温抵抗エレメント5,6の構成において、ヒータエ
レメント4の電源入力端子側と反対側にヒータエレメン
ト4の長さ方向と垂直な中心線C−C′に対して線対称
となるダミー抵抗パターン13が形成配置されてもヒー
タエレメント4が対称に熱拡散できるとともにダイアフ
ラム部3aの機械的強度を保持することができる。さら
に第3図(C)に示すように構成しても同様の効果が得
られることはいうまでもない。
なお、前述した実施例においては、半導体基板の一部に
空隙部を設けて形成した薄膜部構造を、ダイアフラム構
造とした場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、マイクロブリッジ構造に適用して
も前述とほぼ同等の効果が得られることは言うまでもな
い。
空隙部を設けて形成した薄膜部構造を、ダイアフラム構
造とした場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、マイクロブリッジ構造に適用して
も前述とほぼ同等の効果が得られることは言うまでもな
い。
また、前述した実施例においては、基台として半導体基
板を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、例えばアルミニウム、ステンレ
スなどの金属基板を用い、ダイアフラム部をSi 02
、Si3N4などの絶縁膜を形成しても上述と同様に
効果が得られることは言うまでもない。
板を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、例えばアルミニウム、ステンレ
スなどの金属基板を用い、ダイアフラム部をSi 02
、Si3N4などの絶縁膜を形成しても上述と同様に
効果が得られることは言うまでもない。
さらに前述した実施例において、ダイアフラム部の構造
は、エツチングにより形成した場合について説明したが
、本発明は、これに限られるものではなく、エンドミル
、レーザなどによる加工形成した構造でも良く、また、
基板とダイアプラム部とを別々に製作し、両者を張り合
わせて形成した構成でも同様な効果が得られることはこ
とは言うまでもない。
は、エツチングにより形成した場合について説明したが
、本発明は、これに限られるものではなく、エンドミル
、レーザなどによる加工形成した構造でも良く、また、
基板とダイアプラム部とを別々に製作し、両者を張り合
わせて形成した構成でも同様な効果が得られることはこ
とは言うまでもない。
[発明の効果]
以上、説明したように本発明による流速センサは、発熱
体部の抵抗体パターンをその長さ方向と垂直となる中心
線に対して対称となるように配置したことにより、発熱
体部の形成する温度分布状態がその抵抗体パターンに垂
直な中心線に対して対称に形成されるので、測温抵抗体
内に余計な温度勾配が形成されることがなくなり、安定
した流速検出が可能となる。
体部の抵抗体パターンをその長さ方向と垂直となる中心
線に対して対称となるように配置したことにより、発熱
体部の形成する温度分布状態がその抵抗体パターンに垂
直な中心線に対して対称に形成されるので、測温抵抗体
内に余計な温度勾配が形成されることがなくなり、安定
した流速検出が可能となる。
本発明による他の流速センサは、測温抵抗体部の抵抗体
パターンをその長さ方向と垂直となる中心線に対して対
称となるように配置したことにより、測温抵抗体部の温
度分布状態がその抵抗体パターンに垂直な中心線に対し
て対称に形成されるので、各測温抵抗体内に良好な温度
分布状態が形成され、安定した流速検出が可能となるな
どの極めて優れた効果が得られる。
パターンをその長さ方向と垂直となる中心線に対して対
称となるように配置したことにより、測温抵抗体部の温
度分布状態がその抵抗体パターンに垂直な中心線に対し
て対称に形成されるので、各測温抵抗体内に良好な温度
分布状態が形成され、安定した流速検出が可能となるな
どの極めて優れた効果が得られる。
第1図は本発明による流速センサの一実施例による構成
を示す概略平面図、第2図は第1図の要部拡大平面図、
第3図は従来および本発明による流速センサの効果を説
明する平面図、第4図は第1図の他の実施例による構成
を示す要部拡大平面図、第5図は従来の流速センサの構
成を示す要部平面図である。 1・・・−半導体基板、2・・・・空隙部、3a・・・
−ダイアフラム部、4・・・・ヒータエレメント、5・
・・・上流側測温抵抗エレメント、6・・・・下流側測
温抵抗エレメント、8・・・・矢印方向、11・・・・
スリット、11t 、 112 、113 、114
、 lls・・・・スリット部、12・・・・平面領域
、13.14・−・・抵抗体パターン。 特 許 出 願 人 山武ハネウェル株式会社代
理 人 山 川 政 樹第3図 (a) (b) (C)
を示す概略平面図、第2図は第1図の要部拡大平面図、
第3図は従来および本発明による流速センサの効果を説
明する平面図、第4図は第1図の他の実施例による構成
を示す要部拡大平面図、第5図は従来の流速センサの構
成を示す要部平面図である。 1・・・−半導体基板、2・・・・空隙部、3a・・・
−ダイアフラム部、4・・・・ヒータエレメント、5・
・・・上流側測温抵抗エレメント、6・・・・下流側測
温抵抗エレメント、8・・・・矢印方向、11・・・・
スリット、11t 、 112 、113 、114
、 lls・・・・スリット部、12・・・・平面領域
、13.14・−・・抵抗体パターン。 特 許 出 願 人 山武ハネウェル株式会社代
理 人 山 川 政 樹第3図 (a) (b) (C)
Claims (4)
- (1)基台と、前記基台の一部に空間を設けて薄肉状に
形成されたダイアフラム部と、前記ダイアフラム部に気
体の流れる方向と交差して形成された発熱体と、前記発
熱体の両側にそれぞれ形成された測温抵抗体とを備え、
前記発熱体躯の抵抗体パターンをその長さ方向と垂直と
なる中心線に対して対称となるように配置したことを特
徴とする流速センサ。 - (2)請求項1において、前記抵抗体パターンは一部に
ダミー抵抗を用いて対称となるように配置したことを特
徴とする流速センサ。 - (3)基台と、前記基台の一部に空間を設けて薄肉状に
形成されたダイアフラム部と、前記ダイアフラム部に気
体の流れる方向と交差して形成された発熱体と、前記発
熱体の両側にそれぞれ形成された測温抵抗体とを備え、
前記測温抵抗体部の抵抗体パターンをその長さ方向と垂
直となる中心線に対して対称となるように配置したこと
を特徴とする流速センサ。 - (4)請求項3において、前記抵抗体パターンは一部に
ダミー抵抗を用いて対称となるように配置したことを特
徴とする流速センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28349190A JPH04158263A (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 流速センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28349190A JPH04158263A (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 流速センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04158263A true JPH04158263A (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=17666243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28349190A Pending JPH04158263A (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 流速センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04158263A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6557411B1 (en) | 1999-07-27 | 2003-05-06 | Hitachi, Ltd. | Heating element type mass air flow sensor, and internal combustion engine-control apparatus using the sensor |
JP2012098232A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Figaro Eng Inc | ガスセンサ |
WO2024116230A1 (ja) * | 2022-11-28 | 2024-06-06 | 日立Astemo株式会社 | 流量センサ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6188532A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-05-06 | ハネウエル・インコーポレーテツド | 集積半導体デバイスとその製造方法 |
JPH0257027B2 (ja) * | 1984-05-10 | 1990-12-03 | Goyo Shiko Kk |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP28349190A patent/JPH04158263A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0257027B2 (ja) * | 1984-05-10 | 1990-12-03 | Goyo Shiko Kk | |
JPS6188532A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-05-06 | ハネウエル・インコーポレーテツド | 集積半導体デバイスとその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6557411B1 (en) | 1999-07-27 | 2003-05-06 | Hitachi, Ltd. | Heating element type mass air flow sensor, and internal combustion engine-control apparatus using the sensor |
JP2012098232A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Figaro Eng Inc | ガスセンサ |
WO2024116230A1 (ja) * | 2022-11-28 | 2024-06-06 | 日立Astemo株式会社 | 流量センサ |
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